LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 1

INFORME PREVIO N°2

TEMA: RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN

I. INTRODUCCIÓN:

Para entrar en detalle sobre el tema a tratar en el laboratorio, daremos un breve concepto
respecto para tener una noción general del principio de los dispositivos con los que
trabajaremos en el laboratorio.
La configuración de emisor común es la más trabajada. En ella, el transistor se comporta como
amplificador de corriente y de tensión, también nos permite invertir la señal de tensión, es
decir, si la señal de tensión en la base se encuentra por encima del eje tiempo (positiva),
situándonos en una gráfica tensión vs tiempo, la señal de tensión en el colector, estaría por
encima del eje del tiempo (negativa); pero estos efectos se producen con la corriente alterna
generalmente.
Debemos utilizar un modelo para estudiar las propiedades de este tipo de configuración y por
ello nos basaremos en un transistor tipo PNP . Comenzamos polarizando la unión base-
emisor, JE , de forma directa y la unión emisor-colector, JC , de forma inversa.
Suministramos una tensión a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias, RB
conectada a la base y RC conectada al colector.
La magnitud de la corriente de base dependerá de la magnitud de la resistencia RB , la
corriente que circula por el colector, I C , depende de la corriente de base, I B , como
anteriormente vimos de la formula I C   I B ; I C es mucho mayor que I B y ese incremento
proporcional es debido a  , que es un parámetro característico del transistor.
Al pasar la corriente por RC se va a producir una caída de potencial; luego, la tensión que
obtengamos a la salida, también va a depender del valor de esta resistencia. Podemos colocar
una resistencia en el emisor, que llamaremos RE, que va a perjudicar mucho la amplificación
de tensión, pero va a hacer que el transistor sea mucho más estable y no le afecten los
cambios de la temperatura.
Variando las magnitudes de las tres resistencias podemos conseguir corrientes y tensiones
distintas en los tres terminales. Por ejemplo, si incrementamos la resistencia de base, la
magnitud de la corriente I B será menor, lo que provoca que I C también sea menor, y al
circular una corriente de colector menor a través de RC , el potencial que se obtendrá a la
salida será mayor; pero si disminuimos RB , aumenta IB y con ella la corriente de colector, y la
tensión de colector disminuirá.
Reduciendo mucho la resistencia de base llegaremos a un punto en el que pasemos de la zona
activa a la de saturación, es decir, que la unión colector-base, que está polarizada
inversamente en activa, pase a estar directamente polarizada y, por lo tanto, en saturación.
Esto ocurre porque I B , aumenta y, en consecuencia, I C también aumenta.
Si un circuito está operando en zona activa, el transistor se comporta de forma lineal. Es decir,
que, a iguales variaciones de la corriente de base, I B , se producen iguales variaciones de la
corriente de colector, I C El primer punto en el cual al aumentar I B ya no aumenta I C
pertenece a la zona de saturación. También podemos modificar La magnitud de la corriente
de base, de colector y de la tensión de salida modificando la tensión de entrada o la
resistencia de colector.
Una característica muy importante dentro de un circuito es determinar su punto óptimo de
funcionamiento. La corriente continua, y la tensión en cada terminal del transistor determinan
el punto de funcionamiento de un circuito. Este punto de funcionamiento se encuentra
situado en la recta de carga.
Para saber cuál es el punto de funcionamiento de un transistor tenemos que determinar el
valor de VC , potencial de colector, VB potencial de base, e I C corriente de colector cuando el
potencial trabaja en zona activa. Para determinarlas podemos usar las curvas características
que representan a un transistor, o también podemos hallar el punto matemáticamente,
usando dos fórmulas que ya conocemos, la ley de Ohm V  IR y la igualdad I C   I B .
Combinando correctamente ambas fórmulas hallaríamos los datos que necesitamos para
obtener el punto de funcionamiento.

II. OBJETIVOS:
Conocer el funcionamiento del transistor en configuración emisor común.
Las relaciones entre el emisor con la base y el colector.
Observar las diferencias de los parámetros de entrada y de salida.
Saber las características de sus tres regiones operativas.
Hallar la ganancia para este tipo de configuración.
Demostrar el funcionamiento y características de un amplificador en emisor común.

III. MARCO TEÓRICO:

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta al
punto de tierra (masa) tanto de la señal de entrada como de salida. En esta configuración,
existe tanto ganancia tanto de tensión como de corriente. En caso de tener resistencia de
emisor, (RE) debe ser mayor de 50 ohmios, y para frecuencias bajas, la se aproxima bastante
bien la impedancia de salida, por RC y la ganancia en tensión por la expresión: 𝐆𝐕=−𝐑𝐂𝐑𝐄
Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre ellos se
puede suponer que existe una tensión constante, denominada VBE y que el valor de β es
constante. Del gráfico adjunto, se deduce que la tensión de emisor es: 𝐕𝐄=𝐕𝐁−𝐕𝐁𝐄
Y la corriente de emisor: 𝐈𝐄=𝐕𝐄𝐑𝐄=𝐕𝐁−𝐕𝐁𝐄𝐑𝐄
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:
𝐈𝐄=𝐈𝐂+𝐈𝐁=𝐈𝐂+𝐈𝐂𝛃=𝐈𝐂(𝟏+𝟏𝛃)
Despejando la corriente de colector: 𝐈𝐂=𝐈𝐄𝟏+𝟏𝛃
La tensión de salida, que es la de colector se calcula así:
𝐕𝐂=𝐕𝐂𝐂−𝐈𝐂𝐑𝐂=𝐕𝐂𝐂−𝐑𝐂∗𝐈𝐄𝟏+𝟏𝛃
Como β >> 1, se puede aproximar: 𝟏+𝟏𝛃=𝟏
y, entonces es posible calcular la tensión de colector como:
𝐕𝐂=𝐕𝐂𝐂−𝐑𝐂𝐈𝐄=𝐕𝐂𝐂−𝐑𝐂∗(𝐕𝐁−𝐕𝐁𝐄𝐑𝐄)=(𝐕𝐂𝐂+𝐑𝐂𝐕𝐁𝐄𝐑𝐄)−𝐑𝐂𝐕𝐁𝐑𝐄
La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada), y la restante
expresa la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada 180º
respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia es expresada como:
𝐆𝐕=𝐕𝐂𝐕𝐁=−𝐑𝐂𝐑𝐄
La corriente de entrada: 𝐈𝐁=𝐈𝐄𝟏+𝛃 ,𝐒𝐢 𝛃≫𝟏
puede expresarse como sigue:
𝐈𝐁=𝐈𝐄𝛃=𝐕𝐄𝐑𝐄𝛃=𝐕𝐁−𝐕𝐁𝐄𝐑𝐄𝛃
Suponiendo que VB >> VBE, podemos escribir:
𝐈𝐁=𝐕𝐁𝐑𝐄𝛃
Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de entrada queda como:
𝐙𝐢𝐧=𝐕𝐁𝐈𝐁=𝐕𝐁𝐕𝐁𝐑𝐄𝛃=𝐑𝐄𝛃
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor más
elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.
Para describir el comportamiento de la configuración EC, se requiere de dos conjuntos de
características:
Parámetros de Entrada

Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de
voltaje de salida (VCE).
Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE es: VBE = 0.7V
Figura 1.- Parámetros de entrada

Parámetros de Salida

Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCE) para varios niveles de
corriente de entrada (IB).
Figura 2.- Parámetros de salida
Regiones Operativas
Región Activa

La unión colector-emisor se polariza inversamente, mientras que la unión base-emisor se

polariza directamente.
La corriente de emisor, que es la corriente de salida, está formada por la suma de la corriente
de base y la de colector:
IE = IC + IB
En la configuración EC, también se mantiene la relación siguiente que se usó en la
configuración BC:
IC = 𝜶IE
Región de Corte

Tanto la unión base-emisor como la unión colector-emisor de un transistor tienen polarización

inversa.
En la región de corte la IC no es igual a cero cuando IB es cero.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte para la configuración EC
se definirá mediante:
IC = ICEO
Para IB = 0μA
La región por debajo de IB = 0μA debe evitarse si se requiere una señal de salida sin distorsión.
Región de Saturación

Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un transistor tienen polarización

directa.
Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que las uniones están en polarización
directa, las corrientes se anulan.
Un transistor está saturado cuando:
(IC = IE = IMáxima)
Figura 3.- Regiones Operativas
Ganancia de Corriente 𝛽 (beta)
La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC) entre la de entrada
(IB) 𝛃=𝐈𝐂𝐈𝐁
La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido a que la corriente de salida (IC) es
mayor que la corriente de la entrada (IB). Suele tener un rango entre 40 y 400, con la mayoría
dentro del rango medio. 𝛽 es un parámetro importante porque ofrece una relación directa
entre los niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida en EC. 𝐈𝐂=𝛃𝐈𝐁
Y dado que
IE = IC + IB
IE = 𝛽IB + IB
Se tiene que 𝐈𝐂=(𝛃+𝟏)𝐈𝐁
Ganancia de Voltaje
Los amplificadores con emisor a tierra pueden proporcionar ganancias de voltaje y de
potencia mucho mayores que los de base común. 𝐆𝐕=𝐕𝐂𝐕𝐄=−𝐑𝐂𝐑𝐄
IV. APLICATIVOS:

1. Simular el siguiente circuito:

Valores establecidos para visualización de gráfica para todas las simulaciones
(No se tuvo que cambiar ya que las variaciones en los circuitos era mínima)

Visualización de respuesta del circuito mediante osciloscopio

 Valor entrada pico-pico: 1V
Valor de amplitud de salida máximo: 1.50V
Valor de amplitud de salida mínimo: -10.50V
Periodo: 3300 us
Frecuencia: 303.03 Hz

2. Simular el siguiente circuito con el Vcc igual al anterior:

Visualización de respuesta del circuito mediante osciloscopio

Valor entrada pico-pico: 1V

Valor de amplitud de salida máximo: 1.25V
Valor de amplitud de salida mínimo: -10.50V
 Periodo: 3200 us
Frecuencia: 312.5 Hz

3. Simular el siguiente circuito:

Visualización de respuesta del circuito mediante osciloscopio

Valor entrada pico-pico: 1V

Valor de amplitud de salida máximo: 1.25V
Valor de amplitud de salida mínimo: -10.50V
Periodo: 3350 us
Frecuencia: 298.51 Hz

4. Simular el siguiente circuito

Visualización de respuesta del circuito mediante osciloscopio

Valor entrada pico-pico: 1V

Valor de amplitud de salida máximo: 1.5V
Valor de amplitud de salida mínimo: -8.75V
Periodo: 3350 us
Frecuencia: 298.51 Hz

5. Simular el siguiente circuito:

Visualización de respuesta del circuito mediante osciloscopio

Valor entrada pico-pico: 1V
Valor de amplitud de salida máximo: 900mV
Valor de amplitud de salida mínimo: -900mV
Periodo: 8.35 ms
Frecuencia: 119.76 Hz

V. CONCLUSIONES:

Según el tipo de configuración que se le da al circuito y variando los valores, se tienen

diferentes frecuencias y amplitudes de salida con una misma entrada, en este caso una señal
sinusoidal.

VI. OBSERVACIONES:

Tener en cuenta las polaridades de los transistores para poder generar la señal de salida
adecuada según la configuración establecida.

VII. BIBLIOGRAFÍA:
 Charles, Sadiku, Ed (3ra) (2006) , Fundamentos de Circuitos Eléctricos, México, McGraw-
Hill Interamericana Editores, S.A.

 Guía de laboratorio del curso de Circuitos Electrónicos 1, UNAC, 2019-B.