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Tema 3.

Lección 1. Defectos e imperfecciones en solidos.


Objetivos

 Clasificar diversos tipos de defectos cristalinos.

 Aprender las características distintivas de cada grupo de defectos.

 Explicar el papel de los defectos sobre las propiedades de los


materiales cristalinos.

 Definir diversas soluciones solidas y aprender como calcular sus


composiciones y densidad.

 Aprender como y por qué se aplican las técnicas de microscopía


óptica, SEM, TEM, HRTEM.

 Determinar el numero de grano y el diámetro medio de tamaño de


grano según la ASTM y describir la importancia del tamaño de
grano y la densidad del limite de grano sobre la conducta de los
materiales cristalinos.
Introducción

En un cristal perfecto todos los átomos


estarían en las posiciones reticulares
correctas. Solo ocurre a T cero absoluto 0 K.

A temperatura ambiente

ΔG = ΔH - TΔS

Considerando que un aumento de defectos implica una aumento de


entropía, termodinámicamente no esperaríamos tener sólidos cristalinos
perfectos.
Introducción
Defecto cristalino: es una irregularidad en la red que tiene una o
más de sus dimensiones del orden del diámetro atómico.

• Los defectos pueden extenderse a lo largo del sólido cristalino


como las dislocaciones o limites de grano, o pueden ocurrir en
posiciones aisladas o discretas (defectos puntuales).

• Estos defectos tienen una influencia decisiva en las propiedades


tanto químicas como físicas del sólido. El latón (70%Cu-30% Zn)
es mucho más duro y fuerte que el cobre puro.
Clasificación de defectos

• Si atendemos al cambio en la composición

Defectos estequiométricos: la composición del cristal no cambia al


introducir defectos
Defectos no estequiométricos: Son consecuencia de un cambio en la
composición del cristal

• Si atendemos al tamaño y forma del defecto

Defectos de punto: Involucran sólo a un átomo o lugar, vacantes o


intersticios, aunque los átomos que lo rodean están influidos
Defectos de línea (dislocaciones): Son defectos de punto en dos
dimensiones, pero en la tercera dimensión el defecto es muy extenso
Defectos de planos: Capas en la estructura cristalina pueden ser
defectuosas
Clasificación de defectos

Intrínsecos Vacantes: Shottky


Defectos (estequiométricos) Intersticiales: Frenkel
de
punto Extrínsecos
(no estequiométricos) Impurezas

Vacantes
Límites antifase
Defectos apilamiento
Planos gemelos
Estructurales Superficies
Defectos Límites de grano
extendidos Defectos línea
Planos de
Deslizamiento
Composicionales
Microdominios
Defectos Wadsley
Defectos puntuales Intrínsecos

Defecto Schottky

Es un defecto estequiométrico que aparece en sólidos iónicos y


metálicos.
En un sólido de estequiometría 1:1 (MX),
este defecto consiste en un par de sitios
vacantes, uno catiónico y otro aniónico. El
número de vacantes de cada tipo debe ser
idéntico para mantener la neutralidad
eléctrica del material

En un sólido de estequiometría 1:2,


(MX2), el número de vacantes catiónicas
debe ser la mitad de las vacantes
aniónicas
NaCl; ZnS wurtzita; CsCl

Vacante : lugar que debería estar ocupado por un átomo que está
ausente.
Defectos Puntuales Intrínsecos

Defecto Frenkel

Es un defecto estequiométrico que aparece en sólidos iónicos y


metálicos.
Consiste en el movimiento de un átomo o
de un ion desde su posición reticular a una
posición intersticial, generando en dicho
desplazamiento una vacante.

En los solidos iónicos, es más común que


ocurra en la subred catiónica, siendo la
razón el mayor tamaño general de las
especies aniónicas y la menor posibilidad
de entrar en intersticios de alta
coordinación. Una importante excepción a
la formación de defectos en la red aniónica
Na2O; K2O; AgCl se encuentra en sólidos con estructura
fluorita
CaF2; SrF2; PbF2; ThO2; UO2; ZrO2
Defecto intersticial: un átomo que se ha desplazado a un lugar intersticial
Defectos Puntuales Intrínsecos
Concentración de defectos puntuales

El número de defectos (Schottky) en un cristal de composición MX


viene dado por la expresión

ns ~ N exp(-ΔHs/2kT)

ns : número de defectos Schottky por unidad de volumen a temperatura T


K,
N : número de cationes y de aniones por unidad de volumen,
ΔHs : entalpía requerida para la formación del defecto
k : constante de Boltzmann (1.380622 x 10-23 JK-1)
Defectos Puntuales Intrínsecos
Concentración de defectos puntuales
El número de defectos (Frenkel) en un cristal de composición MX viene
dado por la expresión

nF = (NNi)½ exp(-ΔHF/2kT)

N : número de posiciones reticulares por unidad de volumen,


Ni : número de posiciones intersticiales disponibles por
unidad de volumen
ΔHF : entalpía requerida para la formación del defecto
k : constante de Boltzmann (1.380622 x 10-23 JK-1)
Defectos Puntuales Intrínsecos
Concentración de defectos puntuales
• Teniendo en cuenta que la formación de defectos es un
proceso endotérmico, al aumentar la temperatura, el
equilibrio se desplaza hacia la formación de más defectos
(Principio de Le Chatelier).

ns ~ N exp(-ΔHs/2kT) nF = (NNi)½ exp(-ΔHF/2kT)

ns/N = 6.12x10-27 a 300 K


Si ΔHs es del orden de 5x10-19 J
ns/N = 1.37x10-8 a 1000 K

• Si fuera posible disminuir los valores de ΔHs o ΔHF, ello


incrementaría la proporción de defectos que presenta el sólido

Si ΔHs es del orden de 1x10-19 J ns/N = 2.67x10-2 a 1000 K

• La introducción de impurezas en el sólido incrementaría la


concentración de defectos
Defectos Puntuales Intrínsecos
Concentración de defectos puntuales

Para metales , expresión similar se puede aplicar, con la diferencia que solo un
tipo de vacantes están presentes.

nv = N exp(-ΔH/kT)

N: número total de lugares ocupados por


átomos
ΔH : entalpía necesaria para la formación de una
vacante
k : constante de Boltzmann (1.380622 x 10-23 JK-1)

La mayoría de los metales (a la temperatura de fusión: la fracción de vacantes


(Nv/N) es del orden de 10-4: hay una vacante por cada 10000 lugares ocupados
La presencia de defectos intersticiales introduce tensiones
relativamente grandes en los alrededores.

[100]

Pt intersticial desplazado a 1 Å del sitio Oh


se desplazan todos los átomos en la dirección [100]
Pt (fcc)
[110]

La creación de este tipo de defectos


intersticiales no es muy probable, su
número es menor que el de vacantes.
a Fe (bcc)
Centros de Color

Los cristales de los haluros alcalinos expuestos a rayos X u otro tipo


de radiación emiten colores brillantes. Este hecho se debe a los
conocidos como centros de color o centros-F.

El origen del color radica en la


existencia de una vacante
aniónica en la que se aloja un
electrón, que se puede
describir como un e- en una
caja de potencial.

El color es característico de la naturaleza del cristal que aloja el centro


de color: amarillo anaranjado para el NaCl; violeta para el KCl; verde
azulado para el KBr
Defectos Puntuales Extrínsecos
Introducción de impurezas

Se pueden introducir vacantes en el seno de un cristal mediante el


dopado con una impureza determinada. Estas vacantes se conocen
con el nombre de vacantes extrínsecas.
Si añadimos CaCl2 a un cristal de NaCl

Cl-

Na+
Ca2+

Por cada catión Ca2+ que sustituye en la red a un catión Na+ se genera una
vacante catiónica para preservar la electroneutralidad
Defectos Puntuales Extrínsecos
Introducción de impurezas

Si añadimos CaO a un cristal de ZrO2

Zr4+

O2-
Ca2+

Por cada catión Ca2+ que sustituye en la red a un catión Zr4+ se genera una
vacante aniónica para preservar la electroneutralidad
¿Qué ocurre cuando añadimos impurezas a un metal?

Solución sólida Aparición de una nueva fase

Depende de:
Soluto El tipo de impureza
Disolvente Concentración de la misma
Temperatura

Se mantiene la estructura cristalina inicial cuando se añade una “impureza”

Formación de solución sólida


Material homogéneo
Aparecen defectos puntuales: sustitucionales o intersticiales
Sustitucionales: los átomos de soluto sustituyen a los de disolvente

Condiciones:

• Factor tamaño: Diferencia entre los radios atómicos de soluto y disolvente menor 15%
• Estructura: Ambos metales deben tener la misma estructura
• Factor electroquímico: Mayor diferencia de electronegatividad aumenta la posibilidad de
formación de un intermetálico
• Valencia: un metal tiene más tendencia a disolver a un metal de mayor valencia que a uno
de menor
Ejemplo: Cu y el Ni: son miscibles en todas las proporciones.

Condiciones solución sólida:


Factor tamaño: los radios del Cu y Ni son 0.128 y 0.125 nm respectivamente
Estructura: ambos cristalizan en FCC
Factor electroquímico: sus electronegatividades son 1.9 y 1.8.
Valencia: la valencia más común es +1 y +2 para el Cu y +2 para el Ni.
Soluciones sólidas sustitucionales
Cu3Au

Tanto cobre como oro tienen una red cúbica centrada en las caras

Pueden formar una red desordenada que puede ordenarse si se lleva a


cabo un recocido a determinada temperatura
Desordenada Ordenada

Au Cu
Soluciones sólidas intersticiales

Intersticiales: los átomos de soluto se colocan en los huecos existentes


entre los átomos de disolvente

Metales: Alto AFP  Impurezas pequeñas


Máximo: 10% impurezas

Ejemplo:
C (0.071nm)-g Fe (0.124 nm): Solución
intersticial C máximo: 2%
Estudio de soluciones sólidas
Determinación de la concentración

Porcentaje en peso: peso de un elemento particular respecto


al peso total de la aleación

Porcentaje atómico: número de moles de uno de los


componentes respecto al número total de moles de la
aleación

Expresiones que permiten pasar de una forma de expresar


la concentración a otra.
Para un sistema de dos componentes
Para conocer la masa de uno de los componentes a partir
de su porcentaje en masa en la aleación

 g/cm3
C1’’’ y C2’’’  Kg/m3

Densidad y peso atómico medio de una aleación de dos


componentes
Defectos lineales
Dislocaciones de cuña o de arista
Una dislocación es un defecto lineal, y que consiste en la existencia de una
porción extra de un plano o semiplano, cuya arista termina dentro del cristal;
dislocación de arista, de cuña o de línea
En la región afectada aparece una
estructura localmente distorsionada

Átomos comprimidos

Átomos sometidos a tracción

Existe curvatura de los planos


cristalinos debido por un lado a
La magnitud de la dislocación decrece la compresión y por otro a la
con la distancia, llegando a recuperarse tracción de la posición de los
una red perfecta en las regiones más átomos en torno a la dislocación
alejadas de la misma
Defectos lineales
Dislocaciones helicoidales
La dislocación helicoidal, se forma como resultado de un esfuerzo cizallante. Se
produce deslizamiento de una línea del cristal.

La parte superior de la región La distorsión helicoidal es lineal y está


frontal del cristal se desliza una situada a lo largo de la línea de dislocación
unidad atómica a la derecha (AB) . Los planos atómicos alrededor de la
respecto de la parte inferior línea de la dislocación trazan un camino
helicoidal.
Defectos lineales
Dislocaciones mixtas
La mayoría de las dislocaciones se presentan de forma mixta

La magnitud y la dirección de la distorsión reticular asociada a una

dislocación se expresa en función del vector de Burgers, designado por 𝑏.


Para cuantificar se usa el vector de Burgers (vector del desplazamiento) - b.

En un cristal perfecto la red esta puede describirse por una serie de


vectores que forman un circuito cerrado.
El vector necesario para cerrar este circuito rodeando una dislocación se
define como vector de Burgers.
Dislocación en cuña Dislocación helicoidal

՜ ՜
𝑏 𝑡
՜ ՜
𝑏 𝑡
Defectos interfaciales

Los defectos interfaciales son zonas límite, que tienen dos direcciones y que
separan regiones del material con diferente estructura cristalina u orientación
cristalográfica.

Superficies externas
Límites de grano
Límites de macla
Defectos de apilamiento
Límites de antifase
Defectos interfaciales
Superficies

La superficie externa es uno de los límites del cristal más evidente. Se considera
una imperfección dado que marca dónde acaba una estructura cristalina. Los
átomos de la superficie encuentran en un estado energético mayor que el de las
posiciones interiores: energía superficial

La interacción de moléculas con las superficies de sólidos cristalinos está


gobernada en parte por la naturaleza de la superficie expuesta.

Ejemplo: catálisis heterogénea


Defectos interfaciales
Límites de grano
Los límites de grano se definen como el límite que separa dos pequeños
granos o cristales que tienen diferentes orientaciones cristalográficas en
materiales policristalinos.

A lo largo de un límite de grano no


todos los átomos están enlazados con
otros átomos, con lo cual existe una
energía de límite de grano, función del
grado de desorientación

Cuando la diferencia entre las orientaciones de ambos granos es pequeña (unos


pocos grados) se denomina “límite de grano de ángulo pequeño”. Regiones
separadas por límites de grano de ángulo pequeño se denominan “subgranos”.
Defectos interfaciales
Límites de grano

Un límite de grano de ángulo pequeño se genera


al alinearse varias dislocaciones de cuña -
Límite de inclinación ()

Las dislocaciones helicoidales generan límites de


grano torsionados.

Límites de grano :
Químicamente más reactivos que los propios granos
Los átomos de impurezas se segregan preferentemente a lo largo de ellos
Defectos interfaciales
Límites de macla
Las estructuras gemelas (twins), es un límite especial de límite de
grano a través del cual existe un simetría especular. La región de
material entre esos límites se denomina macla

La macla se produce en un plano


cristalográfico definido y en una
dirección específica que dependen de
la estructura cristalina
Defectos interfaciales
Límites de macla

La macla se produce en un plano


cristalográfico definido y en una
dirección específica que dependen de
la estructura cristalina
Defectos lineales
Límites de antifase

La presencia de un límite de antifase, antiphase boundary, implica


un desplazamiento relativo lateral de dos parte de un mismo cristal

Presencia de un límite de
antifase en un cristal de
composición AB

El término antifase proviene


del hecho de considerar A y B
como partes positivas y
negativas de una onda, con lo
cual un cambio de fase igual a
π ocurre en el límite
Faltas apiladas

Una falta apilada aparece cuando cambia la secuencia de apilamiento

Estructura cúbica compacta ABCABCABABCABC…

Estructura hexagonal compacta


ABABABABAB…
Estructura cúbica compacta
ABCABCABCABC…

Las estructuras cúbicas y hexagonal compacta son iguales en dos


dimensiones. Cambia la secuencia de apilamiento, es decir la tercera
dimensión de la estructura
Faltas apiladas

Una falta apilada aparece cuando cambia la secuencia de apilamiento

Estructura cúbica compacta ABCABCABABCABC…

La presencia de faltas apiladas, es común en cristales que tienen


estructura laminar.
Planos de Cizalladura

Los planos de cizalladura, aparecen en estructuras aparentemente no


estequiométricas, por ejemplo en las fases rutilo deficientes en oxígeno de
fórmula TinO2n-1 con n= 4,…,10

En los cristales con estos defectos aparecen regiones con estructura rutilo
perfecta, que están separadas unas de otras por planos de cizalladura. Los
defectos asociados a la deficiencia de oxígeno se concentran en esos planos.

Los diferentes miembros de una serie homóloga tienen diferentes espaciados


centre los planos de cizalladura
Estudio microscópico de los defectos

Microscopía óptica
Microscopía electrónica
De transmisión (TEM)
De barrido (SEM)

El microscopio óptico se utiliza la luz para


estudiar la microestructura

Materiales opacos (metales y algunos


cerámicos): solo la superficie puede ser
observada. La luz del microscopio se suele
usar en reflexión
Estudio microscópico de los defectos

Microscopía electrónica El límite de aumentos es de unos 2000 diámetros


Los electrones son acelerados usando altos voltajes y pueden llegar a conseguirse
longitudes de onda del orden de los 0.003 nm (3pm)

Microscopía electrónica de barrido


Microscopía electrónica de
transmisión
Microscopía de efecto túnel
Estudio microscópico de los defectos
Microscopía electrónica de transmisión (TEM)

La imagen está formada por un


haz de electrones que atraviesan
una probeta

Microscopía electrónica de barrido (SEM)

La superficie de la probeta a investigar se barre con un


haz de electrones y el haz reflejado se recoge y se
muestra con la misma velocidad de barrido en una
pantalla de rayos catódicos
Determinación del tamaño de grano

Desarrollado por la American Society for Testing and Materials (ASTM)

n 1
N2 N: Nº granos por pulgada cuadrada
n: Índice de tamaño de grano

21 granos completos
22 granos medios 22
Diámetro: 2.25 pulgadas
21   32
2

32
N 2
 8.04
 2.25 
 
 2 

ln N
n  1  4.01
ln 2
Definiciones

Solución solida – aleación de dos o más componentes que se encuentran


en una mezcla atómica de fase única.

Vacante – defecto puntual en una red cristalina donde un átomo ha


desaparecido de una posición atómica.

Defecto de Frenkel – un defecto puntual en un cristal iónico en el que una


vacante catiónica va asociada a un catión intersticial .

Defecto de Schottky- un defecto puntual en un cristal iónico en el que


una vacante catiónica está asociada a una vacante anicónica.

Dislocación – Un defecto cristalino en el que la distorsión de la red se


encuentra centrada alrededor de una línea.

Índice de tamaño de grano: numero nominal (promedio) de granos por


unidad de superficie para una ampliación particular.
Ejemplo: Calcular el número de vacantes por m3 en el cobre en equilibrio a 1000ºC. La energía
de activación para la formación de vacantes es de 0.9 eV/átomo, el peso atómico del cobre es
63.5 g/mol y la densidad 8.4 g/cm3.

Hay que determinar el número total


de sitios atómicos por m3 de Cu
Ejemplo: a) Cual es la composición, en porcentaje atómico, de una aleación de
92.5 % de Ag y 7.5% de Cu.
Cual es la composición, en porcentaje en peso, de una aleación de 5 % de Cu y
95 % de Cu.
Tema 3.
Lección 2. Difusión, mecanismos de difusión,
factores que afectan a la difusión.
Objetivos

 Aprender la cinética de los procesos que implican movimientos


de átomos en el estado solido.

 Definir el concepto de la difusión.

 Conocer los mecanismos de difusión en los solidos y los factores


que la afectan.

 Distinguir entre difusión de estado estacionario y en estado no


estacionario, aplicar la primera y la segunda ley de Fick.

 Solucionar problemas relacionados con la difusión.


Introducción

La mayor parte de los procesos y reacciones del


tratamiento de materiales se basa en la transferencia de
masa, dentro de un solido o desde un liquido, gas u otro
solido.

Difusión – un fenómeno de transporte por movimiento atómico. Consiste


en la emigración de los átomos de un sitio de red a otro sitio.

Condiciones
• Un lugar vecino vacío
• El átomo debe tener suficiente energía para romper los enlaces
con los átomos vecinos y distorsionar la red durante el
desplazamiento.
Par difusor: unión de dos metales puestos en contacto a través
de las dos caras.

Calentamiento

• Las regiones de metales puros están separadas por una zona de aleación.
• Las concentraciones de cada metal dependen de la posición
Al proceso por el cual los átomos de un metal difunden en
otro se denomina interdifusión o difusión de impurezas

• Existe un claro transporte de átomos desde las regiones de alta concentración hasta
las de baja concentración
• Implica energía de naturaleza vibratoria
• A una temperatura T solo una fracción de átomos es capaz de difundir, los que
tienen suficiente energía para moverse.
• Cuanto mayor es la temperatura, mayor es el número de átomos capaces de hacerlo
• Se difieren difusión de impurezas intersticiales o difusión por movimiento de
vacantes.
• También en los metales puros existe una difusión mediante la cual átomos del
mismo tipo intercambian su posición: autodifusión.
Difusión por vacantes

Implica el movimiento de un
átomo desde su posición en
la red hasta un lugar vecino
que esté vacío: hasta una
vacante

• Se requiere la presencia de vacantes


• El movimiento de los átomos de una parte del cristal al otra es mas libre
• El proceso no produce demasiada distorsión de la red, no requiere mucha
energia para que ocurra.
Difusión intersticial

Movimiento de los átomos desde una posición intersticial hacia otra vecina
desocupada

• Interdifusión de solutos pequeños


(carbono, hidrógeno, nitrógeno y
oxígeno) que normalmente ocupan las
posiciones intersticiales en los metales.
• Dirección de flujo aleatoria.

La difusión intersticial ocurre más rápidamente que la difusión por vacantes:


los átomos son más pequeños y tienen mayor movilidad.

Hay más posiciones intersticiales vacías que vacantes: la probabilidad de


movimiento atómico intersticial es mayor.
A una temperatura determinada solo una fracción de átomos tendrá
suficiente energía para alcanzar el nivel de energía (energía de
activación) necesaria para moverse.

La fracción de los átomos o


moléculas que tiene energía
superior a la requerida Qds
(difusión por vacantes) , Qi
(difusión intersticial) puede
escribirse como

QDS >QDI

𝑛 𝑄𝐷𝑆
− 𝑘𝑇
= 𝑒
𝑁𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙

Donde, n – numero de átomos con una energía superior a QDS


Ntotal – numero total de átomos o moleculas en el sistema
k – constante de Boltzman 8.62x10-5 eV/K
T – temperatura, K
Difusión en estado estacionario

La difusión depende del tiempo: la cantidad de un elemento transportado dentro


de otro es una función del tiempo. Cuando los gradientes de concentración no
varían con el tiempo se habla de difusión en estado estacionario.

Flujo de difusión (J): masa (o número de átomos) que difunden perpendicularmente


a través de la unidad de área de un sólido por unidad de tiempo

M
J 
A·t

Forma diferencial

1 dM
J 
A dt

Unidades: Kg/m2·s o átomos/m2·s


Perfil de concentración

La pendiente de esta gráfica en un punto determinado es el


gradiente de concentración

dC
Gradiente de concentración 
dx

Perfil de concentración lineal:

C C A  C B
Gradiente de concentración  
x x A  xB

En los problemas de difusión suele ser más conveniente expresar la concentración en función
de la masa de sustancia que difunde por unidad de volumen del sólido (Kg/m3 o g/cm3).
Signo negativo: indica que la dirección de la difusión es contraria a
la del gradiente de concentración.
dC La difusión va desde la zona de elevada concentración a la de baja
J  D
dx

Primera ley de Fick


D: coeficiente de difusión (difusividad) y se expresa en
dC m2/s.
J  D
dx J- flujo de difusión

Calentamiento

Si la reacción de difusión ocurre de acuerdo a la primera ley de Fick, la


fuerza impulsora es el gradiente de concentración
Difusión en estado no estacionario
El flujo de difusión y el gradiente de concentración varían con el tiempo 
se genera acumulación o agotamiento de las sustancias que difunden
Concentración de la especies difundidas

C   C 
 D  Segunda ley de Fick
t x  x 
Si el coeficiente de difusión (D) es
independiente de la composición

C  2C
D
Distancia
t x 2
Su integración requiere conocer las condiciones límite

Condiciones límite: Sólido semi-infinito

Sólido semi-infinito: durante el tiempo que dura la difusión, los átomos que
difunden alcanzan el otro extremo.
Para el caso de una barra de longitud l: semi-infinita si se cumple que l > 10Dt
Condiciones límite

• La sustancia que difunde es un gas cuya presión parcial se


mantiene constante
• Antes de la difusión, todos los átomos de soluto están
uniformemente distribuidos en el sólido a una concentración C0.
• El valor de x en la superficie es cero y aumenta con la distancia
hacia dentro del sólido
• El tiempo se toma cero en el instante inmediatamente anterior al
inicio de la difusión

Matemáticamente:
Para t=0; C=C0 a 0 x  
Para t>0
C=Cs (concentración superficial constante) para x=0
C=C0 para x = 

C x  C0  x 
Solución a la segunda ley de Fick  1  ferr  
C s  C0  2 D·t 
C x  C0  x 
 1  erf  
C s  C0  2 D·t 

Cx es la concentración a una distancia x después de un tiempo t.


 x 
erf   es la función gaussiana de error (erf = ferr)
 2 D·t 

Cx para cada tiempo se puede calcular siempre que se conocen Cs, C0 y D


C x  C0  x 
 1  erf  
C s  C0  2 D·t 

Queremos concentración de soluto, C1

C1  C 0
 Cons tan te
Cs  C 0

El segundo miembro de la ecuación


también debe ser constante

 x 
   Cons tan te
 2 D ·t 
Elevando al
cuadrado
x2
 Cons tan te
4D ·t
Ejemplo

Solución
Ejemplo

Solución
Factores que influyen en la difusión
Sustancias que difunden
La magnitud del coeficiente de difusión, D, es indicativa de la velocidad a la
cual se da la difusión atómica
Como ejemplo pueden servir los valores de este parámetro que se dan para la
interdifusión y autodifusión de varios metales
Las sustancias que difunden y los materiales a través de los que lo
hacen influyen notablemente en el valor del coeficiente de
difusión
Valores de D para la autodifusión del Fe (3.0·10-21 m2/s) y la interdifusión del carbono en
hierro  a 500ºC (2.4·10-12 m2/s): Mecanismo de difusión por vacantes o intersticial
Temperatura
La temperatura influye en la velocidad y en los coeficientes de difusión

Autodifusión del Fe- 𝐐𝐝


500ºC: 3,0·10-21 m2/s −𝐑𝐓
𝐃= 𝐃𝐨 𝐞
900ºC : 1,8·10-15 m2/s

D0 es el factor de frecuencia (factor pre-exponencial) independiente de la temperatura (m2/s)


Qd es la energía de activación para la difusión (J/mol o eV/átomo)
R es la constante de los gases, 8,31 J/mol·K o 1,987 cal/mol·K o 8.62·10-5 eV/átomo
T es la temperatura (K).
La energía de activación se puede interpretar como la energía requerida
para producir el movimiento difusivo de 1 mol de átomos.

Qd
𝐐𝐝 lnD = lnDo −
−𝐑𝐓 RT
𝐃= 𝐃𝐨 𝐞
Qd
logD = logDo −
2.3RT

Como D0, Qd y R son constantes, esta expresión es la ecuación de una recta:


y=ax+b

Determinación experimental de Qd y D0:


Representando ln D (o log D) frente al inverso de la temperatura, obtendremos
una línea recta cuya pendiente y ordenada en el origen son –Qd/2.3R y log D0
respectivamente
Otros tipos de difusión

La migración de átomos también se da a lo largo de dislocaciones, límites de


grano y superficies externas: difusión en cortocircuito (velocidad mucho mayor
que en el volumen).

La contribución de la difusión en cortocircuito es insignificante comparada con


el flujo total de difusión: el área de la sección es extraordinariamente pequeña.

QD(V)>QD(LG)>QD(S)
V- volumen
LG – limite de grano
S- superficie
Empíricamente 4:2:1

El numero de átomos que se desplazan por los limites de grano y por superficies
es muy inferior al de los átomos que se desplazan a través del volumen del
material.
Difusión y tratamiento de los materiales

• Algunas propiedades de los materiales sufren alteraciones y mejoras en los


procesos y transformaciones que implican difusión atómica.
• Se trabaja a altas temperaturas para que la velocidad de difusión sea rápida:
tratamientos térmicos.
• Se aplican en las últimas etapas de producción de la mayoría de los metales,
cerámicos y polímeros.
Definiciones

Difusión sustitucional – la migración de los átomos de soluto en la red del


disolvente en la que todos los átomos (soluto o disolvente ) son
aproximadamente del mismo tamaño. La presencia de vacantes hace posible la
difusión
Difusión intersticial– la migración de los átomos intersticiales en una red de
átomos matriz.
Autodifusión– la migración de los átomos en un metal puro.
Primera ley de Fick– el flujo de las especies que difunden, a temperatura
constante es proporcional al gradiente de concentración.
Segunda ley de Fick – la velocidad del cambio de composición, a temperatura
constante, es igual al producto de la capacidad de difusión por la velocidad de
cambio de gradiente.
Condiciones de estado estacionario – para un sistema en difusión, la
concentración de las especies que se difunden no varia con el tiempo en los
diferentes puntos del sistema.
Condiciones de estado no estacionario– para un sistema en difusión, la
concentración de las especies que se difunden varia con el tiempo en los
distintos puntos del sistema.
Ejemplo
Ejemplo
Ejemplo

Solución

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