Circuitos Electrónicos Básicos

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28801 Alcalá de Henares
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ISBN: 978-84-8138-912-8
Depósito Legal: M-21009-2011
impresión y encuadernación: Imprenta de la UAH
Impreso en España
PRÓLOGO
Este libro tiene como objetivo fundamental servir como herramienta de aprendizaje
para comienzo del estudio de la electrónica analógica. Como tal, está creado con la idea de
ser empleado en la materia, Electrónica Básica, asignatura común de los grados de Ingeniería
en Tecnologías de la Telecomunicación, Ingeniería Electrónica de Comunicaciones, Ingeniería
Electrónica de Comunicaciones, Ingeniería Telemática e Ingeniería de Sistemas de
Telecomunicación.
El libro está compuesto por un total de siete capítulos, a lo largo de los cuales se han
pretendido presentar algunos conceptos fundamentales para el estudio teórico de la
Electrónica Analógica y preparar así los cimientos de asignaturas posteriores como es el caso
de la Electrónica de Circuitos del siguiente curso.
Para ello, los capítulos se han estructurado de la misma manera, incluyendo primero
una introducción para situar el contexto del estudio a realizar, seguido de una explicación
teórica del tema, descrita utilizando ejemplos. Al final de cada capítulo se adjunta, además,
una serie de Ejercicios resueltos, seguida de una lista de Problemas Propuestos de los que se
sólo se ofrece la solución final.
Contenido
CAPÍTULO 1: Transistores Unipolares.
CAPÍTULO 2: Conceptos básicos de disipación térmica en

components.
CAPÍTULO 3: Circuitos con diodos.
CAPÍTULO 4: Polarización de transistores y fuentes de

corriente.
CAPÍTULO 5: Principios de modelado y amplificación.
CAPÍTULO 6: Amplificación con transistores.
CAPÍTULO 7: El Amplificador Operacional.

CAPÍTULO 1
Transistores Unipolares
Contenido
1.1. INTRODUCCIÓN ...........................................................................................3
1.1.1. Clasificación y tipos ....................................................................................... 3
1.1.2. Diferencias con los transistores bipolares, (BJT)........................................... 4
1.2. Transistores JFET.............................................................................................4
1.2.1. Estructura y Símbolos .................................................................................... 4
1.2.2. Principio de funcionamiento .......................................................................... 5
1.2.3. Definiciones de estado, zonas de funcionamiento ......................................... 9
1.2.4. Ecuaciones para la corriente .......................................................................... 9
1.2.5. Ejemplos JFET: ............................................................................................ 13
1.3. Transistores MOSFET ...................................................................................17
1.3.1. MOSFET de enriquecimiento o acumulación (canal n):.............................. 18
1.3.1.1. Principio de funcionamiento de los MOSFET: ............................ 18
1.3.1.2. Ecuaciones de Estado ................................................................... 20
1.3.1.3. Ecuaciones para la corriente ID .................................................... 20
1.3.1.4. Ejemplos MOSFET de acumulación............................................ 22
1.3.2. MOSFET de empobrecimiento o deplexión (canal n): ................................ 24
1.3.2.1. Ejemplos MOSFET de vaciamiento ............................................ 25
1.4. EJERCICIOS..................................................................................................27
1.1
Temas de Circuitos Electrónicos Básicos
1.2
Capítulo 1: Transistores Unipolares
1.1. INTRODUCCIÓN
Definición: El transistor de efecto campo, o transistor FET (Field Efect Transistor) es un
dispositivo semiconductor de dos uniones, en el que únicamente los portadores mayoritarios
contribuyen al transporte de cargas y por tanto a generar la corriente total.
Debido este hecho a estos transistores se conocen también con el nombre de Transistores
Unipolares.
En estos dispositivos, es un campo eléctrico externo el que controla el flujo de portadores en

un canal de conducción, por eso son conocidos también como Transistores de Efecto
Campo.
1.1.1. Clasificación y tipos
• Dispositivos de puerta de unión: En este caso la puerta está en contacto

eléctrico con el canal y no aislada de él.
JFET (Junction FET) FET de unión. Habitualmente llamado FET
canal → semiconductor
puerta → semiconductor
interfaz puerta-canal → unión p-n en inversa
MESFET (Metal-Semiconductor FET)
canal → semiconductor compuesto
puerta → metal
interfaz puerta-canal → unión Schottky
• Dispositivos de puerta aislada: IGFET (Insulate-Gate-FET)
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor) Conocido también con

nombre de MISFET, (Metal-Insulator-Semiconductor).
Habitualmente se le denomina MOS
Los hay de dos tipos:
MOS de acumulación, (enriquecimiento)
MOS de deplexión, (vaciamiento)
Todos ellos disponibles de canal n y de canal p
1.3
1.1.2. Diferencias con los transistores bipolares, (BJT)
• Sólo los portadores mayoritarios, contribuyen al transporte de carga.
• La fabricación es más sencilla, tienen mayor capacidad de integración y ocupan

menos espacio.
• El consumo es inferior.
• Tienen impedancias de entrada, (Ze), muy elevadas ~ 104 Ω, 1014 Ω.
• Pueden utilizarse como resistencias de carga, lo que permite implementar un

sistema digital formado únicamente con MOS.
• Produce menos ruido electrónico que el transistor bipolar.
• En amplificación, producto Ganancia × Ancho de Banda (GBW) más

pequeño.
1.2. Transistores JFET
1.2.1. Estructura y Símbolos
a) Estructura JFET de canal n. b) Estructura JFET de canal p.
El transistor JFET está construido con:
una oblea de semiconductor tipo n, con dos zonas difundidas tipo p, fuertemente
dopadas, (canal N).
una oblea de semiconductor tipo p, con dos zonas difundidas tipo n, fuertemente
dopadas, (canal P).
1.4
En estos dispositivos con una diferencia de tensión entre el drenador (D) y la fuente (S), VDS, los
portadores mayoritarios, electrones en el canal n y huecos en el canal p, forman una corriente
ID, entre la S y el D.
Dicha corriente se controla mediante la puerta (G), pues con VGS, se puede regular también la
anchura del canal
Símbolos
a) Símbolo JFET de canal n. b) Símbolo JFET de canal p.
1.2.2. Principio de funcionamiento
Se realizará el estudio sobre un transistor JFET de canal n,

cambiando el signo de las tensiones y sentido de las
corrientes, cuando se trate de un JFET de canal p.
Para realizar el estudio se supondrán condiciones normales

de polarización y se analizará la estructura presentada en la
Figura 1. Estructura básica del JFET.
figura 1.
Se dan las condiciones de polarización estándar en el

JFET, cuando las puertas superior e inferior se unen
entre si, VG ≤ 0 y VD ≥ 0 como puede verse en la
figura2.
Figura 2. Condiciones de polarización supuestas en el
análisis cualitativo.
Con VG ≤ 0 las uniones p-n estarán siempre en
polarización inversa o nula.
Así mismo VD ≥ 0 asegura que los electrones puedan desplazarse de la fuente al drenador.
Para comprender el funcionamiento del dispositivo, se realizará un análisis por partes donde se
plantearán unas condiciones iniciales de tensión en los terminales y se estudiará lo que ocurre
dentro del dispositivo.
1.5
• Primer estudio: VD = VS = 0 V (VDS = 0 V)
Con estas condiciones de polarización el dispositivo está

en equilibrio, Figura3, sólo se aprecian las zonas de
vaciamiento.
Figura 3. Zonas de vaciamiento en el canal.
Con VGS ≤ 0 V las uniones GS y GD estarán en inversa, se

ensanchan las zonas de vaciamiento lo que reduce la
sección del canal, haciéndose más difícil el paso de
corriente, Figura4. Figura 4. Reducción del canal.
Existe un valor VGS = VP para el que el canal se habrá

estrangulado, Figura 5.
VP<0 V para un JFET de canal n.
Figura 5. Canal estrangulado.
• Segundo estudio: VG = VS = 0 V (VGS = 0 V)
Se comienza con el terminal de drenador también a

masa, Figura 6 y se irá incrementando la tensión VD, para
conocer las diferentes zonas de funcionamiento del
dispositivo.
Figura 6. Dispositivo en equilibrio.
A continuación se introduce una pequeña tensión VD,

Figura 7.
Figura 7. Tensión pequeña sobre el drenador.
1.6
Comienza el tránsito de electrones de la

fuente al drenador, apareciendo por tanto la
corriente de drenador ID, que circula en este
caso, del drenador a la fuente, Figura8.
Figura 8 Detalle del canal de conducción

Las uniones DS y GS están en inversa, pues
VDS > 0 V.
Se ensanchan las zonas de vaciamiento y se reduce el tamaño

del canal.
El canal actúa como una resistencia RDS al paso la corriente ID,

que será controlada por el valor de la tensión VDS.
Recordando la expresión de la ley de Ohm:
V D S = I D ⋅ R DS Figura 9. Característica ID_VD
La representación de esta ecuación, nos ofrece la idea intuitiva del canal actuando como una
“resistencia lineal”, Figura 9.
Aumentando más, valor de la tensión VD
las zonas de vaciamiento crecen de forma no

uniforme, más cuanto más cerca del drenador,
aunque el dispositivo sigue en la misma zona de Figura 10. Aumento de las zonas de vaciamiento.
funcionamiento, Figura 10.
Al estrecharse el canal el paso de corriente ID, se hace mas

difícil.
La pendiente de la recta de la ID disminuye, Figura 11.
Si se sigue aumentando la VD el dispostivo entra en una nueva

Figura 11. Disminución de la pendiente
zona de funcionamiento.
de la recta de ID.
Las zonas de carga especial crecen tanto que llegan

a tocarse cerca del drenador con lo que el canal se
“ESTRANGULA”, Figura 12. Figura 12. EL canal se estrangula cerca del
drenador.
Esto ocurre para una tensión VDS = VDSsqt
1.7
La pendiente de la curva de ID se hace cero, lo que

marca el comienzo de la zona de saturación,
Figura13.
Para tensiones VD > VDsat. Figura 13. Comienzo saturación

La característica se satura, es decir permanece más
o menos constante en un valor, IDsat, Figura 14.
I D = I Dsat
Figura 14. La característica permanece

constante tras estrangularse el canal.
Para entender porqué ID no se hace cero tras

estrangularse el canal, examinamos el gradiente de
tensiones a lo largo de éste, Figura 15.
Figura 15. Canal estrangulado con la
Con una fuente de 5 V en el terminal de drenador,
distribución de tensión a lo largo de éste.
se consigue estrangular el canal.
La corriente ID, es la que se encarga de distribuir la

tensión desde el drenador a la fuente.
Si la corriente ID fuese igual a cero tras estrangularse

el canal, no existiría ese gradiente de tensiones por
lo que no se ensancharían las zonas de vaciamiento
y el canal NO estaría ESTRANGULADO, por lo que
Figura 16. Explicación de que la ID es
se llega a que la hipótesis de partida es falsa. Es
distinta de cero.
decir la corriente ID es distinta de cero.
Queda aclarado por tanto, que tras estrangularse el canal cuando VDS = VDsat
la corriente ID = IDsat.
Para tensiones muy elevadas de VD, el dispositivo entra en zona de ruptura.
1.8
1.2.3. Definiciones de estado, zonas de funcionamiento
Para el JFET de canal n:
CORTE: VGS ≤ VP ≤ 0
ÓHMICA VGD ≤ VP ⇒ VDS ≤ VGS - VP
CONDUCCIÓN: VGS ≥ VP
ACTIVA VGD ≥ VP ⇒ VDS ≥ VGS - VP
1.2.4. Ecuaciones para la corriente
Estado Ecuación Circuito Modelo en gran

Equivalent señal
e
CORTE ID = 0 Circuito
abierto
ÓHMICO
ID =
k
2
[
2(VGS − Vp )VDS − VDS
2
] Resistencia
controlada
1
R DSOHM = *1) por tensión
⋅ (VGS − VP )
k
2
SATURACIÓN Fuente de
⋅ (VGS − VP )
k 2 corriente
o ID =
2 controlada
ACTIVA por tensión
• El transistor estará en CORTE cuando VGS < Vp siendo entonces la

corriente ID = 0.
Del estudio físico del componente se obtiene la ecuación que explica el comportamiento del
JFET en conducción.
ID =
k
2
[2(VGS − Vp )VDS − VDS
2
]
1.9
• En la región ACTIVA o de SATURACIÓN:
ID =
k
(VGS − V p )2
2
Representando la ecuación de ID frente a VGS obtendremos

la Función de Transferencia del transistor, Figura 17.
Figura 17. Curva característica

para valores de VGS < VP la zona de funcionamiento es de
del JFET de canal n
CORTE.
Se define el parámetro ISS como la corriente de saturación de drenador cuando la VGS=0
I Dsat =
k
(VGS − VP )2 VGS = 0
k
I DSS = VP2
2 2
A partir de la definición de IDSS se puede obtener la ecuación de Shockley:
2
⎛ V ⎞
I D = I SS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟
⎝ VP ⎠
• En la región ÓHMICA:
Se puede trabajar con dos aproximaciones dependiendo del valor de VDS, vease las figuras de
la región óhmnica.
1. Si V2DS se puede despreciar, podrá hacerse cuando tenga un valor de un orden de

magnitud más pequeño que el otro sumando, la corriente ID queda:
y la resistencia con valor:
ID =
k
[2(VGS − Vp)VDS ] = 1 VDS
2 R DSOHM VDS 1
R DSOHM = =
ID k VGS − Vp)
(
1.10
2. Si VDS es grande, se toma el valor en el límite con la saturación: V DS = VGS − V P

VDSsat VGS − Vp 1
con lo que ID=IDSAT y R DSOHM = = =
I Dsat k
2
(
VGS − Vp )2 k
2
(VGS − Vp )
Se han obtenido dos valores para la resistencia de la región óhmica que cumplen
RDS OHM 2 = 2· RDS OHM 1 Se tomará para trabajar por defecto la opción2, *1).
CURVAS CARACTERÍSTICAS JFET canal n
En las gráficas de salida de observan distintas zonas de funcionamiento del dispositivo:
Zona óhmica, zona de saturación y zona de ruptura.
Figura18. Ejemplo real de las características de salida de un JFET de canal n
1.11
CURVAS CARACTERÍSTICAS del JFET de canal n 2N4869
Figura 19. Característica de salida del JFET de canal n 2N4869
Comparando con las del transistor bipolar:
Figura 20a. Característica de entrada Figura 20b. Característica de salida
1.12
1.2.5. Ejemplos JFET:
Ejemplo 1
En el circuito de la figura se observa un transistor JFET de canal y se

0
conocen los siguientes datos:
VDD
DATOS:
RD
VDD = 8 V Vp = -4 V
RG
VGG = -2 V mA
K=2
RG = V2
VGG
RS
RD = RS =1 K
0 0
A) Calcule la región de funcionamiento sin tener en cuenta la resistencia RS
VGS = VGG = -2 V > Vp = -4V luego no está en CORTE
VDD − VDS 8 − VDS

VDS = VDD-ID·RD → I D = = Recta de carga
RD 1K
Suponemos SATURACIÓN:
ID =
k
(VGS − VP )2 = 4mA ⇒ VDS = VGS − Vp = 4V
2
Comprobamos VDS = 4 V > VGS - Vp = -2 + 4 = 2 V luego SATURACIÓN
B) Calcule el valor de la resistencia de drenador RD cuando el transistor está en el límite

de las dos zonas de conducción.
ID
VDSsat = VGS - Vp = 2 V 8mA

Recta de carga
VDD − VDsat 8 − 2
RD = = = 1.5K
I Dsat 4m
4mA
VDS
2V 4V 8V
1.13
En la gráfica de la función de transferencia se presenta la ID (mA)

corriente de drenador en saturación ID =
K
2
(VGS − Vp )
2
ISS = 16
Observando las gráficas corriente – tensión del transistor

se puede ver hacia donde varia el punto de trabajo según
se modifican los parámetros VDD , VGS y RD.
4
-4 -3 -2 -1 VGS (V)
ID (mA) RD
Rectas de carga
Recta de carga VGS
8
VDD=9V RD=0.5K
RD=1.5k
VGS = -2V
4
VGS = -3V
1
2 4 8 VDS (V)
RD : si RD < 1.5 S ⇒ zona óhmica
si RD > 1.5 S ⇒ zona de saturación
( Varia la pendiente de la recta , manteniéndose el corte con el eje horizontal, VDD )
VDD: si VDD > 8 V ⇒ zona de saturación
si VDD < 8 V ⇒ zona óhmica
( Son rectas de carga, paralelas a la actual )
VGS: si VGS < -2 V ⇒ zona de saturación
si VGS > -2 V ⇒ zona óhmica
( Cambia la curva característica manteniéndose la recta de carga )
1.14
C) Calcule la región de funcionamiento teniendo en cuenta la resistencia RS.
VDD = I D (R D + R S ) + VDS
0
VDD VGG = VGS + I D R S
Suponemos saturación
RD ID =
K
(VGS − VT )2
2
RG
VGG Con la ecuaciones de la malla de puerta y la corriente de

+ 9VGS + 18 = 0 la soluciones son
RS
drenador encontramos que VGS
2
VGS=-3 V y VGS=-6V.
0 0
La última solución no sirve porque VGS = -6 < VT = -4 y el

transistor estaría en corte.
Con VGS = -3, ID = -2 –VGS = -2 + 3 = 1mA; ID = 1mA
Conocido este valor y utilizando la ecuación de la malla de drenador
VDS = VDD − I D ( R S + R D ) = 8 − 2 = 6V
Comprobamos si está en saturación
VDS ≥ VGS - VT 6 ≥ -3 + 4 = 1 luego si está en saturación
ID (mA)
VDD
=4
RD + RS
RD = RS = 1K
2 (saturación)
VDS=VGS–VP=1V
Q
VGS = -3V
IDQ = 1mA
RD=6K
(Límite Óhm – Sat)
1 2 3 4 8
VDSQ=6 VDS (V)
Si se aumenta el valor de RD, disminuye la pendiente y se alcanza la zona óhmica
Con RD = 6k se estará en la zona del límite OHM-SAT sin haber tocado los valores de
ID ni VGS.
1.15
Ejemplo 2
Hallar el valor de RD para que T1 y T2 estén saturados.
VDD DATOS:
VDD = VSS = 10 V
RD
|IDSS| = 20 mA
T1 |Vp | = 4 V
RG
Vs
Del transistor T2:
0
T2
del circuito VGS 2 = 0V
- VSS
si T2 saturado I Dsat 2 = I Dsat1 = I DSS = 20mA
se comprueba saturación para T2:
IDSsat 2 = IDSsat1
VS sat1 = 0 ⇒ VD1 = 0 V
VGS sat 2 =0V
VDS 2 = - VSS = 10 V
VDS2> VGS2-Vp ⇒ 10 > 0 + 4 = 4 ⇒ T2 en saturación
De la malla: VDS 1=VDD-IDsat1·RD=10 – IDsat1·RD
VDS1 = 10 – 20m· RD ≥ VGS - Vp = 0 + 4
RD ≤ (-4+10)/20m=0.3kS
RD ≤ 300 S
1.16
1.3. Transistores MOSFET El transistor MOSFET es un transistor unipolar de

puerta aislada, que se consigue con una estructura Metal-Oxido-Semiconductor.
Figura 21. Estructura del transistor MOSFET canal n
La estructura Metal-Oxido-Semiconductor da origen a una capacidad MOS, donde se generará

un campo eléctrico, que controla el canal de paso de corriente.
Existen dos tipos de MOSFET en función de cómo se crea el canal.
• MOS de acumulación: (enriquecimiento, canal inducido normalmente en off)
El canal se crea cuando se polariza convenientemente entre la puerta y el sustrato,

(VGB).
• MOS de deplexión: (empobrecimiento, canal difundido normalmente en on)
El canal está permanentemente creado. Para conseguir que el MOS no conduzca

hay que polarizar de forma adecuada entre puerta y sustrato.
Los transistores MOS pueden ser de canal n, NMOS o de canal p, PMOS
1.17
1.3.1. MOSFET de enriquecimiento o acumulación (canal n):
Símbolos
Figura 22. Diferentes representaciones MOSFET de enriquecimiento de canal n
Con el siguiente circuito se puede entender el funcionamiento de este MOSFET.
D • La tensión VDD establece la corriente

G ID ID, que circula en el sentido que indica la flecha
VGS
S de la Figura 23.
VDD
• La tensión VGS > 0, controla la ID.

0
Figura23. Polaridad en activo
1.3.1.1. Principio de funcionamiento de los MOSFET:
Plantearemos un estudio similar al del caso del JFET, examinando diferentes casos de
polarización.
Si VG = VS = VD = 0 V
La puerta, G, y el sustrato, B, forman un

condensador plano-paralelo con óxido como dieléctrico,
Figura 24
Figura 24 Transistor cuando

VG=VS=0
1.18
Si VGS > 0 cargamos dicho condensador

de forma que las cargas positivas, se sitúan en la puerta
y las negativas en el sustrato, Figura 25.
Figura 25 Transistor con VGS>0
Si aumentamos más la VGS hasta que VGS = VT

-
los e serán libres para moverse en la dirección fuente-
drenador, luego la corriente ID irá del drenador a la
fuente, lo que hace pensar en la formación del
CANAL, Figura 26.
Figura 26 Transistor con VGS =0
Si VGS>VT mas electrones son atraídos a la zona el número de electrones supera al

número inicial de huecos de la zona p, provocando una inversión del material, el material pasa
de ‘tipo p’ a ‘tipo n’.
Si añadimos ahora una VDS > 0
los electrones se moverán de fuente a drenador, base

fundamental de la corriente externa de drenador, ID,
Figura 27 La pila en el drenador, mueve a los
Figura27.
electrones de la S al D.
1.19
1.3.1.2. Ecuaciones de Estado
Para el MOSFET de canal n:
CORTE: VGS < VT ID = 0 no hay canal
ÓHMICA 0 ≤ VDS ≤ VGS – VT
CONDUCCIÓN: VGS > VT
SATURACIÓN VDS ≥ VGS – VT
1.3.1.3. Ecuaciones para la corriente ID

Estado Ecuación Circuito Modelo en gran señal
Equivalente
CORTE Circuito
ID = 0 abierto
OHMICO ID = [
k
2
2(VGS − VT )V DS − VDS
2
] Resistencia
controlada
1 *1)
RDS OHM = por tensión
⋅ (VGS − VT )
k
2
SATURACIÓN Fuente de
⋅ (VGS − VT )
k 2 corriente
o ID =
ACTIVA 2 controlada por
tensión
• Cuando 0<VGS≤VT el transistor estará en CORTE siendo entonces la corriente

ID = 0
Para una VGS > VT y VDS > 0 el transistor entra en la zona de conducción:
La ecuación que regula el comportamiento de la corriente es:
ID =
k
2
[( )
2 VGS − VT VDS − VDS
2
]
1.20
• Región OHMICA VDS < VGS - VT
Para valores pequeños de VDS
el hacer más positivo VGS que la VT, proporciona electrones

adicionales al canal reduce la resistencia del mismo y
aumenta la pendiente de la curva ID = f( VDS), Figura 28
La expresión del carácter resistivo viene dada por:

Figura 28 Funcionamiento como
1 resistencia controlada por tensión

RDSOHM =
⋅ (VGS − VT )
k
2
• Región SATURACIÓN VDS > VGS - VT
Aumentando VDS
la tensión VD se hace tan grande que el canal se estrangula,

Figura 29
la tensión VGS, debe ser al menos de VT voltios para que

exista el canal, cuestión que se cumple en el extremo S
del canal.
En términos de tensiones de nodos, se cumple que
VGS -VDS = VT por lo que se podrá decir entonces que:

Figura 29 Estrangulamiento del canal
para valores grandes de VGS.
VDSsat = VGS -VT
Situación del límite entre la región óhmica y la de saturación
Para valores mayores de VDS, VDS ≥ VGS - VT
La corriente ID permanece constante e independiente de VDS.
ID =
k
(VGS − VT )2
2
1.21
CARACTERÍSTICAS para el MOSFET de acumulación de canal n.
Figura 30 Función de transferencia. Figura 31 Característica de salida.
1.3.1.4. Ejemplo MOSFET de acumulación
Ejemplo 1:
A. Analícese el siguiente circuito para calcular su zona de trabajo
Datos:
VDD
VT=2 V
RD
VGG= 6 V
RG
VGG
VDG= 4.5 V
K= 2 mA/V2
0
RD =1K S
VGS = IGRG+VGS suponemos IG despreciable por lo que VGS = 6 V > VT luego no está en
corte.
1.22
Suponemos saturación:
ID =
K
(VGS − VT )2 ID = 16 mA
2
VDS = VDD − I D R D VDS = -11.5 V
Comprobamos saturación:
VDS > VGS - VT -11.5 < 6 – 2 ⇒ no está en saturación
Suponiendo óhmica:
1
R DSohm = = 0.25Ω
K
(VGS + VT )
2
VDD= ID(RD+RDohm) ⇒ ID =
VDD
= 3.6mA
R D + R DSohm
VDS = ID RDSohm = 0.9 V
Comprobamos óhmica:
VDS < VGS - VT 0.9 < 6 – 2 =4 ⇒ está en zona óhmica
B. En la siguiente figura se observa que se le ha añadido una RS = 1k a la fuente.
VDD Suponemos óhmica:
RD VGG = VGS + IDRS

RG
VGG
VDS = VGS - VT = ID RDSohm
RS
1
R DSohm =
0
K
(VGS − VT )
2
Igualando las expresiones de ID de las ecuaciones de arriba llegamos a una expresión

de segundo grado para la VGS.
VGS − 3VGS − 2 = 0 donde las soluciones son VGS = -0.56 valor que deshechamos
2
porque si no estaría en corte y VGS = 3.56 V
VGG − VGS
ID = = 2.44mA VDS = VDD − I D (R D + R S ) = −0.38V
RS
Comprobamos óhmica:
VDS < VGS -VT -0.38 < 3.56 – 2 = 1.56 V ⇒ Óhmica
1.23
1.3.2. MOSFET de empobrecimiento o deplexión (canal n):
En este tipo de dispositivos existe un canal estrecho debajo de la puerta, se crea en el

proceso de fabricación.
Para VGS = 0 existe canal.
Análogo al mosfet de enriquecimiento pero con VT negativa, Figura 32
Figura 32 Funciones de transferencia de los cuatro tipos MOSFET
Símbolos:
Figura 32 Distintas simbologías para el MOSFET de deplexión de al n.
En los símbolos, el segmento vertical entre drenador y fuente da idea de la existencia del canal.
1.24
CARACTERÍSTICAS para el MOSFET de vaciamiento, de canal n:
Figura 32. Función de transferencia. Figura 33. Característica de salida.
En la característica de salida se observa que VGS toma primero valores negativos.
1.3.2.1. Ejemplos MOSFET de vaciamiento
Ejemplo 1: Deducción de la zona de funcionamiento en los circuitos que se

muestran sabiendo que los transistores son de deplexión de canal n.
Circuito 1 Circuito 2
Datos:
V V
V> |VT|
VX VX
R R
2 2 VX = |VT|
0 0 0 0 0 0
1.25
Para el circuito 1:
VX VT
V GS = = 〉0 y VT 〈 0 ID
2 2
Si VGS se acerca a 0 desde |VT|, el el

Zona
Zona
canal del transistor se va estrangulando, vaciamiento
acumulación
Zona de deplexión
Si VGS está por encima de 0 el

0
transistor se hace mejor conductor, ya que VT VT VGS
trabaja en la zona de acumulación 2
ID
Para el circuito 2:
Zona
− VX − VT deplexión
V GS = = 〈 0 mayor que VT
2 2
En este caso el transistor trabaja en

modo deplexión todo el tiempo. VT 0 VGS
− VT −
2
Ejemplo 2: Deducción de la zona de trabajo del transistor de deplexión de canal p

del presente circuito.
Circuito 3
Datos:
V V> |VT|
VX
VX = |VT|
3 R
ID
0 0 0
Zona
− VX acumulación
VGS = modo acumulación
3
VGS 〈 VT luego el transistor conduce
Como la tensión aplicada es negativa VT 0 VT VGS

−
3
se amplía el canal
1.26
1.4. Ejercicios propuestos:
EJERCICIO 1
Calcular el punto de trabajo del transistor unipolar utilizado en el circuito de la Figura1,
sabiendo que |IDSS| = 20mA y |VP| = 4V, en los siguientes supuestos:
- VDD
a) RD = RS =0.5k; VDD = 15V; VSS = 0V
RD
b) RD = RS =0.5k; VDD = 0V; VSS = 15V

J1
c) RD = RS = 2k; VDD = 15V; VSS = 5V

RG 100k RS
d) Con RS = 2k; VDD = 15V; VSS = 5V, calcular los valores de RD
para que el JFET trabaje en la zona óhmica.
0 VSS
Figura 1.
SOLUCIÓN:
a) ID = -4.29 mA, VGS = 2.14 V y VDS = -10.71 V
b) ID < 0, VGS < 0 el dispositivo no está trabajando como un JFET.
c) ID = -3.64 mA, VGS = 2.28 V y VDS = -5.44 V
d) RD ≥ 3.02kΩ
EJERCICIO 2
Dado el circuito de la Figura 2 y sabiendo que: VDD
|IDSS| = 20mA, |Vp |= 4V, VDD = VS S = 10V y que

RD
ambos transistores, son iguales. Calcular:
T1
a) Valores de RD que permiten trabajar a los dos
RG Vs
transistores en saturación.
T2
0
b) Zona de trabajo de los transistores si RD = 2k y
Vss = 0V.
- VSS
SOLUCIÓN: Figura 2.
a) RD ≤ 0.3kΩ.
b) Ambos transistores en zona óhmica.
1.27
EJERCICIO 3
VCC = 10V
En el circuito de la Figura 3, sabiendo que para los dos

transistores k/2= 0.1mA/V2 y VT = 3V.
Calcular la tensión de salida para los siguientes casos: M1
Vsal
a) Vent = 0V
M2 RL
Vent
100k
b) Vent = 6V
0 0
SOLUCIÓN: Figura 3.
a) Vsal = Vcc – VGS1 = 6.21 V
b) Vsal = VDS2 = 4.1 V
EJERCICIO 4
Un MOSFET de canal p tiene parámetros VT = -2 V y k/2 = 3 mA/V2.
a) ¿Es un dispositivo de enriquecimiento o de deplexión?, ¿cómo se puede saber?.
b) Dibuje las características de entrada, salida y la función de transferencia.
SOLUCIÓN:
a) Enriquecimiento. Los de deplexión tienen una VT > 0.
b) ID = 13.5mA
Función Transferencia Característica Salida.
1.28
EJERCICIO 5
Un JFET de canal p tiene una K/2 = 0.0556 mA/V2 y VP = 3 V.
a) Escriba la ecuación de iD para cada uno de los tres estados y escriba las desigualdades de
cada una.
b) Escriba la ecuación para iD si VGS = 1 V, sabiendo que el transistor está en estado óhmico.
SOLUCIÓN:
a) Corte, iD = 0 para VGS ≥ 3V.

Activa: iD = 0.0556(VGS – 3)2 para VGS ≤ 3 y VDG ≤ -3V.
Óhmica: iD = 0.0556[2(VGS-3)VDS- VDS2] mA para VGS ≤ 3V y VDG ≥ -3V.
b) iD = 0.556 [-4VDS- VDS2] mA
1.29
CAPÍTULO 2
Conceptos básicos de disipación
térmica en componentes
Contenido
2.1 INTRODUCCIÓN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
2.2 Proceso de evacuación del calor en un componente . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.2.1 Evolución temporal de la temperatura de funcionamiento . . . . . . . . . . . .3
2.3 Ley de ohm térmica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6
2.3.1 Circuitos térmicos en dispositivos de unión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6
2.3.2 Curva de desvataje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7
2.4 Mejoras en el comportamiento térmico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9
2.5 Ejercicios propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.1
2.2
Capítulo 2: Conceptos básicos de disipación térmica en componentes electrónicos
2.1. INTRODUCCIÓN
Cualquier componente sometido a una diferencia de potencial y por el que circula una
corriente, da lugar a una potencia eléctrica : P(t) = v(t).i(t), que con el paso del tiempo liberará una
energía térmica. Esta energía, deberá transmitirse desde el interior del componente al entorno que
le rodea, a fin de evitar un calentamiento excesivo del componente que pueda llegar a dañar su
estructura. Este principio básico, lleva al estudio del proceso de evacuación del calor generado por
un componente y su optimización, de forma que se conozcan y en su caso mejoren, las limitaciones
de utilización del mismo, en base a su características térmicas.
Definiciones previas:
A) Potencia disipada (PD): P(t) = v(t).i(t)
- Señal continua: PD = V.I [W]

1
T ∫T
- Señal variable periódica: Pm = v (t ).i (t ) dt [W]
B) Energía disipada: ED = PD.t [J] = 0,24 PD.t [cal]
2.2. PROCESO DE EVACUACIÓN DEL CALOR PRODUCIDO EN

UN COMPONENTE.
Inicialmente el calor producido se almacena en el componente, de manera que se eleva su

temperatura (Tj)por encima de la existente en el ambiente (Ta). Este proceso acumulativo, se detendrá
cuando el calor producido sea igual al evacuado al exterior (ambiente), manteniéndose a partir de
este instante la temperatura del componente constante. Se está ante una evolución temporal de la
temperatura del componente:
- Un primer régimen transitorio, hasta el final del proceso acumulativo de energía

térmica.
-Un régimen permanente final, donde no hay acumulación de calor, permaneciendo

el componente a temperatura constante .
El proceso expuesto de forma cualitativa, responde a la siguiente expresión matemática:
Tj − Ta dTj
PD = + CTh dt
RTh
(1) Ecuación de comportamiento
2.3
En esta ecuación de comportamiento, el primer término muestra el calor transmitido del

cuerpo del componente al exterior (ambiente), mientras el segundo sumando indica el calor
almacenado en el interior del mismo. Ambos términos se rigen por dos características térmicas propias
del componente:
Resistencia Térmica (RTh) [ºC/W]

Oposición que encuentra el calor para pasar del cuerpo de componente al ambiente.
Capacidad Térmica (CTh) [Ws/ºC]

Expresa la capacidad del componente para almacenar el calor
2.2.1. Evolución temporal de la temperatura de funcionamiento
Proceso de conexión :OFF a ON
Suponiendo que nuestro componente a estudiar lleva mucho tiempo desconectado (OFF),
su temperatura al comienzo de este estudio, coincidirá con la del ambiente en el cual esta inmerso
(Ta). Cuando se conecte (ON), se comienza a almacenar el calor en el mismo, que se va produciendo
debido a la disipación de una potencia en el tiempo. Este proceso hará que la temperatura interna
del componente (Tj o temperatura de unión en componentes basados en uniones p-n) aumente por
encima de Ta, de forma que parte del calor producido saldrá al exterior y parte seguirá
almacenándose.
Cuando se llegue a un equilibrio dinámico, de forma que todo el calor producido se transmita
dTj
al ambiente: dt = 0 ,Tj permanecerá constante y por tanto habrá finalizado la evolución temporal
de la temperatura del componente y el régimen transitorio térmico.
Tj − Ta dTj
La solución de la ecuación de comportamiento cualitativa: PD = + CTh dt
RTh
t
−
responde a la siguiente expresión matemática: Tj (t ) = Tf + (Ti − Tf ). e τTh
la cual, indica la evolución exponencial de la temperatura interna del componente (Tj), con el
tiempo.
Los distintos términos de la expresión, corresponden a:
Tf = Temperatura final a la que tiende el componente en el proceso temporal estudiado; es

decir,la temperatura alcanzada cuando se llega a la situación de equilibrio dinámico:
dTj = 0
dt 6 PD.RTh + Ta
2.4
Ti = Temperatura inicial de la que parte el componente; en este caso, al iniciar el estudio

después de estar mucho tiempo desconectado (OFF), Ti = Ta
τ Th = CTh.RTh [s] . Constante de tiempo térmica. Característica física del componente que
depende del material del mismo.
La representación gráfica de la evolución temporal de la temperatura del componente en este

proceso es la siguiente:
Figura 2.1 Evolución temporal de Tj en el proceso Off - On
Figura 2.2 Evolución temporal de Tj en el proceso de On a Off
De manera análoga, el proceso de ON a OFF da lugar a una evolución exponencial hasta

llevar al componente a la temperatura ambiente Ta
Tal como esta indicado en ambas figuras, se considera que cuando ha pasado un tiempo,
correspondiente a 3 τ Th o 5 τ Th se han alcanzado las condiciones finales del proceso (equilibrio
dinámico).
2.5
Ejemplo:
Se tiene un componente con las siguientes características térmicas:

RTh = 10ºC/W ;
CTh = 0,5W.s/ºC
Este, lleva conectado mucho tiempo en un sistema, donde disipa una potencia de 5W.
Tomando una temperatura ambiente de 25ºC, expóngase la evolución de la temperatura del
componente (Tj) en el tiempo, a partir del instante t0 en el cual se procede a su desconexión
Solución
Al llevar mucho tiempo conectado el componente, se supondrá estabilizada la temperatura

del cuerpo del mismo: Tj = PD. Rth + Ta = 75ºC y la evolución temporal de la misma a partir del
instante de la desconexión corresponderá a la expresión:
t
−
Tj (t ) = Tf + (Ti − Tf ). e τTh
donde : Ti = 75ºC
Tf = 25ºC (Ta)
JTh = 5s.
t
−
Con ello: Tj (t ) = 25 + (50). e
5
Se observa que Tj(t=3 τ Th ) = 27,48ºC, mientras que Tj(t=5 τ Th ) = 25,33ºC y Tj(t64) = 25ºC
2.6
2.3. LEY DE OHM TÉRMICA
Consiste en la ecuación de comportamiento anteriormente dada, a partir de la conclusión del

régimen transitorio, asumiendo que todo el calor generado, se va a poder transmitir al ambiente:
Tj − Ta
PD =
RTh
Analogía térmica - eléctrica:
Tj − Ta Va − Vb
PD = ≡ I=
RTh R
Potencia disipada / Corriente eléctrica

Diferencia de temperatura / Diferencia de potencial eléctrico
Resistencia térmica / Resistencia eléctrica
2.3.1. Circuitos térmicos en dispositivos de unión
Corresponden a la exposición esquemática de la ley de ohm térmica. Así, utilizando la

analogía térmica - eléctrica, en este tipo de circuitos, existirán: generadores de potencia en vez de
corriente y nudos caracterizados por su temperatura, en lugar de por la tensión eléctrica. Del mismo
modo, las resistencias térmicas RTh sustituirán a las eléctricas R , acompañándose habitualmente su
nomenclatura, por unos subíndices que indican los terminales entre los cuales esta conectada. Así:
RThca indica la resistencia térmica existente entre la cápsula del componente y el ambiente.
El circuito térmico más sencillo correspondiente a este tipo de dispositivos, se corresponde

con la Figura 2.3. En ella, la resistencia térmica completa (RTh o RThja) se divide en dos partes: la
existente entre el interior del componente y la cápsula (RThjc) mas la que hay entre la cápsula y el
ambiente (RThca).
2.7
Tj − Tc Tc − Ta Tj − Ta
PD = = =
RThjc RThjc RThja
RTh = RThja = RThjc + RThca
Figura 2.3
El circuito térmico puede ser mas complejo dependiendo de la estructura del componente
utilizado, de modo que existan otros nudos intermedios. En el caso mostrado a continuación (Figura
2.4), se incluye la resistencia térmica entre la unión y el soporte físico, indicando la existencia de
diferentes resistencias térmicas dentro de la propia estructura física del componente
Tj − Ts Ts − Tc Tc − Ta Tj − Ta
PD = = = =
RThjs RThsc RThca RThja
RTh = RThja = RThjs + RTjsc + RThca
Figura 2.4
2.3.2. Curva de desvataje
Cuanto mayor sea la potencia que se deba disipar un componente, este debe de soportar una
mayor diferencia entre las temperaturas de la unión y el ambiente. Pero es evidente, que la estructura
del mismo, impone unas limitació: Tjmax. Para esta temperatura existe una Pn o Pmax:
Tj max − Ta 0
Pn = La curva de desvataje, consiste en
RThja
2.8
la representación gráfica limitada de la máxima potencia disipada, en función de la temperatura de

un terminal (cápsula, ambiente...):
Tj max − Ta
PD max(Ta ) =
RThja
Figura 2.5 Curva de desvataje en función de Ta
Destacar que la curva de desvataje, se pueden diferenciar dos partes:
1) Un tramo con cuya pendiente, es la inversa de la resistencia térmica referida; en este caso:
RThja. Indica la variación del valor de la máxima potencia que es posible disipar con el
componente. Así, para temperaturas ambiente por encima de la de referencia Ta0, nunca se
puede llegar al 100% de la potencia nominal. Obviamente para temperaturas superiores a
un límite físico: Tjmax, no existe variación, pues el componente se deteriorará, sometido a
esas condiciones.
2) Una zona con pendiente nula por debajo de Ta0. Para este intervalo de temperaturas
ambiente, si se puede llegar al valor nominal de potencia disipada (Pmax o Pn).
Como se ha indicado anteriormente, la curva de desvataje no tiene porqué darse siempre en

función de la temperatura ambiente (Ta), aunque esta representación será la que nos dará una idea
real de la capacidad de disipación térmica del componente. No obstante, se puede construir la curva
en función de cualquier otra temperatura del componente; Ts, Tc..., puesto que también se cumple:
Tj max − Tc Tj max − Tc 0
PD max(Tc) = Pn =
RThjc RThjc
Figura 2.6 Curva de desvataje en función de Tc
2.9
2.4. MEJORAS DEL COMPORTAMIENTO TÉRMICO DE

COMPONENTES
A la vista de la gráfica correspondiente a la curva de desvataje y en definitiva, de la ley de
Ohm térmica, se pueden deducir dos vías para mejorar el comportamiento térmico de un
componente:
A) Reducción de la temperatura ambiente. Aumenta la diferencia de temperaturas Tj -Ta, lo

cual permite una mayor disipación de potencia. Para ello se utilizan sistemas de ventilación
que permitan disminuir, en la medida de lo posible, la temperatura ambiente en la cual esta
inmerso el componente. Esta vía, no implica cambio de las características del mismo, sino
que afecta al entorno que le rodea
B) Reducción de la resistencia térmica RThja. Mediante la colocación de disipadores o

radiadores, sobre el cuerpo del componente, se varía su resistencia térmica. Con ello, se
facilitará la transferencia del calor al entorno. De cualquier forma, nunca se podrá superar el
valor nominal Pn, ni la temperatura límite Tjmax. El disipador, permitirá ampliar el intervalo
de temperaturas que permiten disipar el 100% de Pn (se amplia el tramo de pendiente nula
en la curva de desvataje)
El circuito térmico correspondiente a un sistema componente-radiador, puede ser complejo,

pero en general reducirá, la resistencia térmica entre los terminales accesibles al usuario: cápsula-
ambiente. La Figura 2.7 expone esta situación:
Figura 2.7. Comparativa sistema con/sin radiador/disipador
Así se consiguen dos efectos:
1) Aumento del intervalo válido de temperaturas ambiente, para las cuales se puede llegar
a disipar la potencia nominal del dispositivo, sin dispador.
2) Aumento de la potencia nominal que puede disipar el conjunto dispositivo-disipador.
2.10
En la práctica, algunos fabricantes de dispositivos suelen presentar los datos de Pn asumiendo

un radiador infinito, de modo que las temperaturas de cápsula y ambiente son las mismas (situación
no real). Esto puede crear confusiones a la hora de la elección de dispositivo.
Ejemplo:
Un dispositivo real, con datos tomados de las características del fabricante expone:
Potencia nominal:116w
Tjmax=200°C
RThjc=1,5°C/W
RThja=35°C/W
Tomando como TCO la temperatura ambiente (25°C) al tomar condiciones ideales del disipador a
Tj max − Tc 0
utilizar: Pn = = 116 W , se transforma en una limitación real para esa temperatura
RThjc
Tj max − Ta 0
ambiente: Pn = = 5 W . Utilizando un radiador típico con RThdisp=1°C/W, la potencia
RThja
máxima utilizable quedaría en 70 W. Como puede verse son tres datos completamente distintos, que
sin una adecuada comprensión del significado real del valor, puede llevar al deterioro del
componente.
Para terminar, indicar que habitualmente se superponen ambos efectos de mejora; así, se
coloca un disipador sobre el componente, a la vez que instalan ventiladores, para mejorar la
circulación de aire y por tanto disminuir la temperatura ambiente.
2.11
APÉNDICE
SOA (Area de Operación Segura)
En ocasiones, se exponen de manera gráfica las limitaciones de un transistor (u otro

dispositivo), definiendo la zona de operación segura (SOA). Este area, esta limitada por la hipérbola
de máxima disipación de potencia, la corriente máxima y la tensión máxima o de ruptura del
dispositivo. De este modo, a menor tempertura ambiente, habra mayor area de operación segura,
pues la curva de máxima disipación será más externa. Así en la Figura 2.7, se observa una zona (B)
únicamente válida para temperatura ambiente 25ºC, mientras que para 40ºC esos puntos de trabajo
no son válidos
Figura 2.8. Grafica del Area de Operación Segura (SOA)
Ejemplo de aplicacion
De un transistor JFETde potencia, el fabricante suministra los siguientes datos:
IDmax = 20A
BVDSO = 40v
RThja = 8ºC/W
Tjmax = 200ºC
Se desea estimar el Area de Operación Segura para Ta=25ºC y 40ºC
Ta=25ºC
En este caso la potencia máxima corresponde a:
200ºC= PD25ºC 8ªC/W +25ºC 6 PD25ºC = 21,9W
2.12
Con ello, los límites de la curva de máxima disipación dados por los valores nominales de
tensión y corriente máximos, serán:
Para IDmax = 20A 6V20A = PD25ºC /IDmax = 1,1v
Para BVDSO = 40v 6I40v = PD25ºC / BVDSO = 0,548A
Ta=40ºC
Ahora la máxima potencia se reduce: 200ºC= PD25ºC 8ªC/W +40ºC 6 PD25ºC = 20W
Por tanto:
Para IDmax = 20A 6V20A = PD25ºC /IDmax = 1v

Para BVDSO = 40v 6I40v = PD25ºC / BVDSO = 0,5A
Con ello:
2.13
EJERCICIOS RESUELTOS
EJERCICIO 1
Se dispone de tres transistores MOSFET de acumulación canal N de idénticas características,

que comparten el mismo disipador en un ambiente de 30ºC.
Datos de los transistores: RThjc = 1,5ºC/W; Tjmax = 200ºC ; RThca >> RThdisp
T1 T2 T3
ID (A) 1 2 4
VDS (v) 7 6,41 6
VGS (v) 3 3,41 4
a) Obtener la resistencia térmica del disipador necesario para que la cápsula se encuentre a 150ºC
Circuito térmico equivalente del sistema formado:
Potencias disipadas en las condiciones del enunciado por los transistores: P=VDS ID:
P1 = 7W; P2=12,82W; P3=24W
Tc = (P1+P2+P3) RThdisp + Ta 6RThdisp = (Tc-Ta)/(P1+P2+P3) = 120/43,82 = 2,73ºC/W
b) Calcular la temperatura a la que se encuentra la unión del transistor 3 (Tj3)
En este caso: Tj3= P3 RThjc + Tc = 24W 1,5ºC/W+150ºC = 186ºC
2.14
EJERCICIO 2
Se dispone de un transistor unipolar polarizado en el punto de trabajo: VDS=6v ; ID=2A a una

temperatura ambiente Ta=40ºC. Siendo las características térmicas del componente:
Pn (Tc=25ºC) = 50W
RThjc = 3ºC/W
RThja= 16,5ºC/W
Tjmax = 175ºC
a) ¿Es posible mantener la temperatura de la cápsula por debajo de 80ºC, en las condiciones de
trabajo expuestas? En caso contrario, obtener la resistencia térmica del disipador necesario para
conseguirlo, despreciando la resistencia propia del transistor entre cápsula y ambiente: RThca>>RThdis
La potencia disipada por el transistor será: PD= 6.2 =12W y RThca = RThja - RThjc = 13,5ºC/W
Tc = PD.RThca + Ta = 12.13,5+40 = 202ºC >80ºC Supera el límite impuesto, incluso Tjmax, por
lo que se necesitará disipador, no solo para cumplir las condiciones del apartado Tc<80ºC, sino para
evitar el deterioro del componente
En ese caso: Tc = 80ºC = PD. ( RThca2RThdis )+ Ta .PD.RThdis + Ta 6RThdis = 3,3ºC/W
b) Al no disponer del disipador requerido, se opta por utilizar tres transistores idénticos al de
referencia en paralelo (de esta forma, cada uno de ellos trabaja con 6v, 2/3A). Así, se pretende
aprovechar el ventilador de que dispone el sistema donde se han colocado los dispositivos, para
reducir la temperatura ambiente y poder mantener la capsula por debajo del límite dado en el
apartado anterior: Tc=80ºC. Indique el valor límite de temperatura ambiente (Ta) requerido
Ahora la nueva potencia disipada por cada dispositivo, será: PD= 6.2/3 =4W
Ta = Tc- PD.RThca = 80 - 4.13,5 = 26ºC; por debajo de este valor de temperatura ambiente a
conseguir por la ventilación se podrá mantener la cápsula por debajo de los 80ºC requeridos.
2.15
EJERCICIOS PROPUESTOS
EJERCICIO 1
Dadas las características suministradas por el fabricante del transistor TIP 122, se desea conocer:
1) Potencia máxima que puede disipar el transistor, sin disipador y con disipador infinito, para Ta =
25ºC
2) Sin disipador, obtener la potencia máxima disipada para Ta = 75ºC, así como temperatura de la
unión en esas condiciones.
3) Se coloca un disipador con RThdis-amb = 30 ºC/W, estando la unión disipador - cápsula realizada
con silicona (Rthcap-dis = 0,7 ºC/W). Obtener para Ta = 75ºC la máxima potencia disipada.
SOLUCIÓN
1) PD max (Ta <25ºC) sin disipador = 2W ; PD max (Ta <25ºC) con disipador infinito = 65W
2) PD max (Ta =75ºC) = 1,2W ; Tj = Tjmax = 150ºC
3) PD max (Ta =75ºC) = 2,3W
2.16
EJERCICIO 2
De las caracterísitcas suministradas por el fabricante de un transistor, se obtienen:

RTh jc = 8,33 ºC/W ; Rth ja = 175ºC/w ; Tjmax = 150ºC
Este componente se inserta en un circuito, disipando 1W para una Ta = 25ºC. Se pide:
1) Obtener la temperatura de la unión.
2) Si se coloca un disipador entre cápsula y ambiente con RTh dis = 7,67ºC/w; ¿cual será ahora la
nueva temperatura de la unión?
SOLUCION
1) Tj = 200ºC
2) Tj = 41ºC
EJERCICIO 3
De la información aportada por un fabricante de transistores MOS de potencia, se destacan las

siguientes características térmicas y de potencia:
- PDmax = 40W, hasta 25ºC de temperatura en la cápsula

- Margen de temperaturas de la unión: -55ºC<Tj<150ºC
- Resistencia térmica unión - ambiente: RThja = 75ºC/W
Se desea determinar:
1) Representación de la variación de potencia disipada máxima en función de la temperatura

ambiente, en dos situaciones: sin disipador y con radiador infinito
2) Valor de la resistencia térmica: RThca
3) Si se aplica ahora un disipador con RThdisp = 5ºC/W:
a) Valor de la potencia nominal, hasta Ta=25ºC, que correspondería a la nueva curva de

desvataje
b) Temperaturas en cápsula y unión, si la potencia disipada por el dispositivo es de 10W,
siendo la temperatura ambiente Ta=50ºC
2.17
SOLUCION
1) Sin radiador: Pn (Ta=25ºC) = 1,66W

Con radiador infinito: Pn (Ta=25ºC) = 40W
2) RThca = 71,875ºC/W
3a) Pn=15,38W
3b) Tc=100ºC; Tj=131,25ºC
2.18
CAPÍTULO 3
Circuitos con diodos
Contenido
3.1. INTRODUCCIÓN.................................................................3
3.2. RECTIFICADORES ..............................................................4
3.2.1. Rectificadores de media onda ........................................................................ 4
3.2.2. Rectificadores de onda completa o doble onda .............................................. 6
3.3. DIODOS ZENER: ESTABILIZACION DE TENSION ....................8
3.3.1. Ejemplo de cálculo de resistencia limitadora RR .......................................... 11
3.3.2. Ejemplos prácticos de fuentes de alimentación estabilizadas ....................... 11
3.4. RECORTADORES .............................................................. 12
3.4.1. Análisis sistemático mediante puntos críticos .............................................. 14
3.4.2. Recortadores de un solo nivel...................................................................... 15
3.4.3. Recortadores de dos niveles ........................................................................ 16
3.5. PROBLEMAS ................................................................................................... 19
3.1
3.2
Capítulo 3: Circuitos con diodos
3.1 INTRODUCCIÓN
El diodo se obtiene a partir de una unión p-n. En función de las dimensiones,

dopados, etc. de los semiconductores p y n que componen el diodo se consiguen diferentes
tipos de diodos (rectificadores, zener, túnel, etc.) que son utilizados en las diferentes
aplicaciones electrónicas. Se podría decir que cada tipo de diodos está especializado en unas
determinadas funciones (rectificación, conmutación, estabilización, etc.).
En este capítulo se verán algunas de las múltiples aplicaciones de los diodos
semiconductores, en particular se trata la rectificación de corriente eléctrica, la estabilización
de tensión y los recortadores de nivel.
La ecuación que relaciona la corriente eléctrica que circula por un diodo del ánodo al
cátodo y la tensión en bornas del diodo (tensión ánodo-cátodo) es:
qVD
KT
I D  I S (e  1)
en la que
- IS es la corriente inversa de saturación

- q es la carga del electrón
- K es la constante de Boltzman
- T es la temperatura en Kelvin
1.0000
ID
0.8000
0.6000
0.4000
0.2000
0.0000
-0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6
VD (Tensión ánodo-cátodo)
Figura 3.1 Característica ID-VD de un diodo semiconductor
Es habitual emplear modelos ideales del diodo. El más sencillo de ellos consiste en
considerar al diodo como un cortocircuito en el caso en el que la corriente impuesta por el
circuito externo fluya de ánodo (A) a cátodo (K), mientras que se considera al diodo como un
circuito abierto en el caso en el que el circuito externo pretenda establecer una corriente
eléctrica que fluya de cátodo a ánodo.
3.3
Otro modelo empleado para el diodo es similar al anterior pero teniendo en cuenta
una caída de tensión directa en torno a 0.6 V para el caso de polarización directa.
Añadiendo una resistencia (RF) de bajo valor al caso anterior se obtiene un nuevo
modelo ideal del diodo. Otros modelos ideales contemplan la pequeñísima corriente inversa
de saturación haciendo equivaler el diodo en zona inversa a una resistencia (RR) de elevado
valor entre ánodo y cátodo.
Los diodos tienen una serie de limitaciones eléctricas y de conmutación que es

necesario tener presentes. En polarización directa el diodo está limitado por su corriente
directa máxima (IFmax) y en polarización inversa está limitado por su tensión inversa máxima
(VRmax). Por otro lado es necesario tener en cuenta los tiempos de conmutación del diodo
(tON y tOFF) a la hora de utilizarlo en circuitos en donde estén presentes señales variables.
VCC_CIRCLE
A A A
. VCC_CIRCLE VCC_CIRCLE
ID ID ID ID
RF
. V
. D
VD RR
VF
. V . V .
. D .D
j K
j K j K
a) b) c)
Figura 3.2 Modelo equivalente y característica. a) Diodo, b) Diodo en directo, c) Diodo en inverso
3.2 RECTIFICADORES
Una de las aplicaciones más importantes de los diodos semiconductores es la

rectificación de corriente que permite la obtención de corriente continua a partir de corriente
alterna.
El caso más común es la rectificación de la corriente alterna sinusoidal (en las
centrales eléctricas se genera corriente alterna sinusoidal). Los equipos electrónicos, en
general, necesitan ser alimentados a partir de fuentes de corriente continua, de ahí la
necesidad del empleo de los rectificadores.
3.2.1 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Una corriente alterna sinusoidal responde a la ecuación V (t )  VMAX cos(2ft ) en la

que VMAX representa el valor máximo o amplitud y f la frecuencia de la señal alterna.
3.4
VMAX
El valor eficaz de esta señal es Vef  .
2
El rectificador de media onda está constituido por un diodo que solo permite el paso
de corriente durante un semiperiodo de la señal alterna.
En la Figura 3.3 se muestra el esquema de conexiones del rectificador de media onda,

mientras que en la ura 4 se enseña las señales de entrada y salida de dicho rectificador de
media onda.
20.0
D
15.0
A
10.0
RL
V(t) 5.0
VAB(t) , V(t)
B
0.0
-5.0
Figura 3.3 Rectificador de media onda.
-10.0
VAB(t)
V(t)
-15.0
En este ejemplo el generador produce
-20.0
una tensión eficaz de 12 V a una 0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
t (s)
frecuencia de 50 Hz.
Figura 3. 4: Rectificador de media onda.
La señal recogida en la carga (RL) es VAB(t) que, como se puede comprobar, solo tiene
componente positiva.
Se demuestra por análisis de señales que la componente continua (VDC) o nivel medio
VMAX 1
de esta señal de salida vale V DC  ; se obtiene como VDC  V (t )·dt
 T T
Se puede observar que la frecuencia de la señal de salida es la misma que la del
generador conectado a la entrada.
3.5
La función de transferencia o
característica de transferencia
relaciona la tensión de salida (Vo) con
la tensión de entrada (Vi).
En la Figura 3.5 se muestra la

característica de transferencia
correspondiente al rectificador de
media onda.
Figura 3. 5: Función de transferencia del rectificador de
media onda.
En dicha figura pueden verse,
además, como una señal triangular de entrada al rectificador, de amplitud A, genera a su
salida una señal Vo(t) que consta solo de la parte positiva de la señal de entrada.
3.2.2 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA O DOBLE ONDA
Para conseguir una rectificación completa de la señal sinusoidal es necesario emplear

dos o cuatro diodos según muestran las Figuras 3.6 y 3.7 respectivamente.
D2
D1
- +
V(t)
A
A
V(t) V(t) RL
RL
B
B
Figura 3.6 Rectificador de doble onda con dos diodos Figura 3.7 Rectificador de doble onda con puente de
diodos
En el primer caso son necesarios dos generadores iguales conectados con un desfase
de 180º, de esta forma cuando el primer generador tiene fase positiva, el segundo generador
tiene fase negativa y por tanto en un semiciclo D1 permite el paso de la corriente procedente
del primer generador (con fase positiva); por su parte el diodo D2 permite la circulación de
corriente debida al segundo generador en el siguiente semiciclo. En cada semiciclo siempre
hay un diodo en inverso; este diodo soporta una tensión máxima de 2 ·VMAX.
El otro montaje para conseguir una rectificación completa es el montaje en puente de

la Figura 3.7. Cuando el generador tiene fase positiva, los diodos D1 y D4 quedan polarizados
en directo y por tanto la tensión VAB es positiva; cuando la fase del generador es negativa los
diodos polarizados directamente son D3 y D2 con lo que VAB sigue siendo positiva.
3.6
El nivel de la componente continua (VDC) o nivel medio obtenido entre A-B para ambos casos
vale
2VMAX
V DC 

En cuanto a la frecuencia de la señal de salida, se puede ver en la Figura 3.8 como ésta es
doble que la de entrada.
20.0
15.0
10.0
5.0
VAB(t) , V(t)
0.0
-5.0
-10.0
VAB(t)
V(t)
-15.0
-20.0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
t (s)
Figura 3. 8: Rectificador de doble onda, señales de entrada y salida
La función de transferencia o característica de transferencia del rectificador de onda completa

puede verse en la Figuras 3.9.
Figura 3.9 Función de transferencia del rectificador de onda completa
3.7
3.3 DIODOS ZENER: ESTABILIZACION DE TENSION
Como se ha visto en las Figuras 3.4 y 3.8, los diodos

rectificadores solo eliminan la parte negativa de la
corriente alterna. Sin embargo las señales mostradas
en dichas figuras son corrientes pulsatorias (señales
periódicas variables y siempre del mismo signo) y Figura 3. 10 Corriente pulsatoria
distan bastante de ser una corriente continua.
Para conseguir suavizar esta corriente pulsatoria es necesario el uso de filtros.

En la Figura 3.11 se muestra un diagrama de bloques en el que se puede ver como a la salida
del rectificador se conecta un filtro; por su parte, la Figura 3.12 muestra dos tipos básicos de
filtros, ambos son ampliamente utilizados en las fuentes de alimentación de circuitos
electrónicos.
El análisis de estos filtros se verá en asignaturas de electrónica analógica en cursos

posteriores.
Figura 3. 11: Diagrama de bloques de una fuente de Figura 3. 12: Dos tipos de filtros empleados
alimentación básica. habitualmente en fuentes de alimentación.
3.8
A la salida del filtro se obtiene una corriente continua que, a pesar de haberse
suavizado respecto a la pulsatoria procedente del rectificado, tendrá todavía cierto rizado.
Esta señal se puede observar en la Figura 3.13; en ésta puede verse como el rizado antes
mencionado hace que la señal varíe entre unos valores máximo y mínimo.
Figura 3. 13: Señal de entrada no regulada
Para conseguir una corriente continua pura a partir de señales como la de la Figura
3.13, se recurre al empleo de reguladores o estabilizadores de tensión. El regulador o
estabilizador elemental se puede construir en torno a un diodo zener. En la Figura 3.14 se
muestra el regulador básico con diodo zener.
RR
+. +.
FUENTE DE TENSION
DZ VREG
CONTINUA VNR RL
SIN REGULAR
_ _
Figura 3. 14: Regulación con diodo zener
La tensión procedente de la fuente sin regular (Figura 3.11) ataca al regulador

constituido por la resistencia limitadora RR y el diodo zener DZ para proporcionar la tensión
continua regulada VREG.
La resistencia de carga RL es el receptor o circuito electrónico que se pretende

alimentar (esta RL podría ser un teléfono móvil, un modem, un montaje con circuitos
integrados TTL, etc.).
Hay que decir que el estabilizador o regulador, además de conseguir una corriente
continua pura, se encarga de mantener constante el valor de esa tensión continua. Por
ejemplo un estabilizador con un zener de 5.6 V mantendrá una tensión constante de 5.6 V
como tensión de salida.
3.9
Para calcular el regulador en torno al diodo zener es necesario tener en cuenta las
características del zener y por supuesto los márgenes de la carga. En la Figura 3.15 puede
verse la curva característica de un diodo zener polarizado en inverso.
VCC_CIRCLE
K
.
IZ
ID IZM
.
DZ VZ
. IZK V. Z
VZN
j A
Figura 3. 15: Característica IZ-VZ de un diodo zener
Para que el diodo zener mantenga en sus bornas la tensión zener (VZN) es necesario
garantizar una corriente mínima por el zener (IZK) y no sobrepasar la corriente máxima (IZM).
Es posible que en vez de IZM, el fabricante proporcione la potencia nominal del zener, en tal
caso:
IZM = PZN/VZN
Por otra parte es necesario tener en cuenta que la carga puede ser variable.
RR
+. +.
FUENTE DE TENSION
DZ VREG
CONTINUA VNR RL
SIN REGULAR
_ _
Figura 3. 16: Circuito estabilizador básico.
Supuesta una RL fija, la resistencia limitadora RR será tal que garantice la corriente
mínima (IZMIN = IZK) por el zener cuando la tensión a su entrada sea la mínima; esta condición
lleva a la obtención de RR máxima. RR también debe garantizar que la corriente por el zener
no excede
(IZMAX = IZM) cuando la tensión de entrada es máxima; esta condición conduce al valor mínimo
de RR. Las ecuaciones son:
3.10
 V  ViMAX  VZ
ViMAX  VZ  RR  I ZMAX  Z  , RR 
 RL   V 
 I ZMAX  Z 
 RL   I ZK  I ZMIN

con 
 V  ViMIN  VZ I ZM  I ZMAX
ViMIN  VZ  RR  I ZMIN  Z  , RR 
 RL   V 
 I ZMIN  Z 
 RL 
Para una carga variable, es necesario tener en cuenta los casos extremos de RL y de las
tensiones VMAX y VMIN. Está claro que una fuente de alimentación puede no tener nada
conectado, en cuyo caso RL es infinita y el zener debe soportar la máxima corriente, así que:
ViMAX  VZ
ViMAX  VZ  RR I ZMAX , RR 
I ZMAX
Cuando la carga tenga un valor bajo (se considerará RLMIN), absorberá una corriente
elevada, pero el zener debe tener garantizada su IZMIN, aun cuando la tensión de entrada sea
mínima. Esto lleva a:
 V  ViMIN  VZ 3.3.1 EJEMPLO DE

ViMIN  VZ  RR  I ZMIN  Z  , RR 
 RLMIN   V  CÁLCULO DE
 I ZMIN  Z 
 RLMIN  RESISTENCIA
LIMITADORA RR
Sea un zener de VZ = 7.5 V, IZMIN = 1 mA, PZ = 1 W; una RL = 2k2 . Calcular márgenes de RR

para que exista regulación.
RR
v cc
DZ
.
VIN 7V5 RL
1W 2k2
v cc
Tensión de entrada sin regular Circuito regulador con zener
3.11
RR=113.6 4.4 mA 3.4 mA RR=18.74 133.4 mA 3.4 mA

. . . .
v cc v cc
1 mA
130 m A
DZ DZ
. .
V =8V 7V5 RL 7V5
INMIN VIN = 10 V RL
. 1W 2k2 MAX 1W 2k2
.
v cc v cc
Con tensión de entrada mínima (IZMIN = 1 mA) Con tensión de entrada máxima (IZMAX = PZ/VZ = 130
mA)
Vi MIN  VZ 8  7.5 ViMAX VZ 10  7.5

RR    113.6  RR    18.74 
 V  4.4 mA  VZ  133.4 mA
 I ZMIN  Z   I ZMAX  
 RL  RL 

3.3.2 EJEMPLOS PRACTICOS DE FUENTES DE ALIMENTACION ESTABILIZADAS
En las Figuras 3.17 y 3.18 se muestran dos fuentes de alimentación completas con
salida de 8.2 VDC, ambas con rectificador de doble onda.
Puede observarse como en la práctica, los generadores de las Figuras 3.6 y 3.7 son
en realidad los secundarios de trasformadores reductores de tensión, conectados a la red
eléctrica. En la Figura 3.17 puede observarse el empleo de un puente rectificador
integrado, que incluye los 4 diodos vistos de forma discreta en la Figura 3.7.
Para el caso del rectificador de doble onda con transformador simétrico (Figura
3.18) es fundamental respetar la fase de los devanados del secundario (criterio de los
“puntos”), para esto los transformadores comerciales indican en sus bornas {VSALIDA, 0,
VSALIDA }, tal como aparece en la Figura 3.18.
TRANSFORMADOR TENSION DE SALIDA

FUSIBLE SEC. SIMPLE ESTABILIZADA
FASE
100 R
TENSION DE RED Vsec - +
9 Vrms c c
220 Vrms /50 Hz
NEUTRO + 2200 uF 8V2 RL

RELACION 220:9 25 V 1W
a v
FUENTE DE ALIMENTACION ESTABILIZADA DE 8.2 V
Figura 3. 17: Fuente de alimentación con rectificador de doble onda (puente de diodos).
3.12
TENSION DE SALIDA
ESTABILIZADA
TRANSFORMADOR
FUSIBLE SEC. SIMETRICO D1 100 R
FASE
c c
9 Vrms
TENSION DE RED + 2200 uF
220 Vrms /50 Hz 25 V 8V2 RL
1W
9 Vrms D2
NEUTRO a v
RELACION 220:9+9
FUENTE DE ALIMENTACION ESTABILIZADA DE 8.2 V
Figura 3. 18: Fuente de alimentación con rectificador de doble onda (dos diodos).
Por si el alumno se “siente tentado” a construir alguno de estos montajes, cabe

señalar que en la práctica existen múltiples circuitos integrados especializados en la
estabilización de tensión.
Estos circuitos integrados incluyen internamente uno o varios diodos zener y, con su
empleo, se consiguen mejores resultados que con el uso de un estabilizador con un solo
diodo zener. Se verán en cursos posteriores.
3.4 RECORTADORES
Son circuitos constituidos por diodos y resistencias y se utilizan como limitadores o

conformadores de señal. Los recortadores se caracterizan por su función de transferencia que
relaciona la tensión de salida con la tensión de entrada. Existen recortadores de uno o varios
niveles; aquí solo se verán circuitos recortadores de uno y de dos niveles. Los de un solo nivel
utilizan un único diodo mientras que los de dos niveles hacen uso de dos diodos. En las
Figuras 3.19 y 3.20 se pueden ver dos ejemplos que ilustran el comportamiento de ambos
tipos de circuitos.
Figura 3. 19: Función de transferencia del recortador Figura 3. 20: Función de transferencia del recortador de
de un solo nivel. dos niveles.
3.13
La siguiente tabla muestra diversos tipos de recortadores de un solo nivel. Se puede

ver el circuito eléctrico, la función de transferencia de dicho circuito y las ecuaciones que
relacionan la tensión de salida con la tensión de entrada. En todos los casos se ha supuesto
un diodo ideal, con una caída de tensión directa VF.
R
z Vo
f
VF Vi , Vi  VF
Vi
. D
Vo
.
VO  
VF
Vi
. VF , Vi  VF
x .
w
R
z
c Vo
VF+ VG
. D .  Vi , Vi  VF  VG
Vi Vo
VO  
VF+ VG
Vi
.
VF  VG , Vi  VF  VG
VG .
x
k
R1
z
c
Vo
D  Vi , Vi  VF
. .  R2
VF VO  
Vi Vo V  (Vi  VF ) , Vi  VF
Vi
.  F R1  R2
R2 VF
.
x f
A pesar de que no se ha indicado ninguna limitación de la tensión de entrada, hay

que tener presente que el diodo tendrá una corriente directa máxima (IFMAX) y una tensión
inversa máxima (VRMAX). Por otro lado hay que recordar la tensión nominal y la potencia
nominal de los resistores, parámetros que también limitan los valores de la tensión de
entrada Vi.
3.4.1 ANALISIS SISTEMATICO MEDIANTE PUNTOS CRITICOS
En los ejemplos vistos anteriormente, todos ellos de recortadores de un solo nivel, es

fácil obtener las expresiones que relacionan la tensión de salida en función de la tensión de
entrada.
Cuando se desea analizar el comportamiento de recortadores de varios niveles, en el

que están presentes varios diodos, el trabajo es más laborioso. En estos casos se recurre a un
método sistemático que se basa en analizar el comportamiento del circuito, teniendo en
cuenta los puntos críticos de los diodos involucrados.
3.14
Se conoce como punto crítico del diodo al punto de la característica V-I en la que el
diodo está en el límite entre zona inversa y zona directa, esto significa que la caída de
tensión es la caída de tensión directa (0 V si el diodo es ideal, VF si se desea considerar la
barrera de potencial) y la corriente por el diodo es nula.
Figura 3. 20: Punto crítico de un diodo ideal. Figura 3. 21: Punto crítico de un diodo ideal
con VF.
Para el análisis mediante puntos críticos, primero se analiza el circuito considerando

que los diodos se encuentran en sus puntos críticos. Está claro que los diodos no estarán
simultáneamente en los puntos críticos.
Para el caso de recortadores de dos niveles, existirán dos valores de la tensión de
entrada tales que uno de ellos llevará al primer diodo a su punto crítico, mientras que al
segundo diodo lo llevará a su punto crítico otro determinado valor de la tensión de entrada.
Esos dos valores de la tensión constituyen dos puntos de referencia en la función de
transferencia y dividen el eje de la tensión de entrada en tres tramos:
 Vi < min { Vi para punto crítico diodo 1, Vi para punto crítico de diodo 2}
 min { Vi para punto crítico diodo 1, Vi para punto crítico de diodo 2} < Vi < max { Vi
para punto crítico diodo 1, Vi para punto crítico de diodo 2}
 Vi > max { Vi para punto crítico diodo 1, Vi para punto crítico de diodo 2}
En el primer tramo es probable que uno de los diodo esté en inverso y el otro en
directo, en cuyo caso uno sería un circuito abierto y el otro un cortocircuito (si el diodo es
ideal) o una f.e.m (si se considera la VF del diodo).
En el segundo tramo podría suceder que los dos diodos estén en directo, en cuyo
caso serían dos cortocircuitos (o dos f.e.m si se considera la VF).
3.15
En el tercer tramo cambiaría la situación al estado contrario del primer tramo, el diodo
que estaba en directo pasa a inverso y el que se mantenía en inverso pasa a directo. El
análisis sería similar al tramo 1.
Se muestra a continuación un par de ejemplos de análisis de recortadores de uno y dos

niveles.
3.4.2 ANALISIS DE UN RECORTADOR DE UN SOLO NIVEL
En la Figura 3.22 se puede ver un recortador de un nivel.
Para proceder de forma sistemática, se busca la tensión de entrada que hace que el diodo
esté en su punto crítico; en tal situación (Figura 3.23), la intensidad por el diodo es nula y la
tensión en bornas del mismo será VF.
En el punto crítico VO = Vi = VG + VF, dado que la caída de tensión en R3 será nula (ID
= 0) y VD = VF. Para Vi menores que VG + VF, el diodo está en inverso (Figura 3.24) y entonces
VO = Vi. Para Vi mayores que VG + VF el diodo está en directo y por tanto
Vi  VG  VF
VO  VG  VF  R3 .
R1  R3
El circuito a analizar para este último caso es igual al de la Figura 3.23, teniendo en
Vi  VG  VF
cuenta que la intensidad que circula por R3 es I R 3 
R1  R3
En resumen:
 Vi  VG  V F , VO  Vi , ( Diodo punto crítico )
 Vi  V G  V F , VO  V i , ( Diodo en inverso )
V i  VG  V F
 Vi  VG  V F , VO  VG  V F  R3 , ( Diodo en directo )
R1  R3
3.16
R1 R2 R1 R2 R1 R2
c c c
z z z
VG VG VG
. . . . . .
I D =0 m A
R3 R3
Vi Vo Vi R3 Vo Vi Vo
I D =0 m A
.
VF=0.6V CIRCUITO
D . ABIERTO
f f f
x x x
Figura 3. 22: Recortador de un Figura 3. 23: Diodo en punto crítico. Figura 3. 24: Caso de Vi < VG + VF.
nivel.
En la Figura 3.25 se muestra la función de transferencia correspondiente a este

recortador. El primer tramo tiene una pendiente de 1 y el segundo tramo tiene una pendiente
R3
.
R1  R3
Figura 3. 25: Función de transferencia del recortador de la Figura 3.22.
3.4.3 ANALISIS DE UN RECORTADOR DE DOS NIVELES
En la 3. 26a aparece un recortador de dos niveles. Ahora, al existir dos diodo habrá
dos puntos críticos, uno para D1 y otro para D2.
El punto crítico de D1 se alcanza cuando VO = VG1+VF y como ID1 = 0 (punto crítico),

entonces, la intensidad por R1 es nula y Vi = VO= VG1+VF (tener presente que cuando D1 está
en el punto crítico, D2 está en inverso).
El punto crítico de D2 se alcanza cuando VO = -VG2 -VF y como ID2 = 0 (punto crítico),
entonces, la intensidad por R1 es nula y VO = -VG2 -VF (tener presente que cuando D2 está en
el punto crítico, D1 está en inverso).
Para tensiones de entrada comprendidas entre Vi = -VG2 -VF y Vi = VG1+VF , los dos
diodos se encuentran en inverso (Figura 3.26c) y por tanto Vi = VO.
3.17
Para tensiones de entrada Vi < -VG2 -VF , D2 se encuentran en directo y D1 en inverso (Figura
3.26b) y por tanto Vi = -VG2 -VF.
Para tensiones de entrada Vi > VG1 +VF , D1 se encuentran en directo y D2 en inverso

(Figura 3.26d) y por tanto Vi = VG1 +VF.
Con todo esto, la función de transferencia es la mostrada en la Figura 3.27.
R1 R1 R1
R1
c c c c
z z z z
VG1 VG1
VG2 VG2
. . . . . . . .
Vi Vo Vi Vo Vi Vo Vi Vo
D2 D1
VF=0.6V VF=0.6V
D1 D2
f f
f x f x
x x
(a) (b) (d)

(c)
Figura 3. 26: Recortador de dos niveles.
Figura 3. 27: Función de transferencia del recortador de dos niveles.
Si se intercalan dos resistencias en las ramas en las que están los diodos, la función de
transferencia anterior se modifica según la Figura 3.28b. Ello es debido a la progresiva caída
de tensión en dichas resistencias, conforme aumenta la tensión de entrada.
R
La pendiente de los tramos primero y tercero es .
R1  R
R1
c
z
VG1 VG2
. .
Vi R R Vo
D1 D2
f
x
(a) (b)
Figura 3. 28: Recortador de dos niveles modificado respecto a la figura 26 a.
3.18
Es necesario tener en cuenta los límites de las tensiones de entrada, es decir, la

tensión Vi no puede tomar cualquier valor. Efectivamente, todos los componentes empleados
en los recortadores tendrán limitaciones de tensión, de corriente y de potencia.
Normalmente se toman en cuenta los parámetros máximos de los diodos (IFMAX, VRMAX)
y se calculan los valores extremos de Vi de forma que en ningún caso se sobrepasen estos
parámetros de los diodos. No obstante, estrictamente hablando, hay que tener en cuenta
también los valores nominales de los resistores (PNM, VNM) que forman parte del circuito
recortador.
En el presente curso solo se tendrán en cuenta las limitaciones impuestas por los diodos.
3.19
PROBLEMAS
Ejercicio 1
En el esquema de la Figura 3.29, el diodo tiene una IFMAX = 100 mA y VRMAX = 100 V.
Calcular y representar la función de transferencia. Calcular los límites de la tensión de entrada
Vi.
R1=50 1N4148
c
z
15V
. .
Vi Vo
R2=50
f
x
Figura 3. 29: Problema 1. (a) Esquema. (b) Solución.
Ejercicio 2
Dada la Figura 3.30, el diodo tiene una IFMAX=100 mA y VRMAX=100 V. Calcular y

representar la función de transferencia. Calcular los límites de la tensión de entrada Vi.
R1=1k D1 VG1=5V
c
z
VG2
D2 12V
. .
Vi Vo
R2=1k R3=1k
f
x
Figura 3. 30: Problema 1. (a) Esquema. (b) Solución.
3.20
Ejercicio 3
Se desea estabilizar una tensión continua, que varía entre 10 V y 15 V, de forma que a
la salida del estabilizador se tenga una tensión constante de 5.1 V.
Para ello se dispone de un diodo zener BZX55-C5V1 (5.1 V, 0.5 W, IZK=1 mA).
El estabilizador debe ser capaz de alimentar cargas variables, siendo posible que no exista
carga conectada al mismo.
1º Calcular la resistencia limitadora de forma que soporte la ausencia de carga.

2º Una vez calculada la resistencia limitadora, calcular la mínima resistencia de carga
conectable al estabilizador de forma que exista regulación.
3º Calcular la tensión en bornas de la carga cuando ésta tiene un valor de 20 .
4º Este estabilizador, ¿podría servir como fuente de alimentación para un circuito digital TTL
que absorbe una intensidad de 80 mA? ¿y de 110 mA?
SOLUCION: 1º 101 . 2º 107 . 3º 2.48 V (Vi=15 V), 1.65 V (Vi=10 V). 4º 80 mA sí,
110 mA no.
Ejercicio 4
Diseñar una fuente de alimentación estabilizada con un diodo zener. La entrada de la

fuente es la tensión de red (220 Vrms/50 Hz) y la salida será de 3.3 V. La corriente máxima
suministrada por la fuente será de 200 mA.
Especificar la relación de transformación del transformador, la corriente nominal del
secundario de dicho transformador, las tensiones y corrientes de los diodos rectificadores, la
potencia y tensión nominales del zener (suponer que IZK es un 2% de IZMAX), la resistencia
limitadora.
Ejercicio 5
V1(t)=100 sin (250t) [V]

V2(t)=100 sin (250t+2/3) [V]
V3(t)=100 sin (250t-2/3) [V]
R1 = 100 
Representar Vo(t) e indicar los valores de IFMAX y VRMAX de D1, D2, D3.
3.21
D1
D2
D3
Vo
V1(t) V2(t) V3(t)

R1
3.22
PROBLEMA 6
D1 = D2 = MMBD1701
R1 = R2 = R3 = 200 
Característica de transferencia Vo = f(Vi). Valores máximo y mínimo de Vi.

D1
R1
c
z D2
R2
. .
Vi Vo
R3
f
x
PROBLEMA 7
D1 = D2 = D3 = MMBD1701
R1 = R2 = R3 = R4 = 200 
E1 = 1 V ; E2 = 2 V ; E3 = 3 V
R4
c
z
E1 E2 E3
. .
Vi R1 R2 R3 Vo
D1 D2 D3
f
x
PROBLEMA 8
D1 = D2 = MMBD1701
R1 = R2 = 200 
E1 = 3.3 V
3.23
D1
D2
R1
c
z
E1
. .
Vi Vo
R2
x
c
3.24
3.25
CAPÍTULO 4
Polarización de transistores y
fuentes de corriente
Contenido
4.1. INTRODUCCIÓN ....................................................................................2
4.2. PUNTOS DE POLARIZACIÓN ESTÁTICO Y DINÁMICO ................2
4.3. ESTABILIDAD ........................................................................................4

4.3.1. Estabilidad de los circuitos de polarización con unipolares ........................... 5
4.3.2. Estabilidad de los circuitos de polarización con bipolares ............................. 6
4.4. POLARIZACIÓN .....................................................................................8
4.4.1. Diseño con bipolares ...................................................................................... 9
4.4.2. Diseño con unipolares .................................................................................... 9
4.5. SENSIBILIDAD .....................................................................................10
4.5.1. Definición de sensibilidad ............................................................................ 10
4.5.2. Sensibilidad teórica de transistores bipolares ............................................... 11
4.6. POLARIZACIÓN POR FUENTES DE CORRIENTE ..........................12
4.6.1. Introducción .................................................................................................. 12
4.6.2. Fuentes de corriente básicas ......................................................................... 14
4.6.3. Fuente de corriente Wilson ........................................................................... 18
4.6.4. Fuentes de corriente básicas con resistores de emisor ................................. 19
4.6.5. Fuente de corriente widlar ............................................................................ 20
4.7. EJERCICIOS ...........................................................................................22
4.1
Temas de circuitos electrónicos básicos
4.2
Capítulo 4: Polarización de transistores y fuentes de corriente
4.1. INTRODUCCIÓN
En el presente capítulo se introduce y desarrolla el concepto de polarización, con lo cual

iniciamos éste haciendo un esbozo de dicho concepto. Una vez que hemos aprendido a analizar
el punto de trabajo en el que se encuentra un transistor, el concepto de polarización es fácil de
adquirir, se trata tan sólo de aplicar una serie de conceptos y reglas que veremos a lo largo del
capítulo, para hacer que el transistor se sitúe en un determinado punto de trabajo. El capítulo se
divide en dos partes fundamentales, en un primer aspecto se estudiarán las redes de polarización
básicas para transistores, tanto unipolares como bipolares, pasando después a estudiar las ventajas
que ofrece la polarización por fuentes de corriente.
En cualquier caso es importante reseñar que antes de acometer el estudio de la

polarización de un transistor es necesario conocer el uso y función que éste va a desempeñar.
Con respecto al uso que se hace hoy día de los transistores en cualquiera de sus vertientes,
discretos o integrados, podemos decir que es casi ilimitado, si bien podríamos dividir dichas
funciones en dos grandes bloques: el primero sería el caso de todas aquellas aplicaciones de
carácter digital, donde sabemos que los transistores trabajan conmutando entre las zonas de corte
y conducción, y un segundo bloque en el que se encuentran aplicaciones de carácter analógico,
donde los transistores trabajan en la zona lineal (conducción), caso por ejemplo de
amplificadores, etc. En el desarrollo de éste capítulo inclinamos el estudio de la polarización hacia
la zona lineal, porque normalmente en esta zona además se polariza en un punto fijo y nos
permite estudiar las características de la polarización de forma más sencilla, además nos prepara
de alguna manera para el próximo capítulo, donde se estudiarán los amplificadores. Sobre este
aspecto cabe señalar que el funcionamiento como amplificador hará que sea necesario polarizar
al transistor en zona activa, este hecho nos fija lo que se denomina como punto de polarización
estático; la señal que se desea amplificar hará que dicho punto de polarización sufra variaciones
alrededor de éste, que serán proporcionales a la señal ya mencionada: es lo que se conoce como
punto de polarización dinámico.
4.2. PUNTOS DE POLARIZACIÓN ESTÁTICO Y DINÁMICO
Vamos a dar en este punto una serie de conceptos que tratan de aclarar las ideas que nos
permiten discernir entre ambos puntos de polarización. Para ello se usa como ejemplo
introductorio el caso de un transistor unipolar, si bien se puede ver también en uno bipolar. En la
figura 4.1 se observa un transistor unipolar MOSFET polarizado con dos fuentes de alimentación
VCC y VGG que se encargan de establecer el punto Q de polarización estático, además de recibir
una señal vgs variable que hace cambiar el punto de polarización Q, produciéndose desviaciones
alrededor de éste (punto de polarización dinámico).
Antes de seguir, conviene aclarar la nomenclatura utilizada en los siguientes párrafos,
relacionada con las variables que establecen el punto de polarización. Se utilizarán variables en
minúscula con subíndices en mayúscula para referirnos a la variable en términos absolutos (valor
4.3
que contiene tanto la parte estática como dinámica); variables en mayúsculas con subíndices en
mayúscula para referirnos a la parte estática del punto de polarización, y variables en minúsculas
con subíndices en minúscula para referirnos a la parte dinámica.
VCC
RL iD = ID +id(t)
VGG VGS
vGS = VGG + vgs
Vgs
vDS = VDS + vds
Figura 4.1 Polarización del transistor
Si v gs = 0 ⇒ vGS = VGG y v DS = V DS ; i D = I D
iD
Punto Q. (Estático)
ID
VT VGG vGS
vgs
Figura 4.2 Punto Q estático y desplazamiento alrededor de éste
Puesto que funciona en zona activa suponemos que debe estar en saturación, y se cumple
que
k k k k 2
i D (t ) = (vGS − VT ) 2 = (VGG + v gs − VT ) 2 = (VGG − VT ) 2 + k (VGG − VT ) v gs + v gs
2 2 2 2
k
El primer término es el de continua I D = (VGG − VT ) 2 y el segundo corresponde a la
2
amplificación de señal, id (t ) = k (VGG − Vt ) v gs = g m v gs (t ) , donde g m es la transconductancia.
k 2 k 2
Finalmente podemos poner i D (t ) = I D + id (t ) + v gs donde el último sumando ( v gs ),
2 2
4.4
sabiendo que v gs es pequeño, se puede despreciar. Para que el error sea despreciable se debe
k 2
cumplir que v gs << k (VGG − VT ) v gs ⇒ v gs << 2 (VGG − VT ) .
2
Con respecto a v DS
v DS (t ) = VDD − RL [I D + id (t )] = VDD − RL I D − RL id (t ) = VDS + v ds (t ) .
v ds (t ) = − RL id (t )
La ganancia de tensión se puede obtener como:
v ds − RL id (t )
AV = = = − g m RL
v gs id (t ) g m
k
Puesto que I D = (VGG − Vt ) 2 y g m = k (VGG − Vt ) entonces el valor de la
2
transconductancia se puede poner finalmente como g m = 2k I D .
En el caso de transistores bipolares el estudio sería análogo, si bien al tratarse de

dispositivos controlados por corriente el desarrollo puede ser un poco más complejo, pero en
cualquier caso se obtienen resultados similares. Con dicho tipo de transistores se obtiene una
IC
transconductancia que tiene por expresión g m = VT , siendo VT = KT
q .
4.3. ESTABILIDAD
Existe una problemática acerca de la dependencia existente entre la variación de ciertos

parámetros físicos del amplificador como pueden ser la temperatura, envejecimiento de los
componentes etc., y los parámetros de los transistores que afectan a la estabilidad del punto de
trabajo. Dichos parámetros pueden ser las constantes k y VT ó VP en el caso de transistores
unipolares y ß y VBE por ejemplo para el caso de transistores bipolares. El estudio realizado en
este punto acerca de la estabilidad trata de estudiar este problema de una forma cualitativa, como
veremos en los siguientes párrafos. Es el estudio de la sensibilidad, que veremos posteriormente la
que permite realizar un estudio cuantitativo de este efecto.
Veamos por separado el estudio de la estabilidad tanto de transistores unipolares como
bipolares, si bien, básicamente la problemática en ambos tipos de transistores es única.
4.5
4.3.1. Estabilidad de los circuitos de polarización de unipolares
Empezamos viendo el circuito de polarización fija para un MOSFET canal n, mostrado en

la figura 4.3.
RD
ID
VDD
VGG
Figura 4.3 Polarización fija de un MOSFET
Como se supone situado en saturación para que actúe como amplificador, se cumple la
siguiente expresión:
k
ID = (VGS − VT ) 2
2
Puesto que VGS es fija, ID también debería serlo a no ser que cambie VT o la constante k,
como ocurre cuando el transistor se calienta, o debido a otros fenómenos.
T1 T2 > T1
ID
ID2 Q2
ID1
Q1
VT2 VT1 VGG VGS
Variación del parámetro VT
Figura 4.4 Desplazamiento del punto de polarización
Como se observa en la figura 4.4, el cambio en VT y k producido debido al cambio en la

temperatura, produce un cambio en el punto de polarización, de Q1 a Q2.
4.6
Veamos que ocurre al introducir un resistor en la fuente según el circuito mostrado en la

figura 4.5. Éste produce una polarización variable, en este caso VGS depende de ID a través de Rs,
VGS = VGG − RS I D .
Si dibujamos esta función sobre las curvas de ID para dos temperaturas, obtendremos la
recta de carga del circuito.
RD
ID
VDD
VGG
Rs
Figura 4.5 Polarización mediante resistencia de fuente
Podemos observar en la figura 4.6 como al aumentar Rs disminuye la pendiente de la

recta de carga lo que hace que el punto de polarización sea más estable.
Por tanto debemos tomar como criterio de diseño que Rs sea elevada.
T1
ID T2 > T1
1
VGG
m=−
Rs
Rs
ID2 Q2
ID1
Q1
VT2 VT1 VGG VGS
Figura 4.6 Estabiliazación del punto de polarización mediante

resistencia de fuente.
4.7
4.3.2. Estabilidad de los circuitos de polarización con bipolares
En la figura 4.7 se muestra el circuito autopolarizado de un transistor bipolar así como el

circuito equivalente empleando el teorema de thevenin para su análisis.
Vcc Vcc
R1 Rc Rc
Ic RB Ic
〈〉
VBB
R2 RE RE
Figura 4.7 Transistor bipolar autopolarizado
Los valores del circuito equivalente vienen dados por las expresiones mostradas a
continuación.
R2 VCC R1 R2
V BB = RB =
R1 + R2 R1 + R2
Y las ecuaciones que rigen el funcionamiento en continua del transistor son las siguientes:
IC β +1
V BB − VBE = I B RB + I E RE = RB + I C ( ) RE
β β
VBB − VBE
IC =
RB β +1
+( ) RE
β β
Según esta expresión podemos ver que la estabilidad de IC depende de VBE y ß.
a.- Si VBB >>VBE se minimiza el efecto de posibles variaciones de VBE.
De la malla de base podemos ver que V BB − V BE = V RB + V RE , como V BE es fijo, para
hacer V BB >> V BE habrá que hacer grande la suma de las caídas de tensión en R B y
R E , V RB + V RE .
RB β +1
b.- Si ß es elevada ß+1≈ ß y si << ( ) RE se minimiza el efecto de posibles
β β
variaciones de ß, por tanto debemos hacer RB pequeña frente a RE.
Para aunar las dos condiciones podemos hacer RE elevada lo que hace que IC sea
aproximadamente:
V BB − V BE
IC = que como podemos observar sólo depende de parámetros bastante
RE
estables, lo que aumentará la estabilidad de IC.
4.8
En la figura 4.8 se observa gráficamente como al aumentar RE la variación de IC disminuye,

ΔI C′ << ΔI C , con lo que conseguimos aumentar la estabilidad del punto de polarización.
IC
T2 > T1
VBB
RE
T1
Q2
Recta de carga con ΔIC

Q1
R’E>RE
VBB Recta de carga con RE
RE′ ΔI’C
Q’2 Q’1
VBB VBE
Figura 4.8 Aumento de la estabilidad del punto de polarización con

el incremento de la resistencia de emisor
Con respecto a RB habrá que elegirla lo menor posible ya que esto hace que no haya
variaciones de IC o IE veamos: si se produce una disminución de IB, VRB disminuye también, el
potencial en la base VB aumenta por tanto, lo que hace que aumenten IC e IE, estabilizando de
esta forma la disminución que la merma de IB produce en IC e IE. Para ello la forma más adecuada
es hacer RB de pequeño valor, generalmente se adopta el criterio siguiente
I R 2 = 10 I B max
4.4. POLARIZACIÓN
Se trata del establecimiento del punto de trabajo estático, por ejemplo, para un transistor
bipolar con autopolarización el circuito será el mostrado en la figura 4.9.
Vcc
R1 Rc
C2
C1 Vs
Ve Q1
RL
R2 Re
4.9
Los resistores R1, R2, RC y Re establecen el punto de polarización en estática del

amplificador, sobre dicho punto se moverá la señal de entrada. Habrá que tomar algún criterio
para obtener los valores de dichos resistores.
4.4.1. Diseño con bipolares
Básicamente se sigue el mismo procedimiento, si bien como existe corriente por la base
del transistor, para que no se cargue el divisor, se usará en general la regla de I 2 = 10 I Bmáx por
las razones que se expusieron en el punto anterior acerca de la estabilidad.
El valor I Bmáx lo decidimos nosotros en función de las características del amplificador.
Además pueden existir otras condiciones de diseño que se puedan imponer como por ejemplo
que VCEQ = Vcc , y/u otras.
2
Vcc
I1 R1 Rc
IB
Q1
I2
R2 Re
Figura 4.10 Autopolarización de un Bipolar
4.4.2. Diseño con unipolares
Tendremos como datos lo siguiente VDSQ , I DQ y R p , donde R p = R1 // R2 constituye

normalmente un dato de partida, porque coincide con la impedancia de entrada del
amplificador.
VDD
R1 RD
C2
Vs
C1 Q1
Ve
RL
Ze
R2 Rs
Figura 4.11 Autopolarización de un MOSFET
4.10
Como se trata de un amplificador debe trabajar en zona activa y por ello elegimos
(VDD − VDSQ ) a repartir por igual (o algún otro criterio) entre RD y RS . Obtenemos de esta forma
los valores para RD y RS .
k
Seguidamente mediante la expresión I DQ =
(VGS − VT ) 2 obtenemos VGSQ = VGS que
2
será función de R1 y R2 . Finalmente con las relaciones VGSQ = f ( R1 , R2 ) y el valor de Ze
elegimos R1 y R2 .
4.5. SENSIBILIDAD
Se trata de estudiar la dependencia del punto de polarización, o de alguno de sus

variables asociadas con algún parámetro del que depende, y conocer el grado de importancia de
dicha dependencia. Además el estudio de la sensibilidad me permite acotar esta dependencia de
forma cuantitativa, como se expresó anteriormente, lo que nos permitirá conocer la mayor o
menor dependencia del punto Q con diversos parámetros y podremos acotar errores en el diseño.
4.5.1. Definición de sensibilidad
Se define la sensibilidad de un valor Q de trabajo que cambia según un parámetro P, a la

P dQ
expresión adimensional S PQ = , expresión que constituye la definición teórica de la
Q dP
sensibilidad; una definición práctica se puede obtener realizando una aproximación de la
ΔQ
P ΔQ Q
derivada por su expresión incremental, S PQ ≅ = utilizada en aquellos casos donde
Q ΔP ΔP
P
se desea conocer la variación de un parámetro cuando conocemos cuanto varía otro parámetro y
el valor de la sensibilidad. Veamos esto con el siguiente ejemplo.
Supongamos que en un circuito sabemos que la sensibilidad de la corriente de colector

respecto a cambios en la resistencia de emisor es de 0,5
ΔI C
IC ΔRE
S RICE = 0,5 = , si RE aumenta un 1% ⇒ = 0,01 , la IC variará
ΔRE RE
RE
ΔI C ΔRE
en: = 0,5 = 0,5 ⋅ 0,01 = 0,005 , por tanto un 0,5%.
IC RE
También podemos especificar la variación máxima de IC y la sensibilidad, por ejemplo,
IC
S RE y determinar la variación máxima de RE, el cual me especifica un criterio de diseño.
4.11
En el caso de desear obtener la variación con respecto a varios parámetros P1, P2 …PN de
una variable Q, Q = f ( P1 , P2 ,⋅ ⋅ ⋅, Pn ) , obtendremos la variación relativa incremental de Q por:
ΔQ ΔP ΔP ΔPN
= S PQ1 1 + S PQ2 2 + ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ + S PQN
Q P1 P2 PN
4.5.2. Sensibilidad teórica de transistores bipolares
En un circuito autopolarizado como vimos en un punto

VBB − VBE β (VBB − VBE ) β ∂I C
anterior, I C = = y queremos determinar S βC =
I
.
RB β +1 R + ( β + 1) R I ∂β
+( ) RE B E C
β β
Obtenemos primeramente:
∂I C (VBB − VBE )[RB + ( β + 1) RE ] − RE β (VBB − VBE )

=
∂β [RB + (β + 1) RE ]2
después:
1 ∂I C [RB + ( β + 1) RE ] (VBB − VBE )[RB + ( β + 1) RE − RE β ]
=
I C ∂β β (VBB − VBE ) [RB + ( β + 1) RE ]2
y finalmente multiplicamos por ß, obteniendo:
β ∂I C RB + RE
S βIC = =
I C ∂β RB + ( β + 1) RE
S βI C
1
β +1
RE
Figura 4.12 Variación de la sensibilidad con la resistencia de
En la figura 4.12 observamos como al aumentar RE disminuye la sensibilidad de IC respecto

1
de ß, hasta como máximo .
β +1
− VBE
Si queremos obtener SVBE
C I
, obtenemos SVBE
C
= I
.
VBB − VBE
4.12
I
Calculemos S RCE :
∂I C − ( β + 1) β (VB − VBE )
=
∂RE [RB + ( β + 1) RE ]2
1 ∂I C [RB + ( β + 1) RE ] − ( β + 1) β (VB − VBE ) − ( β + 1)
= =
I C ∂RE β (VB − VBE ) [RB + (β + 1) RE ]2
[RB + (β + 1) RE ]
I
finalmente obtenemos S RCE
RE ∂I C RE ( β + 1)
S RICE = =−
I C ∂RE RB + ( β + 1) RE
Veamos los factores de estabilidad para un circuito sin resistor en emisor, los obtendremos
sin más que sustituir en las expresiones anteriores RE por cero.
RB + RE
S βIC = = 1 , que como podemos ver es mucho mayor que con RE.
RB + ( β + 1) RE RE =0
− VBE
SVIBEC = se mantiene.
VBB − VBE
RE ( β + 1)
S RICE = − = 0 , ya que no hay RE.
RB + ( β + 1) RE
4.6. POLARIZACIÓN POR FUENTES DE CORRIENTE
4.6.1. Introducción
En el diseño de circuitos integrados es necesario reducir los tamaños de integración, para

ello la polarización con resistores se opone a este principio ya que ocupan grandes tamaños en la
integración, además para estabilizar el punto de polarización, cuando se utiliza el circuito
autopolarizado, un criterio importante es utilizar un valor de RE (RS) elevado, este hecho hace que
al compartir corriente tanto el resistor de emisor (fuente) como el de colector (drenador), la
tensión de alimentación se reparte entre VCE, VRE y VRC, y si VRE es alta, VRC será baja, lo que
produce una disminución en la ganancia, por ello se propone otra forma de polarización
mediante fuentes de corriente, como se muestra en la figura 4.13.
VDD
R1 RD
Io 1
m =
Q1 R0
Vo
I BB
Io
R2
Vo
4.13
Figura 4.13 Polarización por fuentes de corriente
En la figura anterior, la gráfica representa la función de transferencia de la fuente de

corriente, si es ideal, la salida es I BB independientemente de la tensión de salida VO, lo que hace
que la tensión en RD pueda ser alta, mejorando la estabilidad del punto de polarización. En este
caso la fuente es ideal y por tanto su impedancia interna RO es infinita. Si se trata de una fuente
real, la impedancia interna de la fuente de corriente será bastante elevada, pero no infinita, lo que
hará que la corriente de salida varíe un poco con la tensión en extremos de la fuente de corriente
como se aprecia en la figura.
Supongamos una fuente de corriente real en un circuito autopolarizado bipolar como se

ve en la figura 4.14.
Vcc Vcc
R1 Rc Rc
RB
〈〉 VBB
Ro Io
Io
R2 Ro
Ro
Figura 4.14 Polarización por fuentes de corriente

IC ⎛ β +1⎞
Las ecuaciones del circuito serán: VBB − VBE = RB − R0 I 0 + R0 I C ⎜⎜ ⎟⎟ e
β ⎝ β ⎠
VBB − VBE + R0 I 0 β (VBB − VBE + R0 I 0 )
IC = =
RB R0 ( β + 1) RB + R0 ( β + 1)
+
β β
RB + R0
Si calculamos S βC , obtenemos la siguiente expresión, S βC =
I I
, como R0 es
RB + ( β + 1) R0
1
muy elevada, S βC ≅
I
que es un valor mas pequeño que en el caso del circuito
β +1
autopolarizado, lo que hace a la polarización con fuentes de corriente circuitos más estables.
4.14
4.6.2. Fuentes de corriente básicas
4.6.2.1. Espejo básico con MOSFET’s
El circuito básico para este tipo de fuentes se observa en la figura 4.15.
VDD
Iref Io
R
Vo
M M
R M
VGSR VGSM
Figura 4.15 Espejo básico con MOSFET’s
Si consideramos ambos transistores idénticos, en MR VDG = 0 ⇒ VDG = VDS − VGS . La

condición VDS > VGS − VT indica saturación, puesto que VDS − VGS > −VT ,
⇒ VDG > −VT ⇒ 0 > −VT es cierta, el transistor MR está en activa (saturación) con una
corriente I REF =
kR
(VGS − VTR )2 = VDD − VGS , como VGS es común a ambos, I 0 = I REF y el valor
2 R
1 1 2(VTR − VDD )
de VGS será VGS = VTR − ± 2 2
− , e
R KR R K R R KR
I0 =
(− 1 ± 1 − 4 RK R (VTR − VDD ) )2
2R 2 K R
Esto se cumplirá siempre que exista en extremos del transistor MM la VDS mínima necesaria
para que se encuentre en saturación, este hecho se refleja en la gráfica de la figura 4.16.
i0
I0
1
m=
r0
VDS min v0
Figura 4.16 Evolución de la corriente de salida en función de VDS

4.15
Esta tensión mínima de salida será aquella que nos asegure que el transistor esté en
saturación:
v0 min = VDS min = VGS − VT
En el caso de que los transistores no sean idénticos y posean dimensiones diferentes en los
canales (anchura W y longitud L), se tendrá en cuenta la siguiente relación:
KM (W / L ) M
I0 = I REF = I
KR (W / L ) R REF
Si se desean salidas múltiples, como en el circuito de la figura 4.17, las salidas vendrán
dadas por la siguiente expresión.
VDD
Iref
R Io1 Io2 IoN
M M M
M M1 M2 MN
R
VGS
Figura 4.17 Espejo básico con múltiples salidas
(W / L ) i
I 0i = I ya que comparten la misma VGS.
(W / L ) R REF
4.6.2.2. Espejo básico con Bipolares
El circuito es análogo al de MOSFET’s, además supondremos conocida la tensión

VBE ≅ 0,7 V . Es el mostrado en la figura 4.18.
VCC
I REF Io
R
Vo=V
Vo
CE
Q Q
R M
V
BE
Figura 4.18 Espejo básico con bipolares
4.16
La forma de la corriente de salida se muestra en la gráfica de la figura 4.19.

i0
I0
1
m=
r0
VCESat v0
Figura 4.19 Corriente de salida en función de VCE
La relación existente entre I0 e I REF se obtiene de la siguiente

VBE
⎫
I REF ≅ β ↑↑↑ I CR = I SR e VT
⎪ I0 I SM A
forma: ⎬ = = M donde AR y AM son las áreas de difusión
VBE
⎪ I REF I CR AR
I 0 = I CM = I SM e VT
⎭
VCC − 0,7
de los transistores. Además la corriente de referencia valdrá, I REF = , por tanto si
R
hacemos la suposición anterior el problema está resuelto. Lo habitual es que los transistores sean
idénticos por tanto AM=AR y por tanto I 0 = I REF .
En el caso de que no se desprecien las corrientes de base ( β ↓↓ ) existirá una función de
ganancia entre I REF e I 0 que no depende sólo de las áreas AM y AR.
I0 AM
= f (β )
I REF AR
Al término f ( β ) se le denomina función de ganancia.
Calculemos la función de ganancia para esta fuente de corriente, nos apoyamos para ello
en las corrientes apuntadas en el circuito de la figura 4.20.
I REF
IB
Io
ICR
I BR I BM
Q Q
R M
IX IEM
Figura 4.20 Cálculo de la corriente de salida I 0
4.17
Debemos saber, que puesto que VBER = VBEM las corrientes de emisor I X e I EM también
lo serán, I X = I EM , según esto tenemos,
I X + I EM = I 0 + I REF ⇒ 2 I X = I 0 + I REF
I CR I0 ⎛ I ⎞⎛ β ⎞
I REF = + + I CR ⇒ I CR = ⎜⎜ I REF − 0 ⎟⎟ ⎜⎜ ⎟
β β ⎝ β ⎠ ⎝ β + 1 ⎟⎠
⎛ β ⎞ ⎛ I ⎞ ⎛ β +1⎞ ⎛ β ⎞ I
I X = I CR ⎜⎜ ⎟⎟ = ⎜⎜ I REF − 0 ⎟⎟ ⎜⎜ ⎟⎟ ⎜⎜ ⎟⎟ = I REF − 0
⎝ β +1⎠ ⎝ β ⎠ ⎝ β ⎠ ⎝ β +1⎠ β
⎛ I ⎞ I0 β
2 ⎜⎜ I REF − 0 ⎟⎟ = I 0 + I REF ⇒ = = f (β )
⎝ β⎠ I REF β +2
β
Finalmente obtenemos I 0 en función de I REF , I 0 = I REF
β +2
Veamos el caso de salidas múltiples, el circuito es el mostrado en la figura 4.21.

VCC
I REF
R
(N + 1)I X
βIB+ 1 Io1 Io2 IoN
ICR
Q Q Q
M1 M2 MN
Q
R
I I
IX I XBR N IBM
X IX IX IX
β +1 β +1
Figura 4.21 Espejo básico con salidas múltiples
Suponiendo todos los transistores idénticos, tenemos las siguientes relaciones:
⎧ IX
⎪⎪ I 0i + β + 1 = I X
⎨
⎪I β ( N + 1) I X
REF = IX +
⎪⎩ β +1 β +1
β +1 I REF I 0i I REF
I 0i = ⇒ =
β β N +1 β β + N +1
+
β +1 β +1
I 0i β
=
I REF β + N + 1
4.18
4.6.3. Fuente de corriente wilson
El esquema con bipolares es el mostrado en la figura 4.22.
Io
V
CC
Vo
I REF
R
I
B1
Q
1
I
F
Q Q
F D
I I
B B
Figura 4.22 Fuente de corriente wilson realizado con bipolares
Las ecuaciones que defines su funcionamiento son las siguientes:

⎧ I0 IF
⎪ I REF = I F + I B1 = I F + β ; IB =
β
⎪
⎨
⎪ I ⎛⎜ β + 1 ⎞⎟ = 2 I F + I
⎪⎩ 0 ⎜⎝ β ⎟⎠ β F
⎛ β +1⎞
I 0 ⎜⎜ ⎟
⎝ β ⎟⎠ I 0
I REF = +
2
+1 β
β
I0 2β + β 2
=
I REF 2 + 2β + β 2
Como criterio de diseño tendremos en cuenta que:
VCC − VBE1 − VBED

R= siempre hemos supuesto todos los transistores idénticos.
I REF
En el caso de transistores unipolares, la ganancia es la unidad, ya que las corrientes de

puertas son nulas. El circuito es el que se muestra en la figura 4.23.
4.19
Io
V
DD
Vo
I REF
R
M
1
ID
I
F
M M
F D
Figura 4.23 Fuente de corriente wilson realizado con

transistores unipolares
Puesto que VGSF = VGSD ⇒ IF = ID y por tanto I 0 = I D = I REF ,
I REF = I 0 =
K
(VGS − VT )2 y además también tendremos en cuenta que I REF = VDD − 2 VGS .
2 R
4.6.4. Fuentes de corriente básicas con resistores de emisor
El esquema se muestra a continuación (figura 4.24).
I
REF
Io
Vo
IC2
Q Q Ro
2 1
I B2 IB1 V
V BE1
BE2
IE2
R2 IE1 R1
Figura 4.24 Fuente de corriente con resistencias de emisor
I0
Sabemos que I C 2 = β I B 2 e I B1 =
β
4.20
De la malla de las uniones base-emisor,

⎡ R2 + R1 (β + 1)⎤
obtenemos: VBE1 − VBE 2 = R2 I REF − ⎢ ⎥ I0 , si diseñamos para que VBE1 = VBE 2
⎣ β ⎦
I0 R2 β R2
obtenemos = =
I REF R2 + R1 (β + 1) R2 + R β + 1
1
β β
I0 R2
Si β ↑↑↑ ⇒ ≅
I REF R1
4.6.5. Fuente de corriente Widlar
La fuente de corriente Widlar se caracteriza por una elevada resistencia de salida, baja
sensibilidad a la tensión de alimentación y la capacidad de dar corrientes de salida muy bajas con
valores relativamente pequeños de R y RM. La configuración es la mostrada en la figura 4.25.
VCC
I REF
R
Io
Vo
ICR
Q Q
R M
I BR IBM V
V BEM
BER
IEM RM
Figura 4.25 Fuente de corriente widlar
En el espejo Widlar, las caídas base-emisor no son iguales.

⎛ β +1⎞
VBER = VBEM + RM I 0 ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ β ⎠
⎫
VBEM
VBER −VBEM
I 0 = I SM e VT
⎪ I CR
VBER ⎬
= e VT
⎪ I0
I CR = I SR e VT ⎭
I I β I REF − I 0
I REF = I CR + CR + 0 ⇒ I CR =
β β β +1
De las igualdades anteriores obtenemos la expresión exacta para el cálculo de I 0 .
4.21
RM I 0 (β + 1) ⎛ β I REF − I 0 ⎞
= ln⎜⎜ ⎟⎟
VT β ⎝ (β + 1) I 0 ⎠
Si despreciamos las corrientes de base, o sea, si consideramos β ↑↑ obtenemos la
expresión aproximada:
RM I 0 ⎛ I ⎞
= ln⎜⎜ REF ⎟⎟
VT ⎝ I0 ⎠
VCC − 0,7
En problemas de análisis, tomaremos I REF = , e I 0 la obtendremos de las
R
expresiones anteriores. Si el caso es de síntesis, I 0 será conocida, elegimos una R razonable y
calculamos I REF , y una vez obtenida I REF calculamos RM con las expresiones anteriores.
4.22
4.7. EJERCICIOS.
4.7.1. Ejemplo 1
Diseñe el circuito de polarización de un MOSFET autopolarizado para que (VDS,ID)=(4 v, 2

mA), Rp=R1//R2= 2 M ) y VRD = VRS .
Datos del transistor:
VDD=12 V; k=0,5 mA/V2 ; VT=2 V
Solución:
Los condensadores C1 y C2 se comportarán como circuitos abiertos puesto que se trata de
señales continuas, quedando por tanto la red de cuatro resistores y el transistor aislados de las
señales de entrada y de salida. En el circuito drenador-fuente la fuente de alimentación
proporciona 12 V de las cuales 4 caen en la unión drenador-fuente, por tanto quedan 8 V que los
repartimos a partes iguales entre las caídas de tensión en RD y RS, y esto, sabiendo que ID=2 mA
obtenemos
4V
RD = RS = = 2 KΩ
2 mA
fijándonos en I D
k 0,5 ⋅10−3
I DQ = 2 mA = (VGS − VT ) 2 = (VGS − 2) 2
2 2
y resolviendo obtenemos:
2 ⋅ 2 ⋅10 −3
VGSQ = 2 ± ⇒ VGSQ = 4,83 V
0,5 ⋅10 −3
Sabemos que VG = VGS + VS = 4,83 + 4 = 8,83 V , para esta tensión el divisor resistivo
R1 − R2 debe satisfacer:
R2
12 = 8,83 con esta condición y la que me define el que la impedancia de entrada
R1 + R2
R1 R2
sea de 2 M , = 2 MΩ .
R1 + R2
Multiplicando la ecuación del divisor resistivo por R1 obtengo
R p ⋅12 = 24 ⋅106 = 8,88 R1 ⇒ R1 = 2,72 MΩ
y finalmente
1 1 1
= − ⇒ R2 = 7,6 MΩ
R2 2 MΩ 2,72 MΩ
4.23
4.7.2. Ejemplo 2
Diseñe el circuito de polarización de un bipolar con circuito autopolarizado con VCC=9V y
tal que IC=2 mA con 20 ≤ β ≤ 200 . Se tomarán los mismos valores para las caídas de potencial
en los resistores de colector, de emisor y la unión colector emisor.
Solución:
Con la especificación dada tomamos para VCE 3V y asignamos también 3V a RC y a RE.,
Con estos datos calculamos RC
VRC 3
RC = = = 1,5 KΩ
IC 2 ⋅10 −3
Como β toma valores relativamente pequeños 20 ≤ β ≤ 200 no podemos despreciar la

corriente de base frente a la de colector y por tanto la relación que se establece entre I E e I C
viene dada por
β +1
IE = I
β C
Puesto que el caso peor se produce para el valor de β mínimo, ya que es para este caso
donde las corrientes por la base son mayores y por tanto se agudiza el efecto de carga de la
corriente de base sobre los resistores R1 y R2 . Por tanto determinamos I E como
β min + 1 21
IE = IC = 2 mA = 2,1 mA
β min 20
La caída de 3V en RE con una corriente de 2,1 mA nos permite calcular RE

VRE 3
RE = = = 1,43 KΩ
IE 2,1⋅10 −3
Ahora imponemos la condición I 2 = 10 I Bmáx , para lo cual obtenemos I Bmáx como

IC 2 mA
I Bmáx = = = 0,1 mA ⇒ I 2 = 1 mA
β min 20
Puesto que VB=3,7V R2 = 3, 7 1 mA = 3,7 KΩ y R1 = 9−3, 7 1,1 mA = 4,8 KΩ
4.24
4.7.3. Ejemplo 3
Hallar los valores de los resistores que fijan el punto Q, si
−3
K
2 = 10 A / V , V p = −3 V y
2
R p = R1 // R2 = 1 MΩ . VDSQ = 4 V , I DSQ = 1 mA . El circuito es
el mostrado en la figura 4.26. Tomaremos VRS=2VRD.
R1 RD
R2 Rs
-10 V
Solución:
Del circuito obtenemos:
10 − VDS 10 − 4
− 10 = −VRS − VDS − VRD ⇒ 10 = 2VRD + VDS + VRD ; VRD = = = 2V
3 3
2V 4V
RD = = 2 KΩ ; RS = = 4 KΩ
1 mA 1 mA
Fijándonos en I D
k
I DQ = 1 mA = (VGS − VT ) 2 = 1 ⋅10−3 (VGS + 3) 2
2
y resolviendo obtenemos:
1⋅10 −3
VGSQ = −3 ± ⇒ VGSQ = −2 V
1⋅10 −3
10 ⋅ R2
Sabemos que VR2 = VGS + VRS = −2 + 4 = 2 V =
R1 + R2
Imponiendo esta última condición, juntamente con la especificada en el enunciado acerca
R2 R1R2
de RP tenemos las dos ecuaciones siguientes = 0,2 = 1 MΩ . Multiplicando la
R1 + R2 R1 + R2
ecuación del divisor resistivo por R1 obtengo 1 ⋅106 = 0,2 R1 ⇒ R1 = 5 MΩ y
R1
finalmente R2 = = 1,25 MΩ
4
4.25
4.7.4. Ejemplo 4
Hallar los valores de los resistores que fijan el punto Q en los siguientes
valores I C = 2 mA, VC = −5 V y VCE = VRC . Además 200 < β < 300 .
R1 Rc
R2 RE
-12 V
Solución:
El voltaje Vc coincide con la caída de tensión en RC por tanto:
VRC − VC 5V
RC = = = = 2,5 KΩ
IC IC 2 mA
Como β toma valores relativamente altos 200 ≤ β ≤ 300 podemos despreciar la
corriente de base frente a la de colector y calculamos de esa forma RE.
VRE = −VCE + VC + 12 = −5 − 5 + 12 = 2 V y I E ≅ IC
VRE 2
RE = ≅ ≅ 1 KΩ
IE 2 ⋅10−3
Ahora imponemos la condición I R2 = 10 I Bmáx , para lo cual obtenemos I Bmáx como
IC 2 mA
I Bmáx = = = 10 μA ⇒ I R2 = 100 μA
β min 200
puesto que VR2 = VBE + VRE = 0,7 + 2 = 2,7 V , entonces
VR2 2,7
R2 = = = 27 KΩ
I R2 100 ⋅10 −6
Procediendo de la misma forma para R1:
VR1 = 12 − VR2 = 12 − 2,7 = 9,3 V
I R1 = I R2 + I B = 100 μA + 10 μA = 110 μA
VR1 9,3
R1 = = = 84,5 KΩ
I R1 110 ⋅10 −6
4.26
4.7.5. Ejemplo 5
Diseñar una fuente de corriente constante que produzca 0,19 mA de corriente de salida.
Utilizar transistores idénticos con k = 0,2 10 −4 A
V2
, VT = 1,3 V y VDD = 15 V . Determine
además la mínima tensión de salida.
Solución
Utilizamos el circuito de la figura 4.28.
VDD
I REF Io
R
Vo
M M
R M
V
GS
Figura 4.28 Espejo básico con MOSFET’s
VDD − VGS
I D = I REF = I 0 = = 0,19 mA
R
ID =
k
(VGS − VT )2 ⇒ VGS − VT = ± 2 I D ⇒ VGS = VT ±
2I D
2 k k
2 0,1910 −3 ⎧ 5,66 V
VGS = 1,3 ± =⎨
0,210−4 ⎩− 3,06 V
Puesto que VGS > VT para que esté en activa, VGSQ = 5,66 V
el valor de R será por tanto:
VDD − VGSQ 15 − 5,66
R= = = 49157,9 Ω
I REF 0,19 10 −3
La mínima tensión de salida será aquella que haga al transistor QM estar en saturación,
VDS > VGS − VT .
VDS min = VGSQ − VT = 5,66 − 1,3 = 4,36 V
4.27
4.7.6. Ejemplo 6
Diseñar una fuente de corriente Wilson con 0,2 mA de corriente de salida. Utilizar
transistores idénticos con K = 10 −4 A
V2
, VT = 0,4 V y VDD = 9 V . Determine además la mínima
tensión de salida.
Solución:
El circuito es el mostrado en la figura 4.29, y debemos determinar el valor del resistor R.
Io
V
DD
Vo
I REF
R
M
1
ID
I
F
M M
F D
Figura 4.29 Ejemplo diseño fuente corriente Wilson
K
0,2 10−3 = (VGS − VT )2 = I D
2
2 ID ⎧ 2,4 V
VGS = VT ± = 0,4 ± 2 = ⎨ , el valor válido es de 2,4 V puesto que debe estar
K ⎩− 1,6 V
en activa.
VDD − 2 VGS 9 − 2 2,4
R= = = 21 KΩ
I REF 0,2 10−3
La tensión mínima de salida será aquella que asegure que M1 está en saturación, puesto
que MD lo está:
VDS1 > VGS − VT
V0 = VDS 1 + VGS ⇒ VDS1 = V0 − VGS
V0 − VGS > VGS − VT ⇒ V0 > 2 VGS − VT
V0 min = 2 2,4 − 0,4 = 4,4 V
4.28
4.7.7. Ejemplo 7
Diseñar una fuente de corriente widlar que genere una salida de 20 A con 15 V de
alimentación. Los valores de RM y R no deben superar los 10 K . Los transistores son bipolares de
silicio con ß=70 y para una VT=25 mV.
Solución:
Elegimos arbitrariamente R=5 K , que es menor de 10 K . La corriente de referencia
valdrá
VCC − 0,7 15 − 0,7
I REF = = = 2,86 mA . Obtenemos RM exacta y aproximada
R 5 KΩ
β VT ⎛ β I REF − I 0 ⎞
RM exacta = ln⎜ ⎟ = 6098,5776 Ω
(β + 1) I 0 ⎜⎝ (β + 1) I 0 ⎟⎠
VT ⎛ I REF ⎞
RM aprox. = ln⎜ ⎟⎟ = 6203,5558 Ω . El error cometido es pequeño:
I 0 ⎜⎝ I 0 ⎠
ΔRM ≅ 105 Ω
4.7.8. Ejemplo 8
Para un circuito autopolarizado con VCC = 15 V y β = 100 ,
RC = 39 KΩ , RE = 68 KΩ , R1 = 47 KΩ , R2 = 68 KΩ .
I I
a.- Obtenga los valores numéricos de S βC , y SVBE
C
.
b.- Estime el porcentaje de cambio de IC si VBE cambia un 15%.
c.- ¿Qué parámetro es más crítico para la estabilidad de IC, VBE ó ß.?
Solución:
Los parámetros a los que se refieren los distintos apartados tienen las siguientes expresiones.
RB = R1 // R2 = 27,791 KΩ
RB + RE − VBE
SβIC
= ; SVBE =
IC
; V R
RB + ( β + 1) RE VBB − VBE VBB = CC 2 = 8,87 V
R1 + R2
a.-
RB + RE 27,791 + 68
S βIC = = = 0,01389
RB + ( β + 1) RE 27,791 + 101 ⋅ 68
− VBE − 0,7
SVIBEC = = = −0,0857
VBB − VBE 8,87 − 0,7
b.-
ΔI C ΔVBE
= SVIBEC = −0,0857 ⋅ 0,15 = −1,285 %
IC VBE
c.-
Es más crítico VBE ya que SVIBEC > S βIC .
4.29
4.7.9. Ejemplo 9
Obtenga S RI DS en un MOSFET autopolarizado y estime su valor para los siguientes datos:
RS = 2 KΩ, K = 0,5 10−3 A / V 2 , e I D = 2 mA .
Solución:
Las ecuaciones de la corriente de drenador en activa del MOSFET y la de la malla de
puerta son las siguientes,
ID =
K
(VGS − VT )2 ⎫⎪ K
⎬ ⇒ I D = (VGG − I D RS − VT ) ,
2
2
2
VGS = VGG − I D RS ⎪⎭
y obtenemos una función donde vemos que aparece I D en función de RS de forma
implícita. Podemos optar por ponerla de forma explícita o bien derivar implícitamente para
obtener S RI DS .
Elegimos la segunda opción, y hacemos,

RS ∂I D ⎛ ∂I ⎞R
= k (VGG − I D RS − VT ) ⎜⎜ − D RS − I D ⎟⎟ S , y en función de S RI DS ,
I D ∂RS ⎝ ∂RS ⎠ ID
( )
queda, S RI DS = k (VGG − I D RS − VT ) − S RI DS RS − RS , de donde obtenemos:
− k RS (VGG − I D RS − VT ) 2I D
= (VGG − I D RS − VT ) se
2
S RI DS = y utilizando la relación
1 + k RS (VGG − I D RS − VT ) k
puede poner como:
m RS 2kI D
S RI DS =
1 ± RS 2kI D
Sustituyendo los valores y eligiendo el valor mejor, que es el más pequeño,
m 2 103 2 ⋅ 0,5 ⋅ 10 −3 ⋅ 2 ⋅ 10−3 ⎧− 0,7388

S RI DS = =⎨
1 ± 2 103 2 ⋅ 0,5 ⋅ 10−3 ⋅ 2 ⋅ 10 −3 ⎩− 1,547
por tanto, S RI DS = −0,7388
4.30
4.7.10. Ejemplo 10
En el circuito de la figura 4.30 (fuente de corriente de alta ganancia),
a.- Obtenga I 0 en función de I REF .
I
b.- Determine S β 0
c.- Estime el porcentaje de cambio en I 0 que resulta de una modificación del 2% en β
para β = 399 y para β = 9 .
VCC
I
REF R
Q Io
C
I BC
Vo
Q Q
R M
IB IB
Figura 4.30 Fuente de corriente de alta ganancia

Solución:
a.-
I REF = I BC + I 0 ⎫
⎪ I0 β (β + 1)
I0 ⎬ ⇒ =
2 = I BC + β I BC = (β + 1) I BC ⎪ I REF 2 + β (β + 1)
β ⎭
Para calcular la I REF haremos la malla a través de R y las dos uniones base emisor,
obteniendo:
VCC − 2 VBE
I REF =
R
b.-
I0 =
β (β + 1) I REF
=
(β 2 + β ) I
2 + β (β + 1) 2 + β + β 2
REF
β ∂I 0
S βI0 =
I 0 ∂β
∂ I0
=
( )
(2β + 1) 2 + β + β 2 − (1 + 2β ) β 2 + β I ( )
∂β (
2+ β + β2
2 REF
)
4.31
β (2 + β + β 2 ) (2β + 1) (2 + β + β 2 ) − (1 + 2β ) (β 2 + β ) 2 (2 β + 1)
S βI0 = I REF = 3
(β + β )I REF
2
(2 + β + β ) 2 2
β + 2β 2 + 3 β + 2
c.-
S βI 0 = 2,5031 ⋅ 10 −5
β =399
ΔI 0 Δβ
= S βI 0 = 2,5031 ⋅ 10 −5 ⋅ 0,02 = 0,5 ⋅ 10 −6 = 0,5 ⋅ 10 − 4 %
I0 β
S βI 0 = 0,0413
β =9
ΔI 0 Δβ
= S βI 0 = 0,0413 ⋅ 0,02 = 826,1 ⋅ 10 −6 = 826,1 ⋅ 10 − 4 %
I0 β
Vemos como al disminuir β la corriente de salida es mucho más sensible a las variaciones
de ésta.
Comparemos, como complemento, estas sensibilidades con las del espejo básico con
bipolares,
β
I0 = I REF
β +2
2
S βI 0 =
β +2
S βI0 = 498,75 ⋅ 10−5
β =399
ΔI 0 Δβ
= S βI0 = 498,75 ⋅ 10 −5 ⋅ 0,02 = 99,75 ⋅ 10−6 = 99,75 ⋅ 10 −4 %
I0 β
S βI0 = 0,182
β =9
ΔI 0 Δβ
= S βI0 = 0,182 ⋅ 0,02 = 3640 ⋅ 10 −6 = 3640 ⋅ 10 −4 %
I0 β
Se aprecia, por los resultados obtenidos, que el espejo básico es mucho más sensible a las
variaciones de β .
4.32
CAPÍTULO 5
Principios de modelado y
amplificación
Contenido
5.1 INTRODUCCIÓN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
5.2 MODELADO DE DISPOSITIVOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4
5.2.1 Características: entrada, salida y transferencia . . . . . . . . . . . . . . . . .4
5.3 AMPLIFICACIÓN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6
5.3.1 Amplificador ideal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6
5.3.2 Modelos de amplificador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8
5.3.3. Definiciones básicas de un ampllificador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
5.4 EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11
5.4.1 Fundamentos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11
5.4.2. Teorema de Barttlet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
5.4.3. Modelo lineal del amplificador diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
5.1
5.2
Capítulo 5: Principios de modelado y amplificación
5.1. INTRODUCCIÓN
Este tema, pretende dar una serie de ideas fundamentales sobre amplificación, para lo cual
se introducirá el concepto de modelado de dispositivos. Pero antes de todo ello, sería interesante
aclarar la idea de polarización como paso previo y generalmente obligado a la hora de poder
amplificar.
Un amplificador consiste en un sistema, que controla una señal (tensión o corriente) de salida
de mayor potencia, que la excitación o señal de entrada. Esto se consigue mediante la conversión de
potencia debida a continua, en potencia de señal variable. Así, en estos circuitos electrónicos
conviven superpuestas dos tipos de señales: una continua (establecerá los niveles de polarización de
los dispositivos) y una excitación variable.
Figura 5.1. Amplificador
La principal característica exigible al amplificador, será el respetar la linealidad; es decir que

la señal de salida no este distorsionada respecto de la de entrada, respetando fielmente la “forma”
de la misma. Esto es; si la entrada es senoidal con una frecuencia f y una fase 2, la salida debe
mantener estas mismas características.
En definitiva, si se tiene un amplificador, excitado mediante una señal Ve(t), la salida Vs(t)
vendrá dada por la expresión:
Si A es independiente de la frecuencia y el desplazamiento de fase 2 es proporcional a la

frecuencia o nulo, el amplificador conservará la forma de la señal de entrada, a la salida. Es decir, no
habrá distorsión, aunque la mencionada salida esté retrasada en el tiempo un valor 2/w, frente a la
entrada. En caso de no cumplirse alguno de los dos requisitos anteriores, se darán unos efectos de
distorsión: en módulo y/o fase. Estos efectos se pueden apreciar en la Figura 5.2, donde se tomará
como excitación Ve(t) la suma de dos componentes senoidales de frecuencias f0 y 2f0, ambas de la
misma amplitud: 0,2v:
5.3
Figura 5.2. Ejemplo de distorsión de modulo y fase
â Salida Vo(t) con un comportamiento lineal (sin distorsión )del amplificador:

A = 5 y 2 = 0º
ã En este caso el módulo de la ganancia es distinto para cada componente: A = 5 para la

frecuencia f0 y A = 3,75 para frecuencia 2f0. 2 = 0º para ambas componentes. Existe
distorsión de amplitud, pero no de fase.
ä Corresponde a distorsión de fase, pues el modulo de ganancia A es igual para ambas

componentes A = 10, mientras que el amplificador ha introducido un desfase de 30º para
la componente de 2f0.
El comportamiento genérico de un amplificador real, reflejará la variación tanto de A como

de 2 con la frecuencia.
Además, existen otros tipos de distorsión:
- Armónica: Se obtienen a la salida además de las componentes de la entrada, otros

armónicos de las mismas. Así, si la entrada esta compuesta por dos componentes de frecuencias f1
y f2, la salida tendrá estas componentes, más otras de frecuencias: 2f1, 2f2 ...
- Intermodulación: En este caso se obtienen a la salida combinaciones de ambas componentes

de la entrada. Salida con componentes: f1±f2, 2f1±f2... además de los armónicos fundamentales de
excitación f1 y f2.
Toda esta importante problemática, se sale del objetivo de este texto, pero es importante
5.4
destacar su importancia. De esta forma, todo el estudio posterior de amplificadores, se realizará sin
tener en cuenta los efectos de distorsión.
5.2. MODELADO DE DISPOSITIVOS
La caracterización de dispositivos se puede realizar de diversas formas:
- Curvas características.
- Cuadripolo eléctrico equivalente.
- Ecuaciones de funcionamiento.
5.2.1. Características: entrada, salida y transferencia
Un cuadripolo se podría definir como un sistema con dos puertos, dónde cada uno de ellos
dispone de dos nodos. Así se tendrían cuatro accesos y cuatro variables: dos corrientes (i1 e i2) y dos
tensiones (v1 y v2)
Figura 5.3. Cuadripolo Figura 5.4. Ejemplo de cuadripolo ideal
Se va a tomar como ejemplo, la Figura 5.4 (téngase en cuenta que esta supone un modelo
muy sencillo). A partir de ella, se pueden obtener tres curvas o familias de curvas que servirán para
caracterizar un dispositivo, a partir de las expresiones:
Ecuaciones de funcionamiento:
1) La entrada está constituida por un circuito abierto; es decir podemos tener cualquier valor
de tensión v1 con una corriente
2) La salida consiste en un generador de tensión dependiente de la tensión v1, mediante el

coeficiente A (constante); por tanto i2 podrá tomar cualquier valor.
Si se representan gráficamente estas ecuaciones, se obtienen diversas curvas indicativas del
comportamiento del dispositivo modelado:
5.5
Curva/s de entrada:
Relación entre las variable de entrada: v1 e i1 (i1 =0)
Figura 5.5. Carácterística de entrada
Curva/s de salida:
Relación entre las variable de salida: v2 e i2
Figura 5.6. Característica de salida
Curva/s de transferencia:
Relación entre las variable de salida y entrada: v2 y v1
Figura 5.7. Característica de transferencia
Hay que tener en cuenta, que la modelización de dispositivos se puede realizar, como se
comentó anteriormente, mediante varios métodos que se interelacionan, pero cuyo objetivo común
será la de linealizar el funcionamiento del mismo. Este objetivo es fundamental, para así hacer más
sencillo el análisis de sistemas, en los cuales este integrado el dispositivo modelizado. La figura
siguiente, expone más claramente estas ideas.
Se observa que a partir del dispositivo físico a modelizar, se puede optar por dos caminos:
Figura 5.8. Proceso de modelado
5.6
1) Práctico. Consiste en obtener las curvas de funcionamiento reales del mismo. Ello supone
disponer de un laboratorio con los elementos de medida necesarios.
2) Analítico. A partir del estudio del comportamiento físico del dispositivo, se obtienen las
ecuaciones matemáticas que expresan de la manera más exacta su funcionamiento. Esto
grado de exactitud supone una elevada complejidad de las ecuaciones (no son lineales)
Simplificando las curvas o las ecuaciones, se obtienen las curvas linealizadas o las ecuaciones
simplificadas lineales que expresarán el comportamiento aproximado del dispositivo. A partir de
cualquiera de las dos se obtendrá el modelo lineal. Las flechas con doble sentido, indican que se
puede recorrer el camino opuesto entre modelo lineal y curvas o ecuaciones lineales y por ello
también el paso de ecuaciones a curvas lineales y viceversa.
5.3. AMPLIFICACIÓN
5.3.1. Amplificador ideal
Para entender la necesidad y el funcionamiento básico de un amplificador, se puede pensar

en un sistema de reproducción de sonido.
Imaginemos un sistema, que requiere una potencia de la señal de audio en los altavoces para
que los sonidos puedan “oirse”; por ejemplo altavoces de 10w de potencia y 8S de impedancia
interna. La fuente de sonido puede ser de distinto tipo: cabeza de lector de CD's, lector de cintas,
etc. Dependiendo del tipo de fuente, la señal generada tendrá unas características pero tendrán en
común unos valores de amplitud bajos (milivoltios) junto con unas impedancias internas elevadas
(orden de KS).
Es evidente que si se conecta la fuente de señal (lector) directamente a la carga (altavoz) no
se consigue el nivel de potencia mínimo para ser audibles los sonidos, amén de que existe una
desadaptación evidente, entre la impedancia de la fuente y de la carga, lo cual afecta a al eficiencia
de la transferencia de energía:
Figura 5.9. Conexión directa

excitación - carga
5.7
Si se intercala un amplificador ideal de tensión, queda:

Por tanto en este caso se puede conseguir el valor de salida deseado, sin más que utilizar el
Figura 5.10. Conexión excitación - amplificador - carga
amplificador adecuado (que tenga el valor requerido de A). Es decir; a partir de las especificaciones
de potencia en la señal de salida, se obtiene el valor requerido de amplitud de la misma y con este
último y el valor de ve (que coincide con el de vg) se calcula el valor de la ganancia del amplificador
necesaria.
Este análisis se hace más real cuando se introducen los efectos de resistencias de entrada y
de salida del amplificador:
Figura 5.11. Conexión con amplificador incluyendo resistencias terminales
El resultado como se observa es análogo al caso ideal, sin más que tener en cuenta los
divisores de tensión que conforman:
a) Ri y Rg respecto de la excitación real vg, para obtener la entrada real del amplificador: ve
b) Ro y Rz respecto de la salida ideal o en vacio, para obtener la salida real con carga Rz
5.8
5.3.2. Modelos de amplificador
A la hora de modelar un amplificador, se puede indicar que existen cuatro modelos básicos,
que corresponden a las cuatro familias básicas de parámetros, de la teoría genérica de cuadripolos
eléctricos:
Parámetros [z] 6 Amplificador de transimpedancia 6 Az = v2/i1

Parámetros [y] 6 Amplificador de transadmitancia 6 Ay = i2/v1
Parámetros [g] 6 Amplificador de transtensión o de tensión 6 Av = v2/v1
Parámetros [h] 6 Amplificador de transcorriente o de corriente 6 Ai = i2/i1
Modelo h Modelo g
Modelo y
Modelo z
Figura 5.12. Modelos básicos de cuadripolos eléctricos
Del análisis de las anteriores configuraciones, se deduce:
* Todos los parámetros correspondientes a las familias Z e Y tienen dimensiones de

impedancia (S) y admitancia (S-1) respectivamente.
* En el caso de las familias G y H los parámetros de transferencia 812 y 821 son

adimensionales, mientras que 811 y 822 serán impedancias o admitancias. Por ello se
denominan modelos híbridos
Cuando este cuadripolo eléctrico representa un amplificador, debido a las peculiaridades del
este sistema, los efectos del parámetro 812 se desprecian, pues siempre serán sistemas no bilaterales,
tratando de llevar la señal variable de la entrada a la salida y no viceversa. Asimismo, los parámetros
terminales (811 y 822) dependiendo del grado de idealidad del modelo que se tome, se anularán como
corresponda: circuito abierto si es admitancian o cortocircuito si es impedancia. Si se toma como
ejemplo el modelo g, se observa como lleva al denominado anteriormente modelo ideal de
amplificador de tensión:
5.9
Figura 5.13. Modelo incluyendo impedancias Figura 5.14. Modelo ideal de amplificador de tensión
terminales de amplificador de tensión
Como se observa, la nomenclatura del tipo de amplificador, viene dada por el tipo de
ganancia normalizada: relación entre variable de salida (nodo 2) y de entrada (nodo 1) que resulta
del modelo; en este caso:
g21v1= v2 y por tanto: v2/v1= g21 = Av = vs/ve /Ganancia de tensión 6 Amplificador de tensión
Tomando ahora, el denominado amplificador de transimpedancia:
z21 i1= v2 y por tanto: v2/i1= z21 = Az = is/ve /Transimpedancia 6 Amplificador de transimpedancia
Figura 5.15. Modelo incluyendo impedancias Figura 5.16. Modelo ideal de amplificador de
terminales de amplificador de transimpedancia transimpedancia
De cualquier forma, en este y posteriores estudios, se va a utilizar el modelo de tensión, por

ser el más comúnmente usado.
5.3.3. Definiciones básicas de un amplificador
Impedancias terminales:
- Impedancia de entrada: Ze = ve / ie
- Impedancia de salida: Zs = v / i
Ambas impedancias terminales, se calculan como cualquier impedancia equivalente: Relación

entre la tensión de excitación y la corriente que suministra la misma, en el punto del circuito
requerido. Para ello, se anulan de manera adecuada el resto de generadores independientes que
existan en el diseño. Así, para el cálculo de la impedancia de entrada se excitará donde este definida
la misma, mientras que para la de salida, se excitará desde el punto determinado como salida.
Ganancias:
5.10
- Ganancia de Tensión: Av = vs / ve Gv(dB) = 20 log *vs / ve*
- Ganancia de Corriente: Ai = is / ie Gv(dB) = 20 log *is / ie*
En ambos casos, la ganancia esta definida como la relación entre la variable de salida y la
variable de entrada. Este valor se puede dar en valores absolutos o logarítmicos (dB). Evidentemente
existen otro tipo de ganancias, resultado de combinaciones de las anteriores, como son: ganancia de
potencia, transimpedancia (vs / ie), etc.
Un amplificador de tensión ideal, correspondería a aquel que tuviera una impedancia de

entrada de valor infinito (muy elevada), una impedancia de salida nula (muy baja) y una elevada
ganancia de tensión. Además, cuanto más cerca se llegue a las condiciones ideales, el análisis de
diseños multietapa se realizará de forma más sencilla, puesto que se podrá analizar cada etapa por
separado, y las prestaciones del diseño mejorarán:
Figura 5.17. Diseño en dos etapas
Si la impedancia de entrada del segundo amplificador es muy elevada, la ganancia de tensión

del primer amplificador valdrá aproximadamente lo mismo, cuando tenga conectada a su salida la
segunda etapa, que cuando tenga su salida en circuito abierto. De esta forma para calcular la
ganancia total de ambas etapas, en vez de analizar el diseño completo con las dos etapas, se puede
hacer de forma más cómoda, analizando cada etapa por separado, colocando correctamente los
efectos de carga y multiplicando el valor de ambas ganancias.
Por otra parte, si la impedancia de salida de la primera etapa es muy pequeña, esta etapa se
comporta como un generador ideal de tensión; es decir, mantendrá fija la tensión de salida
independientemente de cuanto valga la carga que se le conecte.
5.11
5.4. EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
5.4.1. Fundamentos
Para entender el principio de funcionamiento de un amplificador diferencial, se tomará como

ejemplo un problema práctico que se da a la hora de amplificar señales de tipo biológico; por
ejemplo un electrocardiógrafo, consiste básicamente en un sistema capaz de registrar y monitorizar
de manera adecuada el ritmo cardiaco del corazón; es decir, registra los latidos del mismo.
La señal del corazón, tiene unos valores de amplitud muy pequeños, existiendo en el
ambiente señales expúreas no deseables (ruidos, etc.) que tienen valores de amplitud equiparables
a la propia señal útil de los latidos a tratar. Por ello, si se utiliza un amplificador “absoluto” (Vs = G
Ve), como ambas señales (latido y ruido) se superponen, en la salida no se podrá distinguir la señal
del corazón útil de la producida por el ruido por su enmascaramiento.
Una idea para solucionar este problema, consiste en tomar dos entradas de señal útil (latidos
del corazón) con una pequeña diferencia de amplitud, tomándolas respectivamante en dos puntos
distintos del cuerpo (por ejemplo un sensor en el pecho y otro en otro punto alejado del mismo), de
forma que el ruido afectará prácticamente de igual forma a ambas entradas de señal:
Ve1 = V1 + Vruido y Ve2 = V2 + Vruido.
Si se consigue un sistema que amplifique únicamente la diferencia de las señales, se anula el

efecto del ruido o en sentido más amplio cualquier señal común a ambas entradas que puedan
enmascarar la salida. De esta forma la salida vendrá dada por la expresión: Vs = K (Ve1 - Ve2), siendo
K el valor de la ganancia.
Figura 5.18. Amplificador Diferencial
5.12
5.4.2. Teorema de Barttlet
Figura 5.19. Red simétrica
En la figura anterior se muestra una red simétrica, que puede ser separada en dos partes
iguales respecto del eje de simetría marcado. Si esta red se excita con un tipo de señales especificas:
- Caso A.- Excitación común: v 1 = v2 = vc

La corriente i será nula, pudiendo entonces separar el circuito simétrico en dos partes iguales
simplemente abriendo la conexión (circuito abierto) sobre el eje de simetría.
- Caso B.- Excitación simétrica: v1 = -v2 = vd/2

En este caso la tensión v será nula, por lo que en este caso se separará el circuito en dos
partes simétricas, haciendo v = 0; es decir, colocando un cortocircuito sobre el eje de
simetría para ambas mitades.
Esto permite reducir el análisis del diseño completo, al estudio de medio circuito, en cada tipo
de excitación:
Figura 5.21. Equivalente para excitación simétrica Figura 5.22. Equivalente para excitación común
Aunque la utilidad de esta simplificación pueda parecer escasa, por la restricción que
tienen que cumplir las excitaciones v1 y v2 y la simetría de diseño, estas no serán tales en la aplicación
sobre amplificadores diferenciales:
5.13
- Cualquier par de señales arbitraria ( v1 , v 2 ) siempre se podrá descomponer en la suma de

dos sumandos: una parte diferencial y otra parte común:
Figura 5.23.
Descomposición de
excitación arbitraria
- Por otra parte, la principal característica de un amplificador diferencial discreto (montado

con transistores), de la cual dependerá su calidad, será la simetría del circuito y por lo tanto
cumple la otra premisa para poder aplicar el teorema de Barttlet.
5.4.3. Modelo lineal del amplificador diferencial
Se trata de modelizar el amplificador diferencial mediante un circuito equivalente. Este vendrá

caracterizado (como cualquier amplificador) por las impedancias terminales y la ganancia. Esta última
característica (ganancia) vendrá expresada en función de las componentes diferencial y común de las
excitaciones genéricas v1 y v2. Con ello el modelo equivalente del amplificador diferencial a
partir de la descomposición de las entradas en sus componentes diferencial y común:
Figura 5.24. Modelo equivalente del amplificador diferencial
Si la parte común de la señal de excitación se amplifica por un valor muy pequeño,

mientras la parte diferencial lo hace por un valor elevado, se obtiene el principio general de
funcionamiento deseado de un amplificador diferencial: la salida prácticamente solamente
5.14
depende de la diferencia de las entradas. Este concepto da lugar a la definición de un factor de

calidad denominado Factor de Rechazo al Modo Común. Este sera un valor que indicará de
manera cuantitativa el factor de calidad del diseño realizado.
5.15
CAPÍTULO 6
Amplificación con transistores
Contenido
6.1 INTRODUCCIÓN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
6.2 MODELOS EQUIVALENTES DE TRANSISTORES . . . . . . . . . . . . . . . . .7
6.2.1 Modelos físicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7
6.2.2 Modelos funcionales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9
6.3 ANÁLISIS DE DISEÑOS TIPO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
6.3.1 Amplificador con transistor bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
6.3.2 Amplificador con transistor unipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
6.4 PROBLEMAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19
6.1
6.2
Capítulo 6: Amplificación con transistores
6.1. INTRODUCCIÓN
Este tema desarrolla un concepto básico en Electrónica como es el de Amplificación con

transistores, pero tomando cieertas algunas restricciones como son:
- Pequeña señal
El estudio que se realizará, será válido para excitaciones de pequeña señal variable
(senoidal) que permiten linealizar eléctricamente el comportamiento de los transistores. Esto
corresponderá a las primeras etapas de una cadena completa de amplificación. Así, a modo
de ejemplo, la Figura 1 corresponde a una cadena típica de amplificación de audio
Figura 6.1. Ejemplo de cadena de amplificación, por etapas
Para conseguir que la señal eléctrica producida por el transductor (cápsula del
giradiscos, cabeza lectora de pletina analógica, etc) de valores de amplitud muy pequeños
llegue a valores suficiente para excitar a los altavoces, se necesitan varias etapas de
amplificación. Estas serían básicamente tres: previo, amplificación y potencia.
La primera etapa (previo), corresponde al acondicionamiento de la señal generada

por el transductor, para que pueda ser correctamente utilizada por el amplificador. El estudio
que se realiza en este tema, correspondería a la parte intermedia (muchas veces constituyen
un único bloque conjunto: previo y amplificador). El estudio de la etapa de potencia
(elevadas tensiones y/o corrientes) se realiza de forma distinta, puesto que no serán validos
los modelos lineales de los transistores.
- Frecuencias medias.
Esta limitación consiste en no tener en cuenta el efecto sobre los diseños, de los
elementos cuya impedancia dependa de la frecuencia (en este tema, estos serán
condensadores). La forma de anular su influencia, dependerá del valor de la capacidad de
los; así, los condensadores con valores elevados de capacidad se harán cortocircuitos,
mientras que con valores pequeños se tomarán como circuitos abiertos. Esta aproximación
de no tener en cuenta los efectos de condensadores , será válida para un intervalo de
frecuencias, denominado frecuencias medias. El valor de este intervalo, no puede ser fijado
de manera cuantitativa, puesto que este dependerá del tipo de aplicación a la cual este
orientado el diseño del amplificador (de audio, de video, etc.) y vendrá definido por una
característica conocida como ancho de banda.
6.3
Para observar claramente el efecto de la señal variable en el comportamiento temporal de un diseño,

se expondrá un ejemplo basado en un transistor bipolar, polarizado en zona activa:
Figura 6.2. Diseño ejemplo de amplificador
La Figura 3 corresponde a la denominada recta de carga estática, representándose la coriente

sobre la resistencia Rc (Ic) en función de la tensión VCE.
- Malla de colector: VCC - VCE = IC RC 6

VCC − VCE
IC =
RC
Figura 6.3. Recta de carga estática

Esta recta,
representa los infinitos puntos de polarización del transistor bajo estudio, con la red de colector
añadida: fuente de alimentación (Vcc) y resistencia de colector (RC). Tomando el transistor
completamente ideal: VCESAT=0, estos estan limitados al tramo de la recta dentro del primer cuadrante
del plano (tomando IE = IB+IC; es decir sentidos reales positivos de las corrientes:IE saliente, mientras
tanto IB, como IC serán entrantes). Q (VCEQ, ICQ)representa el punto de trabajo elegido dentro de la
zona activa, que vendrá fijado por la red de polarización que determina la corriente de base:
VBB − VBE R2
IB = donde RB = R1 R 2 y VBB = VCC
RB R 2 + R1
6.4
Cuando el transistor está polarizado en un punto de trabajo de su zona activa Q, se le introduce una
señal senoidal (en este caso por la base del mismo), mediante el correspondiente condensador de
acoplo: C1. Este, como más adelante se explicará, sirve para que la componente continua y variable,
no se afecten mutuamente.
Para observar gráficamente la nueva situación, se tendrán en cuenta varios aspectos a
destacar:
- La señal variable y la continua, en este diseño, tienen el mismo recorrido de colector.Así,
la recta de carga estática: VCC - VCE = IC RC, coincidirá con la denominada recta de carga
dinámica, que representa el mismo recorrido eléctrico de la malla de colector, pero para la
componente variable: -vce = ic.Rc. Ambas rectas tienen la misma pendiente:-1/Rc, aunque
distintos orígenes de representación; origen para señal variable: punto de polarización de
continua (Q), sobre el cual se representan los ejes correspondientes:ic, vce
- Se añaden unos nuevos ejes (t) para poder incluir en la representacaión las señales en el
tiempo y observar el efecto de la señal variable sobre el punto de polarización: se desplaza
de manera simetrica respecto de Q, sobre la recta de carga dinámica (que como ya se ha
dicho, en este caso particular, coincide con la estática). Esta oscilación estará limitada a la
zona lineal (zona activa)
Figura 6.4. Señales en el amplificador: continua y variable
Las señales que aparecen sobre los ejes temporales, serán:
Vce(t) = VCEQ + As sen wt ( continua + señal )
Ic(t) = ICQ + (As/ RC) sen (wt + B) * Pendiente negativa (desfase de 180º) de valor 1 / RC
6.5
En la Figura 6.5, se observa la limitación que impone la zona activa al comportamiento de la

señal variable. Si se superan los límites de corte y/o saturación la señal obtenida estará recortada
(zonas rayadas) provocando una distorsión evidente:
Figura 6. 5. Ejemplo de salida distorsionada
Debe quedar claro por tanto, que la polarización limitará el comportamiento para pequeña
señal variable de un amplificador con transistores, para poder mantener un funcionamiento lineal,
sin distorsión. Además existe una relación directa entre la continua y las características de señal de
variable. Para ello, analicemos el diseño siguiente, análogo al anterior pero formado en base a un
transistor unipolar (JFET canal n en este caso). El motivo de este cambio de tipo de transistor no es
otro que facilitar la exposición matemática. Veamos que ocurre con la señal temporal Id(t) de este
diseño teórico donde se superponen ambas excitaciones y por tanto estará formada por la suma de
dos contribuciones: continua:ID y señal: id(t)
6.6
6.2. MODELOS EQUIVALENTES DE TRANSISTORES PARA

PEQUEÑA SEÑAL
Pra poder analizar el comportamiento para pequeña señal variable de un amplificador

diseñado en base a transistores (bipolares y/o unipolares), consiste en disponer de herramientas que
permitan sustituir el componente electrónico no lineal (transistor), por un modelo equivalente
eléctrico lineal.
6.2.1.- Modelos físicos de transistores
El modelo que se expondrá (tanto el correspondiente a transistores bipolares, como el de

unipolares) tiene como propiedad fundamental su carácter físico; es decir, está obtenido a partir del
comportamiento intrínseco del dispositivo. Por ello, estos modelos serán válidos para un amplio
margen de frecuencias de trabajo, al tener en cuenta los efectos de capacidades internas de los
propios transistores. Los parámetros que caracterizarán al modelo, serán siempre valores reales, pero
su valor dependerá del punto de polarización con el cual se este trabajando; en definitiva, el modelo
equivalente para pequeña señal, dependerá del punto Q de trabajo en continua.
6.2.1.1.- Modelo híbrido en B. ( transistor bipolar )
El circuito eléctrico equivalente del transistor bipolar , atendiendo a su comportamiento

intrínseco es el siguiente:
Figura 6.6. Modelo híbrido en B de transistor bipolar
6.7
Parámetros del modelo físico híbrido en B
rbb' (rx): Resistencia de contacto. El punto (b') no es accesible y representa la base interna del
transistor. Esta resistencia representa la resistencia óhmica desde este punto, al
contacto externo accesible (b) ( orden de ohmios 50 - 100S )
rb'e (rB): Resistencia de difusión de la unión base-emisor.
Cb'e (CB): Capacidad de difusión de la unión base-emisor.
Cb'c (C:): Capacidad de realimentación base-colector. Coincide prácticamente con la

capacidad de transición de dicha unión y suele ser bastante más pequeña que la Cb'e.
rb'c (r:): Resistencia de realimentación base-colector.( cientos de KS o MS )
rce (ro): Resistencia de salida. ( cientos de KS o MS )
gm: Transconductancia.
Si se trabaja en la zona considerada de frecuencias medias, las capacidades internas ( muy

pequeñas ) presentarán un impedancia muy elevada, por lo que llevando al límite este valor, se harán
circuitos abiertos. Del mismo modo, se puede realizar una simplificación eliminando las resistencias
de valor elevado: rb'c y rce. Con ello, el modelo equivalente aproximado para pequeña señal y
frecuencia medias, sera:
Figura 6.7. Modelo simplificado para frecuencias medias (híbrido en B)
6.8
6.2.1.2.- Modelo del transistor unipolar
Figura 6.8. Modelo equivalente de transistor unipolar
El modelo equivalente simplificado y para frecuencias medias quedará :
Figura 6.9. Modelo simplificado para frecuencias medias
6.2.2.- Modelos funcionales
En este caso, se tratará (como se indicó en el tema anterior) de sustituir al transistor por un
determinado circuito eléctrico, basado en el estudio del comportamiento externo del dispositivo,
siendo únicamente válido este modelo para una frecuencia determinada. Siguiendo este
razonamiento se obtienen los circuitos equivalentes de la Figura 6.10:
Modelo h Modelo g
Modelo y
Modelo z
Figura 6.10. Modelos equivalentes funcionales
6.9
Los parámetros más utilizados corresponden a la familia h con la configuración de emisor

común, puesto que son los normalmente suministrados por el fabricante. Estos, generalmente se
conocen con la nomenclatura anglosajona; así:
h11 Y hi (input) h22 Y ho (output) h12 Y hr (reverse) h21 Y hf (forward)
El segundo subíndice indicará el tipo de configuración básica: e (emisor común) ; c (colector

común); b (base común)
Figura 6.11. Configuraciones básicas: emisor, colector y base común
La utilización de los parámetros correspondientes a una configuración básica, frente a la

utilización de otros, solamente tendrá la ventaja de una mayor facilidad en la resolución del circuito
eléctrico resultante. Es por ello, que en los los estudios posteriores siempre se usarán los parámetros
más conocidos y utilizados (por ser además los que suele dar el fabricante): la familia h con la
configuración de emisor común.
Figura 6.12. Modelo h en emisor común

Las ecuaciones y modelo que caracterizan esta configuración son:
6.2.3.- Comparación entre modelos simplificados: híbrido en B y h en

emisor común
Comparando los modelos simplificados para frecuencias medias de ambas
configuraciones, anulando las capacidades y las resistencias de valores muy elevados:
Figura 6.13. Híbrido en B simplificado
6.10
Figura 6.14. h en emisor común simplificado
Por equivalencia entre ambos circuitos eléctricos, se obtienen las relaciones:
NOTA.- Para aclarar confusiones sobre distintos terminos, se aportan definiciones de distintos
parámetros de transistores, tanto para continua como para señal variable:
Ganancia de corriente en emisor común:
Ganancia de corriente en continua:
Ganancia directa de corriente con salida en cortocircuito:
gm = Transconductancia del modelo físico del transistor:
Unipolar 2KID = K (VGS − VT )
Bipolar
6.11
6.3. ANÁLISIS DE DISEÑOS TIPO.
6.3.1.- Amplificador con transistor bipolar
El diseño a analizar corresponde a la Figura 6.15:
Figura 6.15. Amplificador en emisor común
Para realizar el estudio en señal variable, se anulará la continua (Vcc será un cortocircuito),
mientras que al imponer el rango de frecuencias medias de la misma, se ha de anular el efecto de las
capacidades:
Estas están constituidas por los condensadores de acondicionamiento (C1 y C2) y de desacoplo
(CE) conectados por el diseñador, así como por las parásitas propias del modelo físico del transistor
(Cb'c y Cb'e). Atendiendo al valor de la capacidad, se seguirá el criterio expuesto en la tabla siguiente.
Capacidad Frecuencias Bajas Frecuencias Frecuencias Altas

Medias
Alta (:F) Apreciable Baja Muy Baja

(A tener en (cortocircuito) (cortocircuito)
cuenta)
Baja (pF) Muy Alta Alta Apreciable.

(circuito abierto) (circuito abierto) (A tener en
cuenta)
Tabla 1
Este criterio es de carácter generalista, por lo que puede haber casos que resulten conflictivos.
El caso más habitual lleva a hacer cortocircuitos las capacidades C1, C2 y CE, mientras que las
capacidades propias del modelo equivalente físico del transistor bipolar serán circuitos abiertos.
6.12
Por otra parte, señalar que los condensadores C1 y C2 son imprescindibles en el diseño, para
acondicionar la señal variable al circuito:
- C1 evita que la componente continua afecte al generador de señal variable de entrada.

También consigue que este generador vg no afecte al punto de polarización del transistor.
- C2 acondiciona la carga (RL) para señal variable, de tal manera que esta por un lado, no
disipe potencia de continua y por otro, no influya en la polarización de continua.
- CE En la configuración de emisor común, propiemente dicha, se prescinde tanto de RE como

de CE, conectándose directamente el emisor del transistor a masa. Incluyendo ambos
componentes o prescindiendo de ellos, el modelo equivalente en pequeña señal y
frecuencias medias será el mismo (CE será un cortocircuito). En el caso bajo estudio, se ha
preferido utilizar ambos componentes, a fin de poder comparar las características de señal
variable del circuito en emisor común, frente al que dispone de RE pero no de condensador
CE.
Teniendo en cuenta todo lo expuesto anteriormente y tomando el modelo equivalente h en

emisor común simplificado (hre=hoe=0) del transistor, se obtiene el siguiente circuito equivalente:
Figura 6.16. Amplificador en emisor común
Ganancia de tensión:
Características:
- Signo negativo. Indica el desfase de 180º de la señal de salida (vs) respecto de la excitación
de entrada (ve).
- Valor absoluto normalmente elevado. Valores típicos de hfey hie darán lugar a valores
habituales por encima de 100.
- El valor de ganancia depende de parámetros del transistor. Estos serán difíciles de conocer
con exactitud y controlar (dependen del punto de polarización) y por supuesto al cambiar de
transistor, cambiaría el valor de la ganancia.
- Flexibilidad de diseño. Si se desea obtener un sistema cuya ganancia se puede variar de

manera cómoda, en este caso se debería de actuar sobre RC 2RL; pero esto tiene
6.13
complicaciones: RL es la carga del amplificador y no debe utilizarse para variar la ganancia,

mientras que si se varía RC se esta variando el punto de polarización del transistor, con todos
los problemas que ello implica.
A continuación se van a comparar el resultado de este diseño, con el que se obtiene con el
mismo diseño, pero sin condensador CE, para apreciar las diferentes características de ambos
circuitos:
Figura 6.17. Amplificador en emisor común con RE
NOTA.- Se indicarán con (RE), las características correspondientes a este último diseño
Tomando: hfe >> 1 y hfe RE >> hie , queda:
Diferencias respecto de la configuración de emisor común:
- La expresión de la ganancia es únicamente función de componentes lineales (resistencias)

colocados en el diseño, perfectamente controlables; no depende de parámetros del
transistor. En cuanto a valor absoluto, este es menor que en el caso de emisor común.
El condensador de desacoplo CE se suele utilizar para obtener más ganancia y sobre todo para
conseguir que esta sea variable, controlada por un potenciómetro: Figura 6.18
Figura 6.18.
Desacoplo de RE
6.14
Expresiones de impedancias terminales de ambos diseños:
Impedancia de entrada: (Emisor común)
Impedancia de entrada: (con RE)
En principio, ambas tienen en común la desventaja de depender la impedancia de entrada,

de parámetros internos del transistor. Pero teniendo en cuenta los valores típicos de los parámetros
de un transistor, quedaría:
- Ze. hie, suponiendo: hie << R1 2 R2 6 Dependencia de parámetro del transistor
- Ze (RE ). R1 2 R2 , suponiendo: hfe>> 1 ; hfe RE >> R1 2 R2 y hfe RE >> hie 6 Independencia

de los parámetros del transistor
Impedancia de salida: (Emisor común)
Al excitar desde la salida y anular el generador de entrada (ve) la corriente de base se hace
nula, pues: hie ib = 0 6 ib = 0; con ello el generador de corriente hfe ib también se anula y la
impedancia de salida tendrá un valor: Zs = RC 2 R L. Habitualmente, se excluye del cálculo de la
impedancia de salida, la resistencia de carga (RL).
Impedancia de salida: (Emisor común con RE )
Por los mismos motivos expuestos anteriormente: hie ib + (hfe +1) ib RE = 0 6 ib = 0, la

impedancia de salida valdrá lo mismo que en el anterior diseño: Zs = RC 2 RL.
Si se desea obtener un valor de Zs bajo habrá que utilizar un valor bajo de RC; pero si se
disminuye este valor, aparte de variar el punto de polarización del transistor, también se esta
disminuyendo en ambos diseños el valor de la ganancia de tensión. Esto será una constante en
cualquier tipo de diseño; el favorecer o mejorar una característica del amplificador, influirá
6.15
negativamente en otra. Por ello, se tendrá que llegar a un compromiso en el diseño, atendiendo a
la utilización fundamental a la cual este orientado el mismo.
A continuación se exponen los modelos de ambos diseños, incluyendo parámetro hoe. Se

recomienda su análisis para observar su influencia en los resultados.
Figura 6.19. Modelo con hoe de emisor común
Figura 6.20. Modelo con hoe de configuración con RE
6.16
6.3.2.- Amplificador con transistor unipolar
El diseño es análogo al emisor común, como se puede observar en la Figura 6.21:
Figura 6.21. Amplificador en fuente común
El circuito eléctrico lineal equivalente, tomando el modelo del transistor unipolar aproximado
para frecuencias media quedará:
Figura 6.21. Modelo de amplificador en fuente común
Figura 6.22. Modelo equivalente con resistencia Rs (sin Cs)
6.17
Con la configuración en fuente común con resistencia RS (sin condensador CS ) el valor de esta
ganancia queda:
NOTA.- Los comentarios sobre estas ganancias son análogos a los de la configuraciones
correspondientes con transistor bipolar. Esta apreciación es ampliable al resto de las características
que se van a analizar.
Impedancias de entrada:
Al tener un circuito abierto como entrada el modelo equivalente el transistor, la impedancia

de entrada es la misma, se desacople RS con un condensador o no.
Impedancias de salida:
Al excitar por la salida y anular la excitación de entrada, vgs = 0 con lo que el generador de
corriente se anula y la impedancia de salida queda en ambos casos:
Una vez realizado el estudio de estas configuraciones básicas, señalar que la forma de análisis
de cualquier otro diseño se realiza siguiendo los mismos pasos. Es por ello fundamental, el correcto
paso del diseño dado al circuito eléctrico lineal equivalente. A partir de este punto el análisis pasa a
ser de tipo eléctrico (no electrónico).
6.18
PROBLEMA RESUELTO
Sobre el diseño dado a continuación, se desea conocer:
a) Modelo equivalente para pequeña señal.

b) Expresión de la relación: ie= f(Vgs)
c) Expresiones de la resistencia de entrada del diseño (del generador Ve hacia la derecha),
así como la transadmitancia Is/Ve
DATOS
C1 64
Q1: hie, hfe >>1
J1: gm
a)
Teniendo en cuenta los datos dados: transistor bipolar caracterizado por dos parámetros del
modelo h en emisor común: hie, hfe, mientras que el transistor JFET lo está únicamente por la
transconductancia gm, el circuito equivalente para pequeña señal y frecuencias medias, queda como
sigue:
6.19
donde: RB=R12R2 y la corriente nominada como Ie=ib
b)
La expresión de vgs queda:
vgs = - (-hfe ib Rc) - [gm vgs +(hfe +1)ib] R4 y hfe >>1 6

1 + gmR4
6 vgs . - (-hfe ib Rc) - (gm vgs +hfe ib) R4 6 ib = Ie = − vgs
hfe( Rc + R4)
c)
Del diseño se obtienen las siguientes ecuaciones:
1) is = -gm vgs RL
2) Ve = hie ib + (hfe +1)ib R3 +[gm vgs +(hfe +1)ib] R4
Teniendo en cuenta la relación obtenida en el apartado anterior, ib=K vgs, siendo:
1 + gmR4
K= −
hfe( Rc + R4)
se obtiene la impedancia equivalente Thevenin (de la entrada a la derecha):
Re = Rb 2 Re', donde Re' es la impedancia vista a la derecha de Rb:
hie ib + (hfe + 1) R3ib + [(hfe + 1) ib + gmvgs]R4 vgs

Re′ = = hie + (hfe + 1)( R3 + R4) + gmR4
ib ib
1
es decir: Re′ = hie + (hfe + 1)( R3 + R4) + gmR4
k
Por otro lado, la transadmitancia o ganancia Is/Ve tendrá la siguiente expresión:
is − gm − gm
= − ≈
ve gmR4 + K[hie + (hfe + 1)( R3 + R4)] gmR4 + K[hie + hfe( R3 + R4)]
6.20
PROBLEMAS PROPUESTOS
Ejercicio 1
En el circuito que se muestra a continuación, con los dos transistores idénticos con parámetros
gm y rds, se desean conocer:
A) Ganancia de tensión en frecuencias medias.

B) Impedancia de salida.
Nota: C 6 4
SOLUCIÓN:
A)
B)
6.21
Ejercicio 2
Se desea conocer del siguiente amplificador:
A) Ganancia de tensión para frecuencias medias.

B) Impedancias terminales (frecuencias medias) en los puntos marcados como tales.
DATOS
TRT: hfe ; hie ; hoe

C1 y C2 6 4
SOLUCIÓN:
A)
6.22
Ejercicio 3
Dado el siguiente circuito:
DATOS
TRT`s: hie ; hfe

C1 = C2 6 4
Se desea conocer la ganancia de tensión (Vs/ve) para frecuencias medias.
SOLUCIÓN:
6.23
Ejercicio 4
Se desea obtener del diseño siguiente, la expresión de la ganancia de tensión (Vs/Ve).
DATOS
Transistores:
hie ; hfe
SOLUCIÓN:
6.24
Ejercicio 5
Sobre el circuito de la figura:
A) Expresión de la impedancia de entrada de la segunda etapa (Ze')

B) Obtener la relación entre la corriente iR1 y la tensión vgs
C) Expresión de la impedancia de entrada del sistema (Ze)
Transistores:
Bipolar: hfe hie hoe
Unipolar: gm
SOLUCIÓN:
6.25
CAPÍTULO 7
El Amplificador Operacional
Contenido
7.1 INTRODUCCIÓN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
7.2 FUNCIÓN DE TRANSFERENCIA, SIMBOLOGÍA Y ESTRUCTURA . . . 4
7.3 CONCEPTO DE REALIMENTACIÓN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6
7.4 APLICACIONES LINEALES BÁSICAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9
7.5 APLICACIONES NO LINEALES BÁSICAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21
7.5.1 Comparador básico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
7.5.2 Comparador con histéresis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
7.1
7.2
Capítulo 7: El Amplificador Operacional
7.1. INTRODUCCIÓN.
El Amplificador Operacional está actualmente considerado como un componente

fundamental en el diseño de aplicaciones electrónicas. Prácticamente su uso se asimila en los
diseños, al de un componente discreto más (como por ejemplo un transistor), a pesar de ser un
circuito integrado. Esto se debe a su facilidad de manejo, fiabilidad y excelente relación calidad -
precio.
Sus campos de aplicación son muy variados:
- Filtros Activos.
- Generación de señales variables: cuadrada, triangular, senoidal, etc.
- Acondicionamiento, regulación y control de señales.
- Simulación de fenómenos físicos y operaciones matemáticas (de ahí su nombre).
- Amplificación de señales.
- Adaptación de etapas, etc.
Es importante destacar que en este tema se va a estudiar el Amplificador Operacional, pero

con varias restricciones:
(A).- Se analizarán únicamente aplicaciones lineales del mismo. Más adelante se

comprenderá perfectamente este concepto de linealidad del amplificador operacional.
(B).- Se utilizarán Amplificadores Operacionales de uso general (A. O de Tensión), sin entrar
en otros tipos con aplicaciones más específicas: OTA, Norton, etc.
(C).- Salvo en los casos en que se indique de forma clara, se analizarán los circuitos
idealizando el comportamiento real del amplificador operacional. Al final del tema se indicará
una serie de efectos no ideales así como la estructura interna del A. O real.
7.3
7.2.- FUNCIÓN DE TRANSFERENCIA, SIMBOLOGÍA Y

ESTRUCTURA
El Amplificador Operacional consta de dos entradas denominadas inversora (terminal ” -”)

y no inversora (terminal “+”) y una salida; así se define una entrada diferencial (diferencia de
tensiones entre los terminales “-” y “+”) y una salida asimétrica (referida a masa). Obviamente para
su funcionamiento este dispositivo necesita estar correctamente alimentado, existiendo dos tipos de
alimentación:
- Simétrica: Dos alimentaciones, una positiva y su simétrica negativa.

- Asimétrica: Una única alimentación.
Con esto ya se tienen definidos cinco terminales (patillas) del circuito integrado que conforma
el Amplificador Operacional: “-”, “+”, Vs, +Vcc y -Vcc. Los encapsulados de estos dispositivos
disponen de mayor número de patillas (por lo menos ocho). Alguno de estos terminales tendrán una
utilización específica como: compensación en frecuencia, ajustes de “offset”, etc.
En los esquemas eléctricos el símbolo utilizado para el A. O es un triángulo con tres

terminales: entrada inversora “-”, entrada no inversora ”+” y terminal de salida. Los terminales
correspondientes a la alimentación pueden estar o no representados.
A continuación se expone el símbolo utilizado para un Amplificador Operacional de uso

general, así como su función de transferencia real. Se tomará como ejemplo alimentación simétrica:
Figura 1. Símbolo del A. O.
Figura 2. Función de transferencia del A.O real
Dependiendo de la polaridad con que se tome Vi (entre la patilla - y la patilla + o al

contrario) la función de transferencia será la expuesta o la inversa. Tomando el criterio expuesto, se
observan dos zonas de trabajo del dispositivo, perfectamente diferenciadas en la función de
transferencia:
1.- Zona lineal. En esta zona (con intervalo de vi muy pequeño), la función es prácticamente
7.4
una recta de pendiente muy elevada, lo cual indica que la señal introducida a la entrada será
fuertemente amplificada, justamente, por el valor de la pendiente, también denominada
ganancia en lazo abierto (A0) del amplificador operacional.
Debido al valor tan elevado de esta ganancia, la utilización del A.O en lazo abierto
en esta zona lineal es prácticamente imposible (cualquier ruido o señal del ambiente “sacará”
al dispositivo de zona lineal, llevándolo a saturación). Por ello se recurre a técnicas de
realimentación negativa, a fin de poder controlar y hacer manejable el dispositivo en zona
lineal.
El modelo equivalente lineal, se caracteriza por una impedancia de entrada de valor
elevado, una impedancia de salida de valor bajo y un generador dependiente de la tensión
de entrada (Vi) con un factor A0 que en este caso será negativo (como la pendiente de la
recta).
Figura 3. Circuito equivalente del A.O en zona lineal
2.- Zona de saturación o no lineal. Fuera del intervalo lineal, la función de transferencia se
caracteriza por una recta de pendiente nula. Es decir, la salida es fija, de un valor próximo
al de la alimentación simétrica (Va y Vc), independientemente del valor de la señal de
entrada vi. En esta zona, será usado para otro tipo de aplicaciones distintas a la de
amplificador.
7.5
7.3.- CONCEPTO DE REALIMENTACIÓN
La realimentación es una técnica no solamente aplicable a la Electrónica sino a multitud de

procesos físico - químicos. El estudio pormenorizado de la realimentación aplicada a la Electrónica
se sale del objetivo de este tema, por lo que se va a tratar de dar una idea básica con el fin de la
correcta comprensión de su utilización en el tema presente.
Se asumirá como realimentación, el hecho de tomar parte de la señal de salida de un sistema

y llevarla hacia otro punto del mismo. De esta forma, la salida en un instante no dependerá
únicamente de la entrada en ese instante, sino de lo que haga la propia red de realimentación,
puesto que en parte o incluso toda la señal, se ha vuelto a introducir en el sistema. Este concepto
se puede comprender mejor atendiendo al siguiente esquema:
Figura 4. Sistema Realimentado
El sistema anterior configura un sistema en lazo cerrado, donde una parte de la señal de
salida (BXs), se vuelve a introducir en el sistema, de forma que el amplificador (A) está siempre
atacado por una señal: Xe - BXs. La ganancia del conjunto vendrá dada por la expresión:
donde se definen: G : Ganancia en lazo cerrado

A : Ganancia en lazo abierto
AB : Ganancia de lazo
De la expresión anterior se pueden deducir tres casos claramente diferenciados:
A) No hay realimentación: B=0 (Lazo Abierto)
La ganancia en lazo cerrado coincide con el valor de la ganancia en lazo abierto,

como no podía ser de otra forma al haber anulado el lazo de realimentación.
7.6
B) Realimentación Negativa: AB > 0 La ganancia de lazo es positiva. (G < A)
El sistema tiende a hacerse estable, al ir reduciéndose la señal de error (Xe- BXs). De

esta forma se compensan las posibles variaciones del nivel de señal a la salida; por ejemplo,
si por cualquier motivo (variación de temperatura, derivas, tolerancias, etc.) la señal de salida
de un circuito aumenta, el lazo de realimentación negativa tenderá a disminuirla, de forma
que la salida sea siempre constante.
C) Realimentación Positiva: -1 < AB < 0 Negativa y menor que la unidad. (G >A)
En este caso el sistema tenderá hacia la saturación puesto que la realimentación

positiva “refuerza”, en vez de compensar las posibles variaciones de la salida, puesto que la
señal de error irá aumentando. Así si la salida aumenta, a la vuelta del lazo de
realimentación, volverá a aumentar con lo que se entra en un proceso regenerativo que
llevará al dispositivo a su zona no lineal o de saturación.
Un caso especial sería cuando la ganancia de lazo fuera exactamente -1, con lo que la
ganancia en lazo cerrado tendería a infinito. Si este sistema careciera de excitación, se produce una
indeterminación: Xs = G Xe (4.0), la cual cumpliendo ciertas condiciones, conducen a una oscilación
sostenida. Así, se obtendría señal a la salida sin necesitar una excitación de entrada.
A continuación, se hará un estudio más detallado del efecto de la realimentación negativa

en el diseño de aplicaciones lineales con Amplificadores Operacionales, mediante un ejemplo. Se
tendrá en cuenta que como la impedancia de entrada del mismo es muy elevada, la corriente hacia
los terminales “+” y “-” será prácticamente despreciable frente a la que circulará por R1 y por R2.
También se despreciará la caída de tensión en la impedancia de salida por lo que la tensión de salida
Vs coincide con la salida en vacío: - A0 Vi
Análisis
7.7
La condición A0$ >> 1 es muy fácil de cumplir puesto que A0 generalmente es muy elevado
(en los A.O's de uso general tiene valores típicos entorno a 105 )
Observando el resultado aproximado (con A0 $>> 1), se deduce una regla general que se
utilizará siempre en el análisis de circuitos con A.O`s con realimentación negativa, conocida como
principio de tierra virtual o golden rules. Esta condición es lo mismo que idealizar el comportamiento
del dispositivo (siempre con realimentación negativa). Esta idealización da lugar a una función de
transferencia ideal con unas características como las que se indican a continuación:
- Impedancia de entrada (Ze): Infinito.

- Impedancia de salida (Zs): Nula.
- Ganancia en lazo abierto (A0): Infinito.
Otras características ideales serán:
- Ancho de banda: Infinito.

- Ruido interno: Nulo.
- Derivas: Nulas.
Figura 5. Función de transferencia del A. O ideal
En este caso se observan fácilmente las dos zonas de funcionamiento:
1.- Zona lineal. Vi = 0. Pendiente infinita. Vs = A0 Vi = 4. 0 = Indeterminado.

El valor de la salida vendrá determinada por la red externa conectada. Realimentación
negativa.
2.- Zona de saturación o no lineal. Vi … 0 . Vs = A0 Vi = 4.
Infinito supone el valor máximo posible; es decir el valor de la alimentación. Realimentación
positiva o sin realimentación.
El principio de tierra virtual indica que entre las patillas inversora y no inversora existe un
cortocircuito y circuito abierto virtual a la vez. Este principio se podrá utilizar siempre que exista
realimentación negativa y su efecto práctico consiste en la aplicación al análisis de diseños, de las
siguientes premisas:
- Circuito abierto pues la impedancia de entrada es infinito.
Quiere decir que las corrientes hacia los terminales inversor y no inversor se
consideran nulas.
- Cortocircuito pues Vi = 0.
Esto indica que la tensión será la misma en ambos terminales. V- = V+
Deducir que un circuito tiene realimentación negativa o positiva, puede ser complicado, pero
de momento basta con indicar que si hay un único lazo de realimentación y este va hacia el terminal
inversor, la realimentación será negativa, mientras que si llega al no inversor, esta será positiva. Si
existen lazos de realimentación hacia ambos terminales, habrá que realizar un análisis cuantitativo
de los mismos, a fin de discernir cual es el de mayor peso.
7.8
7.4.- APLICACIONES LINEALES BÁSICAS
A continuación se van a exponer una serie de diseños considerados fundamentales, basados

en la utilización de Amplificadores Operacionales en la zona lineal; ello quiere decir que en todos
los casos se tendrá una realimentación negativa. También se considerará el dispositivo ideal. Con
todo ello, los análisis se realizarán aplicando el principio de tierra virtual y resolviendo las mallas
eléctricas que se precisen. En la práctica, los resultados sobre un diseño real son muy parecidos a los
ideales (sobre todo en cuanto a ganancias), por lo que para aplicaciones de uso general no es
necesario aplicar las correcciones oportunas (salvo en lo correspondiente a limitación de ancho de
banda; es decir su respuesta con la frecuencia)
SEGUIDOR
Esta configuración es análoga a la conocida como seguidor de emisor o colector común,

montada con transistores bipolares. Su utilidad es análoga ( aislamiento de diferentes etapas y/o
adaptación de impedancias), mejorando las características obtenidas en el diseño con componentes
discretos. De este modo, se obtienen:
- Impedancia de entrada: Infinito.

- Impedancia de salida: Nula.
- Ganancia de tensión: Uno.
Análisis:
Figura 6. Seguidor
NO INVERSOR
Amplificador con ganancia positiva, por lo que la tensión de salida estará en fase con la
entrada (no invierte la señal). Características:
- Impedancia de entrada: Infinito.

- Ganancia de tensión: 1+(R2 / R1)
Figura 7. Amplificador no inversor
7.9
Análisis:
INVERSOR
Amplificador con ganancia negativa, lo cual dará lugar a que la señal de salida estará
desfasada 180 grados respecto de la señal de entrada. Características:
- Impedancia de entrada: R1.
- Ganancia de tensión: R2 / R1
Análisis:
Figura 8. Amplificador inversor
SUMADOR
Amplificador sumador con ganancia negativa. Se construye a partir de la configuración básica

de amplificador inversor vista anteriormente, mediante una combinación de varias entradas. La salida
será directamente proporcional a la suma de las entradas. Una forma sencilla de análisis de este
circuito, consiste en utilizar el teorema de superposición: se calcula de forma independiente, la salida
debida a cada una de las entradas. Así, la salida total, será la constituida por la suma de las
contribuciones de cada una de las entradas.
7.10
Análisis:
Figura 9. Amplificador sumador
INTEGRADOR Y DIFERENCIADOR
Estos diseños complementarios, conseguirán que la salida sea proporcional a la integración

de la señal de entrada o bien a la derivada de la misma.
Ambos se basan en la utilización de un elemento pasivo como es el condensador, cuya

relación tensión corriente en función del tiempo, responde a la siguiente expresión:
Como se observa, esta relación es precisamente la que se desea obtener a través del diseño
correspondiente, entre la salida y la entrada de un circuito (integración y derivación).
Figura 10. Integrador
Figura 11. Diferenciador
7.11
La utilización de estas configuraciones estudiadas: sumador, inversor, no inversor, integrador

y diferenciador son las utilizadas en procesos de simulación de diferentes procesos cuya evolución
temporal responde a una ecuación diferencial. Esta utilización junto con otros diseños que se verán
con posterioridad (multiplicador, divisor, etc.), es la que originalmente dio el nombre al Amplificador
Operacional, puesto que permiten simular “operaciones matemáticas”.
CONVERTIDORES LOGARÍTMICOS
Estas configuraciones permiten obtener un valor de tensión a la salida proporcional al

logaritmo (o a la inversa del logaritmo ) de la señal de entrada. Para ello, al igual que los diseños
anteriores se han basado en un elemento (condensador) que producía la relación requerida, en este
caso se recurre a la unión p - n. Ésta como tal, se puede obtener a través de varios componentes,
como son: diodos y transistores.
La relación tensión - corriente corresponde a un logaritmo en base e o logaritmo neperiano.

Es evidente que el paso a cualquier otra base de logaritmo, se realizaría multiplicando por una
constante.
Las dos configuraciones complementarias, al igual que en el caso anterior se consiguen al

invertir la posición de los componentes dentro del diseño:
Análisis:
Figura 12. Convertidor logarítmico
Análisis:
Figura 13. Convertidor exponencial o

antilogarítmico
7.12
MÓDULOS MATEMÁTICOS INTEGRADOS. APLICACIONES.
A partir de las configuraciones básicas ya vistas, se pueden realizar otras operaciones

matemáticas con señales como: multiplicación, división y elevación a potencia n.
Multiplicador.
Figura 14. Diagrama de bloques del multiplicador
Como se observa consta de dos convertidores logarítmicos, uno antilogarítmico y un

sumador. Utiliza la relación: log A + log B = log (A.B)
Divisor.
Los bloques constitutivos son los mismos que en el caso anterior, salvo que el sumador es
inversor; es decir un restador.
Figura 15. Diagrama de bloques del divisor
Existen otras formas de implementación del multiplicador, aparte del método logarítmico
expuesto anteriormente como son: método de cuadrante cuadrado, método de cociente de
corrientes, etc. El estudio de estos métodos se sale del objetivo de este curso, pero es importante
hacer notar que existen otras formas de implementación de estas operaciones.
7.13
Todos estos módulos, en la práctica, se encuentran comercializados de modo que se pueden

realizar estas operaciones y otras linealmente dependientes (elevación a potencia n o 1/n), sobre el
mismo circuito integrado, realizando las conexiones oportunas. Un ejemplo lo constituyen los CI`s:
AD538, AD532, AD534 de Analog Devices y similares. A este tipo de circuitos se les suele denominar
Multiplicadores Analógicos.
Aplicación. Simulación de ecuaciones diferenciales mediante A. O`s.
La combinación de algunas de las configuraciones básicas vistas, sirven para simular la

resolución de ecuaciones diferenciales, con la importancia que ello conlleva. Es conocido que
muchos sistemas físicos son estudiados analíticamente a través de ecuaciones diferenciales. Para
estudiar el comportamiento de los mismo, se puede modelar su equivalente y simular su
comportamiento mediante circuitos basados en A.O`s.
Ejemplo. Ecuación Diferencial:
Implementación de la misma mediante bloques constituidos por A.O's:
Figura 17. Esquema de simulación de la ecuación diferencial propuesta
El esquema está simplificado sin llegar a especificarse los componentes que formarían cada
bloque funcional. Se necesitan dos integradores, un sumador y dos amplificadores. Al realizarse el
diseño real, es posible que se necesiten otros bloques como inversores, para obtener los signos
correctos de cada uno de los términos de la ecuación diferencial, etc. Es obvio indicar, que se debe
tender a optimizar el diseño, utilizando para ello el mínimo número posible de dispositivos (A. O's).
7.14
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
Esta configuración, como su nombre indica, trata de amplificar la diferencia de dos señales
de entrada independientemente del valor absoluto de cada una de ellas.
Diseño básico:
Análisis:
Figura 18. Amplificador Diferencial
Si se cumple: la salida únicamente dependerá de la diferencia
de las tensiones de entrada: Vs = f(ve2 - ve1). Por ello, a partir de ahora se tomará como diseño
básico del amplificador diferencial el dado en la Figura 18, cumpliendose la relación entre
resistencias de forma sencilla: R1 = R3 y R2 = R4
Este diseño, tiene desventajas notables:
- Si se desea un amplificador de ganancia variable, habría que variar R1 o R2 . En cualquier

caso no hay que olvidar que tanto la una como la otra, no son resistencias únicas sino que
existirán dos resistencias R2 y dos resistencias R1 . Esto llevaría a la utilización de
potenciómetros “apareados”, para variar la ganancia cambiando a la vez el valor de las
dos R2 o las dos R1, con los problemas que darán este tipo de montajes: cualquier
desajuste en el enclavamiento de los dos potenciómetros dará lugar a asimetrías en el
circuito y por tanto un alejamiento del funcionamiento ideal.
- El amplificador tiene un valor bajo de Impedancia de entrada diferencial:
7.15
Si se desea una impedancia de entrada elevada, habría que recurrir a resistencias R1 de

valor elevado, con la inestabilidad que ello trae consigo.
La solución para estos inconvenientes, lleva a diferentes diseños de los denominados

amplificadores de instrumentación. Un ejemplo es el circuito mostrado en la Figura 19:
Figura 19. Amplificador de Instrumentación
En este caso, la relación entre las entrada Ve1 y Ve2 y los puntos intermedios denominados
v1 y v2 son las siguientes:
Así, se obtiene el valor de la función de transferencia:
En este resultado se observan las ventajas obtenidas, frente al diseño básico:
1.- Ganancia variable a través de la variación de una única resistencia: Rx

2.- Impedancia de entrada diferencial muy elevada (idealmente infinito, la propia de los
A.O's)
De cualquier forma, para aplicaciones que necesiten un grado de precisión elevado, se

recurre a circuitos integrados específicos, que constituyen amplificadores diferenciales de
precisión o amplificadores de instrumentación.
7.16
CONVERTIDORES I 6 V y V 6 I
Convertidor Corriente - Tensión (I - V)
La tensión de salida es directamente proporcional a la corriente I, a través del valor de R:

Vs = I R
Figura 23. Convertidor I - V
Convertidor Tensión - Corriente (V - I)
Como indica su nombre, estos diseños obtienen como variable de salida una corriente que
deberá de ser proporcional a la excitación dada en tensión. Este cambio de variable eléctrica,
tiene su importancia sobre todo en diseños de control de variables físicas (temperatura, humedad,
etc). Estos diseños, se basan en la utilización de sensores que transforman la variable física a
controlar en una variable eléctrica proporcional (tensión o corriente). Dependiendo de la variable
eléctrica de salida del sensor y del circuito de control usado, puede ser necesario una adaptación,
mediante un conversor.
Diseños:
La corriente a través de la impedancia Z valdrá:
Figura 20. Convertidor V - I con carga flotante
Como se observa la corriente es proporcional a la tensión Ve, a través del parámetro R1

pero es independiente de la carga (Z) que se coloque. Como desventaja fundamental, la carga no
esta referida a masa (flotante). A continuación, se exponen algunos diseños que superan este
inconveniente:
7.17
- Convertidor con transistor.
Mientras se asegure que el transistor esta

trabajando en zona activa, la corriente por la carga Z será
Ic = $IB.
Figura 21. Convertidor V - I con transistor

y carga a masa
La corriente por la carga únicamente depende de las tensiones y de la resistencia. Se

tienen que cumplir dos condiciones de diseño:
1.- Transistor funcionando siempre en activa: IZ Z < Ve (suponiendo VCESAT =0)

2.- La corriente de base, estará limitada por el máximo admisible por el operacional a su
salida:
- Convertidor Howland.
Análisis
Figura 22. Convertidor Howland
Se ha obtenido un convertidor V - I con la carga referida a masa sin las limitaciones del
diseño con transistor, donde la proporcionalidad entre ambas variables es el valor de la resistencia
R1.
7.18
Un diseño combinación de los dos últimos expuesto constituye un amplificador de

corriente, conectando dos etapas: una primera esta constituida por un convertidor I - V y una
segunda sería un convertidor Howland con VA o VB anuladas. De esta forma, la corriente sobre
una carga será directamente proporcional a la resistencia R del convertidor I - V e inversamente
proporcional a la resistencia R1 del convertidor Howland. La relación de estas resistencias,
supondrá el valor efectivo de la amplificación de corriente.
Figura 24. Amplificador de corriente
7.19
CONVERTIDORES DE IMPEDANCIAS.
La aplicación de este tipo de diseños, consiste en la transformación de una impedancia

de carga física por otra impedancia que será la equivalente de un circuito conversor, en un punto
determinado; por ejemplo, a través de un convertidor (formado mediante un A.O, resistencias y
un condensador), se obtiene una impedancia de entrada equivalente en un punto del mismo, con
características de inductancia. Esta utilidad que en principio puede parecer poco interesante
(sustitución de un componente pasivo -bobina- por un circuito -convertidor- mucho más
complejo), es interesante, debido a la dificultad de integrar bobinas en circuitos integrados. Otro
ejemplo lo constituye el convertidor que presentan una impedancia equivalente real y negativa;
esto es una resistencia (diferencial) negativa, elemento importante de cara a la construcción de
determinados tipos de osciladores.
La clasificación más comúnmente aceptada de este tipo de circuitos, los diferencia en dos
grupos:
A) No Inversores.
B) Inversores.
Convertidores No Inversores.
Se caracterizan porque la impedancia del diseño, es directamente proporcional a la

impedancia de carga: Ze = K ZL. Dependiendo del valor de la constante de proporcionalidad K
(positiva o negativa), existe una subdivisión de los mismos:
1.- Convertidores Negativos de Impedancia (N.I.C.): K < 0

2.- Convertidores Positivos de Impedancia (P.I.C.): K>0
Análisis:
Figura 25. Ejemplo de N. I. C.
7.20
Convertidores Inversores (Inversores)
En este caso la impedancia equivalente vista desde un punto será inversamente

proporcional a la impedancia de carga conectada. Al igual que en el caso anterior existe una
subdivisión de los mismos:
1.- Inversores Negativos de Impedancia (N.I.I.): K<0

2.- Inversores Positivos de Impedancia (P.I.I. o Giradores): K>0
7.5.- APLICACIONES BÁSICAS NO LINEALES.
En este punto, para completar la visión sobre la metodología de análisis y trabajo con el
Amplificador Operacional ideal, se van a estudiar dos configuraciones basadas en la utilización
de este elemento. Pero a diferencia de las analizadas anteriormente, estas no tendrán
realimentación negativa, por lo que no será aplicable el principio de tierra virtual.
Indicar también que estos ejemplos sencillos, no introducen capacidades, de modo que
no evolucionan con el tiempo. Los sistemas con capacidades, serán objeto de estudio en temas
posteriores.
7.5.1.- Comparador básico.
Un comparador consiste en un diseño que es capaz de distinguir tensiones por encima

y por debajo de un umbral determinado; es decir: si Ve > VB la salida tendrá un nivel
determinado (alto o bajo) mientras que si Ve < VA la salida tendrá el nivel contrario. En el caso
de los comparadores básicos, estos se caracterizan por tener VA = VB = VX. Veamos a
continuación un diseño - tipo de los mismos, sobre el cual se entenderá mejor el concepto
expuesto:
Figura 26. Comparador inversor
Figura 27. Función de transferencia del A. O ideal
7.21
Los comparadores básicos se caracterizan por ser sistemas sin realimentación, por lo que
el funcionamiento, corresponderá al dado por la propia función de transferencia en lazo abierto
del amplificador operacional ( ideal en este caso y considerando Vi = V - - V + ). Así las cosas el
diseño de la Figura 26 tendrá una función de transferencia (Vs = f (Ve) ) igual a la representada
en la Figura 27 correspondiente al A. Operacional en lazo abierto, puesto que al ser V + = 0,
coincide el valor de Vi con el de Ve: Vi = V - - V + = Ve; así para Ve>0 6 Vi>0 6 Vs = -Vcc y
para Ve<0 6 Vi<0 6 Vs = +Vcc
La denominación de inversor, viene dada por su característica de inversión de la polaridad
de la señal de salida respecto de la de entrada: Ve > 0 6 Vs < 0 y viceversa.
Es evidente que se puede desplazar el punto de conmutación hacia la derecha o

izquierda, sin más que referenciar V + a una tensión distinta de cero.
De manera análoga se diseñan los comparadores no inversores, sin más que introducir la
señal de excitación por el terminal no inversor en vez de por el terminal no inversor.
En cualquier caso, este tipo de diseños se caracteriza por tener una única tensión umbral;
es decir el punto de conmutación del nivel de señal de salida (± Vcc) es el mismo, se varíe la
tensión de entrada en sentido creciente (Ve variando desde - 4 a + 4) o decreciente (Ve variando
desde + 4 a - 4).
En el ejemplo correspondiente a la Figura 28, se expone un comparador básico no

inversor, con tensión de referencia positiva:
- Valores límites de la función de transferencia
- Conmutación: V+ = V -
Figura 28. Comparador no inversor

Figura 29. Vs = f (Ve) con Vx > 0
7.22
7.5.2.- Comparador con histéresis.
En este caso, existirán dos tensiones umbrales (una para cada sentido de recorrido de
señal de entrada: creciente o decreciente, en la función de transferencia). Para conseguir este
objetivo es necesario que el diseño tenga realimentación positiva, existiendo la misma
diferenciación entre inversores y no inversores que en los comparadores básicos:
Figura 30. Comparador con histéresis
Estudio Teórico:
- Valores límites de Ve 6 Obtención del comportamiento fuera del ciclo de histéresis:
- Valores de tensiones de conmutación y sentido de giro del ciclo de histéresis:
Se observa que el valor de entrada que hace conmutar el sistema, depende del valor de
la salida. Como esta tiene dos valores válidos: ±Vcc, se obtienen dos puntos de conmutación:
uno para cada sentido de recorrido de la función de transferencia y simétrico, en este caso,
respecto del eje Y:
- Cuando Vs = +Vcc, conmuta para
- Cuando Vs = -Vcc, conmuta para
7.23
El denominado ancho de histéresis, consiste en la diferencia entre ambos valores de

conmutación:
Figura 31. Función de transferencia
Las posibles variaciones sobre el diseño dado en la Figura 30 se refieren, tanto al

desplazamiento de toda la curva sobre el eje X, como a la polaridad del comparador. En el primer
caso se tendría que cambiar el nivel de tensión de referencia (terminal inversor), mientras que
para lograr el segundo objetivo basta con cambiar el terminal del amplificador operacional al cual
irá conectada la fuente de excitación de entrada. Una combinación de ambos efectos, se expone
en las Figuras 32 y 33.
Figura 32. Comparador con histéresis inversor
Figura 33. Función de transferencia
Dónde:
7.24
Observando la función de transferencia básica (Figura 31), se deduce que para valores de
la señal de entrada dentro del ciclo de histéresis, la salida no esta definida: puede ser tanto +Vcc
como -Vcc. Para poder definir esta salida, hay que conocer “la evolución anterior del sistema”;
es decir hay que saber si se llega a ese valor de Ve por la derecha (se esta disminuyendo Ve) o por
la izquierda (Ve esta aumentando). Este es el sentido, por el cual se pueden referir estos diseños,
como sistemas con memoria.
7.25

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CAPÍTULO 1: Transistores Unipolares.

CAPÍTULO 2: Conceptos básicos de disipación térmica en

CAPÍTULO 3: Circuitos con diodos.

CAPÍTULO 4: Polarización de transistores y fuentes de

CAPÍTULO 5: Principios de modelado y amplificación.

CAPÍTULO 6: Amplificación con transistores.

CAPÍTULO 7: El Amplificador Operacional.

En estos dispositivos, es un campo eléctrico externo el que controla el flujo de portadores en

1.1.1. Clasificación y tipos

• Dispositivos de puerta de unión: En este caso la puerta está en contacto

JFET (Junction FET) FET de unión. Habitualmente llamado FET

interfaz puerta-canal → unión p-n en inversa

MESFET (Metal-Semiconductor FET)

canal → semiconductor compuesto

interfaz puerta-canal → unión Schottky

• Dispositivos de puerta aislada: IGFET (Insulate-Gate-FET)

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor) Conocido también con

Los hay de dos tipos:

MOS de acumulación, (enriquecimiento)

MOS de deplexión, (vaciamiento)

Todos ellos disponibles de canal n y de canal p

1.1.2. Diferencias con los transistores bipolares, (BJT)

• Sólo los portadores mayoritarios, contribuyen al transporte de carga.

• La fabricación es más sencilla, tienen mayor capacidad de integración y ocupan

• Tienen impedancias de entrada, (Ze), muy elevadas ~ 104 Ω, 1014 Ω.

• Pueden utilizarse como resistencias de carga, lo que permite implementar un

• Produce menos ruido electrónico que el transistor bipolar.

• En amplificación, producto Ganancia × Ancho de Banda (GBW) más

1.2. Transistores JFET

1.2.1. Estructura y Símbolos

a) Estructura JFET de canal n. b) Estructura JFET de canal p.

El transistor JFET está construido con:

a) Símbolo JFET de canal n. b) Símbolo JFET de canal p.

1.2.2. Principio de funcionamiento

Se realizará el estudio sobre un transistor JFET de canal n,

Para realizar el estudio se supondrán condiciones normales

Se dan las condiciones de polarización estándar en el

• Primer estudio: VD = VS = 0 V (VDS = 0 V)

Con estas condiciones de polarización el dispositivo está

Con VGS ≤ 0 V las uniones GS y GD estarán en inversa, se

Existe un valor VGS = VP para el que el canal se habrá

VP<0 V para un JFET de canal n.

Figura 5. Canal estrangulado.

• Segundo estudio: VG = VS = 0 V (VGS = 0 V)

Se comienza con el terminal de drenador también a

Figura 6. Dispositivo en equilibrio.

A continuación se introduce una pequeña tensión VD,

Figura 7. Tensión pequeña sobre el drenador.

Comienza el tránsito de electrones de la

Figura 8 Detalle del canal de conducción

Se ensanchan las zonas de vaciamiento y se reduce el tamaño

El canal actúa como una resistencia RDS al paso la corriente ID,

Recordando la expresión de la ley de Ohm:

V D S = I D ⋅ R DS Figura 9. Característica ID_VD

Aumentando más, valor de la tensión VD

las zonas de vaciamiento crecen de forma no

Al estrecharse el canal el paso de corriente ID, se hace mas

La pendiente de la recta de la ID disminuye, Figura 11.

Si se sigue aumentando la VD el dispostivo entra en una nueva

Las zonas de carga especial crecen tanto que llegan

Esto ocurre para una tensión VDS = VDSsqt

La pendiente de la curva de ID se hace cero, lo que