ESPECIALIDAD EN SEMICONDUCTORES

RESUMEN DE ARTÍCULO
EFECTOS DE IMPUREZAS DE CERIO SOBRE LAS PROPIEDADES
ESTRUCTURALES Y ELECTRONICAS DEL OXIDO DE ZINC
En el trabajo analizado, se estudiaron los efectos de impurezas del Cerio sobre las propiedades estructurales
y electrónicas de Óxido de Zinc en su fase Wurtzita, mediante simulaciones computacionales utilizando la
Teorıa del Funcional de Densidad (DFT),
El interés en estudiar las propiedades del semiconductor Óxido de Zinc (ZnO) cuando es dopado con Cerio,
es debido a que recientemente estudios experimentales han comprobado que este material posee
características de gran interés para aplicaciones foto catalíticas, equipos eléctricos, tratamientos de aguas
residuales y lubricantes.
El trabajo presenta un estudio teórico bajo un análisis computacional, basado en la teoría del funcional de la
densidad (DFT), sobre los efectos de impurezas de Ce sobre las propiedades estructurales y electrónicas del
ZnO.
Se presentan las condiciones para la realización de los cálculos de energía total; además se escribe la celda
unitaria convencional Wurtzita y una supercelda utilizada en el estudio de las propiedades estructurales,
electrónicas y magnéticas del Zn1−xCexO, con una concentración del 12,5% para la supercelda 2x2x1.

12,5% →Zn0,875Ce0,125O
Zn7Ce1O8
La optimización de la geometría para la supercelda y sus calculos de energía total presentes, fueron
realizados con DFT, implementada bajo el software computacional Quantum-ESPRESSO. Las energías de
corte utilizadas para las ondas planas y la densidad de carga, fueron respectivamente 85 Ry y 850 Ry.

Supercelda 2x2x1 del ZnCeO con sus respectivos parámetros

de red, ángulo de enlace y longitudes de enlace

Los resultados de las pruebas son los siguientes :

En la tabla de parámetros se puede observar como los parámetros de red, longitudes de enlaces y ángulos de
enlace cambian solo un poco, esto se debe a la pequeña diferencia de radio covalente (Rc) que posee el
átomo de Zn con respecto al átomo Ce [55], el Rc del Zn es de 1,4175Aˆ y el del Ce es de 1,6275Aˆ estos
radios covalentes son los reportados por el programa utilizado Quamtum ESPRESSO. Una concentración del
12,5% distorsiona un poco los parámetros debido a los defectos inducidos por el Ce, lo más recomendable es
una concentración de Ce más baja, esto para no distorsionar la estructura del material debido al Rc que el Ce
posee.

En la densidad de estado del material dopado ZnCeO para una concentración del 12,5% en su fase Wurtzita.
En la figura se muestra la densidad de estados total y parcial de este material (para átomos próximos al
dopante Ce), donde el nivel de Fermi se ha situado en el origen de la gráfica.
Se puede observar que los orbitales se desplazaron hacia la BC, así el ZnO pasa de tener un gap directo de
0,7234eV a un gap intrabandas de 0,7869eV para el ZnCeO, siendo esto uno de los efectos provocados por la
impureza del Ce. Esto hace que el material presente propiedades metálicas, también se puede observar que
las densidades de estados total y parciales los estados Spin Up y Spin Dawn no presentan diferencia, lo que
puede significar que el material posee magnetización 0, otro de los datos que se logra evidenciar es el gran
cambio con respecto a la densidad de estado total y parcial del material puro ZnO.

En la tabla de carga se puede evidenciar la cantidad de carga total que tienen los átomos de Zn y de O antes
y después que se ha hecho el dopaje con el átomo de Ce entre la celda unidad y la supercelda 2x2x1 ,
también se muestra la carga de cada orbital correspondiente al Zn y O, se observa que el átomo de Zn gano
carga después del dopaje, siendo el orbital p el que más gano, así también se puede observar como el átomo
de O perdió carga después del dopaje siendo los orbitales p los más afectados

Cuadro 4.4: Cantidad de carga de los ´átomos de Zn y O antes y después del dopaje Ce