ESQUEMA

1.- ¿Qué es el FET?

2.- ¿Qué significan las siglas JFET y MOSFET?

3.- ¿Cuál es la simbología del JFET y MOSFET?

4.- ¿Cómo probar los FET?

5.- ¿Características del JFET y MOSFET?

6.- ¿Tipos de JFET y MOSFET?

7.- ¿Encapsulado del JFET y MOSFET?

8.- ¿Cuáles son las configuraciones básicas de los FET?

 1.- ¿Qué es el FET?

Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres

terminales: Fuente (S), Drenaje (D) y compuerta (G) que trabajan controlando
la corriente entre drenaje y fuente a través del campo eléctrico establecido
mediante la tensión aplicada al terminal de puerta.

El terminal de puerta, que funciona como terminal de control, no

maneja virtualmente corriente, salvo alguna corriente de fuga. El dispositivo
presenta, en consecuencia, una elevada impedancia de entrada (puede llegar
a valores del orden de 10 MΩ) que resulta esencial en variadas aplicaciones como
ser: llaves analógicas, amplificadores de muy alta impedancia de entrada,
etc. Son muy utilizados, también, como resistencias controladas por tensión y
fuentes de corriente.

Algunos tipos de FET presentan facilidades en cuanto a su integración en

áreas pequeñas y se utilizan especialmente en altas escalas de integración (LSI o
VLSI), con un amplio desarrollo para circuitos digitales (microprocesadores,
memorias, etc.) y un permanente avance en su utilización en circuitos integrados
de aplicación analógica. Teniendo en cuenta que pueden llegar a manejar más de
10 A de corriente se utilizan en diversas aplicaciones en reemplazo del
transistor bipolar, dando un alto rendimiento en circuitos relativamente simples.
El FET es un dispositivo cuyo funcionamiento puede ser asimilado al de una
fuente de corriente controlada por tensión y presenta las siguientes características:

 Es un dispositivo unipolar, tiene un único tipo de portadores.

 Presenta alta impedancia de entrada. La corriente de entrada es

prácticamente nula (ig).
 Tiene un bajo producto ganancia-ancho de banda. • es de fácil fabricación e
integración.
 En principio son dispositivos simétricos, o sea bidireccionales, no hay
distinción entre los terminales de drenaje y fuente, salvo por el sentido de
circulación de corriente. Se toma como convención que la corriente es
positiva cuando circula de drenaje a fuente.

Hay dos variedades fundamentales de FET:

 El transistor de efecto de campo de juntura (JFET).

 El transistor de efecto de campo de compuerta aislada (IGFET), o más

comúnmente transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor
(MOSFET). Ambos están disponible en dos clases (canal N y canal P). Dentro
de los MOSFET se distinguen los de enriquecimiento o normalmente
abiertos y los de empobrecimiento o normalmente en conducción.

 2.- ¿Qué significan las siglas JFET y MOSFET?

Transistor de efecto de campo de juntura (JFET).

JFET es un transistor de efecto de campo de la puerta de unión. El transistor

normal es un dispositivo controlado por corriente que necesita corriente para la
polarización, mientras que JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Igual que
los MOSFET, JFET tiene tres terminales: Gate, Drain y Source.

Un mejor ejemplo para comprender el funcionamiento de un JFET es

imaginar el tubo de manguera de jardín. Supongamos que una manguera de jardín
está proporcionando un flujo de agua a través de ella. Si apretamos la manguera,
el flujo de agua será menor y, en cierto punto, si lo apretamos por completo, habrá
un flujo de agua cero. JFET funciona exactamente de esa manera. Si
intercambiamos la manguera con un JFET y el flujo de agua con una corriente y
luego construimos el canal de corriente, podríamos controlar el flujo de corriente.
 Cuando no hay voltaje a través de la puerta y la fuente, el canal se convierte
en un camino suave que está abierto para que fluyan los electrones. Pero lo
inverso sucede cuando se aplica un voltaje entre la puerta y la fuente en polaridad
inversa, lo que hace que la unión P-N se desvíe y hace que el canal sea más
estrecho al aumentar la capa de agotamiento y podría colocar el JFET en la región
de corte o pizca.

Si queremos apagar un JFET, necesitamos proporcionar una puerta negativa

a la fuente de voltaje indicada como VGS para un JFET de tipo N. Para un JFET
tipo P, necesitamos proporcionar VGS positivo.

JFET solo funciona en modo de agotamiento, mientras que los MOSFET

tienen modo de agotamiento y modo de mejora.

Transistores de efecto de campo de puerta aislada (MOSFET)

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es

el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más
popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores
comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S),

drenador (D), puerta (G) y sustrato (B).
 3.- ¿Cuál es la simbología del JFET y MOSFET?

JFET:

S: Source = Fuente.
G: Gate = Compuerta.
D: Drain/Drainer = Drenaje/Drenador.

MOSFET:

S: Source = Fuente.
G: Gate = Compuerta.
D: Drain/Drainer = Drenaje/Drenador.
 B: Substratum = Sustrato. Este símbolo de terminal se ve incluido aunque
generalmente el sustrato está conectado internamente al terminal de fuente y por
este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

 4.- ¿Cómo probar los FET?

Pasos para probar un transistor FET:

1. En la función de diodos del multímetro, vamos a colocar la punta de prueba

negra (-) del multímetro, en el terminal D (Drenaje/Drenador) y la punta roja (+)
en el terminal S (Fuente).

Resultado de la prueba: Se debe obtener una medida de 513mv o similar

(Los resultados varían según el tipo de FET). Si no se obtiene ninguna lectura, el
FET está en circuito abierto. Si la lectura es baja, el FET está en cortocircuito.
2. Sin retirar la punta negra del terminal D (Drenaje/Drenador), colocamos la
punta roja en el terminal G (Compuerta).

Resultado de la prueba: No se debe obtener lectura alguna, de lo contrario

el FET presenta una fuga o está en cortocircuito.

3. Luego se regresa la punta roja al terminal S (Fuente), con lo que la juntura D

(Drenaje/Drenador) – S (Fuente) se activa.

Resultado de la prueba: Entre D (Drenaje/Drenador) y S (Fuente), se

obtiene una lectura baja, alrededor de 0.82v, debido a que el FET se “enciende”.
Para desactivar el FET, se debe cortocircuitar sus 3 terminales por medio de un
elemento metálico, así el FET regresara a su estado de reposo.

 5.- ¿Características del JFET y MOSFET?

JFET:

 La polarización de un JFET exige que las uniones P-N estén inversamente

polarizadas. En un JFET de canal N, o NJFET, la tensión de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de
canal. Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente
para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente.

 Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las

curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos
controlados por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente.

MOSFET:

 El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes

regiones de operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales los
cuales son corte, región lineal u óhmica, saturación o activa

 La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo

CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS
complementarios.

 Consumo en modo estático muy bajo.

 Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media
micra).

 Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.

 Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta se
expresa en nanoamperios.

 6.- ¿Tipos de JFET y MOSFET?

Tipos de JFET:

 JFET de canal N.

En JFET de canal N, el flujo de corriente se debe a los electrones. Cuando

se aplica voltaje entre la puerta y la fuente, se forma un canal entre la fuente y el
drenaje para el flujo de corriente. Este canal se llama canal N Actualmente, el
transistor JFET de canal N es el tipo más preferible que el JFET de canal P.

 JFET de canal P.

En este transistor JFET, el flujo de corriente se debe a los agujeros. El canal

entre la fuente y el drenaje se llama canal P.

Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una
pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida
(D y S) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan
dos terminales conectados entre sí (G).
 Tipos de MOSFET:

 MOSFET de canal N.

El MOSFET que tiene una región de canal N entre la fuente y el drenaje se

denomina MOSFET de canal N. Aquí los terminales de la fuente y la puerta están
fuertemente dopados con materiales de tipo ny el sustrato está dopado con
material semiconductor de tipo p. Aquí el flujo de corriente entre la fuente y el
drenaje se debe a los electrones. El voltaje de compuerta controla el flujo de
corriente en el circuito. El MOSFET de canal N es más preferible que el MOSFET
de canal P porque la movilidad de los electrones es mayor que la movilidad de los
agujeros.

 MOSFET de canal P.

El MOSFET que tiene región de canal P entre la S (Fuente) y D (Drenaje) se

denomina MOSFET de canal P. Aquí los terminales de fuente y drenaje están
fuertemente dopados con material de tipo P y el sustrato está dopado con material
de tipo N. El flujo de corriente entre la fuente y el drenaje se debe a la
concentración de agujeros. El voltaje aplicado en la compuerta controlará el flujo
de corriente a través de la región del canal.

 MOSFET de canal C.

Este circuito es la combinación de un MOSFET de canal P y un MOSFET de

canal N.

En el circuito de canal C el MOSFET de canal P y el de canal N podrían no

iniciar o dejar la conducción bajo las mismas condiciones, esto debido a que la
tensión en la compuerta, que hace que el MOSFET deje de conducir, tiene un
valor que va de 1 a 2 voltios. Esta característica depende de cada MOSFET en
particular y es común observar que la corriente de drenaje de un MOSFET es cero
(MOSFET en corte) aun cuando la tensión en la compuerta no lo sea.

 7.- ¿Encapsulado del JFET y MOSFET?

El encapsulado de un transistor FET varía su forma y tamaño, dependiendo

de la función que vayan a desempeñar. Hay varios encapsulados estándar y cada
encapsulado tiene una asignación de terminales que puede consultarse en un
catálogo general de transistores.

Independientemente de la cápsula que tengan, todos los transistores tienen

impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la referencia que indica el modelo de
transistor. Por ejemplo, en los transistores mostrados en las imágenes tienen su
número de referencia.

Encapsulado de transistor JFET:

Encapsulado de transistor MOSFET:

 8.- ¿Cuáles son las configuraciones básicas de los FET?

El FET más comúnmente utilizado es el MOSFET. La tecnología CMOS es la

base de los modernos circuitos integrados digitales. Esta usa una disposición
donde el MOSFET de canal P (generalmente "modo de enriquecimiento") y el de
canal-n están conectados en serie de manera que cuando uno está encendido, el
otro está apagado.

En los FET, los electrones pueden fluir en cualquier dirección a través del
canal cuando se operan en el modo lineal. La convención de nomenclatura del
terminal de drenaje y el terminal de fuente es algo arbitraria, ya que los
dispositivos están típicamente (pero no siempre) construidos simétricamente
desde la fuente al desagüe. Esto hace que los FET sean adecuados para
conmutar señales analógicas entre trayectos (multiplexación). En este concepto se
basan los tableros de mezcla de estado sólido usados en la producción musical.

Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran

resistencia de entrada y baja resistencia de salida, es efectivo como un buffer en
la configuración de drenaje común (seguidor de fuente). Son muy comunes
además en amplificadores de audio.