INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y

ELÉCTRICA

INGENIERÍA EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA.

ACADEMIA ELECTRÓNICA.

DISPOSITIVOS.

GRUPO 5CV3.

Luis Raúl Heredia de la Cruz.

PRACTICA 9.

JFET, MOSFET y BUZ.

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OBJETIVOS:

El alumno Identificará las terminales del JFET, del MOSFET y del BUZ, con la ayuda del manual del
fabricante.

El alumno obtendrá las curvas características de entrada del JFET, del MOSFET y del BUZ;
empleando el osciloscopio en modo de graficador XY, y reportará los valores medidos de corriente
ID y voltaje VGS.

El alumno obtendrá las curvas características de salida del JFET, del MOSFET y del BUZ; empleando
el osciloscopio en modo de graficador XY, y reportará los valores medidos de corriente ID y voltaje
VDS.

El alumno observará y reportará como afecta la temperatura en el JFET, del MOSFET y del BUZ.

Tarea previa al desarrollo de la práctica (REQUISITO INDISPENSABLE PARA LA REALIZACIÓN DE

LA PRÁCTICA):

1. Investigar y reportar las características eléctricas de funcionamiento de los transistores JFET,

MOSFET y BUZ.

2. Investigar y reportar que es la transconductancia y que representa para los transistores JFET.

3. Investigar y reportar la importancia de las curvas características de entrada y de salida de los

transistores JFET, MOSFET y BUZ. Así como la información que estas proporcionan.

4. Analizar los circuitos de la práctica e indicar y reportar la información que proporciona cada
circuito.

5. Consultar las hojas de datos del fabricante, y realizar una tabla con la información más relevante
que proporciona el manual.

6. Armar los circuitos antes de entrar al laboratorio.

actualmente un transistor MOSFET es más fácil de fabricar que un transistor JFET. No por el
proceso de fabricación, si no, por su popularidad, existen más líneas de fabricación.

En JFET la corriente se controla mediante la polarización inversa de las compuertas con el canal S-
D. En el transistor MOSFET mediante un campo eléctrico que atrae a los portadores minoritarios a
través de una capa dieléctrica.

El transistor JFET tiene una desviación de cero del voltaje, cuando no está polarizada la compuerta
la corriente en D-S no es cero. En el MOSFET la corriente D-S es igual a cero, a menos de que exista
polarización.

El transistor MOSFET soporta mayores voltajes.

Debido a la capa de dieléctrico entre la compuerta y el substrato, el transistor MOSFET tiene una
impedancia de entrada mayor que el JFET.

El transistor JFET tiene mayor ganancia (transconductancia) que el MOSFET.

El transistor JFET tiene menores niveles de ruido.

¿CUAL TRANSISTOR ES MÁS UTILIZADO?

En conclusión, de la comparativa JFET vs MOSFET tenemos que los MOSFET de manera general son
más populares y utilizados en la electrónica hoy en día. Uno de los parámetros más importantes es
debido a su mayor impedancia, consumen menos corriente, por lo tanto, menos potencia. Si
observamos el panorama global y vemos los circuitos integrados, nos daremos cuenta de que
prácticamente todos se basan en MOSFET. Sin embargo, existe todavía un nicho de mercado para
los JFET, se implementan cunado requieres además de un bajo ruido una tolerancia alta ante
radiación y temperatura (usados en aplicaciones de alta confiabilidad).

El transistor MOSFET y JFET tienen una simbología definida. Se puede observar el símbolo de cada
transistor en la siguiente figura.

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TRANSISTOR JFET

El JFET es un dispositivo de tres terminales, estas son la compuerta (G), drenaje (D) y fuente (S). Un
transistor JFET está formado por el semiconductor que se conecta a las terminales de fuente y
drenaje. El material restante está conectado entre sí para directamente a la compuerta. Cabe
señalar que en la unión tenemos una región de empobrecimiento. La polarización del JFET está en
función a la diferencia de potencial entre los materiales semiconductores. Esto aumenta la región
de agotamiento y regula la cantidad de corriente que circula en el canal drenaje-fuente. Una vez
que el voltaje genere una región de agotamiento suficientemente grande, se tiene la condición de
estrangulamiento.

TRANSISTOR MOSFET

En un transistor Canal N, el sustrato es de semiconductor tipo p, este se conecta de manera

interna a la terminal de la fuente. La fuente y drenaje están conectadas a un material tipo n a
través de un contacto metálico, sin embargo, en este caso no tenemos un canal que conecte estas
terminales. La compuerta, sigue conectada a una placa metálica, separada al material del sustrato
por un oxido de silicio, con propiedades dieléctricas. A continuación, se observan los transistores
MOSFET de enriquecimiento canal N y canal P.

La transconductancia (por conductancia de transferencia), también llamada a

veces conductancia mutua, es la característica eléctrica que relaciona la corriente de salida de un
dispositivo con la tensión en la entrada del mismo. La conductancia es el recíproco de la
resistencia.
Transconductancia MOSFET

Transconductancia JFET

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DESARROLLO PRÁCTICO

I Identificación de las terminales y características eléctricas del JFET, del MOSFET y del BUZ.

1.1 Identificar las terminales y las características eléctricas del JFET, del MOSFET y del BUZ;
haciendo uso de los manuales (hojas de especificaciones), siendo los dispositivos que se
emplearán en la práctica, para.

JFET se usará el 2N5458 ya que el 2N5457 no está disponible.

MOSFET se usará el 2N7000

BUZ se usará BUZ41A

1.2 Realizar una tabla que contenga tres columnas. En la primera columna escribir el nombre del
dispositivo, en la segunda columna dibujar el isométrico de cada transistor e indicar el nombre
en cada una de las terminales y en la tercera columna escribir las características eléctricas de
cada dispositivo.

NOMBRE TERMINALES CARACTERISTICAS

JFET(2N5458) IDSS=3mA, MAX 5mA
VGS=-3.5V
VGSoff=-1V a -7V
gfs=5500umhos

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MOSFET(2N7000) IDSS=1uA
VGS=0.8V,MAX 3V
gfs=100ms

BUZ41A IDSS=20uA, MAX 250uA

VGS=3V,MAX 4V
VSD=1.1V,MAX 1.5V
gfs=2.5 s

II Obtención de las curvas características de entrada del JFET.

2.1 Armar el circuito como el mostrado en la fig. 1, para obtener la gráfica de entrada
(transconductancia) de un JFET canal N (2N5457).

2.2. Reportar la gráfica realizando un dibujo de la gráfica.

2.3 Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En el circuito emplear la señal sinusoidal del
generador con una frecuencia entre el rango de 60 a 1KHz, seleccionando sólo una frecuencia para
obtener la gráfica de entrada. El VDS (voltaje entre la termina drenador (D) y la terminal fuente (S))
se mide con un multímetro. Los valores de IDSS (corriente de drenador a fuente en saturación),
VGSoff (Voltaje de compuerta a fuente de apagado), y gmo (transconductancia) se obtienen de la
gráfica.

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IDSS VGSoff VDS gmo

7.807mA -16.361V 10.457V 477.17S

TRANSCONDUCTANCIA

XY

Comentarios y conclusiones:
En esta segunda parte de la practica con los JFET’s de canal N podemos ver su funcionamiento
viendo que el voltaje de gate a source (VGS) necesita voltajes negativos para cerrar la puerta viendo
que cuando la puerta está cerrada la ID tiende a 0 y cuando el VGS es 0, la ID es máxima gracias a estos
datos podemos obtener la gráfica de transconductancia y como observación no me fue posible
calcular gmo directamente de la gráfica sin embargo encontré una fórmula que me permite calcularla,
dicha fórmula es diferentes para los JFET’s y MOSFET’s, aplicando la fórmula para JFET’s da un valor
de 1908.92uS ,lo que entra en el parámetro del datasheet que iba desde 1500uS hasta 5500uS lo
que me hace concluir que las medidas hechas son correctas.

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III Obtención de las curvas características de entrada del MOSFET y del BUZ.
3.1 Armar el circuito como el mostrado en la fig. 2a y 2b, para obtener la gráfica de entrada de un
MOSFET canal N (4007) y de un BUZ canal N (BUZ41/8836).

3.2. Reportar la gráfica realizando un dibujo de la gráfica.

3.3 Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En los circuitos emplear la señal sinusoidal
del generador con una frecuencia entre el rango de 60 a 1KHz, seleccionando sólo una frecuencia
para obtener la gráfica de entrada. El VDS (voltaje entre la termina drenador (D) y la terminal
fuente (S)) se mide con un multímetro. Los valores de IDS (corriente de drenador a fuente), VTh
(voltaje de umbral), e IDSon (corriente de drenador a fuente de encendido) se obtienen de la
gráfica

MOSFET Vth VDS IDS IDS on

2.7V 16.21V 12.079nA 9.67 mA

TRANSCONDUCTANCIA

XY

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BUZ41A Vth VDS IDS IDS on

3.2V 15.98V 3.55nA 9.388mA

TRANSCONDUCTANCIA

Comentarios y conclusiones:
En esta parte podemos ve como es que el MOSFET y BUZ conducen con voltajes positivos
de puerta a terminal fuente sin embargo podemos ver como tienen un voltaje de umbral
en el cual empiezan a conducir, en este caso podemos ver como la corriente ID es mayor a
medida que el voltaje VDS incrementa permitiendo el flujo de la corriente.

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IV Obtención de las curvas características de salida del JFET.

4.1 Armar el circuito de la fig. 3 para obtener las gráficas de salida del JFET canal N (2N5457).
4.2 Reportar la gráfica realizando un dibujo de la gráfica.
4.3 Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En los circuitos de la práctica emplear la
señal pulsante de onda completa o diente de sierra con una amplitud de 12Vp. El VGS (voltaje
entre la termina compuerta (G) y la terminal fuente (S)) se mide con un multímetro. Los valores de
IDS, VP (voltaje de pich-off) y VDS se obtienen de la gráfica.

E VGS VP VDS IDS

753.925
0V -753.925 mV 3.201V 8.799 mA
mV
-868.079 868.079
2V 3.575V 8.425 mA
mV mV
982.647
4V -982.647 mV 3.936V 8.064 mA
mV
7.717
6V -1.098V 1.098V 4.283V
mA
8V -1.213V 1.213V 4.616V 7.384 mA
10V -1.329V 1.329V 4.933V 7.067 mA
6.765
12V -1.446V 1.446V 5.235
mA
14V -1.564V 1.564V 5.522V 6.478 mA
16V -1.683V 1.683V 5.792V 6.208 mA
18V -1.804V 1.804V 6.045V 5.955 mA
TABLA PUNTO 4

IDS
a
18V

Comntarios y concusiones:
Presisamente aquí podemos ver lo que se comentaba en la primer parte de JFET pues
necesita voltajes negativos entre la compuerta y la terminal fuente para poder controlar el
flujo de la corriente ID es posible ver en la grafica que cuando Vgs es cero , la corriente ID es
máxima y a medida que este voltaje se hace más negativo la compuerta se cierra
impidiendo el flujo de la corriente hasta que esta sea cero en el punto que las dos fuentes
se igualan.

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V Obtención de las curvas características de salida del MOFET y BUZ.

5.1Armar el circuito como el mostrado en la fig. 4a y 4b, para obtener las gráficas de salida de un
MOSFET canal N (4007) y de un BUZ canal N (BUZ41/8836).
5.2 Reportar las gráficas realizando un dibujo de la gráfica.
5.3 Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En los circuitos de la práctica emplear la
señal pulsante de onda completa o diente de sierra con una amplitud de 12Vp. El VGS (voltaje
entre la termina compuerta (G) y la terminal fuente (S)) se mide con un multímetro. Los valores de
IDS y VDS se obtienen de la gráfica.

E VGS VDS IDS

0V 0V 6.33V 5.67mA
2V 2V 6.24V 5.75mA
4V 4V 73.57mV 11.92mA
6V 6V 44.07mV 11.95mA
8V 8V 34.21mV 11.96mA
10V 10V 29.28mV 11.97mA
12V 12V 26.32mV 11.97mA
14V 14V 24.34mV 11.97mA
16V 16V 22.93mV 11.97mA
18V 18V 21.87mV 11.97mA
TABLA PUNTO 5 MOSFET

Comentarios y conclusiones:
es posible ver cómo funciona el MOSFET que tiene que estar polarizado positivamente
para poder conducir la corriente, nos es posible ver como hay un punto donde nuestra
corriente se estabiliza, aunque nuestros parámetros de Vgs sigan variando.

E VGS VDS IDS

0V 0V 6.19V 5.76mA
2V 2V 6.22V 5.76mA
4V 4V 14.90mV 11.98mA
6V 6V 13.33mV 11.98mA
8V 8V 13.08mV 11.98mA
10V 10V 12.9mV 11.98mA
12V 12V 12.8mV 11.98mA
14V 14V 12.88mV 11.98mA
16V 16V 12.84mV 11.98mA
18V 18V 12.85mV 11.98mA
TABLA PUNTO 5 BUZ41A

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Conclusiones:
Aunque las mediciones fueron un tanto confusas el desarrollo de la práctica
nos permitió ver como es que operan estos dispositivos y nos permite ver
que diferencia hay entre un canal p y un canal n por ello también la
importancia de su polarización pero sobre todo nos permitió ver su
funcionamiento ya que vimos como el JFET necesariamente necesitaba
voltajes negativos para controlar la terminal puerta caso contrario en el
MOSFET y en el buz aunque muy similar al MOSFET es posible ver mediante
el osciloscopio que trabaja a velocidades diferentes concluyendo que estos
dispositivos nos ayudan a controlar un flujo de corriente el cual podríamos
aplicarlo por ejemplo al control de corriente de un motor.

Bibliografía:
https://www.youtube.com/watch?v=BK6Pd7wMf18
https://www.youtube.com/watch?v=h8VcISK7y3w&t=76s
PDF de Schoology sobre JFETS y MOSFETS.
https://hetpro-store.com/TUTORIALES/jfet-vs-mosfet/

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