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MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-
semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-
semiconductor Field-effect transistor) es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados


fuente (S, Source), drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y
sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente está
conectado internamente al terminal de fuente y por este
motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres
terminales

El mosfet conduce corriente eléctrica entre dos de sus terminales cuando aplicamos tensión en el
otro terminal. Es un interruptor que se activa por tensión. 

En un transistor pnp o npn (basados en la unión pn) hace lo mismo, pero la diferencia es que en los
npn o pnp la conducción se produce cuando le llega una pequeña corriente a la base, en el mosfet
es por tensión, se activa cuando ponemos a una tensión mínima en el terminal del transistor
llamado Gate.

La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para llevar a cabo su
propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida es muy pequeña, lo que hace que
sea un componente importante en los modernos ordenadores y dispositivos electrónicos como los
teléfonos celulares, relojes digitales, pequeños juguetes de robot y calculadoras.

Los mosfet se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato. Sobre este
semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es un semiconductor
contrario al semiconductor usado para el sustrato.

Recubriendo este bloque se coloca una capa de óxido metálico aislante que hace de dieléctrico o
aislante entre la fuente y el sumidero. Por encima de este óxido se coloca una placa de metal
conductor. El óxido con el metal forman la tercera patilla o borne de conexión llamada puerta o
gate (en inglés).

Tenemos 4 partes pero solo 3 patillas, ya que el sustrato está unido siempre a la puerta (gate),
formando una única patilla del transistor.

 S y D = semiconductor/es. A un lado está la patilla llamada sumidero o fuente (S). Al otro lado la
patilla llamada Drenaje (D), drenador o salida. Entre estos dos terminales pasa la corriente cuando
activamos G por medio de tensión. La corriente cuando se activa el transistor entra por S y sale por
D, siempre que G tenga una tensión mínima, llamada tensión Umbral o  threshold = Vth.
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 G = puerta o gate. La parte de arriba es un metal conductor y la de abajo el óxido. 

 P = capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de S y D.

BJT
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí,
que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de
la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores
de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

“ES EL TRANSISTOR COMÚN QUE HEMOS VISTO EN TODA LA MATERIA”


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IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la
sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor)
es un dispositivo semiconductor que generalmente se
aplica como interruptor controlado en circuitos
de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las
características de las señales de puerta de
los transistores de efecto campo con la capacidad de
alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras
que las características de conducción son como las
del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en
particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas,
convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras
aplicaciones.

El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz y ha sustituido


al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y media energía como fuente
conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT
consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del
orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.

En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los tiristores y los MOSFET. Maneja


más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de


puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una
señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
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IGBT VS MOSFET
Definimos el IGBT como un híbrido entre los transistores MOSFET y los BJT, o bipolares, que
aprovecha las ventajas de ambas tecnologías, por lo que será sobre estos dos con los que
realizaremos las comparaciones más específicas, observando sus ventajas y desventajas.
El IGBT tiene la salida de conmutación y de conducción con las características de los transistores
bipolares, pero es controlado por tensión como un MOSFET, tiene una impedancia de entrada
elevada como los MOSFET, alta capacidad de corriente, caída de tensión directa (voltaje colector-
emisor de saturación) muy baja así como la facilidad de comando gracias a la compuerta aislada
que ofrece la tecnología MOSFET, además de las bajas pérdidas en conmutación como los BJT,
puesto que la energía aplicada en la puerta que activa el dispositivo es pequeña, con corrientes de
orden de nanoamperios y tensiones de control de unos 15V, haciendo posible su control mediante
circuitos integrados, además de no necesitar la corriente de base para mantenerse en conducción
como los bipolares. En general, esto significa que tiene las ventajas de la alta capacidad de manejo
de corriente propias de un transistor bipolar, con la facilidad del control de conducción por tensión
que ofrece un MOSFET.
Entre algunas de sus desventajas encontramos que el IGBT tiene una relativamente baja velocidad
de respuesta (20Khz) en comparación con el MOSFET

Un IGBT cuenta con una caída de tensión significativamente menor en comparación con un
MOSFET convencional en dispositivos con clasificación más alta de tensión de bloqueo, aunque las
pérdidas en conmutación son mayores.

Otro de los posibles problemas con algunos tipos de IGBT es el coeficiente de temperatura
negativo que poseen, que podría conducir al dispositivo a una deriva térmica muy difícil de
controlar. Lo que significa que tiene un comportamiento dependiente de la temperatura

A diferencia de un MOSFET, el IGBT no puede conducir en la dirección inversa. Es capaz de


bloquear tensiones Vcenegativas, al contrario que el MOSFET, que no puede debido a su diodo
parásito.
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COMPARACIONES ENTRE
DIFERENTES DISPOSITIVOS
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