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INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

Unidad Profesional Interdisciplinaria de


Biotecnología

Electrónica I
Practica 1: “Dispositivos semiconductores”

Profesores:
● García Padrón Carlos Juan de Dios
● Salazar Chávez Juan

Integrantes:
● Alonso Sanchez Alejandra
● Ponce Ferral Brandon
● Soriano Tinoco María Paulina

Fecha de Entrega: 07 de Septiembre del 2018


OBJETIVO GENERAL
Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva
característica.

OBJETIVOS PARTICULARES
● Identificar las terminales de distintos tipos de diodos mediante el multímetro.
● Determinar el estado del diodo (conducción) aplicando la polarización directa
e inversa.
● Construir la curva característica (real) de los diodos semiconductores.

INTRODUCCIÓN
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior
a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El
semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la
naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el
selenio.
Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo cuatro electrones,
denominados electrones de valencia. Estos átomos forman una red cristalina, en la
que cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro átomos
vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones
de valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace covalente
y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a
estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial
eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo. Cuando un electrón libre abandona
el átomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, que con respecto
a los electrones próximos tiene efectos similares a los que provocaría una carga
positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrón pero con signo positivo.

El comportamiento eléctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes


fenómenos:
- Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo
positivo de la pila.
- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de
la pila.
- Al conectar una pila, circula una corriente eléctrica en el circuito cerrado, siendo
constante en todo momento el número de electrones dentro del cristal de silicio.
- Los huecos sólo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor
exterior sólo circulan los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica.

Semiconductores P y N
En la práctica, para mejorar la conductividad eléctrica de los semiconductores, se
utilizan impurezas añadidas voluntariamente. Esta operación se denomina dopado,
utilizándose dos tipos:
• Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones de
valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fósforo, el antimonio y el
arsénico.
• Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de
valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del
silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al
equilibrio y queda libre un quinto electrón que le hace mucho mejor conductor. De
un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N.
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del
silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al
equilibrio y queda libre un quinto electrón que le hace mucho mejor conductor. De
un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N.

Unión PN
Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un
lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unión PN . Los electrones libres de la
región N más próximos a la región P se difunden en ésta, produciéndose la
recombinación con los huecos más próximos de dicha región. En la región N se
crean iones positivos y en la región P se crean iones negativos. Por el hecho de
formar parte de una red cristalina, los iones mencionados están interaccionados
entre sí y, por tanto, no son libres para recombinarse. Por todo lo anterior, resulta
una carga espacial positiva en la región N y otra negativa en la región P, ambas
junto a la unión. Esta distribución de cargas en la unión establece una «barrera de
potencial» que repele los huecos de la región P y los electrones de la región N
alejándolos de la mencionada unión. Una unión PN no conectada a un circuito
exterior queda bloqueada y en equilibrio electrónico a temperatura constante.
Unión PN polarizada en directo
Si se polariza la unión PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la
región P y el polo negativo a la región N , la tensión U de la pila contrarresta la
«barrera de potencial» creada por la distribución espacial de cargas en la unión,
desbloqueándola, y apareciendo una circulación de electrones de la región N a la
región P y una circulación de huecos en sentido contrario. Tenemos así una
corriente eléctrica de valor elevado, puesto que la unión PN se hace conductora,
presentando una resistencia eléctrica muy pequeña. El flujo de electrones se
mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el
sentido eléctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente
eléctrica.

Unión PN polarizada en inverso


Si se polariza la unión PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la
región N y el polo negativo a la región P, la tensión U de la pila ensancha la «barrera
de potencial» creada por la distribución espacial de cargas en la unión, produciendo
un aumento de iones negativos en la región P y de iones positivos en la región N,
impidiendo la circulación de electrones y huecos a través de la unión. La unión PN
se comporta de una horma asimétrica respecto de la conducción eléctrica;
dependiendo del sentido de la conexión, se comporta corno un buen conductor
(polarizada en directo) o como un aislante (polarizada en inverso).

MATERIALES

> 4 diodos de Silicio 1N4001 o 1N4004 > 4 diodos Zenner a 9 v


> 2 diodos de Germanio 0A90 > 4 LED de diferente color
> 1 resistor de 220𝛺 a ½ W > 1 resistor de 1K𝛺 a ½ W
> 1 resistor variable de 10K𝛺 > Protoboard
> Fuente de V variable de 0-30V > Multímetro digital
> Generador de señales > Osciloscopio
> Tres puntas para osciloscopio > Puntas banana caimán
DESARROLLO EXPERIMENTAL
RESULTADOS Y ANÁLISIS DE RESULTADOS
Experimento 1. Identificación de terminales y prueba de diodos

a) Identificación de terminales.

Fig. 1.1. Fotografía de diodo de Silicio 1N4004 con terminales identificadas. Es el


modelo en donde más fácilmente podemos identificar las terminales, debido a que la
línea gris del extremo derecho representa la línea del cátodo.

Fig. 1.2. Fotografía de diodo Zenner con terminales identificadas. En este modelo la
línea ancha y negra del extremo derecho representa al cátodo.

Fig. 1.3. Fotografía de diodo de Germanio 0A90 con terminales identificadas. En


este modelo puede identificarse el cátodo (línea) observando y sintiendo la pequeña
ranura al extremo derecho.
b) Medición con óhmetro y prueba de diodos
Diodo Ω en directa Ω en inversa

Silicio 1N4001 56 KΩ 0L

Zenner 323 KΩ 60 Ω

Germanio 0A90 711 Ω 0L


Tabla 1.1. Valores de “resistencia” en los 3 diodos, en polarización directa e inversa.

Análisis: Para el caso del diodo de Silicio y el de Germanio, cuando se encuentran


polarizados directamente se tiene una resistencia baja si la comparamos con la
resistencia infinita (0L) que se obtiene cuando se polariza inversamente. Cuando en
el multímetro aparece 0L, significa que hay alta impedancia, esto en un caso ideal
quiere decir que el circuito está abierto, ya que es imposible que circule corriente.
Estos resultados son correctos respecto a la teoría ya que el diodo de Si o Ge
permite el paso de corriente sólo si se encuentra polarizado directamente respecto a
la fuente. Se observa también que la resistencia en polarización directa es mayor en
el diodo de Silicio que en el de Germanio; si pensamos en el voltaje de ruptura
necesario para cada diodo: 0.7 y 0.3v, podemos deducir que a mayor voltaje hay
una mayor resistencia, y a menor voltaje menor resistencia. La zona de agotamiento
de cada diodo es diferente y es por esto que los voltajes de ruptura cambian,
haciendo más o menos fácil el paso de la corriente.

Por otro lado tenemos al diodo Zenner, que según la teoría, debe conducir corriente
al estar polarizado inversamente. Es por esto que su resistencia en polarización
inversa es menor que la de polarización directa.

Diodo V de conducción en directa V de conducción en inversa

Silicio 1N4001 0.59 v 0

Germanio 0A90 0.34 v 0


Tabla 1.2. Valores de voltaje en el diodo de silicio, en polarización directa e inversa.

Análisis: Con los resultados de esta medición con prueba de diodos puede
comprobarse el valor del voltaje de ruptura de cada diodo. Los valores medidos
tienen cierto porcentaje de error respecto a los teóricos, como cualquier otro
elemento electrónico:
0.7 𝑣 − 0.59 𝑣 |0.3 𝑣 − 0.34 𝑣|
Silicio: %𝑒 = ∗ 100% = 15.7% Germanio: %𝑒 = ∗
0.7 𝑣 0.3 𝑣
100% = 13.3%
Al medir este voltaje en polarización inversa, no hubo ninguna lectura, esto debido a
que el diodo simplemente no puede operar cuando se encuentra polarizado
inversamente.

Experimento 2. Curva característica de un diodo semiconductor

Tabla 2.1. Mediciones de voltaje y corriente en diodo de Silicio polarizado


directamente.

Análisis de circuito para comparación de valores:

Cuando el voltaje de alimentación del circuito es menor a 0.7v, el diodo se comporta


como circuito abierto ya que no puede alcanzarse el voltaje de ruptura característico
de 0.7 volts. Por lo tanto, para el caso de 0 a 0.7v, se tiene teóricamente una
corriente de 0 amperes y un voltaje de 0 volts en el diodo.
Ahora bien, cuando el voltaje de alimentación es mayor o igual a 0.7v, el diodo
puede comenzar a conducir y cerrar el circuito. Analizándolo por LKV:
−𝑉𝑓 + 𝑉𝐷 = 0 ⇒ 𝑉𝐷 = 𝑉𝑓 ; Es por esto que los voltajes de la fuente y del diodo son
casi iguales, con diferencias de algunas centésimas.
Podemos observar que conforme se aumenta el voltaje de alimentación, aumenta la
corriente a través del circuito.

Fig. 2.1. Curva característica del diodo de Silicio polarizado directamente (Gráfica
Corriente de conducción vs Voltaje de alimentación). Podemos observar el cambio
abrupto en la corriente de conducción dada en amperes, al llegar el voltaje de
alimentación a 0.7; y como va aumentando la misma.

Tabla 2.2. Mediciones de voltaje y corriente en diodo de Silicio polarizado


inversamente.

Al estar polarizado inversamente el diodo, nunca se obtienen valores de corriente de


conducción, ya que es un circuito abierto.

Tabla 2.3. Mediciones de voltaje y corriente en diodo de Silicio polarizado


directamente, con carga RL de 1KΩ.

Análisis de circuito por LKV:


𝑉𝑓 −𝑉𝐷
−𝑉𝑓 + 𝑉𝐷 + 𝑉𝑅𝐿 = 0 ⇒ 𝑉𝑓 = 𝑉𝐷 + 𝑅𝐿 ∗ 𝐼𝐷 ⇒ 𝐼𝐷 =
𝑅𝐿
En este caso, la corriente de conducción depende del voltaje de alimentación (VD y
RL son constantes).
Se observa en la tabla 2.3 que el voltaje en el diodo es menos parecido al voltaje de
la fuente, esto debido a la resistencia de carga conectada, que toma cierta parte del
voltaje de la fuente.

Tabla 2.4. Mediciones de voltaje y corriente en diodo emisor de luz polarizado


directamente, con carga RL de 1KΩ.

Análisis de circuito por LKV:

La corriente de conducción depende del voltaje de alimentación.


Fig. 2.2. Curva característica de diodo emisor de luz polarizado directamente, con
una resistencia de carga de 1kΩ. (Gráfica Corriente de conducción vs Voltaje de
alimentación). Se observa que no se tiene una corriente ni intensidad de luz en el
diodo hasta que se llegan a los 1.4 volts. En este momento, se logra tener una
corriente de 2 microamperes.

La caída de tensión del led, es el voltaje necesario para el funcionamiento del


mismo (encendido). Generalmente está entre 1.7 y 3.3 volts, dependiendo del color
del diodo y de la composición de metales. Los diodos normales están hechos para
afectar la corriente eléctrica, mientras que los LEDs son para crear luz.

Tabla 2.5. Mediciones de resistencia en potenciómetro, voltaje y corriente en diodo


de Germanio polarizado directamente, con carga RL de 1KΩ.

Análisis de circuito por LKV:


;
La corriente de conducción depende entonces del valor de la resistencia en el
potenciómetro.

Fig. 2.2. Gráfica Corriente de conducción vs Voltaje de conducción en diodo de


Germanio, con un potenciómetro de 10kΩ para variar voltaje de entrada al diodo y
una resistencia de carga de 1kΩ. Al estar estas dos resistencias, no podemos
observar la curva característica del diodo de Germanio, en la que comienza a
conducir este al alcanzarse los 0.3 volts.

Experimento 3. Caracterización de un diodo zener en polarización inversa.


Armamos el circuito como se indica en la imagen, se partió de alimentar a 0 V hasta
un máximo de 28.7V y obtuvimos la lectura del VAB junto con la ID correspondiente;
posteriormente se calculó el valor de la
resistencia , como se muestra en
la tabla.
𝐹𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑉1 (V) 𝑉𝐴𝐵 (V) 𝐼𝐷 𝑚𝐴 (A) 𝑅𝑍 (𝛺)
0 0 0 0

2 2 1.98𝑥10−6 1010101.01

6 6 5.97𝑥10−6 1005025.126

7 7 6.97𝑥10−6 1004304.161

10 10 1.04𝑥10−3 8557.692308

11 8.95 2𝑥10−3 4475

14 8.99 5𝑥10−3 1798

19 9.04 10𝑥10−3 904

28.7 9.15 20𝑥10−3 457.5

Podemos calcular a corriente mediante la siguiente ecuación


−𝑉𝑓 + (𝑖𝐷 )(1𝑘𝛺) − 𝑉𝐷𝑍 = 0

𝑉𝐷𝑍 + 𝑉𝐹
𝑖𝐷 =
1000𝛺
Análisis de resultados
Nuestro diodo está polarizado inversamente, por lo que una pequeña corriente
circula por él, llamada corriente de saturación IS, esta corriente está permaneciendo
relativamente constante mientras aumentamos la
tensión inversa hasta que el valor de ésta alcanza VZ,
el diodo entró en la región de colapso. La corriente
empezó a incrementarse rápidamente por el efecto
avalancha.
En esta región pequeños cambios de tensión producen
grandes cambios de corriente. El diodo zener mantiene
la tensión prácticamente constante entre sus extremos
para un amplio rango de corriente inversa.
Obviamente, hay un drástico cambio de la resistencia efectiva de la unión PN.

Experimento 4. Caracterización de un diodo zener en polarización directa.


Al realizar el armado del circuito de la imagen , se partió de alimentar a 0 V y
obtuvimos la lectura del VAB junto con la ID correspondiente; posteriormente se
calculó el valor de la resistencia , como
se muestra en la tabla.
𝐹𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑉1 (V) 𝑉𝐴𝐵 (V) 𝐼𝐷 𝑚𝐴 (A) 𝑅𝑍 (𝛺)

1 0.54 0.3 1800.000

1.1 0.55 0.4 1375.000

1.5 0.57 0.7 814.286

2 0.57 1.2 475.000

2.5 0.57 1.7 335.294

3 0.57 2.2 259.091

3.5 0.6 2.7 222.222

4 0.6 3.2 187.500

4.5 0.67 3.7 181.081

5 0.67 4.2 159.524

5.5 0.67 4.7 142.553

6 0.62 5.2 119.231

Podemos calcular a corriente mediante la siguiente ecuación

−𝑉𝑓 + (𝑖𝐷 )(1𝑘𝛺) + 𝑉𝐷𝑍 = 0

−𝑉𝐷𝑍 + 𝑉𝐹
𝑖𝐷 =
1000𝛺
Análisis de resultados
Cómo conectamos el diodo zener en polarización directa podemos observar que
está actuando como una barrera de potencial.
Este voltaje aplicado tiende a disminuir la barrera
potencial cuando es superior a la tensión umbral,
permitiendo así la circulación de portadores mayoritarios
y, por tanto, del flujo de corriente, así como los resultados
nos muestran que a un mayor voltaje el diodo está
permitiendo un porcentaje mayor de corriente que está
transitando debido a esto.

Experimento 5. Características del diodo de germanio en frecuencias altas.


Resultados
Mediciones de voltaje de salida de la resistencia

Análisis de resultados
Diodo de Silicio

Notas:
Onda Amarilla: Entrada
Onda Verde: Salida

Como se puede notar, no importaba qué tanto cambiaramos la frecuencia, el diodo


de silicio mantenía la onda de manera constante, no estaba deformada, es decir que
tenía el comportamiento normal o teórico esperado y los voltajes pico de la onda
verde siempre se mantuvieron en 1.57 V.

Diodo de Germanio

Notas:
Onda Amarilla: Entrada
Onda Verde: Salida

Análisis
A diferencia del diodo de silicio, el de Germanio presenta una deformación de la
onda de salida conforme se va aumentando la frecuencia, es decir es un proceso
paulatino. Empezamos a notar cambios a partir de los 10kHz siendo que al doble la
onda fuera completamente diferente a la del comienzo. Los voltajes de salida son
cambiantes, esto debido al fenómeno anteriormente mencionado.
Los diodos cambian su comportamiento al estar expuestos a diferentes frecuencias,
y estos efectos pueden ser provocados por el efecto capacitivo que se tiene en la
región de agotamiento, o por el tiempo de recuperación que necesitan después del
cambio de polaridad, a este último fenómeno se le puede llamar velocidad de
conmutación.
Efecto capacitivo:
Polarización directa: Se establece un flujo de electrones desde la zona n hacia la
zona p en el diodo.
Polarización inversa: Se crea una región de agotamiento entre los portadores tipo p
y tipo n; así, podemos imaginarnos a dicha región como dos capas con un espacio
en medio, simulando un dieléctrico (capacitor). Sabemos que la capacitancia es
directamente proporcional al área de las placas e
inversamente proporcional a la separación entre
ellas, por lo tanto:
Al aumentar el potencial de polarización inversa, se aumenta la región de
agotamiento, y a su vez, disminuye la capacitancia en esta.

Este tipo de capacitancia se le llama “Capacitancia de transición o de región de


agotamiento”

Velocidad de conmutación:
El diodo tiene de fábrica una “velocidad de conmutación”, que nos da información
acerca del tiempo que el diodo tarda en reaccionar y hacer el cambio de operación
(conducción y no conducción) dependiendo de si se tiene una polarización directa o
inversa (por la onda senoidal). Se habla de un tiempo de retraso y un tiempo de
recuperación (siendo más largo que el primero).

Diodo de Silicio 1N4001:

Diodo de Germanio:
Un ejemplo es el diodo 1N34A, que tiene una recuperación tan rápida que puede ser
utilizado en aplicaciones de AM, FM y TV-IF como detectores de AM/FM, detectores
de radio, discriminadores de FM, detectores de audio de TV, sondas de entrada de
RF y detectores de video de TV.
Sin embargo, existen diodos de Silicio (como el 1N4148) que también son utilizados
en el procesamiento y detección de señales de radiofrecuencias de manera muy
eficaz, con un tiempo de recuperación inversa de no más de 4 ns.
Es por esto que el diodo de Silicio tiene un mejor funcionamiento a altas
frecuencias.

CUESTIONARIO
1. ¿Qué son los materiales semiconductores intrínsecos y extrínsecos?
Semiconductores intrínsecos:
Un material que se encuentra en estado puro, es decir, que no contiene ninguna
impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad
de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes
en la banda de conducción.
Semiconductores extrínsecos: los átomos de las “impurezas” corresponden a
elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su
última órbita (el galio (Ga) o el indio (In)], o el antimonio (Sb) o el arsénico (As)), una
vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrínsecos
y serán capaces de conducir la corriente eléctrica.

2. ¿Qué significa polarización directa y polarización inversa de un


diodo?
Polarización directa: la unión de p-n impulsa a los huecos desde el material tipo p
a la unión y los electrones desde el material tipo n a la unión, y es ahí donde se
combinan de modo de que se mantiene una corriente continua.
Polarización inversa: al someterlo produce un flujo de corriente transitoria y ambos
electrones y huecos se separan de la unión, cuando el potencial formado por la
capa de depleción ensanchada, se iguala al voltaje aplicado, se cesa la corriente.

3. ¿Cuál es la importancia de los semiconductores?


Cuando hablamos de los dispositivos semiconductores conocidos también como
dispositivos de estado sólido reemplazan los tubos electrónicos de la industria
tradicional; por la enorme reducción de tamaño, consumo de energía y costo,
acompañada de una mucho mayor durabilidad y confiabilidad, los dispositivos
semiconductores significaron un cambio revolucionario en las telecomunicaciones,
la computación, el almacenamiento de información, etc.

4. Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores.


Los dispositivos semiconductores ofrecen diversas ventajas:

o Ligeros: de fácil portabilidad


o Flexibilidad: menos frágiles que los semiconductores inorgánicos que se
depositan sobre sustratos rígidos y planos.
o La facilidad de fabricación y ensamblaje: los semiconductores son en general
fáciles y económicos de fabricar en el laboratorio.

5. Explique qué pasa si se aumenta el voltaje de polarización inversa a


un diodo semiconductor y se tiene una sobrecarga.

En polarización inversa es más difícil la conducción, porque el electrón libre tiene


que subir una barrera de potencial muy grande de n a p al ser mayor el valor de W.
Entonces no hay conducción de electrones libres o huecos, no hay corriente. En
esta situación tenemos que tener en cuenta la generación térmica de pares electrón-
hueco. Los pocos electrones generados térmicamente pierden energía y bajan de p
a n, es la "Corriente Inversa de Saturación" (IS) que es muy pequeña. Y el voltaje es
nulo.

6. Investigue cuatro tipos de diodos y describa el funcionamiento


brevemente.
o Diodos rectificadores: facilitan el paso de la corriente continua en un sólo
sentido (polarización directa), en otras palabras, si hacemos circular corriente
alterna a través de un diodo rectificador está solo lo hará en la mitad de los
semiciclos, a la salida del mismo obtenemos una señal de tipo pulsatoria pero
continua.
o Diodo zener: es capaz de trabajar en la región en la que se da el efecto del
mismo nombre cuando las condiciones de polarización así lo determinen y volver a
comportarse como un diodo estándar toda vez que la polarización retorne a su zona
de trabajo normal, es decir, se comporta como un diodo normal, a no ser que
alcance la tensión zener para la que ha sido fabricado, momento en que dejará
pasar a través de él una cantidad determinada de corriente.
o Diodos led (luminiscentes): su forma de operar de un led se basa en la
recombinación de portadores mayoritarios en la capa de barrera cuando se polariza
una unión P n en sentido directo. En cada recombinación de un electrón con un
hueco se libera cierta energía. Esta energía, en el caso de determinados
semiconductores, se irradia en forma de luz, en otros se hace de forma térmica.
o Diodos de tratamiento de señal (RF): estos diodos están destinados a
formar parte de etapas moduladores, demoduladores, mezcla y limitación de
señales, etc.; al momento de trabajar con media y alta frecuencia, se encuentra en
la "capacidad de unión", misma que se debe a que en la zona de la Unión PN se
forman dos capas de carga de sentido opuesto que conforman una capacidad real,
estos diodos intentan |que dicha capacidad sea reducida a su mínima expresión, lo
cual ayudará a que el diodo conserve todas sus habilidades rectificadoras, incluso
cuando trabaje en altas frecuencias.

7. Describa el comportamiento de un diodo ideal


En forma ideal el diodo conducirá corriente en la dirección definida por su polaridad
y por lo tanto actuará como un circuito abierto para cualquier intento de establecer la
corriente en cualquiera de las direcciones opuestas, por lo anterior, su característica
es que funciona como un interruptor que puede conducir corriente en una sola
dirección.

8. Explique cómo afecta la temperatura a un material semiconductor.


En un semiconductor intrínseco al aumentar la temperatura T aumenta la
conductividad σ debido a que se liberan más pares electrón-hueco, aumentando la
concentración intrínseca de portadores.
En un semiconductor extrínseco, a temperaturas muy bajas, próximas a 0 K, los
átomos de impurezas ya se encuentran ionizados por tener una energía de
ionización muy baja; por lo tanto, tendremos una concentración de portadores
significativa que posibilitan la conducción; al aumentar la temperatura, la
conductividad no aumenta de modo sensible, pues ya se han ionizado todas las
impurezas, y aunque aumentemos más la temperatura, la concentración de éstas no
puede aumentar más; si la temperatura alcanza valores más altos, los pares
electrón–hueco generados térmicamente empiezan a ser lo suficientemente
significativos como para que su número sea comparable o mayor a los que
teníamos procedentes de las impurezas.

9. Explique que es la región ZENER.

Es la región en la cual el diodo Zener se comporta como circuito cerrado debido a


sus características de fabricación.

10. ¿Qué es resistencia estática y resistencia dinámica?


La resistencia estática es aquella que no se modifica con respecto a valores de
voltaje o corriente
La Resistencia dinámica es aquella que cambia su valor dependiendo de los
parámetros implicados.

11. Describa la electroluminiscencia en un LED.


Este es un dispositivo que también se considera electroluminiscente debido al modo
en que se encuentra las capas que lo componen, en un arreglo de emparedado, Los
OLEDs emplean dos capas muy delgadas que funcionan como electrodos y entre
ellas hay más películas delgadas de material fósforo, por lo que puede emitir más
luz. El adjetivo orgánico se deriva por la presencia en dichas películas de moléculas
que en su estructura contienen carbono e hidrógeno y que en general no contienen
metales pesados.
Las películas semiconductoras se subdividen en píxeles y cada una funciona como
un LED, mientras que otra capa posee una matriz de conductores para direccionar a
cada pixel. Además, existen dos tipo tipos de matrices las cuales se mencionan a
continuación:
● Matrices activas. En este tipo de matrices, cada pixel está apoyado en
una película de transistores que almacenan los estados de cada píxel
mientras hay transiciones de voltaje cuando se energizan.
● Matrices pasivas. Cada par de conductores simplemente proporcionan
corriente al píxel, por lo que es más barato y relativamente más fácil
de fabricar.
12. Cuáles son las diferencias entre un diodo de germanio y un diodo de
silicio.
Su tensión de polarización directa es diferente, la del silicio es de 0.7 volts y la del
germanio es de 0.3 volts. Otra diferencia es el precio, son más caros los del
germanio y más comerciales los de silicio. A altas frecuencias la respuesta es
distinta, pues los diodos de germanio deforman la onda de salida mientras que los
de silicio no, etc.

13. Explique la respuesta de conducción de corriente de un semiconductor


sujeto a frecuencias altas.

Como se había explicado en el análisis del experimento 5, los semiconductores son


afectados por altas frecuencias, esto debido a su funcionamiento de conducción o
no conducción de corriente, dependiendo de los valores de los voltajes a su entrada.
Al hacer una señal de corriente alterna a la entrada de un dispositivo semiconductor,
se crea un efecto capacitivo en los diodos, por ejemplo. Pero aquí el concepto más
importante es el de la velocidad de conmutación, o el tiempo de recuperación. Los
semiconductores deben hacer un cambio a su salida dependiendo del voltaje a su
entrada, por lo tanto, si los cambios de voltaje (de voltaje positivo a voltaje negativo)
son muy rápidos (si se tiene una alta frecuencia), el semiconductor no podrá
responder tan rápidamente ante estos cambios abruptos. Sin embargo, existen
diodos de Silicio (como el 1N4148) que también son utilizados en el procesamiento
y detección de señales de radiofrecuencias de manera muy eficaz, con un tiempo de
recuperación inversa de no más de 4 ns.

CONCLUSIONES
❖ Alonso Sanchez Alejandra
Con el desarrollo de esta práctica se logró observar como es el funcionamiento de
los diodos comparándolos con la referencia bibliográfica. Se encontró que
efectivamente siguen sus curvas características y que de acuerdo a la polarización
que se les de, es el tipo de funcionamiento que pueden tener, ya sea un circuito
abierto o su función como dispositivo semiconductor.
También se logró ver que es más ventajoso usar los de silicio ya que no solo son
más económicos y comerciales sino que también mantienen estable sus salidas a
altas frecuencias.
❖ Ponce Ferral Brandon Alfonso
Efectivamente pudimos observar el comportamiento de un diodo semiconductor,fue
comprobado con los resultados de cada uno de los experimentos, esto se debe a
que con la polarización directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al
chocar con los átomos generan calor que hará aumentar la temperatura del
semiconductor (esto se muestra en su curva característica). Es muy importante
conocer la esquematización real de la polaridad de cada uno de los diodos y cuál es
su comportamiento en directa o en inversa para conocer qué pasa en cada uno de
los circuitos, así para que el conocimiento que tenemos sobre ellos podamos
aplicarlo en las diversas situaciones en que podríamos llegar a requerir las
propiedades que estos tienen.

❖ Soriano Tinoco María Paulina


Es importante conocer el funcionamiento de dispositivos semiconductores ya que
son la base de dispositivos más complejos que son utilizados en nuestra carrera. Al
entender y confirmar la forma en que se comporta cada diodo, ya sea de Silicio,
Germanio o Zenner, podemos pensar en el diseño de circuitos que nos den una
respuesta específica, como la rectificación de una corriente. Es importante conocer
los efectos que las altas frecuencias tienen en los diferentes diodos, para así saber
qué diodo es el ideal si se va a tener una fuente de alimentación de corriente
alterna. Gracias al osciloscopio pudimos observar la rectificación de media onda con
el diodo de Silicio y Germanio; estas rectificaciones son fundamentales si se quiere
construir una fuente de alimentación regulada o variable.

REFERENCIAS

● J. Gómez. Aplicaciones de Semiconductores. [En línea] [Citado el: 05 de Septiembre de 2018.]


http://www.mty.itesm.mx/etie/deptos/ie/profesores/jgomez/electronica/semi.pdf.
● Soriano G. (2011). Funcionamiento del diodo en altas frecuencias. Consultado el 04/09/18. Disponible
en Web: https://es.scribd.com/document/57454648/Funcionamiento-Del-Diodo-en-Altas-
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