Tarea 3.

Apellidos:
Carrera: Tecnología superioren Electromecánica
Nombres:an aluga
Nivel:
Asignatura: Electrónica básica NRC: 10634
Tema: Características y parámetros de los MOSFET.
1. Qup es un MOSFET^

.......

2. Un mosfet difiere de un JFET principalmente:

El |EET tiene una unión pn
Porque el MOSFET tiene dos compuertas
Porque los MOSFET notienen cabal físico
Debido a la capacidad depotencia
3. Cuáles son los dos tipo básicosde MOSFET.
NPN y PNP
De conducción y de bloqueo
Enriquecimiento (E) empobrecimiento (D).
4. E! E-MOSFET opera
sólc en ei modo de enriquecimiento
sóloen el modo de empobrecimiento.
solo en región óhmica
en los modos enriquecimiento y empobrecimiento.
5. Indique los símbolos esquemáicos del E-MOSFET identificando los terminales (Drenaje, compuerta y
fuente) Denaye Diengye

6. El D-MOSFET opera
sóloen el modo de empobrecimiento.
soloen región óhmica
en los modos enriquecimiento y empobrecimiento.
sóloen el modo de enriquecimiento
los terminales (Drenaje, compuerta y
7. Indique los símbolos esquemáticos del E-MOSFET identificando
fuente)

fonle
Aenle
8. El D-MOSFET conduce corTiente en cl drenaje con voltajes de compuerta a fuente entre VGS(Corte) y
Cero.

En clmodo de enriquccimicnto
En región ohmica
En el modo de empobrecimiento.

9. El D-MOSFET con un voltaje positivo en la compuerta, incremcnta la conductividad

Enel modo de empobrecimiento.
En región óhmica
Enel modo de enriquecimiento

10. Determine VGS yVDS para elcircuito E-MOSFET en la figura.

Considereque este MOSFET particular tiene valores mínimos de ID(encendido) 200 mA conVGS 4 V
y VGS(umbral) 2 V.

+24 V

Rp
200 2
109 k!

R
15 k2

TD-K(VGs-VGs(umbo/
CV6S-V65. -(Smdhoe)(3.1B\-2v)

Us: I,2/