República Bolivariana De Venezuela

Universidad Nacional
Experimental Politécnica
Antonio José de Sucre
Vicerrectorado Barquisimeto
Núcleo Corona

AMPLIFICADORES DE
EFECTODE CAMPO(FET)

Graciela Fernández
CI: 24.385.399
Exp: 20122-C139
Prof.: Dionimar Perez
AMPLIFICADOR DE EFECTO DE CAMPO FET

Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales:

FUENTE (Source), DRENAJE (Drain) y PUERTA (Gate) que trabajan
controlando la corriente entre drenaje y fuente a través del campo eléctrico
establecido mediante la tensión aplicada al terminal de puerta.

1. Las ventajas del FET pueden resumirse como

sigue:
1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de
entrada (del orden de 107
W ). Como esta
impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los
BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de
un amplificador multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor
que los BJT.
1. Los FET so más estables con la temperatura
que los BJT.
3. Los FET son, en general, más fáciles de
fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de
enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor
número de dispositivos en un circuito integrado (es
decir, puede obtener una densidad de
empaque
mayor).
4. Los FET se comportan como resistores variables
controlados por tensión para valores
pequeños de tensión de drenaje a
fuente.
5. La alta impedancia de entrada de los FET les permite
almacenar carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos
de almacenamiento.
6. Los FET de potencia
pueden disipar una potencia
mayor y conmutar corrientes grandes.
JFET. CONCEPTOS FUNDAMENTALES. MODO DE
OPERACIÓN:

JFET es un transistor de efecto de campo de la puerta de unión. El transistor

normal es un dispositivo controlado por corriente que necesita corriente para la
polarización, mientras que JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Igual
que los MOSFET, como hemos visto en nuestro tutorial anterior, JFET tiene
tres terminales: Gate, Drain y Source

JFET es un componente esencial para los controles operados por voltaje de

nivel de precisión en electrónica analógica. Podemos usar JFET como
resistencias controladas por voltaje o como un interruptor, o incluso hacer un
amplificador usando el JFET. También es una versión de eficiencia energética
para reemplazar los BJT. JFET proporciona un bajo consumo de energía y
disipaciones de energía bastante bajas, lo que mejora la eficiencia general del
circuito. También proporciona una impedancia de entrada muy alta, lo cual es
una gran ventaja sobre los BJT.

Hay diferentes tipos de transistores, en la familia FET, hay dos subtipos: JFET
y MOSFET.
MODO DE OPERACIÓN:

Como trabaja el JFET

Un mejor ejemplo para comprender el funcionamiento de un JFET es imaginar

el tubo de manguera de jardín. Supongamos que una manguera de jardín está
proporcionando un flujo de agua a través de ella. Si apretamos la manguera, el
flujo de agua será menor y, en cierto punto, si lo apretamos por completo,
habrá un flujo de agua cero. JFET funciona exactamente de esa manera. Si
intercambiamos la manguera con un JFET y el flujo de agua con una corriente
y luego construimos el canal de corriente, podríamos controlar el flujo de
corriente.

Cuando no hay voltaje a través de la puerta y la fuente, el canal se convierte en

un camino suave que está abierto para que fluyan los electrones. Pero lo
inverso sucede cuando se aplica un voltaje entre la puerta y la fuente en
polaridad inversa, lo que hace que la unión P-N se desvíe y hace que el canal
sea más estrecho al aumentar la capa de agotamiento y podría colocar el JFET
en la región de corte o pizca.

Si queremos apagar un JFET, necesitamos proporcionar una puerta negativa a

la fuente de voltaje indicada como VGS para un JFET de tipo N. Para un JFET
tipo P, necesitamos proporcionar VGS positivo.

JFET solo funciona en modo de agotamiento, mientras que los MOSFET tienen
modo de agotamiento y modo de mejora.
MOSEFET

Definición de MOSFET:
"La Efecto de campo semiconductor de óxido de metal transistorMOSFET), es
una forma de transistor de efecto de campo de puerta aislada que está
compuesto por los semiconductores controlados a base de silicio oxidado”.

1 Diferentes tipos de MOS:

· MOSFET de canal P
· MOSFET de canal N
2 Diferentes tipos de dispositivos MOSFET:
· Modo de mejora MOSFET
· Modo de agotamiento MOSFET
Símbolo MOSFET
Conceptos básicos de MOSFET

Un FET funciona como un canal semiconductor conductor con 2 contactos: el

'FUENTE' y el DRENAJE. La unión GATE se puede comprender como un
circuito de 2 terminales como una estructura MOS que funciona como un modo
de polarización inversa rectificadora. Por lo general, la impedancia GATE es
mayor en situaciones de trabajo clásicas.

Los FET según estos estándares son típicamente MOSFET, JFET, FET de
semiconductores metálicos (MESFET) y FET de heteroestructura. De estos
FET, MOSFET es uno de los más importantes y se utiliza comúnmente para
varias aplicaciones.

En un MOSFET basado en silicio, el terminal GATE normalmente está aislado

por una capa específica de SiO2. Los portadores de carga del canal conductor
desarrollan una carga opuesta, e- en ese caso, sustrato de tipo p para un canal
n y 'agujeros' para sustrato de tipo n para el canal p. Esto será inducido en el
semiconductor en el borde del aislante de silicio por el voltaje aplicado en el
terminal GATE. El e- entrará y saldrá del canal en n + terminales de fuente y
drenaje para un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico
de canal n. Estos serán contactos p + durante el transistor de efecto de campo
semiconductor de óxido metálico de tipo p.
 Características de mosfet IRF

En la siguiente tabla se pueden ver las características técnicas de algunos

transistores mosfet que están en el mercado:

caracteristicas IRF740 IRF9640 IRF840 IRF9540

Disipación total del dispositivo 125 W 125 W 125 W 125 W

Tensión drenaje-fuente 400 V 200 V 500 V 500 V

Tension compuerta-fuente 20 V 20 V 20 V 20 V

Corriente continua de drenaje 10 A 11 A 8A 8A

Temperatura operativa maxima 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C

Tension umbral compuerta-fuente 4V 4V 4V 4V

Carga de compuerta 63 nC 44 nC 63 nC 63 nC

Conductancia de drenaje-sustrato 1450 pF 1200 pF   1500 pF 1500 pF

Resistencia drenaje-fuente 0.55 Ohm 0.5 Ohm 0.85 Ohm 0.85 Ohm

Empaquetado / Estuche TO220 TO220 TO220 TO220

Pines 3 3 3 3
MODO DE OPERACIÓN

El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado

fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain),
mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión
umbral) en el terminal llamado puerta (gate). Es un interruptor controlado por
tensión.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Un amplificador de potencia es un amplificador electrónico diseñado para

aumentar la magnitud de potencia de una señal de entrada dada. La potencia
de la señal de entrada se incrementa a un nivel lo suficientemente alto como
para manejar cargas de dispositivos de salida como parlantes, auriculares,
transmisores de RF, etc. A diferencia de los amplificadores de voltaje/corriente,
un amplificador de potencia está diseñado para impulsar cargas directamente y
se usa como bloque final en una cadena de amplificador.

La señal de entrada a un amplificador de potencia debe estar por encima de un

cierto umbral. Entonces, en lugar de pasar directamente la señal de audio/RF
sin procesar al amplificador de potencia, primero se preamplifica usando
amplificadores de corriente/voltaje y se envía como entrada al amplificador de
potencia después de hacer las modificaciones necesarias. Puede observar el
diagrama de bloques de un amplificador de audio y el uso del amplificador de
potencia a continuación.

Diagrama de bloque del amplificador de potencia

En este caso un micrófono se usa como una fuente de entrada. La magnitud de
la señal del micrófono no es suficiente para el amplificador de potencia.
Entonces, primero se preamplifica donde su voltaje y corriente aumentan
ligeramente. Luego, la señal pasa a través del circuito de control de tono y
volumen que realiza ajustes estéticos en la forma de onda del audio.
Finalmente, la señal pasa a través de un amplificador de potencia y la salida
del amplificador de potencia se alimenta a un altavoz.

CIRCUITO CLASE A

· Amplificador clase A. Son aquellos amplificador cuyas etapas de

potencia consumen corrientes altas y continuas de su fuente de
alimentación, independientemente de si existe señal de audio o no.

· Circuito clase B o push pull: Un circuito de clase B proporciona una

señal de salida que varía sobre la mitad del ciclo de la señal. El punto de
polarización D.C para una clase B se encuentra por lo tanto en 0v, lo
que implica una variación de la salida desde este punto de polarización
para un medio ciclo.

· Clase AB - Un amplificador de potencia en que los transistores de salida

reciben sólo una pequeña corriente de polarización constante, para que
el transistor opere, a bajos niveles de potencia de salida, tanto en el
semiciclo positivo como en el negativo