INSTITUTO TECNOLOGICO DE MINATITLAN

YAHIR BERNABE MEDINA

ING. ELECTRONICA

3º SEMESTRE

FISICA DE SEMICONDUCTORES

CUESTIONARIO

FISICA DE SEMICONDUCTORES
CICLO ESCOLAR 2021-2021 MINATITLÁN, VERACRUZ.
 TEMA 1

NOMBRE: ___YAHIR BERNABE MEDINA_____________________________

FECHA: ___02/10/21___

Lee detalladamente y contesta correctamente las siguientes preguntas:

1. ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de cobre?

a. 1
b. 4
c. 18
d. 29

2. La carga neta de un átomo de cobre neutro es

a. 0
b. +1
c. -1
d. -4

3. Suponiendo que se elimina el electrón de valencia de un átomo de cobre.

La carga neta del átomo será
a. 0
b. -1
c. -1
d. 4

4. ¿Qué tipo de atracción experimenta el electrón de valencia de un átomo de

cobre hacia el núcleo?
a. ninguna
b. débil
c. fuerte
d. imposible saberlo

5. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo de silicio?

a. 0
b. 1
c. 2
d. 4

6. ¿Cuál es el semiconductor cuyo uso está más extendido?

a. Cobre
b. Germanio
c. Silicio
d. Ninguno de los anteriores

7. ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de silicio?

a. 4
b. 14
c. 29
d. 32
8. Los átomos de silicio se combinan formando un patrón ordenado
denominado
a. enlace covalente
b. cristal
c. semiconductor
d. orbital de valencia

9. Un semiconductor intrínseco tiene algunos huecos a temperatura

ambiente. ¿Qué causa estos huecos?
a. dopaje
b. electrones libres
c. energía térmica
d. electrones de valencia

10. Cuando un electrón se mueve a un orbital de nivel mayor, su nivel de

energía con respecto al núcleo
a. aumenta
b. disminuye
c. permanece igual
d. depende del tipo de átomo

11. El tiempo transcurrido entre la creación de un hueco y su desaparición

se denomina
a. dopaje
b. tiempo de vida
c. recombinación
d. valencia

12. A temperatura ambiente, un cristal de silicio intrínseco se comporta

de manera similar a
a. una batería
b. un conductor
c. un aislante
d. un fragmento de cable de cobre

13. La unión de un electrón libre y de un hueco se denomina

a. enlace covalente
b. tiempo de vida
c. recombinación
d. energía térmica

14. El electrón de valencia de un conductor también se puede llamar

a. electrón de enlace
b. electrón libre
c. núcleo
d. protón

15. Cuando se aplica una tensión a un semiconductor, los huecos fluyen

a. alejándose del potencial negativo
b. hacia el potencial positivo
c. en el circuito externo
d. Ninguna de las anteriores

16. En un semiconductor intrínseco, el número de huecos es

a. igual al número de electrones libres
b. mayor que el número de electrones
libres
c. menor que el número de electrones
libres
d. Ninguna de las anteriores

17. ¿Cuántos tipos de flujo tiene un conductor?

a. 1
b. 2
c. 3
d. 4

18. En un material semiconductor, el orbital de valencia se satura cuando

contiene
a. 1 electrón
b. Los mismos iones (+) y (-)
c. 4 electrones
d. 8 electrones

19. ¿Cuántos tipos de flujo tiene un semiconductor?

a. 1
b. 2
c. 3
d. 4

20. La temperatura de cero absoluto es igual a

a. -273°C
b. 0°C
c. 25°C
d. 50°C

21. El flujo de los electrones de valencia hacia la derecha indica que los
huecos se mueven hacia
a. la izquierda
b. la derecha
c. cualquier lado
d. Ninguna de las anteriores

22. A temperatura ambiente, un semiconductor intrínseco tiene

a. unos pocos electrones libres y
huecos
b. muchos huecos
c. muchos electrones libres
d. ningún hueco

23. El número de electrones libres y huecos en un semiconductor intrínseco

disminuye cuando la temperatura
a. disminuye
b. aumenta
c. no varía
d. Ninguna de las anteriores

24. A la temperatura de cero absoluto, un semiconductor intrínseco tiene

a. pocos electrones libres
b. muchos huecos
c. muchos electrones libres
d. ni huecos ni electrones libres

25. Los huecos son como

a. átomos
b. cristales
c. cargas negativas
d. cargas positivas

26. ¿Cuántos electrones de valencia tienen los átomos trivalentes?

a. 1
b. 3
c. 4
d. 5

27. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo aceptor?

a. 1
b. 3
c. 4
d. 5

28. ¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductor de tipo p?

a. Muchos
b. Ninguno (despreciable)
c. Sólo los producidos por la energía
térmica
d. Los mismos que huecos

29. ¿En qué tipo de semiconductor los portadores minoritarios son

electrones?
a. extrínseco
b. intrínseco
c. tipo n
d. tipo p

30. Para producir un semiconductor de tipo n, ¿qué utilizaría?

a. Átomos aceptores
b. Átomos donantes
c. Impurezas pentavalentes
d. Silicio

31. La plata es el mejor conductor. ¿Cuántos electrones de valencia cree que

tiene?
a. 1
b. 4
c. 18
d. 29

32. Suponiendo que un semiconductor intrínseco tiene 1000 de millones de

electrones libres a temperatura ambiente, si la temperatura disminuye a 0°C,
¿cuántos huecos tendrá?
a. Menos de 1000 millones
b. 1000 millones
c. Más de 1000 millones
d. Imposible decirlo

33. Se aplica una fuente de tensión externa a un semiconductor de tipo p. Si

el extremo izquierdo del cristal es positivo, ¿cómo fluyen los portadores
mayoritarios?
a. Hacia la izquierda
b. Hacia la derecha
c. No fluyen
d. Imposible decirlo

34. ¿Cuántos electrones hay en el orbital de valencia de un átomo de silicio

que está dentro de un cristal?
a. 1
b. 4
c. 8
d. 14

35. ¿Cuál de las temperaturas siguientes es aproximadamente igual a la

temperatura ambiente?
a. 0°C
b. 25°C
c. 50°C
d. 75°

36. ¿Cuál de las siguientes respuestas no se ajusta al grupo?

a. Conductor
b. Semiconductor
c. Cuatro electrones de valencia
d. Estructura de cristal

37. Los iones negativos son átomos que han

a. ganado un protón
b. perdido un protón
c. ganado un electrón
d. perdido un electrón

38. ¿Cuál de los siguientes términos describe a un semiconductor de tipo p?

a. Neutro
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos electrones libres

39. Un semiconductor de tipo p contiene huecos y

a. iones positivos
b. iones negativos
c. átomos pentavalentes
d. átomos donantes

40. ¿Cuál de los siguientes términos describe a un semiconductor de tipo n?

a. Neutro
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos huecos

41. La tensión a la que se produce el efecto de avalancha se denomina

a. barrera de potencial
b. zona de deplexión
c. tensión de codo
d. tensión de disrupción

42. Al comparar las bandas prohibidas de los átomos de germanio y de

silicio, un átomo de silicio tiene una banda prohibida
a. aproximadamente igual
b. menor
c. mayor
d. impredecible

43. ¿Qué es lo que genera la zona de deplexión?

a. Dopaje
b. Recombinación
c. Barrera de potencial
d. Iones

44. La banda prohibida de un átomo de silicio es la distancia entre la banda

de valencia y
a. el núcleo
b. la banda de conducción
c. la parte interna del átomo
d. los iones positivos

Un equipo de expertos en electrónica ha formulado estas preguntas. Es

posible que en alguna ocasión se encuentre con algún término que no le sea
familiar. En dicho caso, busque el término en un diccionario técnico.
También puede haberse incluido alguna pregunta que no se haya cubierto,
situación en la que podrá recurrir a consultar algunos otros textos en una
biblioteca.

1. Dígame por qué el cobre es un buen conductor de la electricidad.

- Porque el cobre tiene mayor conductividad eléctrica y térmica que la
mayoría de los metales, puede transportar electricidad y calor con una
considerable eficacia y relativa seguridad, especialmente en comparación
con otras alternativas tales como el aluminio.

2. ¿En qué se diferencia un semiconductor de un conductor?

Incluya esquemas en su explicación.
-Los conductores son los materiales que permiten el paso de la corriente
eléctrica y los semiconductores son los que se pueden comportar como
conductores o como aislantes.

3. Hábleme sobre los huecos y en qué se diferencian de los

electrones libres. Incluya algunos esquemas.
Un hueco de electrón , o simplemente hueco, es la ausencia de
un electrón en la banda de valencia que estaría normalmente completa sin
el hueco.

Los electrones de la órbita más apartada del núcleo de un átomo reciben el

nombre de electrones libres y son los que determinan las propiedades
eléctricas de los átomos, también tienen la propiedad de ser desalojados
con relativa facilidad y convertirse en electrones activos para la producción
de los fenómenos eléctricos.

4. Coménteme la idea básica del dopaje de semiconductores.

Me gustaría que hiciera algunos esquemas para apoyar su exposición.

Se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en

un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también
referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.
Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar.

5. Demuestre, mediante dibujos y explicaciones, por qué existe

corriente en un diodo polarizado en directa.
Cuando el diodo se encuentra polarizado directamente, quiere decir que el
ánodo está conectado al borne positivo (+) de la batería y el cátodo está
conectado al borne negativo (-); por lo tanto, la corriente que fluye es
la corriente de recombinación.