SEMESTRE 1_2019 TRANSISTORES MOSFET

FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
SOLUCIÓN CUESTIONARIO DE TRANSISTORES MOSFET

Profesora: CLEVIS LOZANO

IMPORTANTE: ​Tomando en cuenta ​únicamente las siguientes referencias (libros),

resuelva cada una de la preguntas del cuestionario de forma clara y precisa.

1. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS, THOMAS FLOYD, 8ª EDICIÓN.

2. ANÁLISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS, DONALD NIEMEN.

NO SE ACEPTAN ​DEFINICIONES COPIADAS DEL INTERNET​, SE DEBE RESPONDER

CON SUS PROPIAS PALABRAS.
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DESARROLLE LAS SIGUIENTES PREGUNTAS SOBRE TRANSISTOR MOSFET

1. ¿Qué es un transistor MOSFET?

El MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es otra

categoría de transistor de efecto de campo. El MOSFET, diferente del JFET, no tiene una
estructura de unión pn; en cambio, la compuerta del MOSFET está aislada del canal
mediante una capa de bióxido de silicio (SiO2).

2. ¿Cuáles son sus modos de operación del MOSFET?

Los dos tipos básicos de MOSFET son el enriquecimiento (E) y el de empobrecimiento (D).

3. Explicar que es el modo de enriquecimiento del MOSFET.

El Mosfet modo de enriquecimiento, no tiene ningún canal estructural. Observe en la figura

8-34(a) que el sustrato se extiende por completo hasta la capa de SiO2. Para un dispositivo
de canal n, un voltaje positivo en la compuerta por encima de un valor de umbral induce un
canal al crear una delgada capa de cargas negativas en la región del sustrato adyacente a
la capa de SiO2, como muestra la figura 8-34(b). La conductividad del canal se incrementa
al incrementarse el voltaje de compuerta a fuente y, por lo tanto, atrae más electrones hacia
el área del canal. Con cualquier voltaje en la compuerta por debajo del valor de umbral, no
existe ningún canal.

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4. Explicar que es el modo de empobrecimiento del MOSFET.

El MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET); la figura 8-36 ilustra su estructura básica. El

drenaje y la fuente se difunden en el material del sustrato y luego se conectan mediante un
canal angosto adyacente a la compuerta aislada. En la figura se muestran tanto dispositivos
de canal n como de canal p. Se utilizará el dispositivo de canal n para describir la operación
básica. La operación de canal p es la misma, excepto porque las polaridades del voltaje se
oponen a las del canal n.

El D-MOSFET puede ser operado en cualquiera de dos modos: el modo de

empobrecimiento o el modo enriquecimiento, por ello también se conoce como MOSFET de
empobrecimiento/enriquecimiento. Como la compuerta está aislada del canal, se puede
aplicar en ella un voltaje positivo o un voltaje negativo. El MOSFET de canal n opera en el
modo de empobrecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de compuerta a fuente, y en
modo de enriquecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de compuerta a fuente. Estos
dispositivos en general se operan en el modo de empobrecimiento.

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5. Cuál es la diferencia ​estructural​ entre un MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET)

de canal ​n y​ uno de canal ​p.​

El E-MOSFET opera sólo en el modo de enriquecimiento y no tiene modo de

empobrecimiento. Difiere en cuanto a construcción del D-MOSFET, en que no tiene ningún
canal estructural. ​El canal de sustrato entre el drenaje y la fuente es de material tipo n y el
sustrato de material tipo p para los Mosfet canal n y lo contrario para los de canal tipo p.

6. Cuál es la diferencia estructural entre un MOSFET de empobrecimiento

(D-MOSFET) de canal ​n y​ uno de canal p
​ .

El canal de sustrato entre el drenaje y la fuente es de material tipo n y el sustrato de

material tipo p para los Mosfet canal n y lo contrario para los de canal tipo p.

7. ¿Cuál es el papel del substrato en un MOSFET? (Referente al efecto cuerpo)

El parámetro de umbral grueso o efecto cuerpo se relaciona con las propiedades del
dispositivo y es por lo regular del orden 0.5V​1/2. ​Se presenta generalmente en circuitos
integrados donde hay más de un dispositivo compartiendo el mismo sustrato. Para
dispositivos canal n, el sustrato tipo p es común a los dos transistores, y el drenaje de M1 es
común a la fuente de M2. Cuando los dos transistores están conduciendo, hay un voltaje
drenaje-fuente diferente de cero, sobre M1, lo que significa que la fuente de M2 no está al
mismo potencial que el sustrato. Estas condiciones de polarización significan que un voltaje
cero o de polarización inversa se presenta a través de la unión pn fuente-sustrato, y un
cambio de voltaje en la unión fuente-sustato cambia el voltaje de umbral. La misma
situación se produce con los dispositivos de canal tipo p.

8. De acuerdo a las curvas características de transferencia del E-MOSFET de la figura

1, responda:
a. A qué valor de V​GS​ se activa o conduce el E-MOSFET canal n.

+ V​GS Umbral
​

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b. A qué valor de V​GS​ se activa o conduce el E-MOSFET canal p.

- V​GS Umbral
​

c. Valor de I​D​ cuando V​GS​ = 0.

I​D =
​ 0

d. La ecuación para la curva de característica de transferencia parabólica del

E-MOSFET

e. De donde se obtiene la constante K

La constante K depende del MOSFET particular y se determina con la hoja

de datos, tomando el valor especificado de ID, llamado ID(encendido), al
valor dado de VGS

9. De la figura 2, responda:
a. Las 3 regiones de operación del MOSFET son?

Triodo o región óhmica, saturación y corte.

b. Indique la condición de frontera entre la región óhmica y de saturación, o sea

el valor de V​DS​(sat).

V​DS (sat)
​ = V​GS ​ - V​Th

c. Condición para que el transistor esté en la región de óhmica o triodo.

V​DS <
​ V​DS (sat)
​

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​ urvas de la característica de transferencia general de un E-MOSFET.

Figura 1​. C

Figura 2. Curvas características de salida del E-MOSFET

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