Circuitos Electrónicos II

El transistor MOSFET

El Dióxido o Bióxido de Silicio SiO 2 es un tipo particular de aislante conocido como dieléctrico
que ocasiona campos eléctricos (Como se indica por el prefijo Di) dentro del dieléctrico, cuando se
expone a un campo externamente aplicado. Como SiO2 es un aislante revela que no existe conexión
eléctrica directa entre el terminal de la compuerta y el canal del MOSFET, además de una alta
impedancia de entrada del dispositivo. También reciben el nombre de Compuerta aislada (IG-FET) se
clasifican en Decremental e Incremental.

MOSFET TIPO DECREMENTAL o EMPOBRECIMIENTO

Tiene características similares al transistor JFET entre las regiones de corte y saturación en I DSS,
pero tiene el aumento de rango adicional que se extienden hacia la región de polaridad opuesta para
VGS, es decir, opera para valores de tensión positivos y negativos, lo cual circulará valores mayores de
IDSS que es el máximo valor para el transistor JFET. Observe su representación y su símbolo eléctrico.
Denote los terminales del dispositivo. Para su funcionamiento ver video del JFET.

Ejercicios:

1. Para un Mosfet canal P, tipo empobrecimiento con un características VGSOFF = 4V, IDSS = 6 mA.
Determinar la intensidad de corriente de drenaje ID a valores de voltaje VGS:
a) VGS = -2 V b) VGS = 5 V c) VGS = 0 V

2. Representar las curvas de entrada y salida para un Mosfet canal N, tipo empobrecimiento con
valores característicos VGSOFF = 5V, IDSS = 12 mA; aplicando valores arbitrarios a su ecuación
ID. (5%)
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MOSFET TIPO INCREMENTAL o ROBUSTECIMIENTO

Este dispositivo se diferencia del anterior es su estructura observe la siguiente figura, los tres
terminales se encuentran aislados, habrá conexión entre el drenaje y la fuente cuando exista una tensión
umbral VT (Voltaje Threshold, encendido) que producirá la creación del canal entre dichos terminales,
para su funcionamiento ver video del JFET. Denote los terminales y tipo del dispositivo en el esquema
siguiente.

Por lo general, el valor k se toma 0,3 mA/V2, es una propiedad de la construcción del dispositivo.

Ejercicios:

1. Para un Mosfet canal N, tipo robustecimiento con un voltaje umbral V T = 2,5V, k = 0,3 mA/V2.
Determinar la intensidad de corriente de drenaje ID a valores de voltaje VGS:
a) VGS = 4 V b) VGS = 6 V c) VGS = 25 V

2. Representar las curvas de entrada y salida para un Mosfet canal P, tipo robustecimiento con
valores característicos VT = 3,5V, k = 0,3 mA/V2; aplicando valores arbitrarios a su ecuación ID.
(5%)