Amplificadores con transistores bipolares de unión

Indice
1. Fuentes de tensión y de corriente dependientes
2. Transistores bipolares
3. Circuitos con transistores
4. El amplificador EC
5. Consideraciones de potencia
6. Amplificador emisor seguidor (colector común)

1. Fuentes de tensión y de corriente dependientes

Las fuentes dependientes producen una tensión o corriente cuyo valor está determinado por la
existencia de una tensión o corriente en otro lugar del circuito(nótese que los dispositivos
producen una tensión o corriente cuyo valor se determina por una tensión o corriente en el
mismo lugar del circuito). Las fuentes de tensión y de corriente dependientes o independientes
son elementos activos, esto es capaces de suministrar energía a algún dispositivo externo. Los
elementos pasivos no pueden generar energía, aunque pueden almacenar cantidades finitas de
está para su distribución posterior, como es el caso de los capacitores e inductores.
En la figura 2.1 se muestra un circuito que contiene una fuente dependiente. La fuente de
tensión depende del valor de la tensión, VR2. El factor de amplificación es 4. La ley de tensiones
de Kirchhoff (LTK) se aplica al lazo para obtener
10 = (5000)I + 4VR2 –VR2 = (5000)I + 3VR2

Entonces utilizando la ley de Ohm, se obtiene

VR2 = -(1000)I

Substituyendo esto en la ecuación del lazo, se tiene

10 = (5000)I + 3VR2 = (5000)I – (3000)I = (2000)I

Por tanto,
I = 5mA
VR2 = -5V
y
4VR2 = -20V

2. Transistores bipolares

El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo, que tiene dos
terminales. Este consiste en un material de tipo p y uno de tipo n; el transistor consiste en dos
materiales de tipo n separados por un material de tipo p (transistor npn) o en dos materiales p
separados por un material n (transistor pnp). En la figura 2.4(a) se incluye la representación
esquemática de un transistor.
Las tres capas o secciones diferentes se identifican como emisor, base y colector.
El emisor, capa de tamaño medio diseñada para emitir o inyectar electrones, está bastante
contaminado. La base, con una contaminación media, es una capa delgada diseñada para
pasar electrones. El colector, capa grande diseñada para colectar electrones, está poco
contaminado.
El transistor se puede concebir como dos uniones pn colocadas "espalda contra espalda",
éstas se denominan transistores bipolares de unión (BJT, bipolar función transistor).

Operación del transistor

Una explicación sencilla pero eficaz de la operación del transistor npn se lleva a cabo utilizando
la técnica de diagramas de barrea de potencial de la figura 2.4(b). Este método ilustra de
manera simplificada la operación básica de un transistor bipolar de tal forma que se puedan
entender ejemplos de circuitos sencillos. Cuando la unión base-emisor se polariza en directo y
la unión base-colector en inverso, los electrones que dejan el material n del emisor sólo ven
una barrera de potencial pequeña en la unión np. Como la barrera de potencial es pequeña,
muchos de los electrones tienen la suficiente energía para llegar al tope de ella. Una vez en el
tope, los electrones se mueven fácilmente a través del material p (base) a la unión pn (base-
colector). Cuando se acercan a esta unión, los electrones se encuentran bajo la influencia de la
fuente de tensión positiva y se mueven con mucha rapidez conforme descienden en la barrera
de potencial. Si se reduce la polarización en directo de la unión base-emisor, aumenta la altura
de la barrera de potencial. Alos electrones que dejan el emisor les será más difícil alcanzar el
tope. Los electrones que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energía, y los que
alcanzarán el colector. Por tanto, una reducción de la polarización en directo provoca que la
corriente a través del transistor se reduzca en forma considerable. Por otra parte, al aumentar
la polarización en directo de la unión base-emisor se reduce la barrera de potencial y se
permite el flujo de un mayor número de electrones a través del transistor.

El flujo de corriente en un transistor de unión también se puede entender mediante el examen

del comportamiento de los portadores de carga y las regiones desérticas. Estas regiones se
identificaron en la figura 2.4(b). Nótese que como la unión base-emisor esta polarizada en
directo, la región desértica es relativamente delgada. Lo inverso es correcto para la unión base-
colector. Un gran número de portadores mayoritarios (electrones) se difunde a través de la
unión base emisor, puesto que ésta se halla polarizada en directo. Estos electrones entran a la
región de la base y tienen dos opciones. Podrían dejar esta región a través de la conexión con
las fuentes de alimentación o continuar hacia la región de colector a través de la amplia región
desértica de la unión polarizada en inverso. Lo normal sería que la mayor parte de esta
corriente regresará a la fuente, excepto por las siguientes observaciones. Como la región de
base es muy delgada, estos electrones necesitan viajar una distancia más corta para ser
atraídos por la fuente positiva del colector. Además, el material de la base posee una
conductividad baja, por lo que el trayecto hacia la terminal de la fuente presenta alta
impedancia. En realidad, una cantidad muy pequeña de los electrones deja la base a través de
la conexión con la fuente; la mayor parte de la corriente fluye hacia el colector.

El transistor de unión bipolar presenta ganancia de corriente, lo cual se puede utilizar para
amplificar señales. En la figura 2.5 se muestra el circuito equivalente simplificado de un
transistor npn. Por lo general, este modelo es adecuado para el diseño y análisis de muchos
circuitos.
En la figura 2.7 se muestra una versión refinada de este modelo, conocida como modelo de
Ebers-Moll. La unión base-emisor actúa como un dipolo polarizado en directo con una corriente
iB + iC. La unión base-colector esta polarizada en inverso y exhibe una corriente de fuga
pequeña, ICBO, y una corriente grande, β iB. Esta última es provocada por la interacción de
corrientes en la base. Queda claro que
iE = iC + iB

Nótese que la dirección positiva de las corrientes de base y colector se define entrando al
transistor, y en forma inversa para la corriente del emisor. Esta es una simple convección, y se
podría haber invertido cualquiera de las direcciones.
La ganancia de corriente en base común, α , se define como la razón del cambio en la
corriente de colector al cambio en la corriente de emisor, suponiendo que la tensión entre el
colector y la base es constante. Por tanto,

Esto se muestra de manera gráfica en la figura 2.8, donde ICBO es la corriente de fuga entre
base y colector. Se desea encontrar una relación entre las corrientes de base y colector. La
corriente de colector se encuentra al observar la figura 2.8(b):

(2.2)

Cambiando las ecuaciones (2.1) y (2.2), se encuentra la corriente de emisor,

Y resolviendo para la corriente de base,

(2.3)

Se puede eliminar iE de la ecuación (2.3) rescribiendo la ecuación (2.2) como

Por ultimo, esto se sustituye en la ecuación (2.3) para obtener una relación entre iB, iC e ICBO:

(2.4)

La ganancia de corriente en base común, α , suele estar entre 0.9 y 0.999. Por tanto, el
inverso se puede aproximar a la unidad, dando así

Beta (β ) se utilizó antes para definir la razón entre cambios de corriente de colector y cambios
de corriente de base. Esto es,

Por tanto, se diferencia la ecuación (2.4) y se reacomodan los términos.

Los valores típicos de β se hallan entre 10 y 600. Haciendo la sustitución para β , se tiene

Por lo general se puede despreciar ICBO, pues es pequeña en magnitud. Por tanto,

(2.5)

El término β se conoce como factor de ganancia a señal grande o factor de amplificación en

cd. Por tanto, se vuelve el modelo original simplificado. En la práctica, el valor de β varía con
la corriente de base.

3. Circuitos con transistores

Configuraciones comunes en circuitos
Existen tres configuraciones usadas en circuitos de transistores. La más utilizada es la de
amplificador en emisor común (EC), así llamada porque el emisor se encuentra tanto en el lazo
de entrada como en el de salida. El siguiente circuito más utilizado es la configuración en
colector común (CC), también conocida como emisor seguidor. La tercera configuración es el
circuito en base común (BC). En la figura 2.9 se muestran ejemplos de estas configuraciones
de amplificadores y se ilustran transistores npn. El diseño de la polarización, o circuito en cd.
Está caracterizado por el resistor de base, RB, el resistor de emisor, RE, el resistor de colector,
RC, y la fuente de tensión, VCC. La técnica de polarización para el amplificador EC es la misma
que para la configuración BC, por lo que se consideran juntas. La configuración CC se
considera por separado. Cuando
Se utilizan transistores pnp, se invierten las polaridades de las tensiones de VBB y VCC, pero los
circuitos equivalentes desarrollados en ca se mantienen igual.

Curvas características
Como el transistor es un dispositivo no lineal, la forma de definir su operación es usar una serie
de curvas características de manera similar a las utilizadas en el capítulo anterior para los
diodos. Existe un conjunto de curvas para cada tipo de transistor. Como no se está tratando
con dispositivos de 2 terminales, las ecuaciones incluyen al menos tres variables. Por tanto, se
utilizan curvas paramétricas para describir el comportamiento del transistor. En la figura 2.10 se
muestran dos gráficas características. En la figura 2.10 (a) se ilustra la corriente del emisor
como función de la tensión entre la base y el emisor cuando vCE se mantiene constante. Nótese
que, como se podía esperar, esta curva es similar a la del diodo, ya que constituyen la
característica de la corriente en una unión simple. Se dibuja una línea de carga utilizando las
dos imperfecciones con los ejes. Cuando iE.= 0. La otra se encuentra haciendo vBe = 0. El punto
donde la línea de carga cruza la curva de iE contra vBE se llama punto de operación, o punto Q.
La pendiente de la línea de carga es –1/(RE + RB). Esto es, la resistencia equivalente vista por
las terminales de base y de emisor es simplemente RE + RB. La pendiente de la curva
característica es 1/rd, donde rd es la resistencia dinámica de la unión base-emisor de transistor.
Esta pendiente se puede calcular a partir de la ecuación (1.-se aparentes) y de las
simplificaciones que le sigue. Como ésta es una unión pn, nVT = 26 mV (suponiendo una unión
de silicio a temperatura ambiente). Tomando la derivada de la ecuación (1.1) y realizando las
simplificaciones adecuadas, se encuentra que la resistencia dinámica es aproximadamente

donde IEQ es la corriente del emisor en el punto Q.

Sin embargo, en transistores de silicio, el valor de n está cercano a la unidad debido a los
efectos de recombinación provocados por las corrientes de base y de colector combinadas en
la región del emisor. Los transistores de difusión exhiben un incremento del 10 al 20% en el
valor de n para niveles de corriente por arriba del intervalo normal de operación del transistor.
Una extensión en línea recta de la curva característica intersectaría al eje vBE en 0.7 para
transistores de silicio,0.2 para germanio y 1.2 para dispositivos de arsenurio de galio.
Las curvas características son curvas paramétricas de iC contra vCE, con iB como parámetro. En
la figura 2.11 se muestra un ejemplo de una familia de dichos curvas. Cada tipo de transistor
tiene su propio conjunto único de curvas características.

4. El amplificador EC

El EC, o amplificador emisor común, se llama así porque la corriente de base y de colector se
combinan en el emisor. En la figura 2.13 se muestra la configuración del amplificador, donde se
seleccionó un transistor npn como ilustración. En primer lugar se analiza en circuito de la figura
2.13 bajo condiciones de cd. La fuente variable, vs, se hace igual a cero. La LTK en el lazo de
base se escribe como
 (2.10)

Recuérdese que VBE está entre 0.6 y 0.7 V para transistores de silicio, pero en este libro se
utilizará el valor 0.7 V a menos que se especifique otro valor. Se escribe ahora la LTK a través
del lazo de colector-emisor como sigue:

Entonces

(2.11)

La ecuación (2.11) define la línea de carga, que se dibuja en las curvas características de la
figura 2.14(a). Ahora se puede seleccionar sobre la línea de carga el punto Q, o punto de
operación, que se define como el punto de señal cero. Si se supone ahora una entrada de ca

La onda de salida se puede encontrar de manera gráfica. Moviendo el punto de operación

hacia arriba y abajo a lo largo de la línea de carga conforme cambia iB, se pueden graficar iC;
iB y vCE, como se muestra en la figura 2.14.

El amplificador EC con resistor en el emisor

En la figura 2.15 se ilustra un circuito EC al cual se añadió un resistor en el emisor. Se escriben
las ecuaciones de Kirchhoff en el lazo emisor-colector para determinar la línea de carga en cd.
Con referencia a la figura 2.15(a), se encuentra

Como IC es aproximadamente igual a IE, se obtiene

(2.12)

Si IC = 0, entonces

Este punto de operación se encuentra en la región de corte. Si VCE = 0, se obtiene

Este punto se encuentra en la región de saturación. La línea de carga resultante esta dibujada
en la figura 2.15(b).
Al utilizar el transistor en emisor común se evitó la región no lineal de las curvas características
que ocurren en niveles bajos de iC (corte) y en valores bajos de vCE (saturación). A menudo, al
diseña un amplificador con transistor se desea una salida con máxima excursión no
distorsionada. Si la señal de entrada en ca es simétrica alrededor de cero, se puede obtener
una excursión máxima colocando el punto Q en el centro de la línea de carga. Por tanto,
Esta ecuación establece a VCEQ e ICQ. Además, debido a que la unión base-emisor actúa como
un diodo,

Escribiendo las ecuaciones de la LTK alrededor del lazo de la base, se obtiene

Nótese que se utilizan letras minúsculas y subíndices en mayúsculas para las variables. Esto
indica valores totales (cd + ca). Este es un momento adecuado para revisar las convenciones
de notación presentadas al inicio del texto. Debido a que

se tiene

y el punto de operación,

(2.13)

La tensión, VBE, se considera constante a temperatura ambiente (25° C) y tiene un valor

cercano a 0.7 V para transistores de silicio. Con el fin de evitar la utilización de dos fuentes de
cd separadas, se puede utilizar una red de división de tensión para suministrar la fuente de cd
al circuito de base, como se muestra en la figura 2.16. Los valores para R1 y R2 determinan la
ubicación del punto Q.
Si en la figura 2.16 la combinación de fuente y resistor conectados a la base se reemplaza por
un equivalente de Thévenin, el nuevo circuito es idéntico al de la figura 2.15. Por tanto, sólo es
necesario elegir adecuadamente R1 y R2.

(2.14)

(2.15)

Se puede resolver para R1 y R2 sustituyendo la ecuación (2.14) en la ecuación (2.15):

(2.16)
 (2.17)

Es necesario determinar R1 y R2 para establecer el punto de polarización requerido. El análisis

de la sección anterior supone que la corriente del colector es igual a la del emisor. Esta es una
buena aproximación, ya que β suele ser superior a 100.

Introducción al análisis y diseño

En problemas de análisis, el circuito está completamente especificado. En consecuencia, se
conoce el punto Q, ya que están dados tanto R**como R**. Tal vez el punto de polarización no
esté colocado de manera óptima, y, de hecho, se puede descubrir que el transistor se
encuentra en la región de corte o de saturación. Pero, como todo el circuito está especificado,
es suficiente con sustituir valores en las ecuaciones y calcular los resultados.
En problemas de diseño, el circuito no está especificado completamente. El diseñador tienen la
ocasión de situar en punto de operación en el mejor lugar posible. Si se desea tener la máxima
excursión posible en la tensión de salida, el punto Q se ubica en el centro de la línea de carga.
Si, por otra parte, la señal de entrada es pequeña, a menudo I** se puede seleccionar como un
valor pequeño para obtener una salida lineal (sin distorsión), disipando así una menor potencia
en condición estática. Como la especificación del punto Q no proporciona en número suficiente
de ecuaciones para encontrar todos los componentes, se deben introducir restricciones
adicionales para obtener un incremento en el desempeño.

5. Consideraciones de potencia

La estimación de potencia es una consideración importante al seleccionar resistores. Los

resistores deben ser capaces de soportar la máxima potencia anticipada sin sobre calentarse.
Las consideraciones de potencia también afectan la selección del transistor. Por lo general, los
diseñadores seleccionan los componentes adecuados para el diseño que tengan la más baja
capacidad de manejo de potencia.

Derivación de las ecuaciones de potencia

La potencia promedio se calcula como sigue:

para cd:

para ca:

En la ecuación en ca, T es un periodo de la forma de onda. Si la señal no es periódica, se hace

tender T al infinito. La potencia suministrada por la fuente de energía al amplificador Ec de la
figura 2.16 se puede escribir como

Se ha supuesto que el valor promedio de ic(t) es cero. Por ejemplo si la señal de entrada es
una sinusoide,
Entonces

. Como I2BQR2 es pequeña, suele ignorarse. La potencia promedioω /π donde T = 2 disipada

por el transistor es

Para una señal de entrada cero, esto se convierte en

Para una señal de entrada con máxima excursión posible,

De la derivación anterior, se ve que el transistor disipa la máxima potencia cuando no se aplica

ninguna señal de ca.

Capacitores de paso y de acoplamiento

Los capacitores se aproximan a corto circuitos para señales de ca y circuitos abiertos para
señales de cd. Por tanto, Los capacitores de paso se utilizan para eliminar de manera efectiva
(poner en corto) a los resistores durante la operación en ca. Los capacitores de acoplamiento
se utilizan para bloquear la corriente directa y permitir el paso de la señal de ca.

Capacitores de paso
Los capacitores se pueden utilizar para poner en corto el resistor de emisor, incrementando así
la ganancia del amplificador. Para lograr esto, se selecciona un capacitor cuya impedancia en
frecuencias de operación sea mucho menor que la resistencia del resistor emisor. Como la
impedancia aumenta al disminuir la frecuencia, la impedancia del capacitor debe ser mucho
menor que el valor de la resistencia equivalente a través de la capacitancia en la frecuencia de
operación más baja del amplificador.

Capacitores de acoplamiento
Cada par de etapas de un amplificador de varias etapas se puede acoplar por medio de un
capacitor. La impedancia de entrada de la siguiente etapa es la carga de la etapa anterior. En
capacitor de acoplamiento es necesario para prevenir interacciones de cd entre etapas
adyacentes.

Línea de carga de ca para la configuración en EC

Las líneas de carga para el amplificador EC y BC son idénticas. Por ello, aunque se esté
presentando la teoría para el EC, se utilizan los mismos conceptos tanto para EC como para
BC.
La resistencia en el circuito colector-emisor para operación en cd es RC + RE,la cual se define
como Rcd. Cuando la carga se acopló al transistor a través de un capacitor, la resistencia en ca
es diferente. Bajo condiciones de ca, la resistencia en el circuito colector-emisor es

Notése que para operación en ca, la terminal VCC se conecta a tierra. Si El resistor de emisor se
pone en corto con un capacitor, entonces la resistencia en ca es sólo

La línea de carga de ca tiene una pendiente de –1/Rca. Como una entrada en será igual a cero
coloca el punto de operación en el punto Q, la línea de carga intercepta a la línea de carga de
cd en el punto Q. Si la señal de entrada es pequeña, el punto Q debería localizarse
normalmente para minimizar la corriente de colector estacionaria.

La línea de carga de ca a través de cualquier punto Q

La línea de carga de cd se determinó a partir de la ecuación (2.12), y esta dada por la ecuación

Como los capacitores de acoplamiento son circuitos abiertos a cd, esta línea de acarga se
aplica al circuito de la figura 2.19. La línea de carga se gráfica en las curvas características de
la figura 2.20. A continuación se repiten las definiciones de resistencia en ca y cd.
Rcd = resistencia total alrededor del lazo colector-emisor bajo condiciones de cd (los capacitores
se consideran circuitos abiertos)
Rca = resistencia total alrededor del lazo colector-emisor bajo condiciones de ca (las fuentes de
cd se hacen cero y los capacitores se consideran cortocircuitos)

Para el circuito de la figura 2.19, se tiene

(2.23 y 2.24)

La ecuación para la línea de carga es entonces

El punto Q, se específica para una señal de valor cero, se ubica tanto en la línea de carga de
ca como en la de cd. La línea de carga de ca pasa a través del punto Q, y tiene una pendiente
de –1/Rac. Esta pendiente es de mayor magnitud que la de la línea de carga de cd. La línea de
carga de ca se gráfica en la figura 2.20.

Elección de la línea de carga de ca para una máxima excursión de en la salida

Si se desea diseñar el amplificador para máxima excursión en la tensión de salida, el punto Q
se debe colocar en el centro de la línea de carga de ca. En la figura 2.21 se muestran las líneas
de carga para el circuito de la figura 2.19. Es cuestión de geometría colocar el punto Q para
máxima excursión. La línea de carga de cd se dibuja como en la figura 2.20. Esto es,

(2.25)

Se escriben las ecuaciones de LTK para el caso de ca, donde los capacitores se reemplazan
por cortocircuitos y las fuentes de cd se hacen iguales a cero. Se escribe la ecuación lineal con
el método punto-pendiente, como sigue:

(2.26)

La intersección de esta línea y la línea de carga de cd es el punto Q. Como iC es máxima

cuando vCE=0, la máxima corriente de colector, I´C, esta dada por

Sin embargo, I´C es igual a 2ICQ para máxima excursión a lo largo de la línea de carga de ca.
Sustituyendo esta restricción en la ecuación anterior, se obtiene

(2.27)

La ecuación (2.27) representa una ecuación de dos incógnitas para especificar la localización
del punto Q para máxima excursión en la salida. La segunda ecuación se deriva utilizando la
ecuación de la línea de carga de cd. La ecuación (2.27) se sustituye en la ecuación (2.25) como
sigue:

(2.28)

Esta especifica vCE en el punto Q. ICQ se obtiene entonces de la ecuación (2.27) como

(2.29)

V´CC es la intersección de la línea de carga de ca con el eje vCE, como se muestra en la figura
2.21. La pendiente de la línea de carga de ca es
Análisis y diseño en ca
Al analizar un amplificador de ca se especifican los componentes del circuito. Se comienza la
solución determinando la polarización en cd. En primer lugar, se deriva el equivalente de
Thévenin para el lazo base-emisor. Esto proporciona los valores necesarios para encontrar la
ecuación de polarización para ICQ. En seguida, se construyen las líneas de carga de cd y ca. Si
ICq se halla en la región de operación del transistor (es decir, ni en la región de corten mí en la
de saturación), se puede determinar la máxima excursión sin distorsión de tensión de ca en la
salida, examinando la línea de carga de ca.
Al diseñar un amplificador la situación se invierte, ya que del diseñador debe seleccionar los
componentes y tiene la opción de elegir ICQ. Si se desea una máxima excursión en la tensión de
salida, se coloca ICQ en el centro de la línea de carga de ca. Por otra parte, si la señal de
entrada es pequeña, ICQ se puede hacer lo suficientemente grande de manera que la señal de
ca en la salida no se recorte durante el máximo de la señal de entrada.

Procedimiento de análisis
En problemas de análisis, están dados los . Se presenta unβ valores de R1, R2, VCC, VBE,
RE, RC, RL y procedimiento organizado de análisis. Las ecuaciones utilizadas se han derivado
antes en este capítulo, y se citan las referencias para que puedan consultarse estas
derivaciones.

Paso 1 Utilice R1 y R2 para determinar VBB y RB de las siguientes ecuaciones:

Paso 2 Utilice las ecuaciones de polarización para calcular ICQ.

Paso 3 Se utiliza la ecuación de la línea de carga para determinar VCEQ.

Paso 4 Se construye la línea de carga de cd en las curvas características. Como se sabe que la
línea de carga de ca interseca la línea de carga de cd en el punto Q, la línea de carga de ca se
construye de la ecuación

Donde Rca es la resistencia equivalente de ca en el lazo colector-emisor.

Paso 5 Determinar la máxima excursión simétrica posible enla tensión de salida requiere el uso
de la línea de carga construida en las curvas características. Si el punto Q se encuentra en la
mitad superior de la línea de carga de ca, se resta ICQ del máximo valor de iC. Si el punto Q se
halla en la mitad inferior de la línea de carga de ca, ICQ es la máxima amplitud para la corriente
de salida de ca del transistor. Entonces, la máxima excursión simétrica pico a pico en la tensión
de salida está dada por
Procedimiento de diseño
En problemas de diseño, se trabaja primero con el lado colector-emisor del transistor más que
en el lado base-emisor. Existen dos condiciones por satisfacer. La primera coloca el punto Q en
el centro de la línea de carga de ca para máxima excursión en la tensión de salida. La segunda
limita ICQ al valor requerido para proporcionar salida salida simétrica para una entrada dada.
Paso 1 Para colocar el punto Q en el centro de la línea de carga, utilícese la siguiente
ecuación.

Paso 2 Utilícese la línea de carga de ca para determinar VCEQ.

donde

Paso 3 Si no existen otras restricciones, selecciónese RB para estabilidad en la polarización.

Paso 4 Utilícese la ecuación de polarización para determinar VBB.

Paso 5 Encuéntrese R1 y R2 a partir de RB y VBB.

Paso 6 Determínese v0(p-p) (máxima salida simétrica pico a pico) como en el paso 5 del
procedimiento de análisis.

Diseño por debajo de máxima excursión

Como se comentó antes, no siempre es deseable diseñar un amplificador para máxima
excursión de salida posible. Si la señal de entrada es pequeña, el punto de operación se mueve
solo una distancia pequeña en ambos lados del punto Q y nunca llega cera del corte o la
saturación. En ese caso, diseñar un amplificador con el punto Q en la mitad de la línea de
carga desperdicia potencia. La potencia disipada en condición estacionaria es más de la
necesaria para operar sin distorsión. En esta sección, se modifica el criterio anterior de diseño
para permitir la localización del punto Q por debajo de la línea de carga.
6. Amplificador emisor seguidor (colector común)

El amplificador emisor seguidor (ES), o colector común (CC), se ilustra en la figura 2.24. Su
salida se toma de emisor a tierra en vez de tomarla de colector a tierra, como en el caso del
EC. Este tipo de configuración para el amplificador se utiliza para obtener una ganancia de
corriente y ganancia de potencia.
El EC tiene un desfasamiento de 180° entre las tensiones de base y colector. Esto es, conforme
la señal de entrada aumenta de valor, la señal de salida disminuye. Por otra parte, para un Es,
la señal de salida esta en fase con la señal de entrada. El amplificador tiene una ganancia de
tensión ligeramente menor que uno. Por otro lado, la ganancia de corriente es
significativamente mayor que uno.

Análisis en ca y diseño de amplificadores ES

Los procedimientos para diseño y análisis de amplificadores ES son los mismos que para
amplificadores EC. Los únicos cambios se dan en las ecuaciones para Rca, Rcd y la excursión
en la tensión de salida. La excursión de salida para el ES está dada por