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Regiones de operacin del NMOS FET

Los transistores JFET yMOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero susecuaciones analticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las mismas regiones de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. En la figura 1.16 se muestran lascurvas de caractersticas elctricas de un transistor NMOS con las diferentesregiones de operacin que son descritas brevemente a continuacin

Regin de corte
Se verifica que VGS<VT y la corriente ID es nula.

Regin lineal
El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado portensin. Verifica las siguientes ecuaciones:

siendo

un parmetro caracterstico del MOS que depende de la tecnologa a travs de la constante k y del tamao de la puerta del transistor (W la anchura y L lalongitud).

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO2) (tambin llamada "slice" o "slica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura) En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin de

entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de entrada. Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.

TRANSITORES FET

FET: Transistor de efecto de campo, curva caracterstica, resistencia del canalEl FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre

si. Ver la figura Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es lacompuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) Fuente (S). Ver el grfico.

FET de juntura o JFET (canal N) Electrnica Unicrom Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se

polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal
La curva caracterstica del FET

Curva caracterstica del FET para Vgs constante -

Electrnica Unicrom Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como unaresistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye. Si ahora se repite este grfico para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene un conjunto de grficos. Ver que Vgs es "0" voltios o es una tensin de valor negativo.

Curvas

caractersticas del FET para varios valores de Vgs Electrnica Unicrom Si Vds se hace cero por el transistor no circular ninguna corriente. (ver grficos a la derecha) Para saber cual es el valor de la corriente se utiliza la frmula de la curva caracterstica de transferencia del FET. Ver grfico de la curva caracterstica de transferencia de un transistor FET de canal tipo P en el grfico inferior. La frmula es: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)] )

Curva caracterstica de transferencia del FET -

Electrnica Unicrom donde: - IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0 - Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0) - Vgs es el voltaje entre entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID
Resistencia del canal RDS

Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la corriente ID (regula el ancho del canal), se puede comparar este comportamiento como un resistor cuyo valor depende del voltaje VDS. Esto es slo vlido para Vds menor que el voltaje de estriccin (ver punto A en el grfico). Entonces si se tiene la curva caracterstica de un FET, se puede encontrar La resistencia RDS con la siguiente frmula: RDS = VDS / ID

Los smbolos del FET son:

FET de canal N Electrnica Unicrom

FET de canal P Electrnica Unicrom

Referencias

1- Amplificadores con FET (transistor efecto de campo) - Amplificador surtidor comun 2- Amplificador seguidor de ctodo Amplificadores con FET (transistor efecto de campo)

TRANSISTORES MOSFET
=---= MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta

aislada Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO2) (tambin llamada "slice" o "slica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los

transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de entrada. Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.

MOSFET de canal N, construccin y smbolo - Electrnica Unicrom

MOSFET de canal P, construccin y smbolo - Electrnica Unicrom

En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente.

Estructura fsica de un

transistor NMOS - Electrnica Unicrom La puerta, cuya dimensin es WL, est separado del substrato por un dielctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversin) en la superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los terminales drenador y fuente. La tensin mnima para crear ese capa de inversin se denomina tensin umbral o tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS

Regiones de operacin del NMOS FET

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero sus ecuaciones analticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se

definen las mismas regiones de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. En la figura 1.16 se muestran las curvas de caractersticas elctricas de un transistor NMOS con las diferentes regiones de operacin que son descritas brevemente a continuacin

Regin de corte

Se verifica que VGS

Regin lineal

El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensin. Verifica las siguientes ecuaciones:

Ecuacin para la regin lineal de un MOSFET Electrnica Unicrom

siendo

un parmetro caracterstico del MOS que depende de la tecnologa a travs de la constante k y del tamao de la puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).

Curvas caractersticas de un NMOS - Electrnica Unicrom

Regin de saturacin de un MOSFET de canal N (NMOS)

El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin VGS. Verifica las siguientes ecuaciones

Formula del transistor NMOS en regin de

saturacin Electrnica Unicrom

siendo el parmetro descrito en la ecuacin 1.24. Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal En esta regin, la relacin cuadrtica entre VGS e ID (Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal), y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por mtodos grficos el punto de polarizacin de los transistores aunque rara vez se recurre a ellos.

Regin de ruptura de un MOSFET de canal N (NMOS)

Un transistor MOS puede verse afectado por fenmenos de avalancha en los

terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de xido fino de la puerta que pueden daar irreversiblemente al dispositivo.

Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un transistor NMOS y PMOS - Electrnica Unicrom

Por ltimo, sealar que en la tabla 1.3 se indican las diferencias en el signo y sentido de las corrientes y tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS. Aplicaciones

La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Vase Tecnologa CMOS Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas

La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:

Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).

Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.