I EXAMEN DE MATERIALES ELECTRONICOS-2022

NOMBRE: Jordan Ludwyn Ynfante Medina CODIGO: 1013500717

1. A semiconductor is doped with ND and has a resistance R1 (ND>>NA). The same semiconductor is
then doped with an unknown amount of acceptors NA (NA>>ND), yielding a resistance of 0.5 R1.
Find NA in terms of ND if Dn/DP=50. (7p)
2. Una aleación de Ag es dopada con Ag+ a 300ºC durante 3 horas. Si el contenido de Ag+ superficial
es de 0.003%, determinar el contenido de Ag+ a 0.15 µm de la superficie, si la difusión se da a en
los Limites de grano. (5p)
3. Determinar la conductividad electrica del ZnO a 500ºk cuando se le dopa con 0.0015% de As.
(5p)
 4. Explicar los resultados obtenidos en cada uno de sus grupos de los papers expuestos (3p)

3. Resultados y discusión
El espesor de la película obtenido a partir de la medición SEM de la sección transversal es de
aproximadamente 400 nm. La Fig. 1 muestra los patrones XRD típicos de las películas de ZnO
cultivadas utilizando una serie de objetivos con diferentes contenidos de Al (0 at.%, 0.08 at.%, 0.4
at.%, 1 at.% y 4 at.%) sobre sustratos de Si (1 0 0). Solo se observa un pico correspondiente al
plano (0 0 2), obviamente no se detectan picos de Zn3N2, Al2O3 o AlN. Se sugiere que las películas
de ZnO muestren (0 0 2) una orientación preferencial con el eje c perpendicular al sustrato. Con el
aumento del contenido de Al en los blancos (de 0 at.% a 4 at.%), la intensidad del pico (0 0 2)
disminuye evidentemente, indicando la degradación de la cristalinidad por incorporación de átomos
de Al. Sin embargo, el ángulo de difracción del pico (0 0 2) cambia al lado del ángulo de difracción
más alto al principio, luego cambia de nuevo al lado del ángulo de difracción más bajo. Se puede
explicar de la siguiente manera: cuando se utiliza un objetivo de Zn puro, el valor de separación d
de ZnO: N es mayor que el de ZnO sin dopar nominalmente debido al mayor radio del ion N en
comparación con el ion O, lo que concuerda con el valor pequeño de 2θ (34.048). Cabe señalar que
el valor 2θ de ZnO nominalmente sin dopar es 34.37° (no mostrado) bajo los mismos parámetros
experimentales. Cuando Al se incorpora en ZnO, los átomos de Al sustituyen a los átomos de Zn, lo
que hace que el valor de separación d del ZnO codopado disminuya debido al radio más pequeño
del ion Al en comparación con el ion Zn, lo que concuerda con valores 2θ más grandes. Cuando el
contenido de Al aumenta aún más, por ejemplo, 4 at.%, algunos átomos de Al se ubican en el sitio
intersticial en lugar del sitio Zn, por lo que el valor del espacio d aumenta nuevamente, (0 0 2) el
pico vuelve al lado del ángulo inferior. Como podemos ver en la Fig. 1, el ZnO codopado que usa
0.4 at.% Al objetivo tiene el valor de espacio d más cercano (34.34°) al ZnO nominalmente no
dopado (34.37°).

Fig. 1. Patrones XRD de películas de ZnO en crecimiento con una serie de objetivos con diferentes
 contenidos de Al (0 at.%, 0.08 at.%, 0.4 at.%, 1 at.% y 4 at.%).
Las propiedades eléctricas de las películas de ZnO se examinaron mediante la medición del efecto
Hall; los resultados se resumen en la Tabla 1. Las muestras con sustratos de vidrio se usaron aquí
para asegurar que cualquier conducción de tipo p debe estar asociada con películas de ZnO. La
película de ZnO dopada con N y con bajo contenido de Al (0,08% at.%) muestra una alta
resistividad, una baja concentración de portadores y una señal ambigua del tipo de portador. Como
se mencionó anteriormente, los valores de 2θ del pico (0 0 2) son casi iguales para los dos casos
(34.04° y 34.09°), lo que indica que se introdujeron pocos o ningún átomo de Al en el ZnO para
facilitar la incorporación de N.
Las propiedades eléctricas de las películas de ZnO fueron examinadas por la medición del efecto
Hall; los resultados se resumen en la Tabla 1.

Las muestras con sustratos de vidrio se utilizaron para asegurar que cualquier conducción de tipo p
debe estar asociada a las películas de ZnO. La película de ZnO dopada con N y el bajo contenido de
Al (0,08 at. %) muestra una alta resistividad, baja concentración de portadores y la señal ambigua
del tipo de portador. Como se ha mencionado anteriormente, los valores 2θ del pico (0 0 2) son casi
los mismos para los dos casos (34,04° y 34,09°), lo que indica que no se introdujeron átomos de Al,
o se introdujeron pocos en el ZnO para facilitar la incorporación de N. Se ha señalado que se
incorporaron muy pocos átomos de N en el ZnO debido a su baja solubilidad, por lo que no son
suficientes los aceptores y compensan los defectos intrínsecos de los donantes, como las vacantes
de oxígeno o los intersticiales de zinc, lo que resulta en una señal ambigua del tipo de portador.
Cuando el contenido de Al aumenta a 0,4 at.%, las películas de ZnO codopadas poseen una señal de
conducción de tipo p definida, como una concentración de portadores de 2,52*10 17 cm-3 y una
resistividad de 28,3 Ωcm. Mientras tanto, el valor de 2θ aumenta a 34,34°, lo que indica una
cantidad adecuada de Al en sustitución del Zn para facilitar la incorporación de N y la disminución
del valor del espaciado d. Con el aumento del contenido de Al, la concentración de portadores de
las películas de ZnO codopadas de tipo p disminuye; las películas codopadas incluso vuelven a
mostrar una señal ambigua del tipo de portador cuando el contenido de Al aumenta a 4 at.%.
El deterioro de la conducción de tipo p puede entenderse en términos de más donantes inducidos
por Al o intersticiales de Al presentados en las películas de ZnO codopadas con alto contenido de
Al, lo que ha sido confirmado por medición XRD. En cuanto a la movilidad de Hall, disminuye con
el aumento del contenido de Al debido a los centros de dispersión de Al presentados en las
películas. Está claro que existe un contenido óptimo de Al para realizar una conducción de tipo p
con una baja resistividad y una alta concentración de huecos. En este estudio, es 0,4 at.%, pero debe
tenerse en cuenta que el contenido de Al en ZnO codopado debe ser menor que el de los objetivos
considerando la característica de cristalinidad superior de ZnO en comparación con Al2O3.

Los estados de enlace químico de N y Al en las películas crecidas se examinaron mediante análisis
XPS.
La Fig. 2 muestra los espectros de barrido estrecho de N 1s y Al 2p3/2 del ZnO dopado con N y el
ZnO codado con N-Al (Al 0,4% at.)
sobre sustratos de Si (1 0 0). Para el ZnO dopado con N, el pico a 407,6 eV puede atribuirse a los
enlaces N 1 de N-O causados por la absorción superficial, porque también se observa un pico
similar para el Ga-N en el ZnO dopado con N [5, 10]. Para el ZnO codopado con Al-N, el pico a
397,2 eV se atribuye a los N1s de los enlaces Al-N, porque este valor concuerda bien con el de la
película AIN (397,5 eV). El pico a 73,9 eV se atribuye al Al 2P3/2 de los enlaces Al-N,
considerando el valor reportado para la película AIN (74,2 eV) . No se observa pico
correspondiente a enlaces Zn-N (395,8 eV) para ambos casos; gracias al límite de detección de
XPS. Se infiere que N y Al presentados en ZnO están principalmente en el estado de enlaces Al-N,
y la presencia de Al facilita la incorporación de N, ya que un pico correspondiente a enlaces Al-N
se detecta fácilmente para ZnO codopado, pero ningún pico correspondiente a enlaces Zn-N se
observa para ZnO dopado con N por debajo del límite de detección de XPS, lo que está en buen
acuerdo con los resultados obtenidos de la medición del efecto Hall.
Ahora demostramos que la presencia de Al facilita la incorporación de N a través de la formación
de enlaces Al-N en ZnO codopado, pero ¿por qué el objetivo de Al al 0,4% at. tiene el mejor efecto
de codificación? Yamaiomoto y Yoshida predijeron que uno de los requisitos básicos para La
actividad de tipo p en ZnO por el proceso de codopación es que la relación aceptor: donante es 2:1.
Zhang et al. también estuvo de acuerdo en que la proporción ideal de N: Ga para lograr el mejor
ZnO de tipo p debería ser 2:1, pero puede tener poco que ver con el efecto de codificación
propuesto por Yamaiomoto y Yoshida. Wang y Zunger sugirieron que el "dopaje de racimo" por 4N
+ Ga es más soluble que el dopaje de ZnO por 2N + Ga. Con base en el análisis anterior,
proponemos tentativamente su juicio para el mejor efecto de codopaje de Al-N. Como podemos ver,
el mejor efecto de codificación se puede lograr con todo el contenido adecuado. En este estudio es
0,4 at.% Al en el objetivo. Es interesante notar que el ZnO codopado (0.4 at.% Al objetivo) con un
valor de espaciado d más cercano (0 0 2) al ZnO nominalmente no dopado resulta ser el que posee
las mejores propiedades eléctricas de tipo p. Por lo tanto, se infiere que el efecto de codificación Al-
N está influenciado por el cambio del valor del espaciado d. El mejor efecto de codopaje se puede
lograr cuando el ZnO codopado tiene el valor de espaciado d más cercano (0 0 2) al ZnO
nominalmente no dopado. Esta plausible coincidencia puede entenderse en términos de la
estabilidad del aceptor de N. Cuando el ZnO codopado tiene un valor de espaciado d más cercano al
ZnO nominalmente no dopado, la tensión intrínseca se reduce a un valor mínimo, dando al aceptor
de N un estado de dopaje estable. En cambio, cuando el valor del espacio d es muy diferente al del
ZnO no dopado nominalmente debido a la codificación Al-N, el estrés intrínseco relativamente
grande hace que el aceptor de N se vuelva inestable, lo que reduce su solubilidad en ZnO. Esta
estabilidad del aceptor de N también puede comprenderse en términos de la reducción de la energía
de Madelung por codificación, lo que en parte concuerda con los juicios sobre el mejor efecto de
codificación propuestos por Yamaiomoto y Yoshida.
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