Transistor bipolar

Transistor bipolar :El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas de su

denominación inglesa Bipo-lar Junction Transistor), es un dispositivo de tres terminales

denominados emisor, base y colector.

La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente dependiente de

corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es controlada por la

corriente en el terminal de base. La mayoría de funciones electrónicas se realizan con circuitos

que emplean transistores, sean bipolares o de efecto de campo, los cuales son los dispositivos

básicos de la electrónica moderna. Concepto: Dispositivo electrónico de estado sólido

consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la

corriente a través de sus terminales.

Figura 1: transistor bipolar

Conceptos básicos

La estructura física de un transistor bipolar consta de dos uniones PN dispuestas una a

continuación de la otra. Entre los terminales de emisor y base hay una unión PN, denominada

unión emisora, y entre los de base y colector otra unión PN, llamada unión colectora.

Tipos

Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP. Estos nombres proceden de la

descripción de su estructura física. En el transistor NPN el emisor es un semiconductor tipo N, la

base es tipo P y el colector es tipo N. La estructura física del transistor PNP es dual a la anterior

cambiando las regiones P por regiones N, y las N por P.

 El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje

tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.

 La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación

en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector.

Además, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un

transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición se tratase.

 El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta

región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.

Figure 2: Transistor bipolar

Funcionamiento

Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal

de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que se controla la potencia. Con pequeñas

variaciones de corriente a través del terminal de base, se consiguen grandes variaciones a través

de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta

variación de corriente en variaciones de tensión según sea necesario.

Figura 3: Ejemplo de funcionamiento

Fundamento físico del efecto transistor

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el

emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede

considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente

elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular

corriente, pero que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula

por emisor-base. Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa (diodo A) y otro en inversa

(diodo B). Mientras que la corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es muy pequeña

(IB). Si se unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unión (lo que llamaremos base del
transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que circulaba por A (IA), va a quedar

absorbida por el campo existente en el diodo B. De esta forma entre el emisor y el colector

circula una gran corriente, mientras que por la base una corriente muy pequeña. El control se

produce mediante este terminal de base porque, si se corta la corriente por la base ya no existe

polarización de un diodo en inversa y otro en directa, y por tanto no circula corriente.

Corrientes y tensiones

Para el análisis de las distintas corrientes que aparecen en un transistor vamos a considerar un

transistor de tipo PNP, que polarizamos tal y como aparece en la figura 10. Este tipo de

polarización será el usado cuando el transistor trabaje en región activa, como se verá en los

siguientes apartados. La unión emisor-base queda polarizada como una unión en directa, y la

unión colector-base como una unión en inversa. En la figura 11 se muestran las principales

corrientes (de electrones y huecos) que aparecen en el transistor tras aplicar la polarización

indicada en la figura 10. Se puede observar lo siguiente:

Figura 4: corrientes en un

TRT
Polarización

Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que

aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar

el transistor en zona activa, en saturación o en corte, cambiando las tensiones y componentes del

circuito en el que se engloba.

Figura 5: polarizacion

Corte

Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.

Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se

cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición indica que la corriente por el emisor

lleva sentido contrario al que llevaría en funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en

corte basta con no polarizar en directa la unión base-emisor del mismo, es decir, basta con que

VBE=0.
Activa

La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus

terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-

base en inversa.

Saturación

En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-colector se

encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica sólo lo siguiente:

donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores

determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).

Es de señalar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturación circula también

corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relación: II CB = ⋅ β

Ejemplos:

2N3772

Aplicaciones: Los 2N3771, 2N3772 son de base epitaxial de silicio Transistores NPN montados

en Jedec TO-3 encapsulado de metal. Están destinados a Amplificadores y aplicaciones de

conmutación e inducción. Es un transistor bipolar de potencia NPN.

Figura 6: transistor 2N3772

Características

 Voltaje entre base-colector 100v

 Voltaje emisor-Base 7v

 Voltaje colector-emisor 60v

 Corriente contínua en el colector20A

 Potencia de disipación 150 w

2SA1244

Partes que lo componen: El 2SA1244 es un componente electrónico muy usado por su

características con corriente máxima en colector de 3 ampere, está compuesto por placas de

semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales

forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la

intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy

difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos

electrónicos.

Figura 7: transistor 2SA1244

Características

 Polaridad (P-N-P)

 Corriente máxima de colector (Ic) 3 Ampere

 De colector a base (CBO) 60 Voltios

 De colector a emisor (CEO) 50 Voltios

  De emisor a base (EBO) 5 Voltios

 Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 10 (Watts)

 Rango de temperatura en que opera -55 a 150 °C

El transistor de Efecto de Campo

Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de los

mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son

dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como

amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la

entrada. Características generales:

 Por el terminal de control no se absorbe corriente.

 Una señal muy débil puede controlar el componente

 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de

campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los transistores MOS

respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la

encontramos en los circuitos integrados. Es un componente de tres terminales que se denominan:

Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de

canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes:

Figura 8: Símbolo de un FET de canal N Figura 9: Símbolo de un FET de canal P

Curva carateristicas

Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:

Figura 10: Parámetros de un FET de canal N Figura

11: Parámetros de un FET de canal P

La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En ella

distinguimos tres regiones o zonas importantes:

 Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión

VGS.

 Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET,

amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que existe

entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.

  Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas: Surtidor común (SC),

Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más utilizada es la de surtidor común que es la

equivalente a la de emisor común en los transistores bipolares. Las principales aplicaciones de

este tipo de transistores se encuentra en la amplificación de señales débiles.

Carateristicas de salida

En las curvas características de la Figura 7.9. podemos distinguir 4 zonas bien diferenciadas:

 Zona de corte o de no conducción.

 Zona óhmica o de no saturación.

 Zona de saturación o de corriente constante.

 Zona de ruptura.
 Figura 12: Características ideales de un JFET de canal n

Zona de corte o de no conducción.

Se corresponde con el eje horizontal de la gráfica. En esta zona la corriente ID = 0 con

independencia del valor VDS. Esto se da para valores de VGS  VGSoff, donde el canal está

completamente cerrado.

Zona óhmica o de no saturación.

Se da para valores de VDS inferiores al de saturación, es decir, cuando VDS  VGS - VGSoff .

Para estos valores de tensión el canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente,

hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat. En esta zona el transistor se comporta

aproximadamente como una resistencia variable controlada por la tensión de puerta, sobre todo

para valores pequeños de VDS, ya que a medida que nos aproximamos al valor de VDSsat, y
para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal que se

aproxima al cierre.

Figura 13: Para VDS < VDSsat el JFET se comporta como una resistencia variable con VGS

Zona de saturación o de corriente constante.

Esta zona se da para valores VDS > VDSsat . Ahora la corriente ID permanece invariante frente

a los cambios de VDS (suponiendo la hipótesis de canal largo) y sólo depende de la tensión VGS

aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la

tensión de puerta VGS.

Figura 14: Para VDS > VDSsat el JFET se comporta como una fuente de corriente controlable

con VGS.

Zona de ruptura.

En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n polarizadas en inversa, tanto más cuanto menor

sea el valor de VGS. Tal y como vimos al abordar el estudio de la unión p-n en el tema 2 cuando

una unión p-n la polarizamos en inversa, la zona de carga de espacio aumenta. Sin embargo, esta

tensión inversa no se puede aumentar indefinidamente, ya que si se supera un determinado valor

tensión de ruptura, característico de cada unión y que suele ser proporcionado pofabricante en

sus hojas de características) la unión se perfora, produciéndose la ruptura del dispositivo.

Figura : Zona de ruptura. Las líneas correspondientes a los distintos valores de VGS se cruzan

Transistor bipolar. (n.d.). Retrieved from https://www.ecured.cu/Transistor_bipolar

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El transistor bipolar Gerold W. Neudeck Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 2ª edición, 1994

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Introduction

El transistor es un nuevo componente utilizado en las prácticas de electrónica. Este es un

dispositivo semiconductor de tres terminales y que se utiliza para una variedad de funciones de

control en los circuitos electrónicos. Hay dos tipos de transistores el NPN y el transistor PNP la

cual se usan de diferentes manera dependiendo su comportamiento en un circuito. Entre alguna

de las funciones podemos incluir la amplificación, oscilación, conmutación y la conversión de

frecuencias. El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo

electrónico.(2.1)En esta investigación siguiente podremos ver los elementos de un transistor,

introducción a las principales características básicas del transistor bipolar, el funcionamiento de

un transistor bipolar, el fundamento físico del efecto transistor, polarización de un transistor y los

tipos de transistor bipolares.(2.2) También veremos la configuración de un transistor bipolar y el

efecto de campo la cual constituye de efecto de campo JFET y el efecto de campo MOSFET. En

referencia las características de salida del efecto de campo de cada uno con su zonas de salida las

cuales son : zona de corte o de no conducción, zona óhmica o de no saturación, zona de

saturación o de corriente constante, zona de ruptura con sus graficas simuladas.