DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS

ELECTRÓNICOS

Unidad 1: Fundamentos de los dispositivos electrónicos

Sesión 04: Juntura semiconductora, electrostática de juntura

perfiles de dopaje idealizado. Ejemplos y ejercicios básicos de
Juntura PN.

Docente: Dr. Odón Aréstegui S.

Juncion PN
Logros de la Sesión 04:

Al final de la sesión, el alumno entenderá e identificará:

 Juntura semiconductora.

 Electrostática de juntura, perfiles de dopaje idealizado y

 Ejemplos y ejercicios básicos de Juntura PN.

Introducción
La juntura PN, se define como la frontera entre una zona
o región semiconductora tipo p y una zona o región tipo N
formadas en el mismo cristal semiconductor.
Los dispositivos de juntura PN pueden ser examinados
considerando:
1. Análisis electrostático (estudio de densidad de carga
fija), campo eléctrico y potencial electrostático
2. Modelamiento del dispositivo de juntura PN en estado
estable. Pequeña señal y respuesta en frecuencia y
respuesta transitoria.
Juntura y perfiles de dopajes idealizados
La juntura PN no es posible formarla simplemente
uniendo, por presión ambos cristales de distinto material.

Pues las irregularidad de las superficies, la capa de oxido

y otras imperfecciones impiden el contacto.

Las junturas PN se forman en un cristal unico en el que

se hace variar el contenido de impurezas (dopaje o
contaminacion) a lo largo de una direccion determinada,
dando lugar en un lado, a una seccion tipo P y en el otro
lado, una seccion tipo N.
Juntura y perfiles de dopajes idealizados
En la región cercana a la superficie (NA>ND), es tipo P.
En lo profundo del semiconductor (ND>NA), es tipo N.
La variación de dopaje en la vecindad o alrededor de la
juntura metalúrgica es de vital importancia.
En tal sentido se utiliza perfiles de dopaje idealizados para
llevar a cabo el analisis y a partir de ello se obtiene
resultados cercanos a los resultados experimentales.
Idealizaciones de perfil de dopaje usuales son:
- Juntura abrupta y
- Juntura gradual.
Juntura y perfiles de dopajes idealizados
la juntura abrupta se caracteriza por una rápida transición de
la región P a la región N, ambas con un dopaje uniforme.
La juntura gradual se caracteriza por una transición suave.
La región de deplexión consta de dos partes:
Dentro del lado P: Una región de carga negativa,
compuesta por los átomos aceptores desbalanceados o
descubiertos, los cuales no están neutralizados porque los
huecos se difundieron hacia el lado N de la juntura.
Dentro del lado N: Una región de carga positiva,
compuesta por los átomos donadores desbalanceados o
descubiertos, los cuales no están neutralizados porque los
electrones se difundieron hacia el lado P de la juntura.
Cualquiera de los electrones o huecos en la región de
deplexion son apartados por este campo.

Entonces bajo condiciones de equilibrio, se presenta una

corriente de arrastre debido al campo eléctrico que
contrarresta a la corriente de difusión que surge debido a la
diferencia de las concentraciones de electrones y huecos
alrededor de la juntura.
Semiconductores Intrínsecos y Extrinsecos
Semiconductores puros: silicio y germanio
– Materiales del grupo IVA
Semiconductores impuros
Los sitios de imperfecciones bajan la energía de activación
para producir electrones móviles

Silicio dopado
𝜎: aumenta con el dopaje
Número de portadores de carga

Conductividad:

Para un semiconductor intrínseco: n = p

Entonces:
Ejercicios:
Ejercicio 1.
Calcular el número de portadores del Arseniuro de galio
(GaAs). Sabiendo que las movilidades son ue=0.85
uh=0.45m2/V.s
Solución:
Ejercicio 2.
Sabiendo que la conductividad eléctrica a temperatura
ambiente para el silicio intrínseco es de 4x10-4 (Ω-m)-1 y las
movilidades de los electrones y huecos es de 0.14 y 0.048
m2/Vs respectivamente, con ello determinar las
concentraciones de electrones y huecos a temperatura
ambiente.
Solución:
Ejercicio 3.
Sabiendo que la concentración intrínseca de portadores del
silicio a 300 K es 1,6x1016 m-3.Determinar la conductividad
intrínseca, considerando: un= 0,15m2/V·s, up = 0,05 m2/V·s
Solución:
Ejercicio 4.
Se utiliza un cristal de Ge como detector de fotones de alta
energía (Radiación gamma). Un fotón de energía superior a
la anchura de la banda prohibida al penetrar en el cristal
origina pares de e-/h+. Los electrones pasan desde el techo
de la BV al fondo de la BC. Determinar el número máximo
de pares e-/h+ que puede producir una radiación gamma de
1,5 MeV. (Eg(Ge) = 0,67 eV.)

Solución:
Ejercicio 5.
Se sabe que cuando la temperatura de un cristal de Ge
intrínseco pasa de 20ºC a 30ºC, su conductividad se
incrementa un 50%. Determinar la anchura de su banda
prohibida.
Solución:

y
Aplicamos logaritmo natural a ambos lados, queda:
Ejercicio 6.
La máxima longitud de onda de una radiación que actúa
sobre una LDR (semiconductor cuya resistencia depende de
la iluminación) es 1,82um a 300º K. Determinar el valor de la
anchura, Eg, de su banda prohibida.
Solución:
h:constante de planck
Conclusiones
"En la Junción PN tenemos la unión de un
semiconductor extrínseco con deficiencia y
exceso de electrones"

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