INFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO ELECTRÓNICA
PROGRAMA DE INGENIERÍA BIOMÉDICA
Polarización Mosfet
Nicoll Saray Casanova Clavijo - 5600505
David Santiago Sanchez - 5600457
Mariana Bolivar Matiz - 5600447
Resumen
En el proceso de la práctica se realizaron cinco circuitos los
cuales fueron planteados por el docente, estos circuitos son
de transistores MOSFET, en los cuales se podían evidenciar
las características del transistor en diferentes tipos de
polarización y su capacidad al realizar trabajos como
amplificador. El diseño de estos circuitos se realizó en los
softwares de Multisim, Proteus y Tinkercad.
PALABRAS CLAVE: MOSFET, polarización,
Transistor,
ABSTRACT: In the process of the practice five circuits were
made which were proposed by the teacher, these circuits are
of MOSFET transistors, in which the characteristics of the
transistor in different types of polarization and its capacity to
perform work as an amplifier could be evidenced. The design
of these circuits was carried out in Multisim, Proteus and
Tinkercad software.
KEYWORDS: MOSFET, transistor, polarization
I. Introducción
Podemos decir que un transistor es un dispositivo
semiconductor que se compone de 3 capas, una de material
tipo n y dos de material tipo p (transistor tipo PNP) o de dos
capas tipo n y dos de tipo n (transistor NPN)
Figura 1: Transistor BJT
Es importante tener en cuenta el transistor de efecto de
campo, mejor como FET, y el transistor de efecto de campo
de
metal óxido semiconductor llamado MOSFET. Se
caracterizan por ser dispositivos unipolares, es decir no
depende solo de la conducción que hacen los electrones
(se da en el canal N), sino que también de la conducción
en los huecos (canal P).
Además, cabe resaltar que los MOSFET a diferencia de
los transistores BJT tienen una impedancia alta en la
entrada, generando una menor ganancia de voltaje con
referencia a los BJT, no es de unión bipolar entre sus
terminales (el diodo), y no necesita los 0.7V para iniciar
su funcionamiento. Añadiendo que es más estable en
cuanto a la temperatura aplicada.
Se diferencia porque consta de 3 terminales que como
se observa en la figura 2 una se denomina G (gate), D
(drain) y S (source). El voltaje umbral que tiene este
mosfet de enriquecimiento es mayor a 0V.
De igual manera, sus terminales son Gate, Drain y
Source, con la diferencia es que tiene un voltaje umbral
menor a 0V. Además, los transistores de efecto de
campo se caracterizan por tener regiones donde se
comportan de manera diferente.
Figura 2. Mosfet de enriquecimiento y
empobrecimiento
Teniendo en cuenta los conceptos consultados y sus
aplicaciones en investigaciones se establecen como objetivos
experimentar y familiarizarse con algunas características
funcionales de los MOSFET para así diseñar un circuito
donde se apliquen los conocimientos vistos en la teoría sobre
la polarización de transistores de efecto campo
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II. Materiales y Métodos

Gracias a los valores adquiridos en la Tabla 1 podemos hallar
El montaje se hizo teniendo en cuenta las características de
IDS(on), VGS(on), VTh y K mediante los análisis
cada uno de los componentes usados y su organización. El
matemáticos requeridos para obtener los cálculos necesarios
primer circuito realizado se encuentra compuesto por dos
con las ecuaciones planteadas en clase teórica.
fuentes de voltaje, una resistencia y un transistor MOSFET
tipo N. Una de estas fuentes es variable, esto permite que su
voltaje se pueda variar y de esta manera poder conseguir los
datos solicitados en la guía.
Para el circuito 2 se usaron 5 resistencias y dos capacitores,
el valor de VDD es de 10 V, el de VDD 5 V, R2=50K, y a
RD se le puede dar un valor entre 470 y 560. De igual
manera, se usa un osciloscopio conectado a la resistencia
RL a la cual se le da el mismo valor de RD.
En el circuito número 3, a la fuente VDD se le da un valor
de 15V, a la resistencia RD = 470Ω, Zi es de 500KΩ, VD =
7.5V y VG 5V. Además, se pone un osciloscopio conectado
a RL que tiene el mismo valor de RD; se acoplan dos
capacitores. En el siguiente montaje, VDD toma valor de
10V, y se varía el valor de RD hasta que VD tome un valor
de 2.5V. Gráfica 1. curva característica (VGS vs A)
Por último, se crea un driver motor DC sencillo, en el cual
se varía el valor de RG el cual va conectado a un transistor,
generado que el motor gire dependiendo del valor que se
proporcione en RG,
Vth= 2.732
III. Análisis de resultados
IDS= 9.8mA
Podemos observar en la tabla 1 donde se compara VGS y A 9.8𝑚𝐴
que hay una curva exponencial con respecto a VGS y en A no 𝑘= (3.5−2.732)
= 0. 01225
varía ya que la corriente siempre va a ser la misma con
excepción de cuando el circuito esté apagado.

Figura 1. Circuito curva característica en Multisim.

Tabla 1. Circuito Curva Característica

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IV. Polarización Mosfet A f=1/(2π*RC)=1/(2π*Zi*C)

Se realizó un circuito de polarización A donde se debe hallar Zi=(R1*R2)/(R1+R2 )

R1 utilizando un análisis AC, para la elaboración del circuito
con los capacitores hallando su impedancia y ganancia de Zi=(93kΩ*50kΩ)/(93kΩ+50kΩ)
voltaje con el osciloscopio.
Zi=33kΩ

Siendo la frecuencia 400 mHz

C1=1/(2π*Zi*f)

C1=1/(2π(33kΩ)*400mHz)

C1=12.2µF

Para el capacitor de Vo

Figura 2. Simulación Polarización Mosfet A C2=1/(2π*RD*f)

C2=1/(2π*470Ω*400mHz)

C2=0.84mF≈1mF =1000µF

Calculamos k con los valores que tenemos

K=(ID_on)/(〖(VGS〗_on-Vp)^2 )=9.8mA/((3.54V-2.73〖
V)〗^2 )=9.8mA/((0.81)^2 )=0.015 mA/V^2

Transconductancia
Figura 3.Montaje Polarización Mosfet A
Gm=2(0.015)(3.54V-2.73V)
Datos que nos dan:
Gm=2(0.059)(0.81V)
● VDD=10V
● R2 = 50kΩ Gm=0.024ms
● RD = 470Ω
Ganancia de Voltaje
Datos que nos piden:
Av=-(0.024ms*470Ω)
● R1 = ?
● Av = ? Av=-11.42
● f=?
● C_1= ? V. Polarización Mosfet B
● C_2= ?
Se realizó el montaje del circuito en Multisim teniendo en
VGS(R_1+R_2 )=R_2*VDD cuenta los valores hallados de VD y K.

(VGS*R1 )+(VGS*R2)=R2*VDD

(VGS*R1 )=R2*VDD-VGS*R2

R1=(R2*VDD-VGS*R2)/VGS

R1=(50kΩ*10V-3.544V*50kΩ)/3.544V

R1=93kΩ
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VDS=VDD-IDRD-IDRS

VDS=VDD-ID(RD+RS)

Zi=(R1*R2)/(R1+R2 )

Zo=RD

Zo=RD

Gm=2K(VGS-Vp)

Av=Vo/Vi=-Gm*RD

Figura 4. Simulación Polarización Mosfet B ID=K(VGS-Vp)^2

ID=K*〖VGS〗^2-2K*VGS*Vp-KVp^2

Se despeja VGS

VGS=√(ID/K)+Vp

Se halla ID

ID=VD/RD=(7.5V )/470Ω=0.015A

Se halla la fórmula de R1

VGS=(R2*VDD)/(R1+R2 )
Figura 5. Montaje Polarización Mosfet B
VGS(R1+R2)=R2*VDD
Datos que nos dan:
R1=2R2
● VDD = 15V
● RD = 470Ω Hallamos R2 (Usando la impedancia de entrada)
● Zi = 500kΩ
● VD = 7.5V Zi=1/(1/(2R_2 )+1/R_2 )
● VG = 5V
Zi=(2R_2)/3
Datos que nos piden:
500kΩ=(2R_2)/3
● R1 = ?
● R2 = ? R2=((500kΩ) 3^3)/2=750kΩ
● RS = ?
Hallamos R1 con la fórmula anteriormente encontrada
Malla De Entrada R1=2R2

VGS-VG+ID*RS=0 R1=2(750kΩ)=1M5Ω

VGS=VG-ID*RS Siendo Vp y K calculado previamente:

VGS=(R_2*VDD)/(R_1+R_2 ) Vp=2.7 V

Malla De Salida K=(ID_on)/(〖(VGS〗_on-Vp)^2 )=0.000039A/((3.54V-2.73

〖V)〗^2 )=0.059 mA/V^2
VDD-IDRD-VDS-IDRS=0
Se reemplaza para hallar VGS
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VGS=√(0.015A/(0.059 mA/V^2 ))+2.7V=3.23V

Se despeja RS en la malla de entrada

3.23V=5V-0.015A*RS

RS=(3.23V-5V)/(-0.015A)=(-1.77V)/(-0.015A)=1.77V/0.015
A=118Ω

Se halla VDS

VDS=15V-0.015A(470Ω+118Ω)

VDS=15V-7.05V-1.77V
Figura 7. Polarizacion Mosfet C
VDS=6.18V
Datos que nos dan:
Transconductancia
VDD = 10V
Gm=2(0.059)(3.23V-2.7V)
VD = 2.5V
Gm=2(0.059)(0.53V)
Datos que nos piden:
Gm=0.062ms
RD = ?
Ganancia de Voltaje
Av = ?
Av=-(0.062ms*470Ω)
Malla De Entrada
Av=-29.14
-VDD+IDRD+VDS=0
VI. Polarización Mosfet C
Malla De Salida
En este circuito se realizó el procedimiento para hallar RD,
utilizando este para poder obtener VD el cual debe ser 2.5V VDD-VGS-VD = 0

VGS = VDD-VD

Gm = 2K(VGS-Vp)

Av = Vo/Vi= -Gm*RD

ID = K(VGS-Vp)^2

Reemplazar en la ecuación de malla de salida

VGS = 10V-2.5V = 7.5V

Se halla RD despejando la malla de entrada

RD = (VDD-VDS)/ID

RD = (10V-2.5V)/9.8mA

Figura 6. Simulación Polarizacion Mosfet C RD = 7.5V/(9:8mA) = 765Ω

RD = 765Ω
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Transconductancia

Gm=2(0.059)(7.5V-2.7V)
% del Porcentaje de error ID
Gm=2(0.059)(4.8V) 0% 0
Gm=0.56ms 10% 0

Ganancia de Voltaje 20% 0

Av = -(0.56ms*756Ω) 30% 0,25

Av = -4.28 40% 0,74

50% 0,77

VII. Driver Motor DC 60% 0,79

70% 0,79

80% 0,8

90% 0,8

100% 0,8

Tabla 2. Driver Motor DC

Se puede observar que desde 0% hasta 20% la corriente
de drain es constante, a partir de 30% hay un crecimiento
exponencial hasta 60% ahí vuelve a ser constante solo
hasta 80% en el cual el valor de la corriente no cambia y
sigue siendo el mismo en 100%.
VIII. Conclusiones
● La polarización para transistores MOSFET de
enriquecimiento se da por voltaje al ser una
Figura 8. Proteus Motor DC fuente de corriente controlada por voltaje, a
diferencia del transistor BJT que es una fuente
de corriente controlada por corriente.
● Mediante la polarización universal (circuito de
polarización B) Se encontró que es una
polarización estable y ayuda a asegurar los
valores de impedancia, ganancia y voltajes en
los terminales del transistor.
● En el último circuito (circuito del motor), se
evidenció el control de corriente de salida a
partir del voltaje de Gate, ya que según se
variaba el voltaje de Gate, se aumentaba o
reducía la frecuencia del motor

Figura 9. Montaje Driver motor DC

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IX. Referencias
[1] “Diferencia entre Los Transistores
NPN y PNP.”
http://www.learningaboutelectronics.com/A
rticulos/Diferencia-entre-tran

[2] Angie Julieth Valencia Castañeda

(2020) recuperado de:
https://drive.google.com/file/d/1nKjU2woaFyRU
gR305 Tw6Ps0OwC2QLOjc/view

[3] R. Boylestad y L. Nashelsky. Teoría de

circuitos y dispositivos electrónicos. 10 ed.
Estado de México: Pearson educación, 2009.

[4] “Transistores mosfet configuracion y

polarizacion.”
https://es.slideshare.net/JCCG_1/transistore
s-mosfet-configuracion-y-polarizacion (accessed
Sep. 03, 202

[5] “El Transistor MOSFET – Electrónica

Práctica Aplicada.”
https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-tr
ansistor -mosfet (accessed Sep. 03, 2020).