Redes de Polarización Del BJT Y DEL EMOSFET

UNIVERSIDAD PEDAGÓGICA Y TECNOLÓGICA DE COLOMBIA
SEDE SECCIONAL SOGAMOSO

ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA II
Redes de polarización del BJT Y DEL EMOSFET
Nombre Código
Daniel Mauricio Acevedo Jimenez 201720900
Juan Carlos Piñeros Pérez 201710340
1. Objetivos Dependiendo de la ubicación del punto de

* Diseñar y simular redes de operación QDC sobre la recta de carga, se
polarización para transistor BJT y concluye que:
para el transistor EMOSFET. * Si Q𝐷𝐶 se encuentra entre 0.85 y 1,
* Observar el comportamiento de cada el transistor esta en corte (V𝐶𝐸 =
red de polarización en relación con V𝐶𝐸 (corte)).
los cambios de temperatura. * Si Q𝐷𝐶 esta entre 0.25 y 0.85, el
* Comparar el desempeño de las redes transistor se encuentra en saturación
de polarización entre si, frente a (V𝐶𝐸 = 0).
cambios de temperatura de * SI Q𝐷𝐶 esta entre 0.25 y 0.85, el
operación. transistor esta en la región activa
directa.
2. Materiales y equipos
* Un computador con Orcad instalado. Cuando el transistor se usa para amplificar señales se
* Modelos PSpice de los transistores deben tener en cuenta los efectos por los cambios en
la temperatura de operación del transistor. La
de pequeña señal 2N7000, BS250P,
corriente I𝐶𝑂, el voltaje V𝐵𝐸 y la ganancia βF
2N2222, 2N3904, o similares
dependen de la temperatura. Las redes de polarización
son circuitos encargados de aplicar energía al
3. Introducción transistor para establecer ciertos niveles fijos de
voltajes y corrientes, y garantizar, hasta cierto grado,
Transistor BJT que el punto Q𝐷𝐶 permanezca fijo frente a cambios
en la temperatura. Sin embargo no todos los métodos
El transistor de juntura bipolar (en ingles de polarización del transistor proporcionan las
bipolar junction transistor BJT) se usa mismas ventajas.
principalmente con el propósito de amplificar Lo mencionado aquí para el BJT NPN, aplica también
señales o servir como interruptor. En la para el BJT PNP, pero se debe tener cuidado con
mayoría de aplicaciones, este transistor puede las polaridades y direcciones de las corrientes. El
operar en tres regiones: activa directa, corte y objetivo general es, sin exceder la potencia máxima
que puede manejar el transistor BJT, diseñar algunas
saturación.
redes de polarización que permitirán establecer el
En el caso de un transistor BJT NPN, el punto
punto Q𝐷𝐶 dentro de la región lineal mostrada en la
Q𝐷𝐶, también llamado punto de reposo, en Figura 1 y comparar las prestaciones de estas redes de
inglés «quiescentpoint », se puede definir por polarización.
la siguiente expresión :
ELECTRÓNICA II
con ID(on) (corriente de encendido), VGS(on) (voltaje de

encendido) y VGS(th) (voltaje umbral). Estos valores se
pueden obtener de la hoja de datos.
Debido a la capa de óxido en la compuerta del
dispositivo EMOSFET, se puede asumir que IG = 0 si
VGS ≤ VGST ó VGS >VGST.
Transistor EMOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-
semiconductor mejorado (en inglés Enhancement
mo-de Metal–Oxide–Semiconductor Field-Eﬀect
Transistor o EMOSFET) de canal N basa su
funcionamiento en la aplicación de un voltaje VGS
mayor que el voltaje umbral VGST > 0 en la compuerta Como en el caso del BJT, una red de polarización
(a diferencia del transistor JFET de canal N) para inyecta energía al transistor EMOSFET para
controlar la corriente de drenaje ID. Tiene tres sostenerlo en un punto de trabajo y garantizar
terminales ( a veces cuatro terminales) denominadas inmunidad fren-te a cambios de temperatura. La
compuerta (G), drenaje (D) y fuente (S). Opera en tres estabilidad del punto de trabajo implica reducir las
regiones de trabajo: óhmica, de saturación y de corte, variaciones de la corriente de drenaje ID frente a
Figura 2. En aplicaciones de amplificación el variaciones en los parámetros del transistor. No todas
transistor debe estar operando en la región de
las redes de polarización que se construyen para otros
saturación. En esta región,
tipos de FET se aplica para el caso del EMOSFET.
Para este transistor dos redes de polarización son muy
populares: polarización por realimentación de
drenaje y polarización por divisor de tensión.
si VDS VGS VGST y VGS > VGST , donde K es la
transconductancia del MOSFET y se puede calcular Polarización por divisor de tensión Considerar la
como: Figura 3. Dado que IG = 0, resulta
ELECTRÓNICA II
4. Procedimiento
Observación. Se recomienda leer en su totalidad la
presente guía antes de iniciar la práctica de
laboratorio, para garantizar el éxito de la práctica y la
correcta presentación de los resultados. Se aconseja
Si se conocen ID y VDS es fácil determinar el resto de también consultar [3, 4, 5, 6, 7, 8]. Para realizar los
valores.
diseños asumir los valores que sean necesarios, pero
que sean prácticos.
4.1. Polarización del transistor BJT
Si el último dígito del código del primer integrante del

grupo en la lista del profesor es impar, trabajar con un
transistor NPN. Si el último dígito del código del
primer integrante del grupo en la lista es par, trabajar
con un transistor PNP.
Tomamos como referencia el transistor PNP ya que
en nuestro caso termina con un 0, por lo que el
transistor a trabajar será un PNP.
4.1.1. Polarización fija
Teniendo en cuenta la red de polarización de la
El punto de operación está determinado por la terna Figura 4, diseñar el circuito de tal forma que el punto
(IDQ, VDSQ, VGSQ). Por la misma razón que IG = 0, la 𝑥1
potencia disipada en el transistor es PD = IDQVDSQ en de operación valga 0,4 + 0. , donde x1 el último
4
el punto de operación. dígito del código del segundo integrante del grupo en
la lista del profesor.
Lo mencionado en los párrafos anteriores es válido
para el transistor EMOSFET de canal P. Pero se debe
tener cuidado con los signos de los voltajes y
corrientes.
Como en el caso del BJT, el objetivo es, sin exceder

la potencia máxima que puede manejar el transistor
EMOSFET, diseñar algunas redes de polarización
que permitirán establecer el punto QDC dentro de la
región de saturación y comparar las prestaciones de
estas redes de polarización.
ELECTRÓNICA II
En el informe incluir:
1. Los diseños realizados para la red de polarización.
2. Las gráficas de la simulación «Bias Point» en
Orcad del circuito diseñado, mostrando los valores
de voltaje y de corriente (voltaje colector-emisor,
voltaje base-emisor, voltaje base-colector,
corriente de colector y corriente de base). No
olvidar configurar βF en el modelo PSpice del
transistor que se va a usar, si es necesario. Para ello
seleccionar el transistor en el esquemático del
circuito, dar click derecho y seleccionar Edit
PSpice
Model. En la ventana que se abre modificar el

valor del parámetro Bf.
3. Las gráficas de la simulación «Transient» del
circuito, durante un segundo, para mostrar la Figura 5: Perfil de simulación.
corriente de colector IC y el voltaje VCE como
Cambiamos el transistor NPN a PNP
funciones del tiempo para n > 5 temperaturas.
Para esto, crear un perfil de
simulación y configurarlo como se muestra en la
Figura 5.
Figura 6: Transistor NPN y NPN

Por lo tanto, cambia la polarización del circuito
ELECTRÓNICA II
V𝐶𝐸𝑄 = 4.8 V
Usaremos un Transistor PNP Q2N3906
Suponemos un βF=250 a temperatura ambiente,
igualmente suponemos un RColector de 400Ω
R𝐶 = 0.4 KΩ
Ahora sustituimos R𝐶
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝑐𝑒𝑞
I𝐶𝑄 = 𝑅𝑐
Figura 7: Red de polarización fija con transistor PNP I𝐶𝑄 =(−12)−(−4.8)

400
Teniendo en cuenta la red de polarización, diseñar el I𝐶𝑄 = -18 mA

circuito de tal forma que el punto de operación valga
0,4 + 0,(x/4) , donde x el último dígito del código del Con la corriente Ic entrante en el colector sabemos
segundo integrante del grupo en la lista del profesor. I𝐶𝑄 −0.018
I𝐵𝑄 = =
𝛽𝐹 250
El digito de nuestro segundo integrante es 0
I𝐵𝑄 = -72 𝜇A
Por lo que el punto de operación Q será 0,4
Con la corriente igual a –72 𝜇A hallamos Rb
Q𝐷𝐶= 0,4
V𝐶𝐶−V𝐵𝐸
Se asume que el Voltaje de la Fuente V𝐶𝐶 sea de - R𝐵 =
I𝐵𝑄
12V y el Voltaje del Emisor Base V𝐸𝐵 sea de 0.7V
−12−0.7
R𝐵 =
βF=250 −72 μA
Planteando las ecuaciones de entrada y de salida R𝐵 = 176.388 Ω

tendríamos Como resultado tendríamos un circuito de la forma:
V𝐶𝐶 + R𝐶 Ic -V𝐶𝐸 = 0
V𝐶𝐶 + R𝐵I𝐵 -V𝐵𝐸=0
Para PNP
V𝐶𝐸(corte) Suponemos
I𝐶 ≈ 0
V𝐶𝐶 = V𝐶𝐸(corte) = -12 V
Con estos datos tenemos que
V𝐶𝐸𝑄 = Q𝐷𝐶 * V𝐶𝐸(corte)
Figura 8: Circuito de polarización fija con transistor
V𝐶𝐸𝑄 = 0.4 * (-12) Q2N3906
ELECTRÓNICA II
Simulación de corrientes:
No olvidemos configurar el βF en la simulación
Figura 11: Bias point de Corriente Q2N3906

Figura 9: Configuración del βF en la simulación. Bias Point.
Voltaje (Colector-emisor) = -4,744V
Simulación de Voltajes:
Figura 10: Bias point de Voltaje Q2N3906

Figura 12: Grafica de voltaje(colector-emisor)
Bias Point.
Figura 13:Tabla de datos Vce

ELECTRÓNICA II
Voltaje (Base - emisor) = -780mV Figura 16: Grafica voltaje(base-colector)
Figura 17: Tabla de datos Vbc

Corriente (Colector)= -18mA
Figura 14: Grafica de voltaje(Base – emisor)
Figura 15: Tabla de datos Vbe Figura 18: Grafica de Corriente (colector).
Voltaje (Base- colector) = 3,960V
Figura 19: Tabla de datos Ic

ELECTRÓNICA II
Corriente (Base)= -63.5 uA
Figura 20: Grafica de corriente(base)
Figura 23: Grafica de temperatura Ic

Vce (Voltaje Colector Emisor)
Figura 21: Tabla de datos Ib
Trazo Temperaturas
Ic (Corriente Colector)
Figura 24:Tabla de temperatura Vce

Temperaturas utilizadas
Verde: 0° = -5.2V
Figura 22: Tabla de temperatura Ic Roja: 18° = -5.06V
Temperaturas utilizadas: Azul: 25° = -4.99V

Verde: 0° = -16mA
Amarilla: 125° = -3.9V
Roja: 18° = -17mA
Azul: 25° = -18mA
Amarilla: 125° = -23mA
ELECTRÓNICA II
DIVISOR DE VOLTAJE
Figura 25: Grafica de temperatura Vce

Tabla de puntos de operación
Podemos hallar los Puntos de operación teniendo en Figura 27: Circuito de divisor de voltaje.
cuenta cada una de sus gráficas, o matemáticamente Circuito PNP
podríamos obtenerla sabiendo que
Q=Vce/Vce(Corte)
Sabiendo esto Vce(Corte)= -12V
Temp 0° 18° 25° 125°

Ic -16mA -17mA -18mA -23mA
Vce -5.2V -5.06V -4.99V -3.9V
Qdc 0.45 0.409 0.39 0.2
Figura 26: Tabla de comparación de temperaturas
Figura 28: Circuito modificado PNP.

ELECTRÓNICA II
Teniendo en cuenta Q=0.4 Realizamos

Se asume que el Voltaje de la Fuente V𝐶𝐶 sea de -12V Rth=429Ω
y el Voltaje del Emisor Base V𝐸𝐵 sea de 0.7V
βf=250 𝑅2
Vth = 𝑅1+𝑅2 𝑉𝑐𝑐
También para este caso podemos asumir cualquier
valor comercial para las resistencias R1 R2 y RE 500∗(−12)
Vth = 3500
R1= 3k Ω (Ohms)
Vth = -1.71 V
R2= 0.5k Ω (Ohms)
Teniendo estos datos podemos hallar la I𝐵 (Corriente
RE= 300 Ω (Ohms) base)
Teniendo en cuenta la siguiente formula, Recordar
que es PNP
𝑉𝑡ℎ−(−0.7)
I𝐵 =
𝑅𝑡ℎ+(𝛽𝐹+1)300
−1.71+0.7)
I𝐵 =
429+(250+1)300
I𝐵 = -13.33 𝜇𝐴
I𝐶 = 250 * (-13.33 𝜇𝐴)
I𝐶 = -3.33 mA
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝑐𝑒
Rc = 𝐼𝑐
− 𝑅𝑒
−12−(−4.8)
Rc = −3.33 𝑚𝐴
− 300
Figura 29:Circuito divisor de voltaje PNP Rc = 2.162 – 300

Sabiendo que Rc = 1862 Ω
𝑉𝐶𝐸
Q𝐷𝐶 = 𝑉𝐶𝐸(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)
V𝐶𝐸 = Q𝐷𝐶 * V𝐶𝐸 (corte)

V𝐶𝐸 = 0.4 * -12 V
V𝐶𝐸 = - 4.8 V
Aplicamos divisor de Voltaje para R1 y R2
𝑅1∗𝑅2
Rth = 𝑅1+𝑅2
3000∗500
Rth=
3.500
ELECTRÓNICA II
Como resultado tendríamos un circuito de la forma: Simulación de corrientes
Figura 32:Circuito Bias point de corriente.

Bias Point
Figura 30: Circuito PNP resistencias comerciales. Voltaje (Colector-emisor) = -4,9V
No olvidemos configurar el βF en la simulación
Figura 33: Grafica Bias point Vce
Figura 31: Modificación βF modelo ORCAD
Figura 34: Tabla Bias point Vce.

ELECTRÓNICA II
Voltaje (Base - emisor) = -731mV Corriente (Colector)= -3.25mA
Figura 39: Grafica de Ic
Figura 35: Grafica Bias point de Vbe
Figura 40: Tabla de Ic

Figura 36: Tabla de Vbe. Corriente (Base)= -9.7 𝜇A
Voltaje (Base- colector) = 4,2V
Figura 41: Grafica de Ib
Figura 37: Grafica de Vbc
Figura 42: Tabla de Ib
Figura 38: Tabla de Vbc

ELECTRÓNICA II
Trazo Temperaturas Temperaturas utilizadas

Verde: 0° = -5.2V
I𝐶 (Corriente Colector)
Roja: 18° = -5V
Azul: 25° = -4.9V

Amarilla: 125° = -3.9V
Figura 43: Tabla de temperatura Ic

Temperaturas utilizadas
Verde: 0° = -3.11mA
Roja: 18° = -3.2mA
Azul: 25° = -3.24mA
Amarilla: 125° = -3.74mA
Figura 45: Grafica de temperatura Vce

Podemos hallar los Puntos de operación teniendo en
cuenta cada una de sus gráficas, o matemáticamente
podríamos obtenerla sabiendo que Q = V𝐶𝐸 / V𝐶𝐸
(Corte)
Sabiendo esto V𝐶𝐸 (Corte) = -12V
4. La Tabla 1, dónde se muestren los puntos de

Figura 44: Grafica de temperatura Ic operación para cada temperatura.
V𝐶𝐸 (Voltaje Colector Emisor) Tabla 1: Puntos de trabajo para diferentes

temperaturas de operación del transistor en el
circuito de la Figura 4.
Figura 45: Tabla de temperatura Vce

ELECTRÓNICA II
4.1.2. Polarización por divisor de voltaje

Teniendo en cuenta la red de polarización de la
Temp 0° 18° 25° 125°
Figura 6, diseñar el circuito de tal forma que el VCE -5.2V -5V -4.9V -3.9V
𝑥1
punto de operación valga 0,4 + 0 4 , donde x1 el
IC -3.11mA -3.2mA -3.24mA -3.74mA
último dígito del código del segundo integrante
del grupo en la lista del profesor. QDC 0.43 0.41 0.408 0.325
Figura 47: Tabla de comparación de temperaturas.
4.2. Polarización del transistor EMOS-FET

Si el último dígito del código del primer
integrante del grupo en la lista del profesor es
impar, trabajar con un transistor EMOSFET de
canal N. Si el último dígito del código del primer
integrante del grupo en la lista es par, seleccionar
un transistor EMOSFET de canal P.
Seleccionamos el transistor EMOSFET de

Figura 46: Red de polarización por divisor de tensión
canal P.
para el BJT
Repetir los numerales 1, 2, 3 y 4 de la 4.2.1. Polarización por divisor de voltaje

subsección 4.1.1.
Para la red de polarización de la Figura 7, diseñar
Observación. Para la tabla y los esquemáticos el circuito asumiendo que VDD = 12 V y RD =
(220 + x1x2) , donde x1 y x2 son los dos últimos
que se muestran en esta subsección se ha asumido
dígitos del código del segundo integrante del
un transistor NPN. Una tabla similar y grupo en la lista del profesor. Por ejemplo, si el
esquemáticos se construye para el caso de un código termina en 50, entonces RD = 270 .
Asumir valores para IDQ, VGSQ
transistor PNP.
En la sección de resultados del informe se debe

responder la pregunta ¿qué tipo de polarización
del BJT es más estable con la temperatura y por
qué? Respaldar la respuesta con análisis
matemático.
ELECTRÓNICA II
V𝐷𝑆𝑄 = -2 V
V𝐺𝑆𝑇 = -2.3 V
V𝐷𝐷 – I𝐷*R𝐷 -V𝐷𝑆𝑄 – I𝐷*R𝑆 = 0
𝑉𝐷𝐷−𝑉𝐷𝑆𝑄
R𝐷 + R𝑆 =
𝐼𝐷𝑄
R𝑆 = 𝐼𝐷𝑄
– R𝐷
15+2
R𝑆 = -220
0.07
R𝑆 = 22.86 Ω.
V𝐺𝑄=V𝐺𝑆𝑄+I𝐷*R𝑆 = 4+(0.07*22.86) =5.6 V
Figura 48: Red de polarización por divisor de tensión
Le damos el valor de 100 KΩ a R2 decimos que:
para el EMOSFET del canal N.
𝑅2 𝑉𝐺𝑄 𝑅2
y VDSQ, de modo que el transistor pueda ser V𝐺= V𝐷𝐷(𝑅1+𝑅2) → 𝑉𝐷𝐷
= 𝑅1+𝑅2
polarizado en saturación. Es deseable seleccionar 𝑉𝐷𝐷
R1 = R2 ( 𝑉𝐺𝑄 ) − 𝑅2
los valores de R1 y R2 tan grandes como sea
posible para reducir las pérdidas de potencia (y 15
100K(5.6)- 100K = 167857.14 Ω
para incrementar la impedancia de entrada del
amplificador). Teniendo I𝐷𝑄 hallamos K
En el informe incluir: I𝐷𝑄 = K (VGSQ − VGST)2
1. Los diseños realizados para la red de 𝐼𝐷𝑄 0.07

k = (𝑉𝐺𝑆𝑄−𝑉𝐺𝑆𝑇)2 → k =(4−(−2.3))2
polarización.
2. Las gráficas de la simulación «Bias Point» en k =1.76 m
Orcad del circuito diseñado, mostrando los Teniendo k, despejamos kn de la ecuación k =

𝑊
valores de voltaje y de corriente (VGS, VDS, 𝑘𝑛 para reemplazar el kn = kp en el modelo
2𝐿
ID). No olvidar configurar correctamente el PSpice.
modelo PSpice del transistor que se va a usar, Los valores de w y L los podemos obtener del
si es necesario. Proceder como en el caso del modelo PSpice
transistor BJT. Ver un ejemplo en el Anexo W= 7.6 m
para ver como se modifica el modelo de un
L= 2𝜇
transistor EMOSFET de canal N.
2𝑘∗𝐿 2(1.76𝑚)(2𝜇)
Datos tomados del Datasheep: Kn = =
𝑊 7.6 𝑚
V𝐷𝐷 = 15 V Kn = 926.32 n
R𝐷 = 220 Ω
I𝐷𝑄 = 0.07 A
Obteniendo kn lo remplazamos en el modelo
PSpice
V𝐺𝑆𝑄 = 4 V
ELECTRÓNICA II
Figura 49: Análisis Bias Point.
3. Las gráficas de la simulación «Transient» del

circuito, durante un segundo, para mostrar la Figura 51: Grafica de la corriente en las 5
corriente ID, los voltajes VDS y VGS como temperaturas
funciones del tiempo para n > 5
temperaturas. Con este fin, crear un perfil de
simulación y configurarlo como se muestra
en la Figura 5.
Figura 52: Grafica del VDS en las 5 temperaturas.

Donde Verde es 0°, rojo es 27°, azul es 35°, amarillo
40° y morado 50°.
Figura 50: Grafica del VGS en las 5 temperaturas. 4. La Tabla 2, dónde se muestren los puntos de
operación para cada temperatura.
ELECTRÓNICA II
Temp. 0° 27° 35° 40° 50°

Observación. Si el transistor asignado es un
𝑉𝐺𝑆 -5.215 -5.500 -5.259 -5.265 -5.275
V V V V V EMOSFET de canal P, construir tablas similares
𝑉𝐷𝑆 - - - - - a la mostrada en 2. Los circuitos de polarización
10.912 11.281 11.378 11.437 11.458
para el caso de un transistor EMOSFET de canal
V V V V V
𝐼𝐷 - - - - - P son similares a los mostrados en esta
16.832 15.313 14.913 14.673 14.212 subsección.
mA mA mA mA mA
Tabla 53: Tabla de puntos de operación a diferentes En la sección de resultados del informe se debe
temperaturas.
responder la pregunta ¿qué tipo de polarización
4.2.2. Polarización por realimentación de del EMOSFET es más estable con la temperatura
drenaje
y por qué? Respaldar la respuesta con análisis
Para la red de polarización de la Figura 8, diseñar
matemático.
el circuito asumiendo que VDD = 12 V y RD = 220
+ x1x2 , donde x1 y x2 son los dos últimos dígitos Tomamos los datos del Datasheep
del código del segundo integrante del grupo en la
lista del profesor. Por ejemplo, si el código V𝐷𝐷 = 15 V
termina en 50, entonces RD = 220 . Asumir los
mismos valores para IDQ, VGSQ y VDSQ de la R𝐷 = 220 Ω
subsección 4.2.1, de modo que el transistor pueda I𝐷𝑄 = 0.07 A
ser polarizado en saturación. Repetirlos V𝐺𝑆𝑄 = 4 V
numerales 1, 2, 3 y 4 de la subsección 4.2.1. V𝐷𝑆𝑄 = -2 V
V𝐺𝑆𝑇 = -2.3 V
V𝐷𝐷 – I𝐷*R𝐷 -V𝐷𝑆𝑄 – I𝐷*R𝑆 = 0
R𝐷 + R𝑆 = 𝐼𝐷𝑄
R𝑆 = 𝐼𝐷𝑄
– R𝐷
15+2
R𝑆 = 0.07
-220
R𝑆 = 22.86 Ω
Figura 54: Red de polarización por d realimentación

de drenaje para el EMOSFET de canal N.
ELECTRÓNICA II
Figura 55: Análisis Bias Point.

Realizamos el análisis con 5 temperaturas en la
simulación <<Trasient>>. Figura 57: Grafica VDS para las 5 temperaturas.
Donde Verde es 0°, rojo es 27°, azul es 35°, amarillo
40° y morado 50°.
Figura 56: Grafica de la corriente.
Figura 58: Grafica del VGS en las 5 temperaturas.

Tabla donde se muestran los puntos de operación
para cada temperatura.
ELECTRÓNICA II
Tem 0° 27° 35° 40° 50°

p
𝑽𝑮𝑺 -6.491 -6.706 -6.767 -6.805 -6.878
V V V V V
𝑽𝑫𝑺 -6.491 -6.706 -6.767 -6.805 -6.878
V V V V V
𝑰𝑫 - - - - -
35.03 34.15 33.90 33.74 33.44
5 mA 2 mA 1 mA 6 mA 1 mA
Tabla 59: Tabla de puntos de operación a diferentes
temperaturas.
5. Cuestionario
1. Consultar sobre otras redes de polarización

del BJT y del EMOSFET.
Figura 61: circuito hecho en Orcad
Además de las configuraciones de divisor de
tensión y las de realimentación de colector o
fija existen más configuraciones
Nota: cabe recalcar que estas
configuraciones se pueden encontrar en
diferentes libros de electrónica, en este caso
están referenciados en el libro de Boylestad
capitulo cuarto, ya que este proyecto requiere
de teoría e investigación. Figura 62: Ecuaciones de realimentación de
Polarización de emisor colector.
Figura 60: Ecuaciones de Boylestad

ELECTRÓNICA II
Base común
Figura 66: Ecuaciones directamente del

Boylestad.
Figura 63: Circuito de realimentación en

colector
Emisor seguidor
Figura 67: Circuito realizado en Orcad

2. Enuncie otras razones por las cuales es
deseable mantener el transistor BJT en un
Figura 64: Ecuaciones del libro Boylestad punto de trabajo estable.
En función de la aplicación del circuito el

punto de trabajo de un transistor puede variar
mucho. Se puede polarizar el transistor en
cualquiera de las tres regiones de
funcionamiento dependiendo del uso que se
haga del circuito. Este punto de trabajo Q
representa el equilibrio de trabajo que realiza
Figura 65: Realizada de Orcad directamente. el transistor, esto permite que dicho
ELECTRÓNICA II
transistor no sobre esfuerce alguna de las 5𝑥1014𝐻𝑧 el cual se encuentra justo debajo
variables del circuito. del espectro de luz visible.
El punto de trabajo de un transistor en un Debido a las altas frecuencias, cada portador
circuito variará cuando cambie alguno de los
puede ser modular por cientos o miles de
elementos de los que depende. Estos
canales de voz al mismo tiempo, la
elementos pueden ser bien internos al propio
transmisión por medio de computadoras de
dispositivo ya sean tensiones o corrientes.
muy alta velocidad es una posibilidad,
aunque hay que asegurarse de que los
3. ¿Qué es un factor de estabilidad y qué
componentes eléctricos de los moduladores
muestra en cada red de polarización de BJT?
también operen con éxito a la misma
frecuencia.
Los factores de estabilidad nos dan la
Para esta aplicación de fibra óptica, el JFET
variación de una tensión o una corriente en
es muy indicado gracias a su alta capacidad
función de alguno de los parámetros
de aislamiento a la entrada del dispositivo y
susceptibles de cambio en el dispositivo, si
por su capacidad de cambio instantáneo de
consideramos la corriente de colector,
un estado a otro, gracias a su configuración
podemos definir al menos cuatro factores de
TTL. En el lado de salida los bloques de
estabilidad, que nos indican la variación de
aislamiento los cuales bloquean cualquier
dicha corriente con respecto a otros cuatro
efecto del circuito detector del demodulador
elementos como son la tensión base-emisor,
en la respuesta de AC y la cual proporción
la corriente inversa colector-base, la
una cierta ganancia para la señal antes de que
ganancia en continua (Bf) y la tensión de
pase a la siguiente etapa.[3]
alimentación del circuito.
Reguladores de voltaje lineal
4. Describir por lo menos tres aplicaciones del
Los MOSFET de tipo de empobrecimiento
EMOS-FET.
en la configuración de fuente-seguidor se
Fibra Óptica
utilizan en los circuitos reguladores de
La mayoría de los sistemas de comunicación
voltaje lineal como transistores de paso.
ópticos funcionan en el intervalo de
Aquí la fuente de voltaje, sigue la tensión de
frecuencia del infrarrojo, lo que es
aproximadamente a 3𝑥1011𝐻𝑧 ℎ𝑎𝑠𝑡𝑎
ELECTRÓNICA II
la compuerta, menos el voltaje de puerta a potencia, por lo que la pérdida de potencia,

fuente. Adicional el VGS Aumenta con el incluso con el tiempo, no sea tan grande.[3]
6. Entregables, Calificación y Plazo
aumento de la corriente de drenaje. Así, si el Cada grupo entregará un informe en PDF del
voltaje de la compuerta es fijo, entonces el desarrollo de la Guía de Laboratorio I y los
voltaje de la fuente se reducirá a medida que archivos de simulación por cada diseño. Se
la corriente de carga aumenta. Se utilizan evaluará de acuerdo al siguiente esquema.
como mezcladores u osciladores en sistemas Tabla 3: Evaluación y porcentajes para el Laboratorio

I.
de radio y se pueden usar para impulsar redes
de alta corriente / alta tensión sin extraer
Ítem Nota
corriente o energía del circuito de activación,
Informe 40%
debido a su alta impedancia que aísla las dos Sustentación 60%
partes de la red.[9]
Controlador de relevador con MOSFET El plazo de entrega es de 15 días a partir del día
Es un buen ejemplo de la utilización de un que el profesor les indique. Deberán subir un
único archivo com-primido al curso en Google
FET de control para redes de alto voltaje y Classroom.
corriente sin que se deba absorber corriente
y potencia de circuito de control. Se tiene una

Recomendaciones
red de alta corriente controlada con un nivel
* Para todos los diseños, tener cuidado en no
de voltaje de DC relativamente pequeño y un exceder los valores de potencia que pueden
diseño no muy costoso. La única falla que se
tolerar los dispositivos usados. Consultar,
puede presentar del diseño es que el por lo tanto, la hoja de datos.
MOSFET permanecerá encendido aun

cuando no haya una entrada. Esto se puede * No se aceptan copias de texto, de imágenes,
resolver utilizando un diseño más complejo, etc., de ninguna fuente.
pero tenga en cuenta que los MOSFET en * El informe se debe presentar en el formato
IEEE Journal, con las siguientes secciones.
general son dispositivos de bajo consumo de
ELECTRÓNICA II
hojas características (Datasheet) podemos observar
o Título este hecho que, en los Bf, los fabricantes suelen dar
o Autores
o Resumen un margen de tolerancia al parámetro, y en ocasiones
o Introducción del valor mínimo al máximo puede haber diferencias
de más de 100 unidades o más.
o Desarrollo de la Práctica Concluimos que durante la simulación y el proceso

teórico nos podemos dar cuenta que la similitud con
(Procedimiento o Metodología)
los valores NO son EXACTOS, ya que la simulación
utiliza un modelo de transistor que varía la
o Análisis de Resultados (incluir aquí construcción del circuito, mientras que nosotros
el cuestionario) manejamos una segunda aproximación más ideal, que
o Conclusiones una vez montado en un medio físico también variaría
o Bibliografía demasiado, dado que hasta la simulación no define los
parámetros de tolerancia de los dispositivos reales, un
buen ejemplo de esto sería que una resistencia de 1 k
CONCLUSIONES
tiene una tolerancia de 10% , dos resistencias de 1k
Se pudo concluir que el divisor de tensión en realidad podrían tener 950 Ohms y 1080 Ohms, lo
proporciona una mayor estabilidad debido a su mismo ocurre con los transistores y sus Bf
Resistencia en el emisor, en una configuración
amplificadora en Emisor Común. Si la corriente de A consecuencia de lo expuesto la temperatura afecta
colector aumenta también lo hace la tensión en la a todos los componentes y dispositivos, aunque a
resistencia RE, provocando una disminución de la unos más que a otros, un incremento de temperatura
tensión base-emisor, y por consiguiente una afectará a la resistividad de una resistencia,
reducción en IB que lleva a una disminución de IC. provocando una bajada de su valor, sin embargo, este
efecto suele ser despreciable. El efecto de la
temperatura se hace mucho más importante cuando
Las variaciones de corriente o tensión se ven de esta afecta a un semiconductor
forma estabilizados
Se pudo observar como la polarización por división Se concluyo que para los BJT el parámetro que
de voltaje es la más indicada para tener una mejor cambia con la temperatura es el beta(Bf), esa
estabilidad con respecto a la corriente y al voltaje en relación viene dada de algunas curvas que se pueden
MOSFET, y gracias al valor de VGST se puede ver encontrar en el dispositivo, entonces para el FET
pasa algo parecido, hay un factor (que no es beta
lógicamente) que depende de la temperatura, la
reflejado que a medida que de la temperatura
aumenta el VGST aumenta y se obtiene una está
mejor estabilidad al estar a temperatura ambiente. IDSS o K dependiendo del FET, si buscamos en el
datasheet del dispositivo podemos encontrar curvas
En conclusión, las tolerancias son mucho más de temperatura en relación a algún parámetro y las
delicadas con los dispositivos semiconductores,
ecuaciones típicas del MOSFET.
dentro de una misma serie de transistores, podemos
tener unidades con grandes diferencias en sus

características no solo del 10% de tolerancia. En las
ELECTRÓNICA II
Referencias Pearson Educacioón, 2000, oCLC: 991738155.

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Diseño electroónico circuitos y sistemas. Meéxico:

Redes de Polarización Del BJT Y DEL EMOSFET

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UNIVERSIDAD PEDAGÓGICA Y TECNOLÓGICA DE COLOMBIA

SEDE SECCIONAL SOGAMOSO

Redes de polarización del BJT Y DEL EMOSFET

Juan Carlos Piñeros Pérez 201710340

1. Objetivos Dependiendo de la ubicación del punto de

con ID(on) (corriente de encendido), VGS(on) (voltaje de

4.1. Polarización del transistor BJT

Si el último dígito del código del primer integrante del

Como en el caso del BJT, el objetivo es, sin exceder

Model. En la ventana que se abre modificar el

Figura 6: Transistor NPN y NPN

Figura 7: Red de polarización fija con transistor PNP I𝐶𝑄 =(−12)−(−4.8)

Teniendo en cuenta la red de polarización, diseñar el I𝐶𝑄 = -18 mA

Planteando las ecuaciones de entrada y de salida R𝐵 = 176.388 Ω

Figura 11: Bias point de Corriente Q2N3906

Figura 10: Bias point de Voltaje Q2N3906

Figura 13:Tabla de datos Vce

Voltaje (Base - emisor) = -780mV Figura 16: Grafica voltaje(base-colector)

Figura 17: Tabla de datos Vbc

Figura 14: Grafica de voltaje(Base – emisor)

Voltaje (Base- colector) = 3,960V

Figura 19: Tabla de datos Ic

Corriente (Base)= -63.5 uA

Figura 20: Grafica de corriente(base)

Figura 23: Grafica de temperatura Ic

Figura 21: Tabla de datos Ib

Figura 24:Tabla de temperatura Vce

Figura 22: Tabla de temperatura Ic Roja: 18° = -5.06V

Temperaturas utilizadas: Azul: 25° = -4.99V

Figura 25: Grafica de temperatura Vce

Temp 0° 18° 25° 125°

Figura 28: Circuito modificado PNP.

Teniendo en cuenta Q=0.4 Realizamos

Figura 29:Circuito divisor de voltaje PNP Rc = 2.162 – 300

V𝐶𝐸 = Q𝐷𝐶 * V𝐶𝐸 (corte)

Como resultado tendríamos un circuito de la forma: Simulación de corrientes

Figura 32:Circuito Bias point de corriente.

Figura 33: Grafica Bias point Vce

Figura 31: Modificación βF modelo ORCAD

Figura 34: Tabla Bias point Vce.

Voltaje (Base - emisor) = -731mV Corriente (Colector)= -3.25mA

Figura 39: Grafica de Ic

Figura 35: Grafica Bias point de Vbe

Figura 40: Tabla de Ic

Figura 41: Grafica de Ib

Figura 37: Grafica de Vbc

Figura 42: Tabla de Ib

Figura 38: Tabla de Vbc

Trazo Temperaturas Temperaturas utilizadas

Azul: 25° = -4.9V

Figura 43: Tabla de temperatura Ic

Figura 45: Grafica de temperatura Vce

4. La Tabla 1, dónde se muestren los puntos de

V𝐶𝐸 (Voltaje Colector Emisor) Tabla 1: Puntos de trabajo para diferentes

Figura 45: Tabla de temperatura Vce

4.1.2. Polarización por divisor de voltaje

4.2. Polarización del transistor EMOS-FET

Seleccionamos el transistor EMOSFET de

Repetir los numerales 1, 2, 3 y 4 de la 4.2.1. Polarización por divisor de voltaje

En la sección de resultados del informe se debe

En el informe incluir: I𝐷𝑄 = K (VGSQ − VGST)2

1. Los diseños realizados para la red de 𝐼𝐷𝑄 0.07

Orcad del circuito diseñado, mostrando los Teniendo k, despejamos kn de la ecuación k =