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Abstract—En esta práctica de laboratorio se tiene como propósito el

uso de previos conocimientos en los circuitos electrónicos obtenidos en
las clases teóricas, enfatizando en el uso de los transistores MOSFET..
En práctica se utilizan transistores IRF840 y un motor DC, y del respec-
tivo circuito se miden los voltajes y corrientes respectivas cuando se
ajustan Trimmers; para ver como trabaja en la zona de saturacion, y
por ultimo se empieza a funcionar el motor. Se realizan las respectivas
simulaciones en el software Multsisim y Proteus; junto con las curvas
características del transistor basadas en los resultados obtenidos.

Index Terms—mosfet, polarización, efecto campo.

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POLARIZACION MOSFET
Diego Torralba Cárdenas - u5600073@unimilitar.edu.co

1 I NTRODUCCION 3 M ETODOS
Lea la hoja de datos (datasheet) de los transistores a
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
utilizar y halle las Variables principales.
o MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o con-
Realice el circuito de la figura 1. Variar V1 desde cero
mutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en
y registre los valores De VGS, VDS, IDS, en una tabla hasta
la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos
que el transitar se sature VDS ≈ 0v. e Id no cambia. Grafique
o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho
la curva obtenida.
más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales están basados en tran-
sistores MOSFET. El MOSFET es un dispositivo de cuatro
terminales llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain),
puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sus-
trato generalmente está conectado internamente al terminal
de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispos-
itivos MOSFET de tres terminales. En el presente trabajo
se busca familiarizar y experimentar algunas características
funcionales de los MOSFET y así poder comprender y
analizar el funcionamiento de algunos transistores FET y así
Figura 1. Circuito para la curva caracteristica.
desarrollar prácticamente los conceptos teóricos adquiridos
respecto a este componente. • De los datos obtenidos Calcule IDS (on), VGS(on), VTh,y
k. y compare con los Proporcionados por el la hoja de datos,
recuerde que la ecuación da la curva característica es:
Id = k(V gs − V th)2 (1)
•Analice teóricamente las configuraciones que se van a
montar en el laboratorio (Figura 2, 3 y 4). Análisis de malla
de entrada y malla de salida,
•Para el circuito de la figura 2: Si VDD =10 V y
VD= VDD/2 R2=50k, RD=470 a 560 ohm, hallar R1, ¿Cuál
es la impedancia de entrada Zi? Colocar capacitores de
Figura 1. Representacion transistores de efecto de acoplamiento y hallar la ganancia de voltaje del circuito
campo con el osciloscopio, conectar una resistencia de carga RL del
mismo valor de RD, Determinar la ganancia de voltaje, ¿Qué
ocurre con la ganancia de voltaje?

2 M ATERIALES
Descripcion Cantidad Unidad
Transistores IRF840 5
Resistencias de valores calculados Ohm
Motor DC 1 Nm
Figura 2. Circuito de polarizacion A
Multimetro(amperimetro) 1 A
Multimetro(Voltimetro) 1 V Para el circuito de la figura 3: Si VDD =15 V, Rd=470Ω,
Fuente de voltaje 1 v hallar R1, R2, Rs. para que VD = VDD/2, VG= VDD/3 y
Cables de conexion 12 Zi = 500k Ω. Colocar capacitores de acoplamiento y hallar
Caimanes la ganancia de voltaje (Av) del circuito con el osciloscopio,
Protoboard conectar una resistencia de carga RL del mismo valor de
RD, Determinar la ganancia de voltaje, ¿Qué ocurre con la
Tabla 1. Materiales e implementos a usar en la practica ganancia de voltaje?
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el punto de corte; obtuvimos la siguiente tabla con los

resultados mas destacados.
Vgs(V) Vds(V) Id(mA)
3 10 0403nA
3.1 9.95 507nA
3.2 9.74 507nA
3.3 8.9 1mA
3.4 8.5 1.5mA
3.5 8 2.09mA
Figura 3. Circuito de polarizacion B 3.6 7.8 4.69mA
3.7 7.66 8.29mA
Para el circuito de la figura 4: Si VDD =10 V halle el valor 3.8 5.86 12.9mA
de RD para que el transistor se polarice con VD = 2.5V. 3.9 3.57 14.6mA
Determinar la ganancia de voltaje.
Tabla 2. Datos significativos, en adquisicion de curva
caracteristica.
Ahora teniendo Id(on), Vgs(on) y despejando la ecuacion
de schoclkey, que es la cuacion 1; de la siguiente manera ya
obtenemos k, que es la otra variable que necesitamos.
Id = K(V gs − V th)2 (1)
despejando obtenemos:
Id
K = (V gs−V th)2
Figura 4. Circuito de polarizacion C (8.77mA)
K = (3.4V −5.41V )2
Desarrolle un driver sencillo para el manejo de un motor K = 0.102A/V 2
DC (ver Figura 5) y determine cómo se comporta el motor al V p = 3.4v
cambiar el valor de RG. Registre valores importantes. Nota:
Tenga en cuenta usar un motor de baja corriente para que 4.2 Montaje A
funcione adecuadamente el circuito.
Ahora para el montaje 2, se realizo e montaje de la figura 7
a continuacion

Figura 7 Simulacion montaje 2, por medio de Multisim.

Figura 5. Driver motor DC
Para hallar el valor de R1 despejamos la ecuacion de
Schoclkey de la siguiente manera
4 DATOS Y ANALISIS DE RESULTADOS Id = K(V gs − V th)2
Id 2
4.1 Montaje para curva caracteristica qk = (V gs − V th)
Id
= V gs − V th
Primero se hizo la simulacion del primer montaje, obte- k q q
niendo el resultado que se en la figura 6. V gs = Id K + V th =
8.77mA
0.102
Vgs=0.293V
Ahora para hallar el valor de la resistencia usamos la
ecuacion 2, sacada a partir del analisis de mallas para esta
configuracion:
R2V dd
V = (R1+R2) (2)
R2V dd
R1 = V g − R2
R1=83.4KOhm pero se reduce a 79.8K con el fin de que
de el voltaje deseado.
Figura 6 Simulacion primer montaje con el software
Ahora se procede a calcular la impedancia de entrada
Multisim
del circuito, con la siguiente formula 3
De este hicimos el montaje real y tuvimos que variar Vgs Zi = R1 || R2 (3)
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hasta que Vds aproximadamente 0 e Id fuera aproximada- Zi = 1 1
198.77KOhm + 50KOhm
mente 20mA; buscando entre la alternancia del voltaje hallar Zi= 39.95KOhm
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4.3 Montaje B

Ahora para el tercer montaje se hizo su respectivo montaje

y su simulacion.

Figura 10 Montaje con motor DC por medio de Multi-

sim
Figura 8. Montaje B con Mulstisim
Obteniendo los siguientes datos con la simulacion
Hallando R1, R2 Y RS. Usando las siguientes ecuaciones y Id= 0.65A
sus respectivos despejes. Vd=5.0V
Vg=2.75V
V gs = V2p = −2V
Id ∗ Rs = 7v
7V
Rs = 15.95mA = 300Ω 5 C ONCLUSIONES
Vds=0.3V 1) 1. Se pudo realizar las mediciones en los circuitos
R1R2
Zi = R1+R2 = 500KΩ con transistores de efecto de campo de este laborato-
Z1R1 rio, haciendo ver las diferencias que existen en Vds
R2 = R1+Z1 = 750kΩ
R2V cc
e Id al variar el voltaje VGS, determinando que son
Vg = R1+R2 = R1 = 1.5M inversamente proporcionales; y que efectivamente
se comportan como se ve en su curva caracteristica
2) Cuando utilizamos la configuración de polarización
4.4 Montaje C automática (por divisor de voltaje), podemos asumir
que la corriente de la compuerta G es 0 (cero)
Ahora se procede a hacer el montaje c el cual solo consta de ampere, ya que así permitimos un aislamiento entre
una resistencia, su despeje para hallar Rd por medio de un la red de divisor de voltaje y la sección de salida.
Vd de 2.5V es: 3) El punto de operación centrado de este transistor
V DS(on) = 2.5V proporciona un mejor funcionamiento del transistor
ID(on) = 75mA al poder soportar más tensión y así no saturarse tan
RD = V dd−V ds
= 10v−2.5v rápido, otra ventaja que tiene sobre el transistor BJT.
Id 75mA = 100Ω
RD=100Ω 4) 4. Concluimos a grandes rasgos que el compor-
tamiento de los transistores MOSFET se basa en la
ahora debemos hallar la ganancia de voltaje de la sigu-
tensión aplicada entre gate y source, la cual pro-
iente manera:
ducirá una conducción de corriente entre drain y
Av = VV oi = source hasta que el dispositivo se sature.
Idss= 250μA
Por tanto su simulacion queda de la siguiente manera:
6 B IBLIOGRAFIA
[1]BOYLESTAD Robert L y NASHELSKY L. Teoría de Cir-
cuitos y Dispositivos Electrónicos.10 ed. Estado de México:
Pearson Educación, 2009.p. 1-49.
[2] DONALD Neamen, A. Dispositivos y circuitos elec-
trónicos. 4 ed. New York: McGraw-Hill,2010.p.30
[3] SEDRA Abel y Smith Kenneth. Circuitos Microelec-
tronicos,4ed.Mexico: Oxford University Press,1999.p.139-
217.

7 A NEXOS
Figura 9. Circuito de polarizacion C con Multisim

4.5 Montaje Driver para motor

Para este montaje se tomo un potenciometro de 10k, y un

motor dc, como vemos en la simulacion de la figura 10