TEMA 2: ESTRUCTURA DE LOS

SÓLIDOS CRISTALINOS
1. Introducción
2. Estructuras cristalinas
2.1. La celda unidad
2.2. Estructuras cristalinas de los metales
2.3. Cálculo de la densidad teórica
2.4. Alotropía y polimorfismo
2.5. Sistemas cristalinos
3. Puntos cristalográficos, direcciones y planos
 3.1. Puntos
3.2. Direcciones
3.3. Planos
3.4. Densidades lineal y planar

4. Materiales monocristalinos y policristalinos

5. Caracterización por Difracción de Rayos X (DRX)
5.1. El fenómeno de difracción
5.2. Difracción de Rayos X y ley de Bragg
1. Introducción
En resumen
Sólidos amorfos (irregulares)
Las fuerzas de interacción NO son constantes
P. F. no están bien definidos
Propiedades isótropas
Sólidos cristalinos (regulares)
Fuerzas de interacción constantes
P.F. bien definidos
Propiedades anisótropas

Iónicos
Covalentes
Metálicos
Moleculares

Cuarzo

Enfriamiento
lento
SiO2
Enfriamiento
brusco
Vidrio
Propiedades Estructura
de los sólidos
Representación de sólidos cristalinos
Modelo de esferas rígidas
Estructura tridimensional
2. Estructuras cristalinas
2.1. La celda Unidad

14 redes cristalinas
7 Sistemas cristalinos

Celda Unidad: El volumen más pequeño que se replica conteniendo todos

los elementos de la estructura del cristal
 N. C. Estructura Energía de cohesión
6 Cúbica simple -5.69
8 Cúbica centrada en el cuerpo -8.24
Recordemos

12 Hexagonal compacta -8.61

12 Cúbica centrada en las caras -8.62

La energía de cohesión es mayor cuando el número de

vecinos de cada átomo es el mayor posible (12)
ESTRUCTURAS COMPACTAS

Representación bidimensional
Hueco

Gases nobles

Distribución esférica
Interacciones de van der Waals

Los átomos están representados por

esferas rígidas ocupando el mayor
volumen posible (hexágono)
 Construcción tridimensional
Hexagonal compacta
Sobre huecos tipo (I)
N. C. = 12
Recordemos

Hueco tipo (II)

Hueco tipo (I)

ABCABC…
Sobre huecos tipo (II) Cúbica compacta
N. C. = 12
 Hexagonal compacto (hcp) Cúbico compacto (ccp)
ccp
hcp
Recordemos

2.2. Estructuras cristalinas

Parámetros característicos

Número de átomos por celda unidad Volume of atoms in unit cell*

Número de coordinación
APF =
Volume of unit cell
Factor de empaquetamiento atómico
(Atomic Packing Factor: APF) *assume hard spheres
 Simple Cubic Structure (SC)
• Rare due to low packing denisty (only Po has this structure)
• Close-packed directions are cube edges.

• Coordination # = 6
(# nearest neighbors)
 Atomic Packing Factor (APF)
Volume of atoms in unit cell*
APF =
Volume of unit cell

*assume hard spheres

• APF for a simple cubic structure = 0.52

volume
atoms
atom
a 4
unit cell p (0.5a) 3
1
3
R=0.5a
APF =
a3 volume
close-packed directions unit cell
contains 8 x 1/8 =
1 atom/unit cell
 Body Centered Cubic Structure (BCC)
• Atoms touch each other along cube diagonals.
--Note: All atoms are identical; the center atom is shaded
differently only for ease of viewing.

ex: Cr, W, Fe (), Tantalum, Molybdenum

• Coordination # = 8

Adapted from Fig. 3.2,

Callister 7e.

2 atoms/unit cell: 1 center + 8 corners x 1/8

 Atomic Packing Factor: BCC
• APF for a body-centered cubic structure = 0.68

3a

2a
Close-packed directions:
R
a length = 4R = 3a
Adapted from
Fig. 3.2(a), Callister 7e.

atoms
4 volume
unit cell 2 p ( 3 a/4 ) 3
3 atom
APF =
volume
a3
unit cell
 Face Centered Cubic Structure (FCC)
• Atoms touch each other along face diagonals.
--Note: All atoms are identical; the face-centered atoms are shaded
differently only for ease of viewing.

ex: Al, Cu, Au, Pb, Ni, Pt, Ag

• Coordination # = 12

Adapted from Fig. 3.1, Callister 7e.

4 atoms/unit cell: 6 face x 1/2 + 8 corners x 1/8

 Atomic Packing Factor: FCC
• APF for a face-centered cubic structure = 0.74
maximum achievable APF

Close-packed directions:
length = 4R = 2a
2a
Unit cell contains:
6 x 1/2 + 8 x 1/8
= 4 atoms/unit cell
a
Adapted from
Fig. 3.1(a),
atoms
Callister 7e.
4 volume
unit cell 4 p ( 2 a/4 ) 3
3 atom
APF =
volume
a3
unit cell
 Estructura F*(%) n** Representación
Resumiendo

Empaquetamientos NO
Hexagonal simple 34 3
COMPACTOS

Cúbica simple 52 1

Cúbica centrada en el cuerpo 68 2

Empaquetamientos
COMPACTOS

Hexagonal compacta 74 6

Cúbica centrada en las caras 74 4

Considere una celda hexagonal compacta y calcule:
 El número de átomos por celda unidad
 El número de coordinación
 El volumen de la celda unidad en función del radio atómico
 El factor de empaquetamiento de una celda hexagonal compacta

 
 El número de átomos por celda unidad

1 1
nº  12·  2·  3  2  1  3  6
6 2

 El número de coordinación 12

 El volumen de la celda unidad en función del radio atómico

3·a
6a· 3
perímetro·apotema 2 ·2 2 a  6 3 · 2 2 a Como a=2R:
Vcelda  ·c 
2 2 3 4· 3
12 6 12·8· 6
Vcelda  (2 R)3  R 3  24 2 R 3
4 3 4 3
 El factor de empaquetamiento de la celda
4 
6· pR 3 
APF  
3   24·p  0.74
24 2 R 3 24·3· 2
2.3. Cálculo de la densidad teórica, 

Mass of Atoms in Unit Cell

Density =  =
Total Volume of Unit Cell

nA
 =
VC NA

where n = number of atoms/unit cell

A = atomic weight
VC = Volume of unit cell = a3 for cubic
NA = Avogadro’s number
= 6.023 x 1023 atoms/mol
 Ejemplo: Cálculo de la densidad teórica del Cromo

Cr (BCC)
A = 52.00 g/mol
R = 0.125 nm
n=2
R
a a = 4R/ 3 = 0.2887 nm

atoms
g
unit cell 2 52.00
mol theoretical = 7.18 g/cm3

= actual = 7.19 g/cm3

a 3 6.023 x 1023
volume atoms

unit cell mol

2.4. Alotropía y Polimorfismo

Condiciones ambientales

Muy altas presiones

906 ºC 1401 ºC 1530 ºC

α-Fe → γ-Fe → α-Fe → Fe (líquido) β-Fe (a altas presiones)

HCP
BCC FCC

La modificación de la estructura conlleva cambios de las propiedades físicas

 Ejemplo: El estaño

El descenso de T hace que la transformación sea más rápida.

Se da un aumento de volumen del 27% (la  pasa de 7.30 a 5.77 g/cm3)

En condiciones extremas
se puede dar la
destrucción total de las
piezas de Sn blanco
 2.5. Los sistemas cristalinos

V  abc 1  cos 2   cos 2   cos 2   2 cos  cos  cos 

a
Celda hexagonal
 

Sistema Características Volumen

Cúbico a=b=c a3
α=β=γ=90º
Tetragonal a=bc a2c
α=β=γ=90º
Ortorrómbico abc abc
α=β=γ=90º
Monoclínico abc abc sen β
α=γ=90ºβ
Triclínico abc abc 1  cos 2   cos 2   cos 2   2 cos  cos  cos 
α βγ
Trigonal a=b=c a 3 1  3 cos 2   2 cos 3 
α=β=γ<120º, 90º
Hexagonal a=bc 0,866a2c
α=β=90º; γ=120º
3. Puntos cristalográficos, direcciones y planos
3.1. Puntos cristalográficos
z
111 Coordenadas del punto central en una
celda centrada (I)
c
a/2, b/2, c/2 ½½½

y Coordenadas del vértice: 111

a 000 b

x

z 2c

Traslaciones: Múltiplo entero de la
constant de red  Posición idéntica en
otra celda unidad
 
b y

b
 Corte con los ejes
z 9 Punto Coordenadas punto
  Eje x Eje y Eje z
6
1 0 0 0 (0, 0, 0)
 
8 2 1 0 0 (1, 0, 0)
Ejercicios

7  y
 5  3 1 1 0 (1, 1, 0)
1 4 4 0 1 0 (0, 1, 0)
  5 1/2 1/2 1/2 (1/2, 1/2, 1/2)
2 3 6 0 0 1 (0, 0, 1)
x 7 1 0 1 (1, 0, 1)
8 1 1 1 (1, 1, 1)
9 0 1 1 (0, 1, 1)
3.2. Direcciones Una dirección cristalográfica se define por una línea entre dos
puntos o un vector
1. En el origen de coordenadas se traza un vector de longitud conveniente. Puede trasladarse
si se mantiene el paralelismo.
2. Se determina la longitud del vector proyección sobre cada uno de los ejes en función de las
dimensiones de la celda unidad.
3. Los tres números obtenidos se multiplican o dividen por un factor común para reducirlos al
menor valor entero.
4. Los tres índices, sin separar por comas y escritos entre corchetes representan la dirección
cristalográfica . Los valores negativos se representan por una línea sobre el índice.
Cristales hexagonales
z

a2

-
a3

a1

Fig. 3.8(a), Callister 7e.

 Verde
u’=1

v’=1
1 1 1
u  ( 2u' v' )  2  1 
3 3 3
1 1 1
v  ( 2v' u' )  2  1 
3 3 3
1 1 2
t  (u  v )      
 3 3 3
w  w'  0

Quitamos denominadores

uvtw   1 1 2 0
 Amarilla
u’=1/2
v’=-1/2
1 1 1 13 1
u  (2u 'v' )  1      
3 3 2 3 2 2
1 1 1 1 3 1
v  (2v'u ' )    1        
3 3 2 3 2 2
1 1
t  (u  v)      0
2 2
w  w'  0

Quitamos denominadores

uvtw  11 0 0
Ejercicios

Dirección A :
11 0 0
Dirección B :
11 2 3
Dirección C :
1 2 1 3
3.3. Planos Un plano cristalográfico viene dado por los índices de Miller (hkl)

1. Si el plano pasa por el origen de coordenadas se traza otro plano paralelo con una
adecuada traslación dentro de la celda unidad o se escoge un nuevo origen en el vértice de
otra celda unidad.
2. Se determinan los puntos en los que corta a los ejes. Si un plano es paralelo a un eje se
considera que lo corta en el infinito.
3. Se escriben los recíprocos de estos valores. (1/ =0).
4. Se escriben los índices juntos entre paréntesis.
Ejercicio
Cristales hexagonales. Índices de Miller-Bravais (hkil)

a1  a  1. h=1
a2  -a  -1. k=-1 Como i=-(h+k) i=0
z  c  1. l=1

Índices de Miller-Bravais : (1101)

Ejercicios

Plano A :
111 Plano C :

Plano B :
 0 1 0
2 1 0
  Plano A



Puntos de corte con los ejes: Inversos:
X →1 X →1 Índices de Miller
y →1 y →1 (1 1 1)
z →1 z →1
 Plano B



Corte con los ejes: Inversos: Simplificar:
X →1 X →1 X →2
y →2 Índices de Miller
y →1/2 y →1
z → (2 1 0)
z →0 z →0
 Plano C

Corte con los ejes: Inversos:

X → X →0
y →1 y →1 Índices de Miller
z → z →0 (0 1 0)
 a1    h  0
Plano A : a2    k  0

0 0 0 1 c 1 l 1
i  ( h  k )  (0  0)  0
(0001)
a1  1  h  1
a2  1  k  1
Plano B :
11 2 1
c 1 l 1
i  (h  k )  (1  1)  2
(1121)
3.4. Densidades atómicas lineal y planar

Densidad lineal es la fracción de longitud de línea de una dirección cristalográfica que

pasa a través de los centros de los átomos

Direcciones equivalentes tienen idénticas densidades lineales. Con los planos

cristalográficos ocurre lo mismo

[LD]=L-1
Densidad planar es la fracción del área del plano cristalográfico ocupada por átomos.
El plano debe pasar por el centro del átomo.

[LD]=L-2
 4. Materiales monocristalinos y policristalinos

Disposición atómica de un sólido cristalino es perfecta,

sin interrupciones a lo largo de toda la muestra:
Monocristal

Conjunto de muchos cristales pequeños o granos forman un material policristalino

Diferentes etapas de solidificación

de un material policristalino
5. Caracterización mediante Difracción de Rayos X (DRX)
Radiación electromagnética de la misma naturaleza que la luz, pero con longitud
de onda mucho menor: 0,5-2,5 Å (difracción)

Cátodo

Intensidad de los rayos

X producidos en función
Ánodo de la longitud de onda
(metal)
Cuando los rayos X interaccionan con la materia, se dan fundamentalmente
dos fenómenos:
• Algunos fotones se desvían de su trayectoria sin pérdida de energía.
Radiación dispersada de la misma longitud de onda que la incidente (dan
lugar a la difracción)
• Otros, sufren choques inelásticos, con pérdida de energía, que hacen
aumentar la temperatura y da lugar a fenómenos de fluorescencia.

5.1. El fenómeno de difracción

Ocurre cuando una onda encuentra obstáculos separados regularmente que son
capaces de dispersar la onda y que están separados por distancias comparables a
la longitud de onda
El fenómeno de difracción es consecuencia de las relaciones entre fases
específicas establecidas entre dos o más ondas dispersadas por los obstáculos

Interferencia constructiva

Las ondas dispersadas están en fase

 Interferencia destructiva

Las ondas dispersadas NO están en fase

5.2. Difracción de rayos X y ley de Bragg

RX: Radiación EM de alta energía y corta longitud de onda (del orden de las
distancias interatómicas )

Cuando interaccionan con la materia se dispersan en todas las direcciones.

¿Cuáles son las condiciones para que haya difracción por una
disposición ordenada de átomos?
 Se da difracción si se cumple que la
diferencia de caminos recorridos es
múltiplo entero de la longitud de onda
Condición de difracción

n  SQ  QT

n  d hkl sen  d hkl sen ;

Ley de Bragg
n  2d hkl sen
 La distancia interplanar es función de los índices de Miller (hkl) y de
los parámetros de red
a
Sistema cúbico
d hkl 
h k l
2 2 2

1 h k
2
l 2 2
Sistema Tetragonal
2
 2
 2
d hkl a c

1 
4 h  hk  k
2 2
 l 2
Sistema Hexagonal 2
  2
  2
d hkl 3  a  c

1 h2 k 2 l 2
Sistema ortorrómbico 2
 2 2 2
d hkl a b c
 Difractómetro

Determinación de estructuras cristalinas

El tamaño y geometría de la celda unidad: posiciones de los picos de difracción
La disposición de los átomos: intensidad relativa de los picos de difracción
Identificación de estructuras cristalinas

Crystal system: Tetragonal Crystal system: Cubic

Space group: I41/amd Space group: Fd3m
Space group number: 141 Space group number: 227

a (Å): 5,8310 a (Å): 6,4890

b (Å): 5,8310 b (Å): 6,4890
c (Å): 3,1820 c (Å): 6,4890
Alpha (°): 90,0000 Alpha (°): 90,0000
Beta (°): 90,0000 Beta (°): 90,0000
Gamma (°): 90,0000 Gamma (°): 90,0000

Sn-blanco

Sn-gris
Identificación de estructuras cristalinas
Reacciones en estado sólido

SrCuO2

2 SrCO3 + CuO ?
Sr2CuO3
Identificación de estructuras cristalinas
Pureza de una fase
 Determinación de la estructura cristalina de un material cúbico
2
sen  
2

4 a0
h 2
 k2  l2    2d hkl sen

Tipo de red Condiciones

P Todos (hkl)
I h+k+l=2n
F h, k, y l todos pares o todos impares
A k+l=2n
B h+l=2n
C h+k=2n
R -h+k+l=3n
Valores de h2+k2+l2:
Estructura CS: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 16, …
Estructura BCC: 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16,…
Estructura FCC: 3, 4, 8, 11, 12, 16, …
Cúbica diamante: 3, 8, 11, 16, …
Ejemplo:
Los resultados de un experimento de DRX con =0,7107 Å muestran que aparecen
máximos de difracción o picos en los siguientes ángulos de 2:

Pico 2 Pico 2
1 20.20 5 46.19
2 28.72 6 50.90
3 35.36 7 55.28
4 41.07 8 59.42

Determine la estructura cristalina, los índices del plano que produce cada máximo
de intensidad y el parámetro de red del material
 Valores de h2+k2+l2:
2
Estructura CS: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, ….
Estructura BCC: 2, 4, 6, 8, 10, 12, …
sen 2 
4 a0
h 2
 k2  l2 
Estructura FCC: 3, 4, 8, 11, 12, 16, …

Vamos a determinar el sen2

Pico 2 sen2 sen2/0.0308 Patrón (x2) (hkl) dhkl (Å) a(Å)

1 20.20 0.0308 1 2 (110) 2.0263 2.866

2 28.72 0.0615 2 4 (200) 1.4328 2.866
3 35.36 0.0922 3 6 (211) 1.1701 2.866
4 41.07 0.1230 4 8 (220) 1.0130 2.865
5 46.19 0.1539 5 10 (310) 0.9059 2.865
6 50.90 0.1847 6 12 (222) 0.8269 2.865
7 55.28 0.2152 7 14 (321) 0.7660 2.866
8 59.42 0.2456 8 16 (400) 0.7170 2.868

7: No puede ser cúbica simple Es una estructura BCC

Indique los índices h, k, l de los cinco primeros picos de difracción de un cristal
de estructura BCC.

Valores de h2+k2+l2:
Estructura CS: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, ….
Estructura BCC: 2, 4, 6, 8, 10, 12, …
Estructura FCC: 3, 4, 8, 11, 12, 16, …

h2+k2+l2 (BCC) (hkl) h+k+l

2 (110) 2
4 (200) 2
6 (211) 4
8 (220) 4
10 (310) 4
 La siguiente figura muestra los cinco primeros picos de difracción de un metal con
estructura BCC. Sabiendo que se ha empleado una longitude de onda de 0,1542 nm,
determine: a) los índices (hkl) de los planos que producen cada pico; b) la distancia
interplanar de los mismos y c) el radio atómico del metal.

40.0
Valores de h2+k2+l2:
Estructura CS: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, …. 73.0
Estructura BCC: 2, 4, 6, 8, 10, 12, … 100.0
58.0 86.0
Estructura FCC: 3, 4, 8, 11, 12, 16, …

Pico 2 sen2 sen2/0.117 Patrón (x2) (hkl) dhkl (Å) R(Å)

1 40 0.117 1 2 (110) 2.444 1.374
2 58 0.235 2 4 (200) 1.580 1.369
3 73 0.354 3 6 (211) 1.129 1.370
4 86 0.465 4 8 (220) 1.120 1.371
5 100 0.587 5 10 (310) 1.001 1.361
Ejercicio: Determine los índices para las direcciones que se representan
en la siguiente celda unidad cúbica:
 TEMA 3: IMPERFECCIONES EN SÓLIDOS
1. Introducción
2. Defectos puntuales
2.1.Vacantes y autointersticiales
2.2. Impurezas en sólidos
2.3. Determinación de la concentración
3. Dislocaciones. Defectos lineales.
4. Defectos extendidos
4.1. Superficies externas
4.2. Límites de grano
4.3. Límites de macla
4.4. Otros defectos interfaciales
5. Microscopía
6. Determinación del tamaño de grano
1. Introducción
Cristal perfecto: Todos los átomos están en
Cristal perfecto sus posiciones reticulares (0K)

Cristal real: Los átomos vibran alrededor de

sus posiciones ideales, pueden estar
desplazados de dichas posiciones y existen
posiciones no ocupadas

Puede haber “impurezas” que influyen

enormemente en las propiedades. Ej. El latón
(70% Cu-30% Zn) es más duro que el cobre
puro.
Defecto cristalino: es una irregularidad en la
red que tiene una o más de sus dimensiones
del orden del diámetro atómico
Clasificación en base a su geometría o sus
dimensiones:
 Puntuales. Transformaciones de fase
 Lineales. Deformación
 Extendidos. Zonas más activas
 2. Defectos puntuales
2.1. Vacantes y autointersticiales
Vacante o vacante de red: lugar que debería estar
ocupado por un átomo que está ausente

Defecto autointersticial: un átomo que se ha

desplazado a un lugar intersticial. El diámetro de
las posiciones intersticiales es menor que el
diámetro de los átomos. La ocupación de este
hueco produce distorsiones en la red y un aumento
de la energía elástica del cristal.

No es posible crear un material libre de estos defectos: termodinámica

Número de vacantes: Aumenta exponencialmente con la temperatura

N: número total de lugares ocupados por átomos

 Qv  Qv: energía necesaria para la formación de una vacante

N v  N exp  
 k·T  T: temperatura absoluta en K
k: constante de Boltzmann (1.38·10-23 J/át·K ó 8.62·10-5 eV/át·K).
 En la mayoría de los metales (a la temperatura de fusión) la fracción de vacantes
(Nv/N) es del orden de 10-4: hay una vacante por cada 10000 lugares ocupados

Influencian las propiedades del material

Ej. Controlan el movimiento de impurezas en el seno del mismo

La presencia de defectos autointersticiales introduce tensiones relativamente

grandes en los alrededores: la creación de este tipo de defectos puntuales no es muy
probable y su número es menor que el de vacantes.

Ejemplo: Calcular el número de vacantes por m3 en el cobre en equilibrio a 1000ºC. La

energía de activación para la formación de vacantes es de 0,9 eV/átomo, el peso
atómico del cobre es 63,5 g/mol y la densidad 8,4 g/cm3.
 Hay que determinar el número total de sitios atómicos por m3 de Cu (N)
g 23 át
8,4 ·6 ,023·10 ·10 6 cm 3
N ·M Cu ·N A ·V cm 3 mol
 ;N  ;N  ;
N A ·V M Cu g
63,5
mol
N  7,97·10 28 át .
 
 
 Qv  0,9 eV
N v  N exp  ; N v  7,97·10 át exp -
28 ;
 k·T   - 5 eV 
 8,62·10 ·1273K 
 át .·K 
N V  2,2·10 25 vacantes

¿Cómo se originan los defectos puntuales?

Temperatura: Aumento de la amplitud de la vibración
Enfriamiento rápido: Se mantienen los defectos existentes a mayores temperaturas
Deformación plástica (movimiento de planos cristalinos): defectos en los alrededores
Irradiación con partículas de alta energía: desplazamientos puntuales de los átomos
 2.2. Impurezas en sólidos
Presencia de átomos “extraños” en la red del material. Perturban la regularidad de la
red y modifican sus propiedades.

Ejemplo: Modificación de la resistividad del

cobre en función del tipo de impureza y
concentración de la misma. Diferencias de
tamaños y estructura electrónica.
Mayor diferencia de tamaño menor
conductividad

Técnicas muy sofisticadas de preparación: Pureza es como máximo del 99.9999%

1m3 del material contiene de 1022 a 1023 átomos de impurezas

Normalmente se usan aleaciones. Plata de ley: 92.5% de Ag y 7.5% de Cu

 ¿Qué ocurre cuando añadimos impurezas a un metal?

Solución sólida Aparición de una nueva fase

Depende de:
Soluto El tipo de impureza
Disolvente Concentración de la misma
Temperatura

Se mantiene la estructura cristalina inicial cuando se añade una “impureza”

Formación de solución sólida

Material homogéneo
Aparecen defectos puntuales:
sustitucionales o intersticiales
 Detección de dos fases
No se forma solución sólida

Una sola fase+ desplazamiento picos:

Contracción del parámetro de red
Formación de solución sólida

Referencia:
Difractograma del Pd
 S. S. Sustitucionales: los átomos de soluto
sustituyen a los de disolvente

Condiciones (Relas de Hume-Rothery):

 Factor tamaño: Diferencia entre los radios atómicos de soluto y disolvente menor
15%
 Estructura: Ambos metales deben tener la misma estructura
 Factor electroquímico: Mayor diferencia de EN aumenta la posibilidad de
formación de un intermetálico
 Valencia: un metal tiene más tendencia a disolver a un metal de mayor valencia
que a uno de menor
 Ejemplo: Cu y el Ni: son miscibles en todas las proporciones.

Cumplen las condiciones solución sólida sustitucional:

Factor tamaño: los radios del Cu y Ni son 0.128 y 0.125 nm respectivamente
Estructura: ambos cristalizan en FCC
Factor electroquímico: sus electronegatividades son 1.9 y 1.8.
Valencia: la valencia más común es +1 para el Cu (y también puede ser +2) y +2
para el Ni.

S. S. Intersticiales: los átomos de soluto se

colocan en los huecos existentes entre los átomos
de disolvente

Metales: Alto AFP  Impurezas pequeñas

Máximo: 10% impurezas
Ejemplo:
C (0.071nm)-Fe (0.124 nm): Solución sólida intersticial
C máximo: 2%
2.3. Determinación de la concentración

Porcentaje en peso: peso de un elemento particular

respecto al peso total de la aleación

Porcentaje atómico: número de moles de uno de los

componentes respecto al número total de moles de
la aleación

Expresiones que permiten pasar de una forma de

expresar la concentración a otra.
Para un sistema de dos componentes
Para conocer la masa de uno de los componentes a
partir de su porcentaje en masa en la aleación

 g/cm3
C1’’’ y C2’’’  Kg/m3

Densidad y peso atómico medio de una aleación de

dos componentes
 3. Dislocaciones. Defectos lineales

Dislocación: defecto lineal (o monodimensional) en torno al cual, algunos átomos

están desalineados en la estructura del cristal (Distorsión alrededor de una línea)

Dislocación de cuña o de arista

Plano cuya arista termina dentro del cristal
Átomos están comprimidos

Átomos sometidos a tracción

La magnitud de la dislocación decrece con la

distancia a la dislocación de cuña, llegando a
recuperarse una red perfecta en las regiones más
alejadas de la misma

Se forman:
Durante la solidificación, por condensación de vacantes, deformación plástica
 Dislocación helicoidal: Deslizamiento
de una línea del cristal

La parte superior de la región frontal del

cristal se desliza una unidad atómica a la
derecha respecto de la parte inferior

La distorsión helicoidal es lineal y está

situada a lo largo de la línea de dislocación
(AB) . Los planos atómicos alrededor de la
línea de la dislocación trazan un camino
helicoidal.
La mayoría de las dislocaciones que podemos
encontrar en materiales cristalinos no son ni
de cuña ni helicoidales: presentan
componentes de ambos tipos y denominan
dislocaciones mixtas

La magnitud y la dirección de la distorsión

reticular asociada a una dislocación se
expresa en función del vector de Burgers,
designado por b

Dislocación de cuña: el vector de Burgers y la

línea de dislocación son perpendiculares.
Dislocación helicoidal: el vector de Burgers y
la línea de dislocación son paralelos.
Para determinar el vector de Burgers (dirección y magnitud de la dislocación)
se usa el llamado “Circuito de Burgers”. Se traza un circuito alrededor de una
línea de dislocación realizando traslaciones de átomo en átomo y trazando el
mismo número de escalones en cada lado del curcuito. Si no hay defectos el
circuito cierra. Si hay algún defecto (lineal) el circuito no cierra y el vector que
falta para completar el cierre es el vector de Burgers, b.

Cristal con dislocación

Cristal perfecto
El circuito NO cierra
El circuito de Burgers cierra
La magnitud que falta= b
 Microscopía TEM de alta resolución: las líneas oscuras
muestran las dislocaciones en una aleación de titanio

4. Defectos extendidos (interfaciales)

Los defectos interfaciales son zonas límite, que tienen dos direcciones y que
separan regiones del material con diferente estructura cristalina u orientación
cristalográfica.
Superficies externas
Límites de grano
Límites de macla
Defectos de apilamiento
Límites de fase
4.1. Superficies externas

La superficie externa es uno de los límites del cristal más evidente. Se considera
una imperfección dado que marca dónde acaba una estructura cristalina.

Los átomos de la superficie encuentran en un estado energético mayor (menor

coordinación) que el de las posiciones interiores: energía superficial

Importancia de las propiedades de la

superficie de un sólido. Ejemplo:
catálisis heterogénea

Superficie en reducción de Ce0.5 Zr0.5O2

 4.2. Límites de grano
Separan los pequeños granos o cristales con
diferentes orientaciones cristalográficas en
materiales policristalinos

La anchura puede ser de varias distancias

atómicas: desalineamiento en la transición de
un grano al vecino

Cuando la diferencia entre las orientaciones de

dos granos es pequeña (unos pocos grados) se
denomina “límite de grano de ángulo pequeño”.

Regiones separadas por límites de grano de

ángulo pequeño se denominan “subgranos”.
 Un límite de grano de ángulo pequeño puede considerarse
como una agrupación en cascada de dislocaciones en cuña. El
límite de inclinación (), puede calcularse entonces como:

b b= vertor de Burgers
 D= Distancia entre dislocaciones
D D

Límites de grano (energía de límite de grano):

Químicamente más reactivos que los propios granos
Los átomos de impurezas se segregan preferentemente a lo largo de ellos

La energía interfacial total es menor en materiales con granos grandes que con granos
pequeños, dado que el área interfacial total es menor. Cuando la temperatura es lo
suficientemente alta, los granos crecen para disminuir ese área interfacial total y en
consecuencia la energía del límite de grano.
4.3. Límites de macla

Límite de macla: tipo especial de límite de

grano en el que los átomos forman un plano de
simetría. Simetría especular

La macla se produce en un plano cristalográfico

definido y en una dirección específica que
dependen de la estructura cristalina

Las maclas se generan por deslizamientos atómicos

producidos al aplicar fuerzas mecánicas de cizalla (BCC
y HCP) o durante tratamientos térmicos de recocido
posterior a la deformación (FCC)

Trazos relativamente rectos y paralelos. Contraste

visual diferente con las regiones no macladas
 5. Microscopía
Microscopía óptica
Microscopía electrónica
De transmisión (TEM)
De barrido (SEM)

El microscopio óptico se utiliza la luz para

estudiar la microestructura

Materiales opacos (metales y algunos

cerámicos): solo la superficie puede ser
observada. La luz del microscopio se suele usar
en reflexión
Para ver un metal al microscopio:
 Se pule la superficie para que sea capaz de reflejar
la luz incidente.
 Se ataca la superficie con un ácido (diluido) de
manera que las zonas más reactivas (más energía,
límites de grano, orientación, composición) se
atacan de manera diferente a las demás.
 Se observan los granos en el microscopio
metalográfico.
 Microscopía electrónica

El límite de aumentos es de unos 2000 diámetros

Los electrones son acelerados usando altos voltajes y pueden llegar a conseguirse
longitudes de onda del orden de los 0.003 nm (3pm)

Microscopía electrónica de barrido

Microscopía electrónica de transmisión
Microscopía de efecto túnel
Microscopía electrónica de transmisión (TEM)

La imagen está formada por

un haz de electrones que
atraviesan una probeta

Microscopía electrónica de barrido (SEM)

La superficie de la probeta a investigar se barre

con un haz de electrones y el haz reflejado se
recoge y se muestra con la misma velocidad de
barrido en una pantalla de rayos catódicos
Microscopía de efecto túnel (STM)

Se pueden obtener imágenes de superficies a nivel

atómico
6. Determinación del tamaño de grano
Desarrollado por la American Society for Testing and Materials (ASTM) 100x

n 1
N2 N: Nº granos por pulgada cuadrada
n: Índice de tamaño de grano

21 granos completos
22 granos medios 22
Diámetro: 2.25 pulgadas
21   32
2

32
N 2
 8.04
 2.25 
 
 2 

ln N
n  1  4.01
ln 2
 TEMA 4: DIFUSIÓN
1. Introducción
2. Mecanismos de difusión
2.1.Difusión por vacantes
2.2. Difusión intersticial
3. Difusión en estado estacionario
4. Difusión en estado no estacionario
5. Factores que afectan a la difusión
5.1. Sustancias que difunden
5.2. Temperatura
5.3. Tipo de estructura de la matriz
5.4. Imperfecciones o defectos
5.5. Concentración de especies que difunden
7. Difusión y tratamiento de materiales
 1. Introducción

La mayoría de los materiales sufren un tratamiento

térmico para mejorar sus propiedades.

Difusión atómica

El conocimiento de cómo influyen las temperaturas o los tiempos de calentamiento y

enfriamiento y poder predecir el comportamiento mediante un modelo matemático
resulta de utilidad en el procesado de materiales: Fenómenos de difusión

Par difusor: la separación entre ambos metales está perfectamente definida

Calentamiento

Las regiones de Cu puro y Ni puro están separadas por una zona de aleación:
Las concentraciones de cada metal dependen de la posición

Al proceso por el cual los átomos de un metal difunden en otro se denomina

interdifusión o difusión de impurezas

Existe un claro transporte de átomos desde las regiones de alta concentración

hasta las de baja concentración

También en los metales puros existe una difusión mediante la cual átomos del
mismo tipo intercambian su posición: autodifusión
2. Mecanismos de difusión
Nivel atómico: la difusión es el proceso de migración de los átomos de unas
posiciones de la red a otras

¿Qué condiciones deben cumplirse?

 Que haya un lugar vecino vacío

 Que el átomo tenga la suficiente energía como para romper sus enlaces con
los vecinos y distorsionar la red durante el desplazamiento.

Energía de naturaleza vibratoria

A una temperatura T: una fracción de átomos es capaz de difundir
Cuanto mayor es la temperatura, mayor es el número de átomos capaz de hacerlo

 Difusión por vacantes

 Difusión intersticial
 2.1. Difusión por vacantes

Implica el movimiento de un
átomo desde su posición en la red
hasta un lugar vecino que esté
vacío: hasta una vacante

Características:
Se requiere la presencia de vacantes
Las posibilidades de que se depende del número de vacantes en el sólido
Los átomos y las vacantes se mueven en sentido opuesto
Mediante este mecanismo se dan la interdifusión (los átomos de soluto ocupan los
lugares de los del disolvente) y la autodifusión

Temperatura   nº vacantes  + Evibracional   DIFUSIÓN 

 2.2. Difusión intersticial

Los átomos van desde una

posición intersticial a otra vecina
desocupada

Interdifusión de solutos pequeños (carbono, hidrógeno, nitrógeno y oxígeno) que

normalmente ocupan las posiciones intersticiales en los metales.
Los átomos de soluto sustitucionales no difunden mediante este mecanismo (no
ocupan las posiciones intersticiales )

La difusión intersticial ocurre más rápidamente que la difusión por vacantes: los
átomos son más pequeños y tienen mayor movilidad.
Hay más posiciones intersticiales vacías que vacantes: la probabilidad de
movimiento atómico intersticial es mayor
   
      
  
Eact (vacantes)> Eact (intersticial)

Velocidad de difusión

E (vacantes)
act

E (intersticial)
act



   

  
 3. Difusión en estado estacionario
La difusión depende del tiempo: la cantidad de un elemento transportado dentro
de otro es una función del tiempo

¿A qué velocidad ocurre la difusión?

Flujo de difusión (J): masa (o número de átomos) que difunden perpendicularmente a

través de la unidad de área de un sólido por unidad de tiempo. Estado estacionario: J
es constante con el tiempo)
M
J 
A ·t

Forma diferencial

1 dM
J 
A dt

Unidades: Kg/m2·s o átomos/m2·s

 Perfil de concentración

La pendiente de esta gráfica en un punto determinado es el

gradiente de concentración

dC
Gradiente de concentrac ión 
dx

Perfil de concentración lineal:

C C A  C B
Gradiente de concentración  
x x A  xB

En los problemas de difusión suele ser más conveniente expresar la concentración

en función de la masa de sustancia que difunde por unidad de volumen del sólido
(Kg/m3 o g/cm3).
D: coeficiente de difusión y se expresa en m2/s.
dC
J  D Signo negativo: indica que la dirección de la difusión es
dx
contraria a la del gradiente de concentración.
La difusión va desde la zona de elevada concentración a la
Primera ley de Fick de baja
Si la reacción de difusión ocurre de acuerdo a la primera ley de Fick, la fuerza
impulsora es el gradiente de concentración

Ejemplo

Solución
 4. Difusión en estado no estacionario
El flujo de difusión y el gradiente de concentración varían con el tiempo  se
genera acumulación o agotamiento de las sustancias que difunden

C   C  Segunda ley de Fick

 D 
t x  x 

Si el coeficiente de difusión (D) es

independiente de la composición
C  2C
D
t x 2
Su integración requiere conocer las condiciones límite

Condiciones límite: Sólido semi-infinito

Sólido semi-infinito: durante el tiempo que dura la difusión, los átomos que difunden
alcanzan el otro extremo.
Para el caso de una barra de longitud l: semi-infinita si se cumple que l > 10√Dt
 La sustancia que difunde es un gas cuya presión parcial se mantiene constante
Antes de la difusión, todos los átomos de soluto están uniformemente
distribuidos en el sólido a una concentración C0.
El valor de x en la superficie es cero y aumenta con la distancia hacia dentro
del sólido
El tiempo se toma cero en el instante inmediatamente anterior al inicio de la
difusión

Matemáticamente:
Para t=0; C=C0 a 0 x  
Para t>0
C=Cs (concentración superficial constante) x=0
C=C0 para x = 

C x  C0  x 
Solucionamos la segunda ley de Fick  1  ferr  
Cs  C 0  2 D ·t 
C x  C0  x 
 1  ferr  
Cs  C 0  2 D ·t 
Cx es la concentración a una distancia x después de un tiempo t.
 x 
ferr   es la función gaussiana de error
 2 D ·t 
C x  C0  x 
 1  ferr  
Cs  C 0  2 D ·t  Queremos concentración de soluto, C1

C1  C 0
 Cons tan te
Cs  C 0

El segundo miembro de la ecuación

también debe ser constante

 x 
   Cons tan te
 2 D ·t 
Elevando al
cuadrado
x2
 Cons tan te
4D ·t
Ejemplo

Solución
Ejemplo

Solución
5. Factores que influyen en la difusión
5.1. Sustancias que difunden

La magnitud del coeficiente de difusión, D, es indicativa de la velocidad a la

cual se da la difusión atómica
Como ejemplo pueden servir los valores de este parámetro que se dan para la
interdifusión y autodifusión de varios metales
 Las sustancias que difunden y los materiales a través de los que lo hacen influyen
notablemente en el valor del coeficiente de difusión
Valores de D para la autodifusión del Fe (3.0·10-21 m2/s) y la interdifusión del
carbono en hierro  a 500ºC (2.4·10-12 m2/s): Mecanismo de difusión por vacantes
o intersticial

5.2. Temperatura
La temperatura influye en la velocidad y en los coeficientes de difusión

Autodifusión del Fe-

500ºC: 3,0·10-21 m2/s
900ºC : 1,8·10-15 m2/s

D0 es el factor de frecuencia (factor pre-exponencial) independiente de la temperatura

(m2/s)
Qd es la energía de activación para la difusión (J/mol o eV/átomo)
R es la constante de los gases, 8,31 J/mol·K o 1,987 cal/mol·K o 8.62·10-5 eV/átomo
T es la temperatura absoluta (K).
 La energía de activación se puede interpretar como la energía requerida para
producir el movimiento difusivo de 1 mol de átomos

Como D0, Qd y R son constantes, esta expresión es la ecuación de una recta:

y=mx+b

Determinación experimental de Qd y D0:

Representando ln D (o log D) frente al inverso de la temperatura, obtendremos una
línea recta cuya pendiente y ordenada en el origen son –Qd/2.3R y log D0
respectivamente
 5.3. Tipo de estructura cristalina de la matriz

D (C en Fe-, FCC)= 5·10-15 m2/s < D(C en Fe-)=1·10-12 m2/s

APF (FCC)= 0,74 > APF (BCC)=0,68

5.4. Imperfecciones o defectos en el cristal

Estructuras abiertas (existencia de canales):  D

D (superficie) > D (borde de grano) > D (interior)

5.5. Concentración de especies que difunden

Modificación de las energías de cohesión entre

átomos
Direcciones preferenciales de difusión
(disminuir E de la red)
6. Difusión y tratamiento de los materiales
Algunas propiedades de los materiales sufren alteraciones y mejoras en los procesos
y transformaciones que implican difusión atómica.
Se trabaja a altas temperaturas para que la velocidad de difusión sea rápida:
Tratamientos térmicos.
Se aplican en las últimas etapas de producción de la mayoría de los metales,
cerámicos y polímeros

Ejemplos:
Endurecimiento superficial del acero: Aumentar el contenido de C o N en superficie
(carburización o nitruración)
Fabricación de circuitos electrónicos: Si dopado con impurezas para modificar la
conductividad
Soldadura por difusión