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Fundamentos Físicos de la Ingeniería Curso 2006-07

Boletín de problemas nº 10 Semiconductores

(Nota: utilizar el formulario y las tablas de datos que se adjuntan).

(1) Calcular la concentración intrínseca de portadores, ni, a 0 ºC y 227 ºC para el Germanio.

(2) Calcular la concentración intrínseca de portadores, ni, a 0 ºC y 227 ºC para el Silicio.

(3) Calcular la concentración intrínseca de portadores, ni, a 0 ºC y 227 ºC para el GaAs.

(4) Se dopa Silicio con Fósforo en una proporción de 1 ppm.


(a) Indicar el tipo de conducción del Si.
(b) Calcular la concentración de impurezas y la concentración de electrones y huecos (n y p) a temperatura
ambiente (300 K) si todas están ionizadas.
(c) Calcular la posición del nivel de Fermi.
(c) ¿Qué pasa si la concentración de impurezas igualase el valor de Nc?

(5) En un semiconductor extrínseco de tipo P la concentración de impurezas aceptoras vale (y todas ionizadas) Na =
1.6x1016 m-3 y se sabe que ni = 1.6x1016 m-3. Calcular la concentración de electrones y huecos, n y p.

(6) Calcular la temperatura T para que el nivel de Fermi de un cristal de Silicio tipo N con Nd = 1016 cm-3 quedara a una
energía Eg/3 por debajo de la banda de conducción. Suponer que Nc es constante con la temperatura e igual al valor que
tiene a 300 K.

(7) Un semiconductor intrínseco, cuya banda prohibida vale Eg = 1.2 eV, se dopa de tal forma que EF queda a Eg/3 por
debajo de la banda de conducción. Calcular su resistividad a temperatura ambiente sabiendo que ni = 1016 m-3 y μn= μp
= 0.135 m2/Vs.

(8) Utilizando los resultados del problema 1, calcular la conductividad y la resistividad eléctrica del Ge a 0 ºC y 227 ºC.

(9) Utilizando los resultados del problema 2, calcular la conductividad y la resistividad eléctrica del Si a 0 ºC y 227 ºC.

(10) Utilizando los resultados del problema 2, calcular la conductividad y la resistividad eléctrica del GaAs a 0 ºC y 227
ºC.

(11) Cuando la temperatura de un cristal de Ge intrínseco pasa de 20 a 30 ºC, su conductividad se incrementa en un


50%. Determinar la anchura de su banda prohibida, Eg. Si en lugar de Ge, consideramos que tenemos un cristal de Si,
calcular el porcentaje de cambio de su conductividad para el mismo cambio de temperatura.
(12) Se dopa Si, Ge y GaAs con una concentración de impurezas dadoras Nd = 1017 cm-3. Calcular la resistividad
eléctrica de los tres cristales a temperatura ambiente. Determinar la corriente de arrastre si el campo eléctrico vale 105
V/cm.

(13) Se dopa Si, Ge y GaAs con una concentración de impurezas aceptoras Na = 1017 cm-3. Calcular la resistividad
eléctrica de los tres cristales a temperatura ambiente. Determinar la corriente de arrastre si el campo eléctrico vale 105
V/cm.

(14) Repetir para Ge los ejercicios (1) y (8), pero utilizando la masa efectiva de conductividad en lugar de la masa
efectiva densidad de estados.

(15) Repetir para Si los ejercicios (2) y (9), pero utilizando la masa efectiva de conductividad en lugar de la masa
efectiva densidad de estados.

(16) Repetir para GaAs los ejercicios (3) y (10), pero utilizando la masa efectiva de conductividad en lugar de la masa
efectiva densidad de estados.
1-2-3

8-9-10
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E −E
− c F
(c) n = Nc e kT ≈ Nd
Nc
E F = Ec − kT ln
Nd
(d) Cuando Nd < Nc el nivel de Fermi se encuentra por debajo de la banda de conducción. Es un
semiconductor no degenerado y la aproximación con la que hemos obtenido la expresión de n
(arriba) es correcta. Si la concentración de impurezas dadoras llegara a ser igual a Nc, el nivel de
Fermi entraría en la banda de conducción. Se trata de una situación que conocemos como
semiconductor degenerado (es como si fuera un metal), y la expresión de arriba no sería ya válida.
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