Instituto Politécnico Nacional

Unidad Profesional Interdisciplinaria

en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas

Fundamentos de electrónica
TRANSISTOR MOSFET
Profesora: Janet Argüello García
 Construcción y características del MOSFET
MOSFET – Metal-Oxide Semiconductor
Transistor de Efecto de Campo de Semiconductor Metal-Oxido

Transistores MOSFET

MOSFET D MOSFET E
(vaciamiento) (acrecentamiento)
(empobrecimiento) (enriquecimiento)

En el MOSFET, la terminal de compuerta esta aislada del canal por

medio de una capa de bióxido de silicio (SiO2).
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 Construcción y características del MOSFET
En el MOSFET D se construye un canal y la corriente entre el drenaje y
la fuente será resultado de una tensión conectada entre las terminales de
drenaje y fuente.

Fig. 1. Construcción interna de un MOSFET D.

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 Construcción y características del MOSFET
El MOSFET E, NO tiene canal formado cuando se construye el
dispositivo. La tensión debe aplicarse en la compuerta para generar un
canal de portadores de carga, de modo que se produzca una corriente
cuando se aplique una tensión entre las terminales de drenaje y fuente.

Fig. 2. Construcción interna de un MOSFET E.

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 MOSFET de empobrecimiento
El MOSFET D puede operar en cualquiera de estos dos modos: modo de
empobrecimiento y modo de enriquecimiento.

Es posible operarlo en el modo de empobrecimiento cuando se aplica

una tensión VGS negativa.
Para operarlo en el modo de enriquecimiento es necesario aplicar una
tensión VGS positiva.
En la mayoría de las ocasiones, estos dispositivos se operan en el
modo de empobrecimiento.

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 MOSFET de empobrecimiento
Modo de empobrecimiento:
La terminal positiva de la fuente VGG
atrae los electrones del canal,
dejando en su lugar un gran número
de iones positivos con lo que decrece
la conductividad del mismo.
Mientras menor sea la tensión de
VGG, mayor será el empobrecimiento
de electrones en el canal. Cuando el
valor de VGS es lo suficientemente
negativo (VGS(APAG)), el canal queda
totalmente despejado de electrones y
la corriente ID=0A. Fig. 3. MOSFET D en modo de empobrecimiento.

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 MOSFET de empobrecimiento
Modo de enriquecimiento:

Con una tensión VGG positiva, la

terminal negativa de la fuente repele
electrones hacia el canal del
dispositivo, incrementando así, el
número de electrones presentes en
el canal y aumentando
(enriqueciendo) de esa forma la
conductividad del mismo.

Fig. 4. MOSFET D en modo de enriquecimiento.

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 MOSFET de empobrecimiento
Características:

Fig. 5. Características de operación del MOSFET D de canal N.

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 MOSFET de empobrecimiento
Características:

Fig. 6. Características de operación del MOSFET D de canal P.

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 MOSFET de empobrecimiento
Representación matemática y representación esquemática:
2
 VGS 
I D  I DSS 1  
 VGS ( apag ) 

Fig. 7. Representación matemática, grafica y aspecto físico del MOSFET D (ambos sustratos).
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 MOSFET de enriquecimiento
Modo de enriquecimiento:
El MOSFET E opera sólo en modo de
enriquecimiento. La aplicación de una
tensión positiva entre las terminales de
compuerta y fuente repelerá los huecos en
la región del sustrato bajo la compuerta.
Cuando VGS es suficientemente positivo,
los electrones son atraídos hacia esta
región, haciendo que actúe como un canal
n entre drenaje y fuente. No hay corriente
hasta que VGS>VT. Cualquier tensión
positiva por encima de este valor de
umbral produce un incremento de
corriente.
Fig. 8. MOSFET E en modo de enriquecimiento.

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 MOSFET de enriquecimiento
Características:

Fig. 9. Características de operación del MOSFET E de canal N.

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 MOSFET de enriquecimiento
Características:

Fig. 10. Características de operación del MOSFET E de canal P.

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 MOSFET de enriquecimiento
Representación matemática y representación esquemática:

I D  K VGS  VT 
2

Fig. 11. Representación matemática, grafica y aspecto físico del MOSFET E (ambos sustratos).

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 MOSFET de enriquecimiento
La constante “k” tiene un valor que depende del MOSFET en cuestión, es
posible determinar su valor a partir de la hoja de especificaciones
considerando el valor denominado como ID(ON), para un valor específico
de VGS y sustituyendo esos valores en la ecuación. Ejemplo: ID(ON)=3mA
a VGS=10V
( )
k

”k” indica una propiedad correspondiente a la construcción interna del

dispositivo. Por lo regular, su valor es de:

0.3 mA
V2
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