Informe de laboratorio Nº1 modulo Nº3 “Funcionamiento por un principio de

efecto de campo”
Resumen
- Canal N (izquierda) Canal P
Este informe presenta la experimentación
(derecha)
virtual de un transistor unipolar de tipo
- Puerta (G)
FET. Veremos el funcionamiento tanto
- Drenador(D)
como la aplicación en los circuitos dejados
- Fuentes(S)
en la hoja de laboratorio. También se verá
las múltiples cantidades del transistor del Tipo de transistores de efecto campo
tipo FET, pero no se tomarán todo solo
El canal de un FET es dopado para producir
tomaremos algunos como el transistor
tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P.
MOSFET para tener las lecturas pedidas
El drenador y la fuente deben estar dopados
en la guía del laboratorio esto se tomará en
de manera contraria al canal en el caso del
cuenta tanto como las entradas salidas del
MOSFET de enriquecimiento, o dopados de
transistor, así como su polarización.
manera similar al canal en el caso del
Trabajo desarrollado en el software MOSFET de agotamiento. Los transistores
proteus 8.10 profesional de efecto de campo también son
distinguidos por el método de aislamiento
Marco teórico
entre el canal y la puerta.
EL TRANSISTOR UNIPOLAR – FET
Podemos clasificar los transistores de efecto
También conocido como Transistor de campo según el método de aislamiento
efecto campo entre el canal y la puerta:

El transistor de efecto campo (FET, del

inglés field-effect transistor) es un
transistor que usa el campo eléctrico para
controlar la forma y, por lo tanto, la
conductividad de un canal que transporta
un solo tipo de portador de carga, por lo
que también suele ser conocido como
transistor unipolar. Es un semiconductor
que posee tres terminales, denominados
puerta (representado con la G), drenador
(D) y fuente (S). La puerta es el terminal
equivalente a la base del transistor de
unión bipolar (BJT), de cuyo
funcionamiento se diferencia, ya que, en el
FET, el voltaje aplicado entre la puerta y
la fuente controla la corriente que circula
en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de
Comparativa de las gráficas de
canal N y los de canal P, dependiendo del
funcionamiento (curva de entrada o
tipo de material del cual se compone el
característica I-V y curva de salida) de los
canal del dispositivo.
diferentes tipos de transistores de efecto de
Símbolo electrónico del transistor unipolar campo.
Tipos de transistores unipolares FET
- El MOSFET (FET metal-óxido-
semiconductor) usa un aislante
(normalmente SiO2).
 - El JFET (FET de unión) usa una en cuenta esta variación de VGS con la
unión PN. temperatura para evitar la variación del
- El MESFET (FET metálico punto Q.
semiconductor) sustituye la unión
PN del JFET con una barrera
 El transistor MOSFET de
deplexión (DE-MOSFET)
Schottky.
- En el HEMT (transistor de alta En el funcionamiento del JFET hemos visto
movilidad de electrones), también que según la tensión V GS, controlamos la
denominado HFET (FET de anchura de la zona de agotamiento. De
estructura heterogénea), la banda
hecho, si hacemos V GS positiva y por tanto
de material dopada con huecos
polarizamos directamente la unión puerta-
forma el aislante entre la puerta y
canal, todavía reducimos más la zona de
el cuerpo del transistor.
agotamiento y por tanto aumentamos su
- Los MODFET (FET de
modulación dopada) conductividad e I D . El problema es que la
- Los IGBT (transistor bipolar de corriente de puerta se hace muy elevada e
puerta aislada) es un dispositivo I D aumenta por encima de I DSS . Por tanto,
para control de potencia. Son la polarización directa de la unión p-n de
comúnmente usados cuando el silicio está restringida a un valor máximo
rango de voltaje drenador-fuente de 0,5 V. Un valor límite más conservador
está entre los 200 a 3000V. Aun es 0,2 V.
así, los Power MOSFET todavía
son los dispositivos más utilizados
en el rango de tensiones drenador-
fuente de 1 a 200 de voltaje(V).
- Los FREDFET es un FET
especializado diseñado para
otorgar una recuperación ultra
rápida del transistor.
- Los DNAFET es un tipo
especializado de FET que actúa
como biosensor, usando una puerta Características de transferencia y de salida
fabricada de moléculas de ADN de de un JFET de canal N. Para V GS > 0
una cadena para detectar cadenas trabaja en modo de enriquecimiento.
de ADN iguales.
Para poder hacer funcionar el FET en modo
Los TFT, que hacen uso de silicio amorfo de enriquecimiento debemos evitar que se
o de silicio policristalino. polarice directamente la unión puerta-canal.
Una forma de hacerlo es aislando la puerta
y controlando la zona de agotamiento
TRANSISTOR MOSFET mediante un campo eléctrico. Los símbolos
El comportamiento del MOSFET, y esquemas de este tipo de MOSFET se
dispositivo que veremos a continuación, muestran en la siguiente figura.
también se ve afectado por la variación de a)
la temperatura. Existe una temperatura a la
que I D (V GS) es independiente de la
temperatura como en el caso del JFET. Esto
también afecta a la tensión de puerta umbral
que varía entre −2,5 mV/ºC y −6 mV/ºC. Si
trabajamos en la zona activa debemos tener
MOSFET de deplexión o DE-MOSFET (a)
de canal N, (d) símbolo de canal P
b) Aplicación
En la mayor parte de aplicaciones, el
substrato es simplemente unido al surtidor.
Sin embargo, puede ser utilizado como otro
terminal de entrada de puerta, o en el caso
de canal N llevado a una tensión de
alimentación negativa.
Funcionamiento
Su funcionamiento es similar al del JFET,
pero como ya hemos dicho la puerta está
(b) símbolo de canal N, aislada del canal por una fina capa de óxido
c) de silicio (SiO2), no existiendo unión p-n
entre la puerta y el canal. Supongamos el
caso en que V GS sea negativa. Dado que la
estructura básica es muy similar a una
capacidad de placas plano paralelas, la
polarización negativa de puerta repele las
cargas negativas de los electrones en el
canal de tipo n-. Como consecuencia, se
forma una región espacial de carga o zona
de agotamiento que estrecha el canal,
reduciendo su conductividad y
disminuyendo ID. Si VGS alcanza un valor
negativo denominado V GS (TH ) (o V T ) el
canal se estrangula con lo cual ya no hay
circulación de corriente.
(c) de canal P,
d)
 Características de transferencia y de salida
de un MOSFET de deplexión o DE-
MOSFET de canal N

El transistor MOSFET de inducción o

enriquecimiento (E-MOSFET)
El MOSFET de inducción es en la
actualidad el más utilizado y en el que se
basan todos los circuitos integrados de
Funcionamiento del MOSFET de deplexión tecnología CMOS. En este tipo de
o DE-MOSFET (a) en modo de transistor el canal no existe realmente y es
empobrecimiento, (b) en modo de inducido. Para distinguirlo del DE-
enriquecimiento. MOSFET el símbolo del transistor utiliza
Los distintos modos de funcionamiento del una línea discontinua para dibujar el
DE-MOSFET se muestran en la siguiente canal. Su principio de funcionamiento es
tabla. igual al del DE-MOSFET salvo que no
funciona en modo de empobrecimiento.
DE- Modo de Sólo las tensiones positivas aplicadas a la
V DS V GS
MOSFET funcionamiento puerta VGS se traducen en control de la
Acumulación o corriente por el drenador I D , para el caso
+
enriquecimiento del E-MOSFET de canal N. La región en
Canal N +
Vaciamiento o
- que se induce el canal es la comprendida
empobrecimiento
entre las dos regiones de tipo n+.
Acumulación o
-
enriquecimiento
Canal P -
Vaciamiento o
+
empobrecimiento

Ecuación de transferencia del DE-MOSFET

La ecuación que describe el
comportamiento del DE-MOSFET es la
misma que la obtenida para el JFET:
2 MOSFET de enriquecimiento o E-
V
I D =I D SS
( 1− GS
V GS (th ) ) MOSFET (a) de canal N,

Donde V GS (th ) es la tensión negativa a la

cual ocurre el estrangulamiento del canal y,
por tanto, la tensión de puerta a partir de la
cual el MOSFET empieza a conducir.

(b) símbolo de canal N,


(c) del de canal P,
(d) símbolo del de canal P.
Si aplicamos a un E-MOSFET de canal N
una tensión V GS=0 a la puerta entonces
podemos suponer que el canal equivale a
dos diodos puestos en antiserie y en serie
con una resistencia equivalente, por lo que
apenas circularán por el canal las corrientes
de fugas de los diodos.
Funcionamiento del MOSFET de
enriquecimiento o E-MOSFET con
V GS=0V
Ahora si la tensión V GS se hace positiva se
forma un campo eléctrico en la región de
puerta. Esta tensión positiva sirve para
atraer portadores minoritarios (electrones)
que de entrada deberían proceder del
substrato de tipo p-, pero como dicho
substrato es deficitario en electrones, éstos
van a proceder de las zonas n+ de
drenador y surtidor. Cuando la tensión de
puerta alcanza un valor positivo
suficientemente grande, existen suficientes
portadores minoritarios en el substrato
como para formar un canal de tipo N entre
las regiones de surtidor y drenador.
Cuando esto ocurre, se ha inducido un
canal, formando lo que se conoce como
"capa de inversión".
El valor de V GS requerido para formar esta
"capa de inversión" es la llamada tensión
umbral V GS (th ) (o V T ). Conforme V GS
aumenta por encima de V GS (th ), I D continúa
incrementándose. En esta situación, el
canal actúa como una resistencia y la
corriente de drenador I D es proporcional a
la tensión de drenador aplicada. Sin
embargo, a medida que la tensión de
drenador va aumentando, la región del
canal más próximo al drenador pierde
progresivamente su carácter negativo
eléctrico, y en consecuencia disminuye la
anchura del canal en esta zona próxima al
drenador con respecto a la que está al lado
de la fuente. Se pierde la relación lineal
constante entre I D y V D. Si se sigue
aumentando la tensión de drenador, se
llega a un valor de ésta V D sat , en el cual la
anchura del canal en la zona próxima al
drenador se ha anulado, no hay canal, es el
llamado punto de estrangulamiento del
canal (punto P).
Más allá de este valor de tensión ( V D >
V Dsat), la corriente que fluye por el canal
permanece prácticamente invariable debido
a que la tensión en el punto P permanece
prácticamente en el valor V Dsat. El número
de portadores que llega al punto P
procedentes de la fuente permanece
invariable. El cambio más significativo es
la disminución de la longitud del canal a un
valor L’ inferior a L (L’ < L).

Funcionamiento del MOSFET de
enriquecimiento o E-MOSFET. (a) Para
baja tensión de drenador.
(b) Inicio de la saturación.
(c) Más allá de la saturación.
La región de la característica I D -V D del
transistor MOSFET en la cual la corriente
es proporcional a la tensión se denomina
región lineal, a partir del valor de tensión
en el drenador V Dsat, la región en la
característica se denomina región de
saturación o también llamada zona activa.
En el estado activo el MOSFET se
comporta como una fuente de corriente ( I D
) controlada por tensión (V GS), mientras
que en la zona óhmica o región lineal se
comporta como una resistencia.
La tensión V Dsat a la cual se estrangula el
canal varía con V GS siguiendo la siguiente
relación:
V Dsat = V GS − V GS (th)
En la siguiente tabla se presentan las
tensiones de polarización para los E-
MOSFET tanto de canal N como de canal
P.
Ecuación de transferencia del E-MOSFET
La siguiente ecuación describe la frontera
entre la zona lineal (óhmica) y la zona
activa (de saturación):
K K 2
 VGS  VGS (th )   .VDsat
2
ID 
2 2
Donde
W
K  n C0 x
L
donde W: anchura del canal;
n :
C
movilidad de los electrones; 0 x :
capacidad por unidad de área del óxido
que hay debajo de la puerta, L: longitud
del canal.
En dicha frontera estamos en el punto de
estrangulamiento del canal en que se
cumple que V Dsat = V GS − V GS (th), de ahí
que el lugar geométrico de los puntos ( I Dsat ,
V Dsat venga descrito por la parábola de
trazado discontinuo
Dado que ID es prácticamente constante e
igual a I Dsat en la región activa, dicha
ecuación también podrá ser empleada en
dicha zona.

Características de transferencia (a) y de
salida
(b) de un MOSFET de enriquecimiento o
EMOSFET de canal N.
Tensión de ruptura en el JFET y en el
MOSFET
La tensión de ruptura en el JFET viene
dada por la tensión inversa máxima que
soporta la unión puerta-canal. A parte de
ella no existe otra limitación ya que el
canal es conductor. A medida que la
tensión de drenador aumenta, el diodo
formado entre la puerta y el canal entra en
su región de avalancha y, en consecuencia,
la corriente de drenador aumenta muy
rápidamente perdiéndose el control del
dispositivo. La ruptura se origina en la
zona más próxima al drenador ya que es
allí donde la tensión inversa aplicada es
mayor. Los fabricantes proporcionan
normalmente los valores de la máxima
tensión de drenador a puerta V DGy la
máxima tensión de puerta a surtidor V GS.
Para un JFET de canal N la tensión V GS
tiene valores negativos por lo que
podremos escribir:
VDS  VDG  VGS
Tanto V DG como V GS sirven para polarizar
inversamente la unión p-n entre la puerta y
el canal. Sin embargo, V DG es la mayor de
las dos y será la que determine la ruptura
por avalancha de la unión puerta - canal (en
la zona del canal más próximo al drenador
la tensión inversa aplicada es mayor que en
la cercana al surtidor).
Control de la tensión de alimentación para
evitar la ruptura del JFET.
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR
MOSFET
Ya que los mosfet de tipo empobrecimiento
pueden operar en el modo de empobrecer,
pueden usarcé todos los métodos de
polarización estudiados para los JFET.
Estos incluyen polarización de graduador,
auto polarización, polariza por divisor de
voltaje y polarización por corriente de
surtidor. Además de estos métodos de
polarización los MOSFE>T de tipo
empobrecimiento admiten otra opinión. Ya
un MOSFET del tipo de empobrecimiento
puede operar, ya se a en el modo de
empobrecimiento o en el de
enriquecimiento, pueden fijarse el punto q
en VGS= 0, como se muestra en una de las
figuras. Por lo tanto, una señal de Ca de
entrada aplicada al graduador produce
variaciones arriba y abajo del punto Q. el
hecho de que VGS pueda ser cero es una
ventaja cuando se trata de polarizar. Ello
permite usar el circuito de polarización. A
este circuito tan simple no se le aplica
voltaje ni al graduador, ni al surtidor, por
lo tanto VGS= 0 e ID = IDSS. El voltaje de
cc en el drenador es

VDS  VDD  IDSS .RD

La polarización en cero es una

característica peculiar de los MOSFET; no
es aplicable en transistores bipolares o en
JFETs.

Referencias
«Patent US 1745175: Method and apparatus for
controlling electric currents» 19 de febrero de
2016
https://www.computerhistory.org/siliconen
gine/metal-oxide-semiconductor-mos-
transistor-demonstrated/
https://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Tema
s/A_T3.pdf