UNIVERSIDAD TÉCNICA DEL NORTE

FACULTAD DE INGENIERÍA EN CIENCIAS APLICADAS

CARRERA DE ELECTRICIDAD
GUÍA DE PRÁCTICAS DE LABORATORIO
Electrónica Analógica
Docente: Ing. Francisco Naranjo Cobo MSc.
Técnico Docente: Ing. Jairo Revelo Ger

Tema:Transistores BJT: Circuitos básicos y

Práctica #: 2
aplicaciones

Fecha de realización
de la práctica:2023 1117
añomesdía
Observaciones:

Fecha de entrega del

informe:2023 1124
Añomesdía
Observaciones:

Periodo: Abril – Agosto

X
Octubre – Febrero
Tema: Transistores BJT: Circuitos básicos y aplicaciones

1. Objetivo General.
Identificar y medir las características de diodos y comprender sus aplicaciones.

2. Objetivos Específicos.
 Validar experimentalmente el funcionamiento de los transistores BJT
 Obtener la curva característica de transistores BJT
 Comprobar el comportamiento del BJT como amplificador de una señal alterna.

3. Introducción.
El transistor de unión bipolar (BJT), es un dispositivo semiconductor que esta formado
por tres terminales denominadas Colector (C), Emisor (E) y Base (B). Se utilizan para
amplificación, regulación de potencia y como interruptores. Existen dos tipos: NPN
(Ilustración 1 (b)) que internamente está formado por la unión de dos
semiconductores tipo n y un tipo p, y PNP (Ilustración 1 (c)) que está formado por dos
semiconductores tipo p y uno tipo n, por lo que además se los puede representar
como la unión de dos diodos. Se le conoce como bipolar por la corriente se produce
por el movimiento tanto por los electrones como por los huecos.

(a)

(b) (c)

Ilustración 1 Transistor BJT

Adaptado de [1]
La operación de un transistor se obtiene polarizando en inversa la unión Base-Colector
y en directa la unión Base-Emisor como se muestra en Ilustración 2, mediante fuentes
de corriente continua.

Ilustración 2 Polarización en directa-inversa.

Adaptado de [3]
La región de la base presenta una alta impedancia, y se encuentra ligeramente dopada y es
muy delgada en comparación con las regiones del emisor, que es excesivamente dopada, y la
del colector, que es moderadamente dopada. En la Ilustración 3 (a) se presenta el circuito de
polarización para un BJT en configuración emisor común, de la misma manera, en (b) y (c) se
presentan las curvas características que relacionan la tensión entre el colector y el emisor 𝑉𝐶𝐸
y la corriente del Colector 𝐼𝐶 . Se identifican cuatro regiones de funcionamiento: (1) Región de
corte, en la cual la corriente de la base 𝐼𝐵 es muy pequeña, por tanto, el transistor opera como
un circuito abierto, (2) Región de saturación, en la cual debido a una corriente elevada en la
base
𝐼𝐵 se comporta como un cortocircuito y se tienen las corrientes máximas del colector y el emisor,
(3) Región activa, que se encuentra intermedia entre las regiones de saturación y corte, en la
cual la corriente del colector 𝐼𝐶 depende de la ganancia de corriente 𝛽 especificada por el
fabricante, de la corriente de la base 𝐼𝐵 y de las resistencias que están conectadas en el
colector y el emisor, y (4) Región de ruptura, en la cual la corriente del colector entra en zona
de daño del dispositivo, debido a un incremento de la tensión de polarización del colector.
Para operar como interruptor se utilizan las regiones (1) y (2), y si se desea utilizar el transistor
como un amplificador debe operar en la región (3).

(a) (c)
(b)
Ilustración 3 Curvas características de un BJT
Adaptado de [1]
4. Equipos y materiales.
 Resistencias: 100kΩ, 1kΩ, 10kΩ, (2) - 47kΩ, 4.7kΩ, 600 Ω, (2) - 470 Ω.
 Capacitores electrolíticos: 100uF, (2) - 10uF.
 Transistores: (1) - 2N3904 y (1) - 2N3906.
 2 leds
 2 sensores CNY70
 10 Resistencias de 1 k
 4 resistencias de 20k/ohmios
 4 transistores 2N2222A
 2 moto reductores
 2 llantitas
 1 porta pilas
 4 pilas de 1.5 v
 Conectores
 Protoboard - Placa de inserción.
 Multímetro.
 Fuente DC regulable de 5V.
 Fuente DC regulable de 30V
  Generador de funciones.
 Osciloscopio.
 Guía de práctica.

5. Trabajo preparatorio
 Descargar las hojas de especificaciones de los transistores 2N2222, 2N3904 y
2N3906, revisarlas y comparar las características más importantes.
 Simular el comportamiento de los circuitos para predecir su funcionamiento,
previo a la implementación.

6. Desarrollo.
a. Parte 1: Verificar el estado de un transistor
 Escoja los transistores 2N3904 y 2N3906. Revise la hojas de
especificaciones, identifique en la tabla a que transistor corresponde cada
figura, e indique en las las terminales del emisor, colector y base:

Código Tipo Representación

 Seleccione en el multímetro el símbolo de diodo/continuidad.

 Mida en las terminales de acuerdo con la tabla siguiente, y anote los
resultados
Terminales Transistor npn Transistor pnp
(+) Base – (-) Colector

(+) Base – (-) Emisor

 (+) Colector – (-) Base

(+) Colector – (-) Emisor

(+) Emisor – (-) Base

(+) Emisor – (-) Colector

 Emita comentarios respecto a la información obtenida en la tabla.

Parte 2: Caracterización de un transistor NPN
 Medir los valores reales de las resistencias consideradas. Completar la tabla:

Nombre de la Resistencia Valor real

RB = 100k RB =

RC = 1k RC =

 Arme el circuito mostrado en la Ilustración 4.

Ilustración 4 Caracterización de un transistor NPN

 Para la señal de tensión de entrada en la base VBB conecte la fuente

regulable de 5 voltios.
 Para la señal de tensión de entrada en el colector VCC conecte la fuente
regulable hasta 20 voltios.
 Llenar la tabla que se encuentra en el Anexo A. Para cada medición, tomar
el valor de la tensión entre las terminales de la resistencia y calcular las
corrientes de base y colector utilizando el valor real de cada resistencia.
 Obtener la gráfica 𝐼𝑐 vs 𝑉𝐶𝐸
 Indique de acuerdo con los resultados cual sería el valor de β para una
tensión 𝑉𝐶𝐸 = 5 𝑉 y una corriente de colector entorno a 𝐼𝑐 = 1 𝑚𝐴

Parte 3: BJT como amplificador en configuración Emisor común.

 Medir los valores reales de las resistencias consideradas. Completar la tabla:

Nombre de la Resistencia Valor real

R1 = 47k R1 =

R2 = 10k R2 =

RC = 4.7k RC =

RE1 = 470 RE1 =

RE2 = 470 RE2 =

RL = 47k RL =

 Arme el circuito mostrado en la figura.

Ilustración 5 BJT como amplificador en configuración Emisor común.

 Configure el generador de funciones para obtener una señal sinoidal de

amplitud 100 mVpp, frecuencia 60 Hz, offset 0 V.
 Configure los canales del osciloscopio para medir las tensiones de entrada
y de salida de las señales en alterna.
 No conecte el generador de funciones. Seleccione en el multímetro para
medir tensión DC y tome los valores de polarización del transistor:
 Medidos (Sin GF) (Con GF) Calculados (Sin GF) (Con GF)

𝑽𝑹𝟏 = 𝑰𝑹𝟏 =

𝑽𝑹𝟐 = 𝑰𝑹𝟐 =

𝑽𝑹𝑪 = 𝑰𝑩 =

𝑽𝑬 = 𝑰𝑪 =

𝑽𝑪𝑬 = 𝑰𝑬 =

𝑽𝑶 = 𝑰𝑶 =

 Obtenga la recta de carga del circuito polarizado en DC e indique el punto

de operación Q del sistema mostrado.
 Conecte el generador de funciones y vuelva a medir los valores de
polarización del transistor. Indique en la tabla anterior.
 A partir de información que se muestra en el osciloscopio represente el
voltaje de entrada Vs y el voltaje de salida Vo, indicando los valores más
representativos de ambas, especialmente los valores picos. Emita sus
comentarios:
 Parte 4: Construcción de un robot seguidor de línea basado en electrónica
analógica.
Realizar el proyecto tomando como base la siguiente documentación:
Electrónica Básica (hdiegoabraham.blogspot.com)

7. Conclusiones
 Los transistores BJT son fundamentales en circuitos amplificadores de señal. Al configurar el
transistor en modos específicos, como el emisor común, se logró una amplificación significativa
de la señal de entrada. La ganancia de voltaje obtenida en estos circuitos nos permitió la
utilización de transistores BJT en aplicaciones como amplificadores de audio, donde la fidelidad
y la ganancia son críticas.
 Gracias a las prácticas realizadas se destacó la importancia de factores como la polarización, la
estabilidad térmica y el diseño consciente de la ganancia al trabajar con transistores BJT en
entornos prácticos y aplicaciones del mundo real.
 Gracias a la flexibilidad de diseño que ofrecen los BJT nos ayudó a la creación de circuitos
personalizados para cumplir con requisitos particulares, destacando su papel en el diseño de
sistemas electrónicos avanzados.
8. Recomendaciones
 Realizar las mediciones precisas de corrientes y voltajes en el transistor BJT en diferentes
configuraciones. Estas mediciones son esenciales para entender cómo cambian las corrientes y
voltajes en función de la polarización y otras condiciones de operación.
 Usar el equipo de protección personal adecuado, como mandil y si es necesario guantes,
especialmente si se está trabajando con fuentes de alimentación o circuitos que pueden
generar calor.
 Calibrar y configurar adecuadamente todos los instrumentos de medición, como multímetros y
osciloscopios, antes de comenzar las mediciones. Esto garantiza la precisión los resultados al
momento de realizar las mediciones
 ANEXO A
Fuentes Externas Medir
(Aproximadamente) (Utilizar hasta 3 décimales) Calcular
VBB (V) VCC (V) VBE (V) VRB (V) VCE (V) VRC (V) IB (μA) IC (mA) IE (mA) IC/IB
0 0
0 5
0 10
0 15
0 20
0.5 0
0.5 5
0.5 10
0.5 15
0.5 20
1 0
1 5
1 10
1 15
1 20
2 0
2 5
2 10
2 15
2 20
3 0
3 5
3 10
3 15
3 20
4 0
4 5
4 10
4 15
4 20
5 0
5 5
5 10
5 15
5 20
ESPACIO PARA APUNTES