INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PUEBLA

FÍSICA IV

PROFESOR: VÍCTOR MANUEL PERUSQUÍA ROMERO

TRABAJO: BJT (PNP) COLECTOR COMÚN

EQUIPO 6

INTRODUCCIÓN

Definición:
El Transistor de Unioó n bipolar, abreviado como BJT, es un dispositivo electroó nico
semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 uniones PN. Este dispositivo
consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La caracteríóstica principal de
este dispositivo es que tiene la propiedad de controlar una corriente en el circuito de
salida mediante una corriente en el circuito de entrada.

El transistor de unioó n bipolar, se fabrica baó sicamente sobre un monocristal de Germanio,

Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de
cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

 Los BJT poseen dos zonas semiconductoras, que pueden ser de tipo P oó N, y entre
ambas una zona muy delgada que puede ser del tipo P oó N respectivamente.
 EÉ ste conjunto formaraó dos uniones PNP: Si las dos zonas exteriores son del tipo P y
la interior es del tipo N, el transistor seraó del tipo PNP.

1
 Transistor tipo PNP

OPERACIÓN DEL TRANSISTOR

La operacioó n baó sica del transistor se describiraó ahora empleando el transistor PNP. La
operacioó n del transistor NPN es exactamente igual si se intercambian los papeles que
desempenñ an los electrones y los huecos. En la Figura A se ha redibujando el transistor PNP
sin la polarizacioó n base a colector. El ancho de la regioó n de agotamiento se ha reducido
debido a la polarizacioó n aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores
mayoritarios del material tipo p al tipo n.

Figura A.- Unión polarizada directamente de un transistor PNP.

Figura B.- Unión polarizada inversamente de un transistor PNP.

Recueó rdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que soó lo se presenta un
flujo de portadores minoritarios, como se ilustra en la figura B. En resumen, por tanto:

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Una unión p-n de un transistor está polarizada inversamente, en tanto que la otra presenta
polarización directa.

En la Figura C, ambos potenciales de polarizacioó n se han aplicado a un transistor PNP, con

un flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica. Noó tense los anchos de las
regiones de agotamiento, que indican con toda claridad queó unioó n estaó polarizada
directamente y cuaó l inversamente. Como se indica en la figura 7, un gran nuó mero de
portadores mayoritarios se difundiraó n a traveó s de la unioó n p-n polarizada directamente
dentro del material tipo n.

Figura C.- Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor PNP.

Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 7 como si fuera un solo

nodo, obtenemos
IE = IC + IB
Y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la
base, Sin embargo, la corriente en el colector estaó formada por dos componentes: los
portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura 7. La componente de
corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente
IC con la Terminal del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente en el colector se
determina completamente mediante la ecuacioó n.

IC = IC mayoritaria + ICO minoritaria

En el caso de transistores de propoó sito general, IC se mide en mili amperes, en tanto que ICO
se mide en micro amperes o nanoamperes. ICO como Is para un diodo polarizado
inversamente, es sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se
consideren aplicaciones de intervalos amplios de temperatura. Si este aspecto no se trata
de manera apropiada, es posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida
a elevadas temperaturas. Las mejoras en las teó cnicas de construccioó n han producido
niveles bastante menores de ICO, al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse.

3
CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN

La configuracioó n de colector comuó n se utiliza sobre todo para propoó sitos de acoplamiento
de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia
de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base comuó n y de un emisor
comuó n que es lo opuesto a las configuraciones de base comuó n y de emisor comuó n. Veó ase
Figura D.

Figura D.- Notación y símbolos en la configuración de colector común.

La senñ al se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a
las masas tanto de la senñ al de entrada como a la de salida. En esta configuracioó n se tiene
ganancia de corriente, pero no de tensioó n que es ligeramente inferior a la unidad. Esta
configuracioó n multiplica la impedancia de salida por β + 1.

β = IC/IB

Configuracioó n de colector comuó n utilizado para propoó sitos de acoplamiento de

impedancia.

CARÁCTERISTICAS

Colector Comuó n – Seguidor de tensioó n

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Modelo Gráfico.

Todas las intensidades entran al transistor, como se ha comentado anteriormente.

PROCEDIMIENTO ANALÍTICO PARA EL CÁLCULO DEL PUNTO DE OPERACIÓN

Punto de Operación (Q)

En este punto se va a incidir de nuevo sobre ello, aunque de forma muy breve, lo que nos
permitiraó introducir el concepto de recta de carga en continua y al mismo tiempo conectar
con los temas de ubicacioó n y estabilidad del punto Q. El anaó lisis del punto de trabajo de un
dispositivo, como ya se sabe, se puede llevar a cabo de dos formas diferentes: analíótica
(realizando un anaó lisis matemaó tico de todas las ecuaciones implicadas) o graó fica ( recta de
carga en continua).
Obtener el punto de trabajo Q de un dispositivo consiste baó sicamente en obtener el valor
delas diferentes tensiones y corrientes que se establecen como incoó gnitas en el
funcionamiento el mismo.
El meó todo analíótico, se basa en resolver el sistema de ecuaciones que se establece teniendo
en cuenta: las leyes de Kirchoff aplicadas a las tensiones y corrientes que definen el
funcionamiento del dispositivo; las ecuaciones que se obtienen del comportamiento del
mismo, seguó n la regioó n de funcionamiento (circuito equivalente); y las relaciones
eleó ctricas del circuito de polarizacioó n usado.
Si se desea realizar el anaó lisis graó fico, hay que disponer en primer lugar de las curvas de
funcionamiento del transistor (curvas caracteríósticas de entrada y salida), que se podríóan
obtener tambieó n como representacioó n de las ecuaciones que definen el comportamiento
del transistor. Sobre estas curvas se traza la denominada recta de carga en continua
(impuesta por el circuito eleó ctrico externo del transistor), y los puntos de interseccioó n de
esta recta con las curvas del dispositivo establece los posibles puntos de trabajo Q. El
siguiente paso es determinar exactamente cuaó l de esos posibles puntos es el de
funcionamiento.

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EJEMPLOS NÚMERICOS RESUELTOS

EJERCICIO 1
Determinar IB , IC , VCEQ para la siguiente red.

Solucioó n:
La aplicacioó n de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada daraó por resultado:

-IBRB – VBE –IERE+ VCC = 0

Pero: IE = (β + 1) * IB
VEE - VBE - (β + 1) * IBRE - IBRB = 0

IB = (VEE - VBE) / (RB + (β + 1) * RB)

Sustituyendo valores:

IB = (30V – 0.7 V) / (460KΩ + (46)*(2KΩ)

IB = 0.532 µA

IC = β * IB = 45 * (0.532 * 10-6) = 0.2394 µA

Ic max= Vcc / Rc = 30 volts / 2000 = 15 mA

La aplicacioó n de la ley de Kirchhoff al circuito de salida resultara:

- VEE + IERE + VCE = 0

Pero: IE = (β + 1) * IB
VCE = VEE - (β + 1) * IBRE
VCE = 30V – (46) * (0.532µA) * (2KΩ) = 29.95V

EJERCICO 2

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El amplificador de la figura 4.20a contiene un transistor PNP en configuracioó n colector
comuó n, obtener el punto Q.

Solucioó n:
Aplicando la ley de Kirchhoff a lo largo de camino que evita las fuentes de corriente da

-9+1K (31IB) + 51k IB + 0.7 +2.4k (31IB)=0

Resolviendo da IB = 53.1uA e IC =1.59mA. La tensioó n del nodo emisor es

VE = 0 – 2.4k (31IB)=-3.95V

Y la tensioó n del nodo del colector es

VC =-9 + 1k (31)53.1x 10exp-6= -7.35V

Por lo tanto, VCE =-7.35V-(-3.95V)=-3.40V. La figura 4.20c muestra el punto de

funcionamiento sobre las caracteríósticas de salida y esto confirma el funcionamiento
activo.

EJERCICIO 3

7
En el circuito de la figura y suponiendo T 1 y T2 transistores de silicio con β1 = 50 y
β2 = 20, determinar:

a) Punto de funcionamiento (IC, VCE) de cada uno de los transistores para Vi 10V.

b) Valor míónimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de

funcionamiento en este caso de T1 y T2.

Solucioó n:

a) Pto. Trabajo / Vi = 10V

Thevenin en la base de T1:

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Ecuacioó n malla base T1
0,8Vi = IB1 − RT + VBE1 + (IE1 + IC2)RC = IB1RT + VBE1 + ((1 + β2)IB1 + β2β1IB1)RC

((Es un montaje Darlington en el sentido de que = β1 β2))

Para Vi = 10V:

8 = IB1 ・ 16 + 0,7 + (51IB1 + 1000IB1) ・ 10

IB1 = 0,693μA
IC1 = β1 ・ IB1 = 0,0346mA = IB2
IC2 = β2 ・ IB2 = 0,693mA

Malla de colector de T2
VCC = IE2 ・ RE + VEC2 + (IE1 + IC2) ・ RC
VEC2 = . . . = 15,45V ⇒ Activa.
VCE1 = VEC2 = VEB2 = . . . = 14,75V ⇒ Activa, suposicioó n correcta.

b) Valor de Vi que sature al grupo de los transistores y pto. func.

Malla colector T1:

VCE = (1 + β2)β1 ・ IB1 ・ RE + VEB2 + VCE1 + [(1 + β1)IB1 + β1β2IB1] ・ RC

30 = 21 ・ 50 ・ IB1 ・ 10 + 0,7 + 0,2 + [51IB1 + 1000IB1] ・ 10

IB1 = IB1 SAT = 1,385μA

IC1 SAT = IB1 SAT ・ β = 0,0692mA
IC2 = βIB2 = 1,385mA
VCE1 = VCE SAT 1 = 0,2V
VEC2 = VEB2 + VCE1 = 0,7 + 0,2 = 0,9V
0,8Vi = IB1 ・ RT + VBE1 SAT + (IB1 + IC2) ・ RC
Vi = 19,22V

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 EJERCICIO 4

Esta rama no es otra que la que es comuó n a las dos mayas y se encuentra, en este caso,
conectada al emisor del transistor, por lo cual decimos que el mismo es emisor comuó n.
Reemplazamos nuestro circuito por un modelo equivalente manteniendo, claro esta, la
unioó n de las dos mayas. Podemos plantear la ecuacioó n de cada uno de los subcircuitos.
Vbb–Ib*Rb–Vd=0 y Vcc–Ic*Rc–Vce, donde Vce es la tensioó n que cae en nuestro componente
equivalente.

Basaó ndonos en los datos que conocemos calculamos:

2V–Ib*10KΩ-0,7V=0
1,3V=Ib*10KΩ
Ib=1,3V/10KΩ
Ib=0,13ma.

Habiendo averiguado la corriente de base y utilizando la formula Ic=β*Ib, con un β=100,

podemos decir que
Ic=100*0,13ma
Ic=13ma.

Reemplazamos los valores en la ecuacioó n de la segunda maya:

12V–13ma*0,5KΩ-Vce=0
Vce=12V–6,5V
Vce=5,5V.

Lo uó nico que resta por calcular es la corriente del emisor que ya dijimos que es la suma de
las corrientes que circulan por las dos mayas, entonces podemos decir que
Ie=Ic+Ib
Ie=0,13ma+13ma
Ie=13,13ma.

Basados en el circuito anterior, plantearemos una tabla que nos permite visualizar las
diferentes zonas de trabajo de un transistor y las respuestas del mismo en las distintas
regiones. En la primera fila el transistor se encuentra en corte, en la segunda y tercera en
zona activa y en las dos uó ltimas se encuentra saturado

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 EJERCICIO 5
Determinar IB , IC , VCEQ para la siguiente red.

25

260 5K

50 V

Solucioó n:
La aplicacioó n de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada daraó por resultado:

-IBRB – VBE –IERE+ VCC = 0

Pero: IE = (β + 1) * IB
VEE - VBE - (β + 1) * IBRE - IBRB = 0

IB = (VEE - VBE) / (RB + (β + 1) * IB)

Sustituyendo valores:

IB = (5V – 1.7 V) / (260KΩ + (25)*(5KΩ)

IB = 8.57*10-3 µA

IC = β * IB =50 * (8.57*10-9) = 0.2571 µA

Ic max= Vcc / Rc = 40 volts / 2000 = 15 mA

La aplicacioó n de la ley de Kirchhoff al circuito de salida resultara:

- VEE + IERE + VCE = 0

Pero: IE = (β + 1) * IB
VCE = VEE - (β + 1) * IBRE
VCE = 50V – (25) * (8.57*10-9 ) * (5KΩ) = 49.99V

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 EJERCICIO 6

Para la red de la figura, determine:

a) Zi
b) Z0
d) Av
e) Ai

a) Zi = RE || hib = 2.2 k|| 14.3 = 14.21 (vemos que Zi ≅hib)

b) Ω

Ω Ω Ω

c)

d) Ai ≅hfb = -1

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 EJERCICIO 7

Determinar VC y VB para la siguiente red.

Solucioó n:

La aplicacioó n de la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada daraó por resultado:

IBRB + VBE – VCC = 0

IB = VCC - VBE / RB
Sustituyendo valores:

IB = 9V – 0.7 V / 100KΩ

IB = 83 µA

Para IC se realiza lo siguiente:

IC = β * IB

IC = 45 * (83 * 10-6) = 3.73 mA

La aplicacioó n de la ley de Kirchoff al circuito de salida resultara:

VC = RC * IC
VC = (1.2 KΩ) (3.73mA) = 4.48V

VB = IBRB
VB = (83 * 10-6) (100 KΩ) = 8.3V

EJERCICIO 8

13
Determinar VCEQ para la siguiente red.

La aplicacioó n de la ley de Kirchhoff al circuito de entrada:

La aplicacioó n de la ley de Kirchhoff al circuito de salida

PROBLEMA 9

14
Para el siguiente circuito calcular Ib, Ie, Ic con su simulación.

R1=20k
R2=2K
Vcc=3v
Vce=18v

PROBLEMA 10

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1ºMETODO
LEYES DE KIRCHOFF
2º PROCEDIMIENTO
 UBICAR LAS MALLAS
 DIRECCIONAR LAS CORRIENTES
 APLICAR LAS LEYES DE KIRCHOFF
 DESPEJAR
 OBTENIDA LA CORRIENTE DE BASE VOLVEMOS A LA ECUACION DE KIRCHOFF ORIGINAL
 DESPEJAMOS Vce
 OBTENEMOS PUNTO Q

3ºANALISIS DEL CIRCUITO

Del siguiente circuito calcular el punto Q de trabajo para que pueda amplificar.

10-.7/3K+30+1(150K)=1.99 A

30*1.9( )=59.6 A

-10-(59.6µA)(3K)-(61.6µA)(2K)=-10.3
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada dará por resultado:
IBRB + VBE – VCC = 0
IB = VCC - VBE / RB
Sustituyendo valores:

Para IC se realiza lo siguiente:

La aplicación de la ley de Kirchoff al circuito de salida resultara:

VC = RC * IC

4ºPOLARIZAR PUNTO DE OPERACIÓN

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5º grafica (RECTA DE CARGA)

6º SIMULACIÓN

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 CUESTIONARIO

1.- ¿Queó es un BJT?

2.- ¿Cuaó ntas y cuaó les son las terminales de este dispositivo?

3.- ¿Cuaó ndo un BJT es del tipo PNP o NPN?

4.- Dibuja las diferentes configuraciones del BJT

5.- Menciona los tres tipos de polarizacioó n para el BJT

6.- ¿En que se utiliza la configuracioó n de colector comuó n y por queó ?

7.- Dibuja el diagrama de configuracioó n de colector comuó n.

8.- ¿Coó mo se debe polarizar un transistor para que trabaje en la zona activa?

9.- ¿Queó es la zona de saturacioó n?

10.- ¿Queó es la zona de corte?

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CUESTIONARIO

1.- ¿Queó es un BJT?

R= es un dispositivo electroó nico semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas
y 2 junturas PN.

2.- ¿Cuaó ntas y cuaó les son las terminales de este dispositivo?
R= Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C).

3.- ¿Cuaó ndo un BJT es del tipo PNP o NPN?

R= Si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P, el transistor seraó del tipo
NPN. Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N, el transistor seraó
del tipo PNP.

4.- Dibuja las diferentes configuraciones del BJT

R=

5.- Menciona los tres tipos de polarizacioó n para el BJT

R= Polarizacioó n por Base, Polarizacioó n por Realimentacioó n del Colector, Polarizacioó n por
Divisor de Tensioó n.

6.- ¿En que se utiliza la configuracioó n de colector comuó n y por queó ?

R= Se utiliza sobre todo para propoó sitos de acoplamiento de impedancia, debido a que
tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a
alas de las configuraciones de base comuó n y de un emisor comuó n
7.- Dibuja el diagrama de configuracioó n de colector comuó n.
R= Configuracioó n de colector comuó n utilizado para propoó sitos de acoplamiento de
impedancia

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8.- ¿Coó mo se debe polarizar un transistor para que trabaje en la zona activa?
R= Para que un transistor funcione en la zona activa, se debe de polarizar la unioó n J1
directamente y la unioó n J2 inversamente.

9.- ¿Queó es la zona de saturacioó n?

R= El punto de saturacioó n es el punto en que la recta de carga corta la zona de saturacioó n
de las curvas de salida. Como la tensioó n colector-emisor en saturacioó n es muy pequenñ a, el
punto de saturacioó n es casi ideó ntico al extremo superior de la recta de carga.

10.- ¿Queó es la zona de corte?

R= El punto de corte es el punto en el que la recta carga corta a la zona de corte de las
curvas de salida. Como la corriente de colector en corte es muy pequenñ a, el punto de corte
es casi ideó ntico al extremo inferior de la recta de carga.

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REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

Tíótulo: Principios de electroó nica Tíótulo: Dispositivos Semiconductores

Autor: Malvino Albert Autor: Jasprin Singh
Editorial: Mc Graw Hill Editorial: Mc Graw Hill
Lugar de impresioó n: Meó xico Lugar de impresioó n: Meó xico
Nº de edicioó n: Quinta Capíótulos: 7
Capíótulos: 24 No de edicioó n: primera
Nº de paó ginas: 1048 No de paó ginas: 629

Tíótulo: Electroó nica transistorizada e Tíótulo: Circuitos electroó nicos y

integrada aplicaciones
Autor: Milton S. Kiver Autor: Bernard Grob
Editorial: Marconbo Editorial: Mc Graw Hill
Lugar de impresioó n: Espanñ a Lugar de impresioó n: Meó xico
Nº de edicioó n primera Capíótulos: 18
Capíótulos: 14 No de edicioó n: primera
No de paó ginas: 650 No de paó ginas: 358

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Autor: Robert R. Malik /temas/impedancia.htm
Editorial: Prentice Hall (CONSULTADA EL 20/07/2011)
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No de edicioó n: primera c/applets/pagina_tbj/pag_tbj.htm
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