TRANISTORES MOSFET

TEMAS:

Transistores Mosfet
Parmetros del transistor Mosfet
Conmutacin de Transistores Mosfet

OBJETIVO

Comprender el funcionamiento del transistor Mosfet, para determinar los

parmetros de funcionamiento y poder seleccionar el transistor adecuado segn
el consumidor a comandar.
DESARROLLE DE TAMAS

Transistor Mosfet
Los Transistores MOSFET o tambin conocidos como transistores de Efecto de
Campo de Metal Oxido Semiconductor por sus siglas en ingls (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor) .

Los transistores Mosfet puede ser de dos tipos de Canal N y Canal P. El nombre de sus
terminales respectivamente son:

Source (Fuente) S
Drain (Drenaje) D
Gate ( Compuerta) G

Se muestra la distribucin interna de cargas para un transistor Mosfet de Canal N.

El semiconductor P tiene una cierta cantidad de electrones libres a los cuales se les
llama impurezas ( en un Mosfet las impurezas son huecos), aun asi son la clave para la
operacin del Mosfet , adems no existe conexin elctrica entre la compuerta y el
material P , estas estn aisladas por una capa de oxido aislante.
El transistor Mosfet de canal N funciona solo si se sigue las siguientes condiciones:
Debe existir un voltaje positivo entre compuerta y fuente ( G (+) y S (-) ) y un voltaje
positivo entre drenador y fuente ( D(+) y S(-)).
Si se aplica un voltaje , el diodo cercano al diodo cercano al drenador tendr
polarizacin inversa por lo que el Mosfet no conducir. Po otra parte si se aplica un
voltaje positivo VGS por encima de cierto valor conocido como Voltaje de Umbral VT,
se provocara la separacin de los huecos y de las impurezas del material P (ley de las
cargas elctricas), estas ltimas se juntaran al lado del oxido aislante sin poder cruzar
(como en las placas de un condensador) por lo que IG = 0. El resultado de este proceso
de la formacin de un canal N artificial, de aqu el Nombre de Mosfet Canal N

Parmetros del Transitor Mosfet

Transconductancia (K): es el equivalente al hfe o ganancia en transistores

bipolares

Mxima corriente de drenador (ID max): Desde 0.1 a 200 amperios

Mximo voltaje drenaje fuente (VDS max): De 10 a 800 V

Voltaje de umbral (VT): De 1 a 6V

Resistencia de encendido (rd_on): Se usa cuando el mosfet trabaja como

interruptor oscila entre 5 m a 10

Mxima potencia de disipacin (PD): 0.1 a 150 W

Tipo de empaque: Todos los empaques utilizados en los transistores bipolares

son aplicables a transistores mosfet

Conmutacin de transistores Mosfet

En general Todas las aplicaciones utilizadas en los transistores Bipolares y Darlington,
pueden ser realizadas con Mosfet, estos ltimos poseen las siguientes caractersticas:

Mayor velocidad de conmutacin ( 24 ns) en comparacin que un transistor

Darlington ( 2,5 s)

Menor perdida de potencia por calentamiento

Facilidad para controlar el circuito de salida (control por voltaje)

Menor tamao e encapsulado para similares caractersticas con otros

dispositivos

A continuacin se muestra el esquema bsico de conexin para un transistor Mosfet

de canal N y P, asi como el listado de ecuaciones para su calculo

En la prctica es comn que el voltaje VDD sea mayor que VGG

El voltaje VGG se lo debe aplicar entre compuerta y fuente

Un mosfet canal N necesita un voltaje mas positivo que VT (Voltaje de

Umbral) para operar

El interruptor que activa a la base puede ser entre otro una compuesta digital,
un integrado, una computadores

Siempre que RD sea del tipo inductiva se debe colocar D1, a fin de evitar
que la tensin inversa generada por la bobina dae el transistor

D1 puede ser colocado en antiparalelo a RD o al transistor

El conjunto de formulas es aplicable para los transistores de canal N y P

Debido a que el Mosfet posee un condensador entre compuerta y la fuente,

es susceptible a electricidad esttica, pudiendo incluso destruir dicho
condensador por exceso de voltaje, para evitar esto es necesario colocar una
resistencia de alto valor RG que actua como medio de descarga, sin afectar
el funcionamiento del Mosfet.

Ejemplo
Se desea comandar un foco de luz alta de 60 W con un transistor mosfet
IRFP450 calcular el voltaje que se debe aplicar a la compuerta G y la potencia
consumida por el transistor
Datos del fabricante del transistor IRFP 450
VGS(th) Gate treshold voltaje 4 V
Rd on= 0,4
VGS max= 20 V
Consumidor= 60 W Cual esel valor de la Resistencia interna?
Transconductance= 13
ID max= 14 A
Potencia mxima de disipacin a 25 C = 190 W

Ejercicio en clase
Se desea conmutar un transistor Mosfet Canal N IRFP 450, con un circuito
partidor de tensin, el consumidor tiene una potencia de 60 W, hallar el valor de
RV1 para poder conmutar el transistor, la fuente de alimentacin es de 12 V y el
valor de R1 es de 1 K
La formula del partidor de tensin es igual a: