Unidad 1 – Introducción a los fundamentos

de la ciencia de materiales.
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Grupo 5
1.1. Estructuras cristalinas.
 QUÉ ES UNA SUSTANCIA PURA?
 Una sustancia que tiene una composición química fija en
cualquier parte se llama sustancia pura.
 Por ejemplo:el agua,el nitrógeno,el helio y el dióxido de
carbono.
 No es necesario que una sustancia pura esté conformada
por un solo elemento.
 Una mezcla de varios elementos también puede ser una
sustancia pura siempre y cuando la mezcla sea
homogénea.
 FASES DE UNA SUSTANCIA PURA
 Tres fases principales: sólida, líquida y gaseosa.
 Una sustancia puede tener varias fases dentro de la
principal, cada una con distinta estructura molecular.
 Los enlaces moleculares son más fuertes en los sólidos y
más débiles en los gases, debido en parte a que las
moléculas en los primeros están más próximas entre sí,
mientras que en los gases se hallan separadas por
distancias relativamente grandes.
 FASES DE UNA SUSTANCIA PURA
 Las moléculas en un sólido están
dispuestas en un patrón
tridimensional (red) que se
repite por todo el sólido.
 Pequeñas distancias
intermoleculares; fuerzas de
atracción entre las moléculas son
grandes y las mantienen en
posiciones fijas.
 FASES DE UNA SUSTANCIA PURA
 El espaciamiento molecular en la
fase líquida es parecido al de la
fase sólida, excepto en que las
moléculas ya no están en
posiciones fijas entre sí y pueden
girar y trasladarse libremente.
 Fuerzas intermoleculares más
débiles en relación con los
sólidos; es mayor comparada con
la de los gases.
 FASES DE UNA SUSTANCIA PURA
 En la fase gaseosa, las moléculas
están bastante apartadas, no hay un
orden molecular, se mueven al azar
con colisiones continuas entre sí y
contra las paredes del recipiente que
las contiene.
 Fuerzas moleculares muy pequeñas
 Las colisiones son el único modo de
interacción entre las moléculas.
 PROCESOS DE CAMBIO DE FASE
 Situaciones prácticas donde dos fases de una sustancia
pura coexisten en equilibrio:

 El agua existe como una mezcla de líquido y vapor en la

caldera y en el condensador de una termoeléctrica.
 El refrigerante pasa de líquido a vapor en el congelador de
un refrigerador.
 El arreglo atómico juega un papel importante en la determinación de la
microestructura y en el comportamiento de un material sólido.
 Por ejemplo, el arreglo atómico en el aluminio proporciona buena ductilidad,en
tanto que en el hierro es la causa de una buena resistencia. Los transductores
cerámicos capaces de detectar tumores en el cuerpo humano se basan en un
arreglo atómico que produce un desplazamiento permanente de las cargas
eléctricas dentro del material.
ARREGLO ATÓMICO
 Los niveles del arreglo atómico en los materiales:

 (a) los gases inertes no tienen un orden regular en sus átomos.

 (b, c) Algunos materiales,incluyendo el vapor de agua y el vidrio, tienen orden en

una distancia muy corta.
 (d) Los metales y muchos otros sólidos tienen un orden regular de los átomos que
se extiende por todo del material.
ARREGLO ATÓMICO
ARREGLO ATÓMICO
Celdas unitarias
 Es la subdivisión de la red cristalina que sigue conservando las características
generales de toda la red.

 Se identifican 14 tipos de celdas unitarias o redes de Bravais agrupadas en siete

sistemas cristalinos
ARREGLO ATÓMICO
ARREGLO ATÓMICO
Parámetro de red
 En un sistema cristalino cúbico, solamente es necesaria la longitud de uno de los
costados del cubo para describir por completo la celda.
 Se requieren varios parámetros de red para definir el tamaño y la forma de celdas
unitarias complejas.
 Dimensiones en nanómetros (nm), o en Angstroms (Å),donde:
 1 nanómetro (nm) = 10 -9 m = 10-1 cm= 10 Å
 I angstrom (Å) = 0.1 nm = 10-10 m = 10-8 cm
ARREGLO ATÓMICO
 Un punto de red en la esquina de una celda unitaria estará compartido por siete
celdas unitarias adyacentes; sólo una octava parte de cada esquina corresponde
a una celda en particular.
ARREGLO ATÓMICO
 Determine el número de puntos de red por celda en los sistemas cristalinos
cúbicos.
ARREGLO ATÓMICO
ARREGLO ATÓMICO
 Determine el número de puntos de red por celda en los sistemas cristalinos
cúbicos.
ARREGLO ATÓMICO
Radio atómico comparado con el parámetro de la red
 Las direcciones en la celda unitaria lo largo de las cuales los átomos están en
contacto continuo son las direcciones compactas.
 En estructuras simples, particularmente en aquellas con sólo un átomo por punto
de red, se utilizan esas direcciones para calcular la relación entre el tamaño
aparente del átomo y el tamaño de la celda unitaria.
 Al determinar geométricamente la longitud de la dirección, relativa a los
parámetros de red y a continuación sumando los radios atómicos en esa dirección ,
es posible determinar la dirección deseada.
ARREGLO ATÓMICO
 Determine la relación entre el radio atómico y el parámetro de red en estructuras
CS, CC y CCC cuando existe un átomo en cada punto de la red.
ARREGLO ATÓMICO
ARREGLO ATÓMICO
 Número de coordinación

 El número de átomos que tocan a otro en particular, es decir, el número de vecinos

más cercanos, es el número de coordinación y es una indicación de qué tan
estrecha y eficazmente están empaquetados los átomos.
 En estructuras cúbicas que contengan solaménte un átomo por punto de la red,los
átomos tienen un número de coordinación relacionado con la estructura de la red.
ARREGLO ATÓMICO
Determine el número de coordiación de la Celda Cúbica Simple y Cúbica
Centrada en el Cuerpo
ARREGLO ATÓMICO
Determine el número de coordiación de la Celda Cúbica Simple y Cúbica
Centrada en el Cuerpo

Seis y Ocho
ARREGLO ATÓMICO
 Factor de empaquetamiento

 Es la fracción de espacio ocupada por átomos, suponiendo que los átomos son
esferas sólidas. La expresión general para el factor de empaquetamiento es:
ARREGLO ATÓMICO
Calcule el factor de empaquetamiento para la celda CCC.
ARREGLO ATÓMICO
Calcule el factor de empaquetamiento para la celda CCC.
ARREGLO ATÓMICO
Densidad
La densidad teórica de un metal se puede calcular utilizando las propiedades de la
estructura cristalina. La fórmula general es:
ARREGLO ATÓMICO
 Determine la densidad del hierro CCCu, el cual tienen un parámetro de red de
0.2866 nm..
ARREGLO ATÓMICO
 Determine la densidad del hierro CCCu, el cual tienen un parámetro de red de
0.2866 nm..
ARREGLO ATÓMICO
Base atómica
 En el caso más sencillo, a cada punto de red le corresponderá un átomo, pero en
estructuras más complicadas, como materiales cerámicos y compuestos,cientos de
átomos pueden estar asociados a cada punto de red formando celdas unitarias
extremadamente complejas. La distribución de estos átomos o moléculas
adicionales se denomina base atómica y esta nos da su distribución dentro de la
celda unitaria.

 Existen dos casos típicos de bases atómicas. La estructura del diamante y la

hexagonal compacta. Para redes bidimensionales un caso ejemplar sería el
grafito cuya estructura sigue un patrón de red en panal.
ARREGLO ATÓMICO
Estructura cristalina Hexagonal Compacta (HCP)
 Numero de coordinación:12

 Nº átomos por celda: = 12* 1/6 + 2* 1/2 (vértices) + 3 centro = 6 átomos

ARREGLO ATÓMICO
 La red hexagonal tiene un punto de red por celda unitaria localizado en las
esquinas de la celda unitaria. En la estructura CH,dos átomos están asociados con
cada punto de red; por tanto,hay dos átomos por celda unitaria.
ARREGLO ATÓMICO
 Debido a que la estructura CH, como la estructura CCCa, tiene el factor de
empaquetamiento más eficiente de 0.74 y un número de coordinación de 12,varios
metales poseen esta estructura.
 Ej: Fe-α (estable baja Tª), Cr, Mo, K, V, W, aleaciones
• Materiales metálicos
– Cúbica centrada en el cuerpo (BCC)
– Cúbica centrada en las caras (FCC)
– Hexagonal compacta (HCP) BCC

Ej: Fe-γ, Al, Cu, Ni, Pt, Ag, Pt y Au

FCC

Ej: Be, Cd, Mg, Co, Ti-α, Zn

HCP
BCC (cúbica centrada FCC (cúbica centrada
en el cuerpo) en las caras) HCP (hexagonal
compacta)
esquinas esquinas
esquinas
centro del cubo centro de las caras centro de cara superior
e inferior
9 átomos 14 átomos
centro del plano

17 átomos
 Número de átomos equivalente en celda unidad

Nueve átomos BCC

Número de átomos equivalentes

Centro 1
Esquinas 8x(1/8) 1
Total átomos eq. 2

Cada átomo de las

esquinas compartido
Nº de átomos equivalentes
con otras siete celdas
BCC 2
FCC 4
Cada átomo de la HCP 6
esquina contribuye 1/8
 Índice de coordinación  Nº de vecinos más próximos

BCC 8

HCP 12
FCC 12
  Cálculo del FEA

átomos celda unidad

FEA  Vol
Vol celda unidad

FCC
radio del átomo: r Volumen de átomos en celda unidad, Va
4
Va  nV esfera Vesfera  4  r3 Va  n   r 3
3 3
4r Volumen de celda unidad, Vc

a  2 2 r 
Vc  2 2  r 
3

Longitud de la cara: a n 4 3  r3
FEA   0.74
Nº atom. eq. FCC: n = 4 2 2  r  3
 Estructura cristalina cubica centrada en el cuerpo (BBC)

Número de coordinación = 8 (Átomo central rodeado por 8 vecinos)

Nº átomos por celdilla: 1 (centro) + 8 * 1/8 (vértices) = 2 átomos

Factor de empaquetamiento (FEA) = 0,68

Tema 2: Estructura de los materiales

 Radio atómico en función del parámetro de red (R)

Calculamos la arista del cubo en función del radio del átomo

Tema 2: Estructura de los materiales

 Estructura cristalina cubica centrada en las caras(FCC)
Número de coordinación: 12

Nº átomos por celdilla: 6 * 1/2 (centro caras) + 8 * 1/8 (vértices) = 4 átomos

A-B-C-A-B-C

Factor de empaquetamiento:

[(nº de átomos/celda) (volumen de cada átomo)]

FEA = = 0,74 máximo compacto
(volumen de celda) Átomos esféricos
Radio atómico en función del parámetro de red (R)

máximo empaquetamiento, átomos en contacto en la diagonal de la cara del cubo

Relación entre la arista del cubo (a) y el radio atómico (R)

R = (√2/4) * a
 Estructura cristalina Hexagonal Compacta (HCP)
Numero de coordinación: 12

Nº átomos por celdilla: = 12* 1/6 + 2* 1/2 (vértices) + 3 centro = 6 átomos

A-B-A-B

Factor de empaquetamiento: fracción del espacio ocupada por átomos

[(nº de átomos/celda) (volumen de cada átomo)]

FEA = = 0,74 máximo compacto
(volumen de celda) Átomos esféricos
ESTRUCTURA n
CRISTALINA IC (at/celda) Relación a-R FEA

a  4R
BCC 8 2 0,68
3
FCC
12 4 a  2R 2 0,74

HCP
12 6 a  2R 0,74
c  1,633
a
 REDES METÁLICAS. ESTRUCTURAS COMPACTAS
EMPAQUETAMIENTO
• Apilamientos compactos de esferas

 Esferas apiladas que representan átomos o iones

 Apilar en capas esferas de igual tamaño de la forma más
compacta posible
 En una capa, cada esfera queda rodeada de otras seis HEXAGONAL CÚBICO
esferas

A-B-A-B (HCP)

A-B-C-A-B-C (FCC)
REDES METÁLICAS. ESTRUCTURAS COMPACTAS

Apilamientos compactos, empaquetamiento cerrado:

A-B-A-B (HCP) A-B-C-A-B-C (FCC)

No forman empaquetamiento cerrado:

Sólidos iónicos  átomos de diferente tamaño
Sólidos covalentes  enlaces demasiado rígidos

CPH FCC
Transformaciones alotrópicas y polimórficas
 A los materiales con más de una estructura cristalina se les llama alotrópicos o
polimórficos.
 El término alotropía por lo general se reserva para este comportamiento en los
elementos puros, mientras que el término polimorfismo se utiliza para los
compuestos.
TRANSFORMACIONES ALOTRÓPICAS

Materiales que poseen más de una estructura cristalina

912 ºC
Fe: Fe BCC ( Tª) Fe FCC ( Tª)
885 ºC
Ti: Ti CPH( Tª) Ti BCC ( Tª)

Sn: Sn Cdiamante ( Tª) 13,2 ºC Snβ BCT ( Tª)  PESTE DEL ESTAÑO
http://www.youtube.com/watch?v=FUoVEmHuykM

Las transformaciones alotrópicas normalmente implican un cambio volumétrico

ISOTROPÍA Y ANISOTROPÍA
Isotropía: material aproximadamente iguales propiedades en todas la direcciones
Anisotropía: diferentes propiedades según la dirección
EJEMPLOS:
Expedición de Scott al Polo Sur
Para evitar pérdidas entre las juntas de piel de sus
bombonas de queroseno, Scott había usado soldaduras
enriquecidas con estaño o de estaño puro  al regreso
las bombonas estaban vacías.
Todos murieron en marzo de 1912, entre otras causas,
porque fueron incapaces de cocinar o de fundir hielo
para beber.

Campaña de Napoleón a Rusia

Las tropas de napoleón, cuando éste las mandó a
invadir rusia durante el invierno de 1812: los broches de
estaño de las chaquetas de sus soldados, según
algunos historiadores, se partían cada vez que se
levantaba un viento helado, dejando expuestas las
ropas interiores de los franceses.
Napoleón perdió más de 400.000 soldados, toda su
artillería (unas 580 piezas) y 175.000 caballos
Adolph Northen (1828-1876)
 Muchos materiales cerámicos, como la sílice (Si02) y la zirconia (Zr02), también
son polimórficos. La transformación puede estar acompañada por un cambio en el
volumen durante el calentamiento o el enfriamiento; si no se controla de manera
apropiada, este cambio en el volumen ocasiona que el material cerámico se
resquebraje y falle.
1.2. Defectos de las Estructuras Cristalinas.
 En todos los materiales el arreglo de los átomos contiene imperfecciones que
tienen un efecto profundo sobre el comportamiento de los materiales.
 Mediante el control de las imperfecciones reticulares, creamos metales y
aleaciones más resistentes, imanes más poderosos,transistores y celdas solares de
mejor desempeño, vidrios y cristales de colores extraordinarios y muchos otros
materiales de importancia práctica.
 Existen tres tipos básicos de imperfecciones de red:
 defectos puntuales,
 defectos lineales (o dislocaciones) y
 defectos de superficie.
 Son imperfecciones lineales en una red que de otra forma sería perfecta.

 Se introducen en la red durante el proceso de solidificación del material o al

deformarlo. Son de particular utilidad para explicar la deformación y el
endurecimiento de los metales.
 Dos tipos de dislocaciones:

 la dislocación de tornillo y
 la dislocación de borde.
 Dislocación de tornillo

 Se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de un cristal perfecto,

torciéndolo y desplazando un lado del corte sobre el otro la distancia de un átomo.
 Si en un plano cristalográfico describimos una revolución completa alrededor del
eje sobre el cual el cristal fue torcido, partiendo del punto x y recorriendo
espaciamientos atómicos iguales en cada dirección, terminaremos a un espacio
atómico por debajo de nuestro punto de partida (punto y). El vector que se
requiere para cerrar la trayectoria y volver a nuestro punto inicial se conoce como
el vector de Burgers b.
 Dislocaciones de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de un
cristal perfecto, separándolo y rellenando parcialmente el corte con un plano de
átomos adicional. El borde inferior de este plano adicional representa la
dislocación de borde.
 Dislocaciones mixtas. tienen componentes tanto de borde como de tornillo,con
una región de transición entre ambas. El vector de Burgers, sin embargo, se
conserva igual para todas las porciones de la dislocación mixta.
 Dislocación de arista o de borde: Un semiplano extra de átomos se inserta en la estructrura
cristalina
 b ⊥ a la línea de la dislocación

 Dislocación helicoidal o de tornillo: Los planos atómicos trazan un camino espiral o

helicoidal alrededor de la línea de dislocación se forma al aplicar un esfuerzo cizallante
 b || a la línea de la dislocación

 Dislocaciones mixtas: Combinación de ambas.

 Vector de Burger, b: medida de la distorción de la red

 El proceso mediante el cual se mueve una dislocación
causando que se deforme un material se conoce como
deslizamiento.
 La dirección en la cual se mueve la dislocación, la
dirección de deslizamiento, es la dirección del vector de
Burgers para las dislocaciones de borde.
 Durante el deslizamiento, una dislocación recorre estados,o
entornos, de equilibrio idénticos.
 El esfuerzo Peierls-Nabarro es el esfuerzo requerido para mover la
dislocación de una localización de equilibrio a otra:
τ = c exp (-kd/b )
donde
 τ es el esfuerzo cortante requerido para mover la dislocación;
 d es la distancia interplanar entre planos de deslizamiento
adyacentes;
 b es el vector de Burgers
 tanto e como k son constantes del material.
 Es posible localizar ciertos puntos, como las posiciones de los
átomos en la red o en la celda unitaria, construyendo el sistema de
coordenadas
 Ciertas direcciones en la celda unitaria son de particular
importancia.
 Los metales se deforman, por ejemplo, en aquellas
direcciones a lo largo de las cuales los átomos están en
contacto más estrecho. Los índices de Miller para las
direcciones son la notación abreviada de estas direcciones.
 Los índices de Miller, en cristalografía, son un juego de númerosque
permiten identificar unívocamente un sistema de planos
cristalográficos.
 Los índices de Miller son números enteros, negativos o positivos,y
son primos entre sí.
PARA INDICES

1. Escoger el origen 0
2. Calcular los recíprocos de los índices
3. Marcar los puntos de intersección
4. Dibujar el plano conectando los puntos de intersección
PARA PLANOS
1. Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes de
coordenadas x, y y z en función del número de parámetros de red.
Si el plano pasa a través del origen, el origen del sistema de
coordenadas deberá moverse.
2. Tome los recíprocos de estas intersecciones.
3. Elimine las fracciones pero no reduzca a los mínimos enteros .
4. Encierre los números resultantes entre paréntesis ( ). De nuevo,los
números negati vos se escribirán con una barra sobre los mismos.
 Determine los índices Miller de las direcciones A, B y C de la figura.
 Determine los índices Miller de las direcciones A, B y C de la figura.
 Determine los índices de Miller de los planos A, B y C de la figura
 Determine los índices de Miller de los planos A, B y C de la figura
 La densidad planar es el número de átomos por unidad de superficie cuyo centro
está sobre el plano; la fracción de empaquetamiento es el área sobre dicho plano
cubierta por dichos átomos.

Calcule la densidad planar y la fracción de empaquetamiento planar para los

planos (010) y (020) en el polonio cúbico simple, que tiene un parámetro de red
de 0.334 nm.
 Las direcciones en las celdas HC se denotan mediante el sistema de tres o de cuatro
ejes.
 En el caso del sistema de tres ejes, el procedimiento es el mismo que el de los índices
de Miller tradicionales.
 También es posible transformar la notación del sistema de tres ejes al de cuatro para el
caso de direcciones utilizando las siguientes ecuaciones, donde h', k' y r son los índices
en el sistema de tres ejes.
h = 1/3 (2h' - k')
k = 1/3 (2k' - h')
i = 1/3 (h' + k')
l = l'
 Después de la transformación, los valores de h, k, i y l puedenrequerir simplificación
de fracciones o reducción a los mínimos enteros.
 Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A y B así como para las
direcciones C y D de la figura
 Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A y B así como para las
direcciones C y D de la figura
 Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A y B así como para las
direcciones C y D de la figura
 Comportamiento isotrópico y anisotrópico
 Debido a las diferencias del arreglo atómico en los planos y
direcciones dentro de un cristal, también varían las propiedades
según la dirección.
 Un material es anisotrópico si el valor de sus propiedades depende
de la dirección cristalográfica a lo largo de la cual se mide la
propiedad.
 Por ejemplo, el módulo de elasticidad del aluminio es 75.9 GPa en
las direcciones <l11>, pero es de sólo 63.4 GPa en las direcciones <
100>. Si los valores de las propiedades son idénticos en todas las
direcciones, entonces el cristal es isotrópico.
 La distancia entre dos planos de átomos paralelos adyacentes con los mismos
índices de Miller se conoce como distancia interplanar dhk1. La distancia
interplanar en materiales cúbicos está dada por la ecuación general,

 donde a0 es el parámetro de red y h, k y l representan los índices de Miller de los

planos adyacentes considerados.
 Al examinar la relación entre radio atómico y el parámetro de red, se buscan
direcciones compactas, donde los átomos estén en contacto continuo.
 Ahora se pueden asignar índices de Miller a esas direcciones compactas, según se
muestra en la tabla 3-5.
Factores que determinan el deslizamiento durante la deformación del material.
1. El esfuerzo requerido para hacer que la dislocación se mueva aumenta de
manera exponencial con la longitud del vector de Burgers. Por lo que la
dirección de deslizamiento deberá tener una distancia de repetición de estados
de equilibrio pequeña o una densidad lineal alta. Las direcciones compactas en
los metales satisfacen este criterio y son las direcciones de deslizamiento
usuales.
2. El esfuerzo requerido para hacer que la dislocación se mueva se reduce de
manera exponencial con la distancia interplanar de los planos de
deslizamiento. El deslizamiento ocurre con mayor facilidad entre planos de
átomos que sean suaves (de manera que tengan "colinas y valles" más pequeños
en su superficie) y entre planos que estén alejados (o que tengan una distancia
interplanar relativamente grande). Aquellos planos con una densidad planar alta
llenan este requisito.
Factores que determinan el deslizamiento durante la deformación del material.
3. Las dislocaciones no se mueven fácilmente en materiales como el silicio o
los polímeros, los cuales tienen enlaces covalentes. Debido a la resistencia y
direccionalidad de estos enlaces, los materiales típicamente fallan en forma
frágil antes de que la fuerza se haga lo suficientemente alta para generar un
deslizamiento apreciable.
4. Los materiales con enlace iónico, incluyendo muchos materiales
cerámicos como el MgO, también ofrecen resistencia al deslizamiento. El
movimiento de una dislocación rompe el equilibrio de cargas alrededor de
aniones y cationes, requiriendo que los enlaces entre aniones y cationes se
deshagan
 En la figura 4-6 se muestra esquemáticamente una dislocación en el MgO, el cual
tiene la estructura cristalina del cloruro de sodio y un parámetro de red de 0.396
nm. Determine la longitud del vector de Burgers.
 En la figura 4-6 se muestra esquemáticamente una dislocación en el MgO, el cual
tiene la estructura cristalina del cloruro de sodio y un parámetro de red de 0 .396
nm. Determine la longitud del vector de Burgers.

La longitud de b es la distancia
entre dos planos (110) adyacentes.
 La densidad planar del plano (112) en el hierro CC es 9.94 x 1014 átomos/cm2
Calcule (a) la densidad planar del plano (110) y (b) los espaciamientos
interplanares tanto para los planos ( 112) como (110). ¿En cuál de los planos
ocurriría normalmente el deslizamiento?
 La densidad planar del plano (112) en el hierro CC es 9.94 x 1014 átomos/cm2
Calcule (a) la densidad planar del plano (110) y (b) los espaciamientos
interplanares tanto para los planos ( 112) como (110). ¿En cuál de los planos
ocurriría normalmente el deslizamiento?
 Son discontinuidades de la red que involucran uno o quizá
varios átomos.
 Pueden ser generados en el material mediante el
movimiento de los átomos al ganar energía por
calentamiento; durante el procesamiento del material;
mediante la introducción de impurezas; o intencionalmente
a través de las aleaciones.
 Vacancias Una vacancia se produce cuando falta un átomo en un sitio normal. Las
vacancias se crean en el cristal durante la solidificación a altas temperatuias o
como consecuencia de daños por radiación. A temperatura ambiente aparecen
muy pocas vacancias, pero éstas se incrementan de manera exponencial conforme
se aumenta la temperatura; como se muestra en la siguiente ecuación de
Arrhenius:

 donde nv es el número de vacancias por cm3; n es el número de puntos de red por

cm3; Q es la energía requerida para producir una vacancia, en cal/mol; R es la
constante de los gases, 1.987 cal/mol · K y T es la temperatura en ºK.
 Diseñe un tratamiento térmico que proporcione 1000 veces más vacancias en el
cobre de las que están normalmente presentes a temperatura ambiente. Se
requieren aproximadamente 20 000 cal/mol para producir una vacancia en el
cobre CCC cuyo parámetro de red es a0 = 0.36151 nm.
 Diseñe un tratamiento térmico que proporcione 1000 veces más vacancias en el
cobre de las que están normalmente presentes a temperatura ambiente. Se
requieren aproximadamente 20 000 cal/mol para producir una vacancia en el
cobre CCC cuyo parámetro de red es a0 = 0.36151 nm.
 Defectos intersticiales Se forma un defecto intersticial cuando se
inserta un átomo adicional en una posición normalmente
desocupada
 Los átomos intersticiales, aunque mucho más pequeños que los
átomos localizados en los puntos de la red, aún así son mayores que
los sitios intersticiales que ocupan; en consecuencia, la red
circundante aparece comprimida y distorsionada.
 Los átomos intersticiales como el hidrógeno a menudo están
presentes en forma de impurezas; los átomos de carbono se agregan
al hierro para producir acero. Una vez dentro del material, el número
de átomos intersticiales en la estructura se mantiene casi constante,
incluso al cambiar la temperatura.
 Defectos sustitucionales Cuando se remplaza un átomo por otro de
un tipo distinto. El átomo sustitucional permanece en la posición
original.
 Cuando estos átomos son mayores que los normales de la red, los
átomos circundantes se comprimen: si son más pequeños, losátomos
circundantes quedan en tensión.
 El defecto sustitucional distorsiona la red circundante. Igualmente,se
puede encontrar el defecto sustitucional como una impureza o como
un elemento aleante agregado deliberadamente y, una vez
introducido, el número de defectos es relativamente independiente
de la temperatura.
 Defecto Frenkel es un par de defectos, intersticio-vacancia formado
cuando un ion salta de un punto normal de la red a un sitio
intersticial, dejando detrás una vacancia.
 Defecto Schottky es un par de vacancias en un material de enlace
iónico; deben faltar tanto un anión como un catión de la red si se ha
de preservar la neutralidad eléctrica del cristal. Este defecto es
común en materiales cerámicos de enlace iónico.
 Determine el número de vacancias necesarias para que una red de hierro CC
tenga una densidad de 7.87 g/cm3. El parámetro de red del hierro es de 2.866 x
10-8 cm.
 Son las fronteras o planos que separan un material en regiones de la misma
estructura cristalina pero con orientaciones cristalográficas distintas.
 Superficie del material En las superficies externas del material la red termina de
manera abrupta. Cada átomo de la superficie ya no tiene el mismo número de
coordinación y se altera el enlace atómico. Asimismo, la superficie puede ser muy
áspera, contener pequeñas muescas y quizá ser mucho más reactiva que el interior
del material.
 Fronteras de grano La microestructura de la mayor parte de los materiales está
formada por muchos granos. Un grano es una porción del material dentro del cual
el arreglo atómico es idéntico.
 La orientación del arreglo atómico, o de la estructura cristalina, es distintapara
cada grano.
 En la figura se muestran de manera esquemática tres granos; la red de cada uno
de ellos es idéntica pero están orientados de manera distinta. La frontera de grano,
que es la superficie que separa los granos, es una zona estrecha en la cual los
átomos no están correctamente espaciados. Esto quiere decir que, en algunos
sitios, los átomos están tan cerca unos de otros en la frontera de grano que crean
una región de compresión y en otras áreas están tan alejados que crean una región
de tensión.
 Un método para controlar las propiedades de un material es controlando el tamaño
de los granos. Reduciendo el tamaño de éstos se incrementa su número y, por tanto,
aumenta la cantidad de fronteras de grano. Cualquier dislocación se moverá
solamente una distancia corta antes de encontrar una frontera de grano,
incrementando así la resistencia del metal.
 La ecuación de Hall-Petch relaciona el tamaño de grano con el esfuerzo de
cedencia del material.

 donde a, es el esfuerzo de cedencia, es decir el esfuerzo bajo el cual el material se

deforma de manera permanente; d es el diámetro promedio de los granos y a0 y K
son constantes del metal.
 Número de tamaño de grano ASTM (American Society for Testing & Materials).
Se determina el número de granos por pulgada cuadrada a partir de una fotografía
del metal tomada a una amplificación de X 100.
 El número de granos por pulgada cuadrada N se introduce en la ecuación y se
calcula el número n de tamaño de grano ASTM:
 Supongamos que se cuentan 16 granos por pulgada cuadrada en una
microfotografía tomada a una amplificación de x 250. ¿Cuál es el número de
tamaño de grano ASTM?
 Supongamos que se cuentan 16 granos por pulgada cuadrada en una
microfotografía tomada a una amplificación de x 250. ¿Cuál es el número de
tamaño de grano ASTM?
 Las fallas de apilamiento, que ocurren en los metales CCC,
representan un error de la secuencia de apilamiento de planos
compactos.
 Normalmente, en una red CCC perfecta se produce una secuencia
de apilamiento ABCABCABC. Pero, suponga que se produce la
secuencia siguiente:
ABCABABCABC
 En la porción de la secuencia indicada, el plano tipo A aparece
donde debería estar localizado normalmente un plano tipo C. Esta
pequeña región, que tiene una secuencia de apilamiento HC en vez
de CCC, representa una falla de apilamiento. Estas fallas interfieren
con el proceso de deslizamiento.
 Un borde de macla es un plano que separa dos partes de un grano
que tienen una pequeña diferencia en la orientación cristalográfica.
Estas partes de la red parecen formar una imagen especular en el
plano del borde de macla.
 Las maclas se producen cuando una fuerza de corte, que actúa a lo
largo del borde de macla, hace que los átomos cambien de posición.
 Las maclas ocurren durante la deformación o el tratamiento térmico
de ciertos metales.
 En un cristal perfecto, el arreglo fijo y repetido de los átomos tiene el nivel de
energía más bajo posible dentro del cristal. Cualquier imperfección en la red
eleva la energía interna en el lugar donde se localiza el defecto. La energía local
se incrementa alrededor del defecto porque los átomos están en compresión o en
tensión.
 Endurecimiento por deformación Las dislocaciones rompen la perfección de la
red. En la figura 4-19, los átomos que están por debajo de la línea de dislocación
en el punto B están en compresión, en tanto que los átomos por encima del mismo
punto están sometidos a tensión.
 Si la dislocación A se mueve hacia la derecha y pasa cerca de la dislocación B,
encontrará una región donde los átomos no están correctamente organizados. Se
requerirán de esfuerzos más altos para mantener en movimiento a la dislocación A;
en consecuencia, el metal es más resistente.
 Al incrementar el númerode dislocaciones, se aumenta la resistencia del material.
 Endurecimiento por solución sólida Cualquiera de los defectos puntuales
también altera la perfección de la red. Si la dislocación A se mueve hacia la
izquierda encontrará una red alterada debido al defecto puntual; se requiere un
esfuerzo más alto para que el deslizamiento de la dislocación continúe. Al
introducir intencionalmente átomos sustitucionales o intersticiales, generamos un
endurecimiento por solución sólida.
 Endurecimiento por tamaño de grano las imperfecciones de superficie como los
bordes de grano también alteran la red. Si la dislocación B se mueve a la derecha
encontrará un borde de grano y quedará bloqueada. Al incrementar el número de
granos o al reducir el tamaño de los mismos, se consigue el endurecimiento por
tamaño de grano.
1.3. Difusión en Estado Sólido.
 La difusión es el movimiento de los átomos en un material.

 Los átomos se mueven de una manera predecible, tratando de eliminar diferencias

de concentración y de producir una composición homogénea y uniforme.
 El movimiento de los átomos es necesario para muchos de los tratamientos que
llevamos a cabo sobre los materiales.
 Es necesaria la difusión para el tratamiento térmico de los metales, la manufactura
de los cerámicos, la solidificación de los materiales, la fabricación de transistores
y celdas solares y la conductividad eléctrica de muchos cerámicos.
 La capacidad de los átomos y de las imperfecciones para difundirse aumenta
conforme se aumenta la temperatura, o los átomos incrementan su energía térmica.
La razón de movimiento está relacionada con la temperatura o energía térmica,
mediante la ecuación de Arrhenius:

donde
 co es una constante,

 R es la constante de los gases (1.987 cal/mol · K),

 T es la temperatura absoluta (K) y

 Q la energía de activación (cal/mol) requerida para que una imperfección se
mueva.
 Suponga que se determina que los átomos intersticiales a 500ºC se mueven de un
sitio a otro a razón de 5 x 108 saltos/s y a 8 x 1010 saltos/s a 800ºC. Calcule la
energía de activación Q del proceso.
Hay dos mecanismos importantes mediante los cuales se difunden los átomos
(figura 5-3).
 Difusión por vacancia
En la autodifusión y en la difusión de átomos sustitucionales, un átomo abandona su
sitio en la red para llenar una vacancia cercana (creando así una nueva vacancia en
su lugar original en la red). Conforme continúa la difusión , se tiene un flujo de
vacancias y átomos en sentidos opuestos conocido como difusión por vacancia .
 Difusión intersticial
Cuando en la estructura cristalina está presente un pequeño átomo intersticial, este
átomo pasará de un sitio intersticial a otro. Para este mecanismo no es necesario que
existan vacancias. En parte porque el número de sitios intersticiales es mucho mayor
que el de vacancias, por tanto,se espera que la difusión intersticial sea rápida.