Taller/Parcial 2019B

Jheison Martinez Bolivar

22 de octubre de 2019
0.1. Dibuje los diagramas de banda de energía en
equilibrio para un metal-semiconductor de tipo
p donde (a) ΦM < ΦS y (b) ΦM > ΦS .
Ver Figura 1

0.2. Qué es lo que pasa cuando unimos un material

tipo p y un material tipo n
En la unión de un semiconductor tipo p con un semiconductor tipo n,
los electrones más cercanos a la franja de unión son atraídos a los huecos
más cercanos del semiconductor tipo p y se combinan para formar iones
negativos, De esta manera dejan atrás iones positivos en los lugares donantes
de impurezas. Esto crea polaridad en la zona de unión que permite el ujo de
corriente más fácilmente el polarización directa que en inversa. Se ha creado
un diodo. [4]

0.3. ¾Qué es la zona o región de depleción o agota-

miento? ¾Cómo se relaciona con la concentra-
ción de dopantes?
La zona de depleción es la zona de unión PN, donde se han creado iones
negativos en el semiconductor tipo p e iones positivos en el material tipo n.
Los Dopantes son las impurezas introducidas para tener más electrones o
huecos según sea el caso. En la unión PN con materiales altamente dopados,
la polaridad generada en la zona de depleción es mayor porque contiene más
huecos y electrones disponibles para generar iones.

0.4. ¾Qué es el built-in voltage (Voltaje incorpo-

rado)? ¾Cómo podemos calcularlo en base a
las concentraciones de dopantes? (explique con
sus palabras)
built-in voltage o Voltaje incorporado es la diferencia de potencial ob-
tenida por lo iones creados en la zona de depleción de la unión PN. Puede

1
Figura 1: Diagrama de Bandas para un Metal-P Semiconductor [1]

2
ser calculada basado en la concentración de dopantes de la forma descrita a
continuación:
kT P0p
Vbi = ln (1)
q P0n
Donde P0p es la densidad de agujeros en equilibrio de la región P y P0n
es la densidad de agujeros en equilibrio de la región N. Ya que NA en P y
ND en N son mucho mayores que ni y P0p ∼ = NA y N0n ∼ = ND , entonces
2
ni
P0n = ND , se tiene [2]

n2
P0p ∼
= NA and P0n ∼
= i (2)
ND
De la relación entre ecuación (2) y (3), se obtiene
kT NA ND
Vbi = ln (3)
q n2i

0.5. Una unión de silicio p-n consiste en una región

de tipo p que contiene 2x1016cm−3 aceptadores
y una región de tipo n que contiene también
1016 cm−3 aceptadores además de 1017 cm−3 do-
nantes.
a). Calcule el Vbi de la unión pn.
2x1016 × 1017
Vbi = 0, 0259ln = 0, 6134 V
1020

0.6. Un diodo de unión hecho de silicio tiene N A =

1017 cm−3 y N D = 1015 cm−3 . El diodo está en un
cuarto a temperatura de 300K y tiene un área
de 10−5cm2. La permitividad relativa del silicio
es de 11.8.
a) Hallar el Voltaje incorporado Vbi.
b) El ancho de la zona de depleción Xn0 y Xp0
.

3
 a)
1015 × 1017
Vbi = 0, 0259ln = 0, 715 V
1020
b)
2 × 11,8 × 8,854 × 10−14 × 0,715 × 1015 1
Xp0 = ( ) 2
1,6 × 10−19 × 1017 (1,01 × 1017 )

Xp0 = 0, 0961 µ

NA
Xn0 = Xp0 = 0, 961 µ
ND

W = Xn0 + Xp0 = 0, 970 µ

0.7. Considere una unión de silicio PN a tempe-

ratura ambiente con los siguientes parámetros
para hallar el Bulit in voltage de esa unión:
a) Dopante en una región tipo n = 1x1017cm−3.
b) Anchura de la depleción o agotamiento en
el lado n = 0,1 µm
c) Anchura de la depleción o agotamiento en
el lado p = 1 µm
d) Concentración intrínseca = 1, 4x1010cm−3
e) Voltaje térmico = 26 mV
f) Permitividad en el vacío = 8, 85x10−14F.cm−1
g) Constante dieléctrica del Silicio = 12
q −1,12
ni = 3, 22x1019 × 1, 83x1019 e 2×8,61x10−5 ×300 = 9,32x109

n2i = 8,6918x1019

1, 4x1010 × 1x1017
Vbi = 0, 0259ln = 0, 429 V
8,6918x1019

4
0.8. ¾Qué sucede cuando aplicamos voltaje en la
unión p-n? qué es polarizar en reversa o pola-
rizar directamente (forward & reverse bias)?
Cuando se aplica una diferencia de potencial a una unión PN su com-
portamiento va a depender de la polarización. En directa (que el positivo
está en contacto con el semiconductor tipo p) los electrones que vienen del
conductor son atraídos por los iones positivos en la zona de depleción del se-
miconductor tipo p y pasan al material tipo n en donde se cierra el circuito;
en inversa (que el positivo está en contacto con el semiconductor tipo n) los
electrones que vienen por el conductor se encuentran con los iones negativos
del material tipo n, se repelen y no los deja pasar, se comporta como un
circuito abierto siempre y cunado no se supere el voltaje de ruptura. [5]

0.9. Dibuje la movilidad de portadores cuando V a >

0 y la movilidad de portadores cuando V a < 0.
Ver Figura 2

0.10. ¾Cuál es la característica de voltaje-corriente

para el diodo en unión p-n? ¾Por qué es dife-
rente a una resistencia?
Un diodo ideal tiene resistencia cero cuando está polarizado directamente,
y resistencia innita cuando está polarizado de manera inversa; el diodo real
empieza a conducir a partir de 0.7 V en polarización directa, en inversa
conduce cuando se supera el voltaje de ruptura. La corriente en el diodo
comienza a crecer exponencialmente con un voltaje cada vez más positivo,
el ujo de electrones crece signicativamente cada vez que el voltaje en el
diodo aumenta. [6]
Es diferente al de una resistencia por que en esta, el comportamiento es
lineal.

5
Figura 2: Movilidad de Portadores [3]

6
Bibliografía
[1] Semiconductor Devices, Kanaan Kano. Capítulo 11, Pagina 332.
[2] Semiconductor Devices, Kanaan Kano. Capítulo 5, Pagina 125.
[3] Semiconductor Devices, Kanaan Kano. Capítulo 5, Pagina 137.
[4] The P-N Junction - Disponible en Linea en http://hyperphysics.phy
[5] Diodes - Disponible en Linea en http://hyperphysics.phy
[6] Características Voltaje Corriente Del Diodo de Unión Pn - Disponible
en Linea en https://es.scribd.com