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PRACTICA II.

- TRANSISTOR BJT

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

LILIANA DEL RIO GAMBOA

ALUMNOS

DANIEL ALONSO MARTINEZ AYLIN RENDON MENDOZA


INDICE

OBJETIVO............................................................................................................................................2
MARCO TEORICO................................................................................................................................2
POLARIZACIO FIJA...........................................................................................................................5
POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE..................................................................6
POLARIZACION DE EMIZOR............................................................................................................7
Practicas.............................................................................................................................................8
Practica 1........................................................................................................................................8
Práctica 2......................................................................................................................................10
Practica 3......................................................................................................................................12

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OBJETIVO

Reporte de prácticas de transistores en BJT nos muestra las diferentes


aplicaciones de los transistores, ser capaz de determinar los niveles de cd para las
diversas configuraciones importantes de los BJT.

Entender cómo se miden los niveles de voltaje importantes de una configuración


de transistor de un BJT y utilizarlos para determinar si la red está operando
correctamente.

Conocer el proceso de diseño de amplificadores con BJT.


Entender la operación básica de las redes de conmutación con transistores.

MARCO TEORICO

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos


capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p
y una de material tipo n.

El transistor bipolar o BJT (Bipolar Juntion Transistor) es el más común de


los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. En ambos
casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector.
El nombre transistor se obtiene de la combinación de las palabras transfer y
resistor. El motivo del nombre se debe a que es un “resistor” que puede amplificar
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una señal eléctrica mientras es “transferida” de su terminal de entrada al terminal
de salida.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de
la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo
de transistor.

npn
pnp

Todas las direcciones de la corriente que aparecen en la figura son las direcciones
reales como las define el flujo convencional.

Para describir plenamente el comportamiento de un dispositivo de tres terminales


como el de los amplificadores en base común , se requieren dos conjuntos de
características, uno para los parámetros de entrada (punto de manejo) y el otro
para el lado de salida.
El conjunto de salida relaciona una corriente de entrada
(IC) con un voltaje de salida (VCB) para varios niveles de
corriente de entrada (IE).

El conjunto de entrada para el amplificador en base


común de la figura 1.4relaciona una corriente de entrada
1.4
(IE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles
de voltaje de salida (VCB).

Las regiones activas, de corte y saturación. La primera es la región que


normalmente se emplea para amplificadores lineales (sin distorsión). En particular:
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En la región activa la unión base-emisor se polariza en directa, en tanto que la
unión colector-base se polariza en inversa.
La gráfica anterior muestra la operación de un transistor de manera gráficas

La ß de un transistor bipolar (BETA)

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le


introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará
por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama
amplificación.
Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada
transistor. Entonces:

 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de


amplificación)
 por IB (corriente que pasa por la patilla base).
 Ic = ß x IB
 IE (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (ß+1) x IB, pero se
redondea al mismo valor que Ic, sólo que la corriente en un caso entra al
transistor (PNP) y en el otro caso de sale él (NPN), o viceversa.

Conocer el valor de la ganancia β es muy importante para poder realizar circuitos


con el transistor bipolar, este valor se puede encontrar en las hojas de datos como
hFE.
En el modo de cd los niveles de IC e IB están y definidos por la siguiente
ecuación:
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POLARIZACIO FIJA
El circuito de polarización fija de la figura 4.2 es la configuración de polarización de
cd más simple. Aun cuando la red emplea un transistor NPN, las ecuaciones y
cálculos aplican igualmente bien para una configuración del transistor PNP tan
sólo con cambiar todas las
direcciones de la corriente y
las polaridades del voltaje

La corriente del colector está definida por la corriente de la base mas el valor de la
beta, que es el factor de amplificación

Voltalje colector-emisor

VCE = voltaje del colector al emisor


VE = voltajes de colector y emisor a tierra.
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POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE
Polarización divisor de voltaje
Circuito de polarización por divisor de
voltaje: con este tipo de polarización
la estabilidad del punto Q es mucho
mejor, es decir a medida que el
transistor este trabajando, los valores
de ICQ, VCEQ se mantendrán casi
inalterables.

Existen dos métodos que se pueden


aplicar para analizar la configuración
del divisor de voltaje.
El método exacto, el cual se puede
aplicar a cualquier configuración del
divisor de voltaje. El método
aproximado, se puede aplicar sólo si se satisfacen condiciones específicas.

Metodo exacto

La condixcion para que todo esto se cumpla


es:

Se cualcula el equivalente thévenin, con voltaje 0

divisor de voltaje, el voltaje establecido en VR2


será el mismo que la tensiónde thévenin.

La corriente de la base en vez de esta en función de Vcc, ahora es en función de


el voltaje de thévenin
Se calcula el voltaje de colector emisor en todas las polarizaciones.
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POLARIZACION DE EMIZOR

El circuito de polarización
estabilizado en emisor para un
transistor bjt es como se muestra en
la siguiente figura.

La polarización estabilizada en
emisor presenta una mejor
estabilidad que la polarización fija,
pero no mejor que la polarización por
divisor de voltaje y que la
polarización por realimentación de
colector. Además, se puede usar en
todas las configuraciones del
transistor bjt, emisor común, base común y colector común. Las ecuaciones
básicas son las siguientes:

Ecuación para calcular la corriente de la base se ve


afectada ahora por la resistencia en emisor

Al voltaje coletor emisor, se toma encuenta que


la corriente del emisor la corriente del colector
son aproximadamente la misma, se factoriza, y
ahora se toman en cuenta ambas resistencias.

Voltaje del colector

Voltaje de la base teniendo en cuenta que ahora está a tierra.


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Practicas
Practica 1

Diseñar un amplificador BJT En polarizacion fija. Propon tu valor de Vcc, para fijar
tu punto de operación en VCE = Vcc/2. Revisa en tu hoja de especificaciones la
beta de tu transistor. Y con una corriente Ib de 40 microamaperes, calcula para tu
diseño RC, RB. Calcula y mide IcQ.

Materiales:
 Resistencias
 Transistor npn 2N2222
 Multímetro
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Práctica 2

Dieña un amplificador con BJT en polarización estabilizado en emisor. Vcc=20, Rb


510kohm, Rc 2.4Kohm, RE 1.5Kohm. revisa la beta de tu transistor, calcula y mide
todos los niveles de corriente y voltaje en cada una de las terminales, registra los
valores calculados y compáralos con los valores medidos.
Materiales:
 Resistencias
 Transistor 2N2222A
 Multímetro

En esta practica se pusieron en serie varias resistencias, por ejemplo para


la base, como no teníamos una de 510Kohmnios, se tulizaron dos en serie de
330kohmnios, teniendo un total de 660khomnios . 2
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Practica 3

Diseña un circuito amplificador con BJT utilizando polarización divisor de voltaje,


proponiendo tu valor de Vcc. Calcula R2 si R1 Vale 24Kohm. Propon el valor de
RE.
RC=3RE
Calcula y mide IcQ, VCEQ, Y todos los niveles de corriente y voltaje a través de
las terminales. Calcula tu Beta con los valores medidos

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