Nanotecnologa y Nuevos Materiales

los Nanomateriales

Autor: Felipe A. Rodrguez Y.

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Fecha de elaboracin: 15-06-2015

Propiedades pticas de

Calf.:
Mdulo: X

TAREA Nro. 7
Propiedades pticas de los Semiconductores
Las propiedades pticas estn relacionadas de manera estrecha con las
propiedades elctricas y electrnicas del material. Al momento de hablar
acerca de propiedades pticas estamos hablando acerca de la forma en que
la materia interacta con la radiacin electromagntica, por ejemplo, si se
tiene una onda electromagntica que choca contra un cuerpo, esta podra
ser reflejada (especular o difusamente), refractada (transmitida) o
absorbida. Dicho de manera ms simple, una parte del espectro ser
absorbida mientras que otra ser dispersada (en cualquier direccin).
Cuando los semiconductores absorben fotones, se forman los exitones. Los
exitones son el estado de un electrn y un hueco que se encuentran ligados
debido las fuerzas de Coulomb [1].
Estas propiedades son muy importantes en un semiconductor debido a que
sus propiedades de transporte dependen de ellas, un ejemplo de esto son
las bandas de valencia (que tambin dependen de otros factores como la
temperatura y el dopaje). Ya se haba discutido en trabajos anteriores que la
diferencia entre las bandas de valencia en un conductor, semiconductor y
aislante era simplemente el tamao de la misma. Poder explicar la banda
de valencia de un semiconductor es bastante complicado, se debe saber
que los diagramas de bandas de energa estn formadas por mltiples
bandas algunas de las cuales estn vacas y otras que estn llenas, sin
embargo en la figura 1 se puede observar un modelo simplificado que
describe a un semiconductor en el que E v es el borde de la banda de
valencia, Ec es el borde de la banda de conduccin y E vacuum es el nivel de
vaco [2].

Fig1.
El
diagrama
de
bandas
simplificado se usa para describir los
semiconductores [2].

Cabe mencionar que gracias a las tcnicas de fabricacin de nanomateriales

ya discutidas anteriormente, se pueden disear bandas de energa que se
ajusten a una aplicacin en especfico, esta es una ciencia denominada
1

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Propiedades pticas de

Ingeniera de Bandas. Algo muy importante es que la banda de energa

permite la clasificacin de los semiconductores, cuando el mnimo de la
banda de conduccin y el mximo de la banda de valencia ocurren al mismo
nmero de onda (cantidad de ondas en una distancia especifica) se tiene un
semiconductor de banda de energa directa, caso contrario se conoce como
semiconductor de banda de energa indirecta. Esto es muy importante en
dispositivos opto electrnicos, en los que un semiconductor de banda
directa proveer una absorcin o emisin de luz mucho ms eficiente que
uno de banda indirecta. El Germanio y el Silicio son un buen ejemplo de
semiconductores con banda de valencia indirecta, mientras que el Arseniuro
de Galio tiene una banda directa [3].
Sin duda alguna, el semiconductor dominante en el mundo de la tecnologa
es el Silicio, esto debido en parte a la excelente calidad que se puede lograr
con la heterounion (intercara) entre Silicio/Oxido de Silicio [4]. Las intercaras
o heterouniones es uno de los tantos factores que puede afectar las
estructuras de las bandas de valencia de los semiconductores, esto sucede
debido a que las heterouniones se realizan entre materiales que tienen una
constante de red bastante parecida (pero no iguales). Estas intercaras
suelen estar clasificadas en tres tipos [5]:
-

Tipo I: La bandas de energa menor queda completamente abarcado

por la banda de energa mayor, en este tipo de intercara los
electrones se movern hacia el material que la menor banda de
conduccin [5].
Tipo II: Se produce un desfase en la banda de energa (recordemos
que una heterounion se realiza con materiales que poseen una
constante de red parecida, pero no igual), este desfase provoca que
tanto los electrones como los huecos tiendan a moverse hacia el lado
opuesto de la intercara [5].
Tipo III: El desfase que se produce debido a la diferencia de las
constantes de red provoca que ninguna banda de energa se
superponga, aunque se produce un solapamiento de la banda de
valencia de uno de los materiales con la banda de conduccin del
otro [5].

Como un ejemplo para demostrar las propiedades pticas de los

semiconductores es necesario hablar acerca de los pozos cunticos, en los
cuales la absorcin o transmisin (reflexin) ptica se debe a transiciones
entre las subbandas de huecos y electrones. Las transiciones de energa se
incrementan cuando el pozo cuntico se hace ms angosto, esto debido al
aumento del confinamiento de energa. Conforme aumenta el confinamiento
los exitones se vuelven ms comunes debido a que los huecos y los
electrones se encuentran ms cercanos que en un material bulk. En la figura
2 se puede observar la absorcin ptica de un conjunto de pozos cunticos
con distinto ancho (en ngstroms) para distintas longitudes de onda [6].
Es por las caractersticas nombradas anteriormente que los pozos cunticos
suelen ser utilizados en dispositivos optoelectrnicos, cabe aadir que el
mantener huecos y electrones juntos puede aumentar la eficiencia en
dispositivos como LEDs o Lseres [6].

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Efectos Intrnsecos y Extrnsecos

Las propiedades pticas presentes en los semiconductores tienen su origen
en los efectos tanto intrnsecos como extrnsecos. Las propiedades
intrnsecas de un semiconductor estn relacionadas con la pureza del
mismo, las transiciones pticas intrnsecas tienen lugar entre los electrones
en la banda de conduccin y los huecos en la banda de valencia, es en este
tipo de efectos que se incluyen los efectos exitonicos debido a la interaccin
(fuerzas) de Coulomb. Se debe tomar en cuenta que existen exitones libres
y exitones ligados, en un semiconductor con muy alta pureza los exitones
pueden incluso, encontrarse en estado de excitacin [7].
Las propiedades extrnsecas se deben ya sea a las impurezas o al dopaje
que se realiza a un material e influyen tanto en la absorcin ptica como en
la emisin. Es debido a estas propiedades que existen los estados
electrnicos de los exitones que pueden estar ligados a un receptor o
donador ya sea neutral o cargado [7].
Fotoconductividad
Se puede definir la fotoconductividad como la conduccin elctrica debida a
la excitacin de electrones en los que la luz es absorbida. Cuando un haz de
luz entra en un foto detector su energa provoca la excitacin de los
electrones de la banda de valencia del semiconductor hacia la banda de
conduccin, debido a esto la corriente aumenta en dicho dispositivo. Este
aumento de electrones en la banda de conduccin produce (aparte del
aumento de corriente) un aumento de la conductividad del semiconductor,
en este caso [8].
Las investigaciones en los ltimos 10 aos han estado orientas al uso de
nanoalambres de Sulfuro de Cadmio (semiconductores) como foto
detectores, si bien estos nanoalambres no tiene una respuesta (aumento y
disminucin de corriente) tan rpida como los fabricados de xido de Zinc,
las investigacin se centran en mejorar estos tiempos de respuesta. En la
figura 3 se puede observar la fotorespuesta de un nanoalambre de Sulfuro
de Cadmio debido al estmulo de una fuente de luz, ntese la velocidad de
respuesta del
Fig2. Absorcin ptica de un pozo cuntico con
anchos de 4000, 210 y 140 ngstroms [6].

semiconductor [8].
3

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Propiedades pticas de

Fig3. Fotorespuesta de un nanoalambre de Sulfuro

de Cadmio a la luz visible, en el eje de las ordenadas
se tiene la corriente en nA y en el eje de las abscisas
el tiempo en segundos [8].

Bibliografa:
[1] Jin Zhong Zhang, Optical Properties, Spectroscopy of Nanomaterials [Online].
Disponible
en:
http://home.iitk.ac.in/~anandh/MSE694/courseMSE694/NPTEL_Optical
%20properties%20of%20Nanomaterials.pdf

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Propiedades pticas de

[2] B. Van Zeghbroeck, Chapter 2: Semiconductor Fundamentals [Online].

Disponible
en:
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter2/ch2_3.htm#fig2_3_7
[3] Dr. Katarzyna Skorupska, Optical Properties of Semiconductors [Online].
Disponible
en:
http://www.uwyo.edu/cpac/_files/docs/kasia_lectures/3opticalproperties.pdf
[4] Franz Himpsel, Semiconductor Surfaces / Interfaces [Online]. Disponible en:
http://uw.physics.wisc.edu/~himpsel/semicon.html
[5] Senen Barro et al., Fronteras de la computacin. Fundacin Dintel, 2002. Pg.
104 106.
[6] Oxford University, Handout 7: Bandstructure Engineering [Online]. Disponible
en: http://www2.physics.ox.ac.uk/sites/default/files/BandMT_07.pdf
[7] Chennupati Jagadish, Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures:
Processing, Properties and Applications. Elsevier, 2006. Pg. 175 176.
[8] Jonathon Milam, Photoconductivity of Semiconducting CdS Nanowires [Online].
Disponible en: http://www.nu-nanoscape.org/Vol2/05Milam.pdf