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Semiconductores
Semiconductores
Asignatura:
Estructura Y Propiedad De Los Materiales
Profesor:
Leobardo Gachuz Rangel
Alumno:
Garcia Muñoz Miguel Angel
Grupo y Cuatrimestre:
MI-43
Período:
Septiembre - Diciembre
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INDICE
Introducción____________________________________________________
Marco Teorico
Semiconductor P y semiconductor N
Curvas de operación
c) Tiristores
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▪ Introducción
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▪ Marco Teórico
▪ Transistores
▪ Circuitos integrados
▪ Diodos eléctricos
▪ Sensores ópticos
▪ Láseres de estado sólido
▪ Moduladores de transmisión eléctrica (como un amplificador de guitarra
eléctrica)
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▪ Semiconductores extrínsecos
(Figura 1)
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La configuración electrónica del Si es [Ne], 3s2 3p2,de modo que tiene cuatro
electrones de valencia. Para fijar ideas, veamos que sucede si remplazamos
algunos de los átomos de Si por átomos de fósforo (P) que tienen cinco electrones
de valencia y cuya configuración electrónica es [Ne] :3s2,3p3.
Por cada átomo de P que se agrega aparece un estado electrónico nuevo y adicional
en la banda prohibida. Este nivel se ubica justo por debajo de la banda de
conducción del Si. Cada átomo de P utiliza cuatro de sus cinco electrones de
valencia para formar enlaces con cuatro átomos de Si vecinos, quedando un
electrón extra que necesita liberar para alcanzar su configuración más estable de
ocho electrones. La energía térmica es suficiente para que el electrón extra sea
transferido a la banda de conducción dejando atrás un ión positivo +P inmóvil.
Los átomos de P se llaman átomos dadores, y la conductividad eléctrica en este
tipo de semiconductores implica fundamentalmente movimiento de electrones
procedentes de los átomos dadores a través de la banda de conducción. Este tipo
de semiconductores se denomina de tipo-n, donde n se refiera a negativo, el tipo de
carga eléctrica que transportan los electrones.
▪ Semiconductor intrínseco
El semiconductor intrínseco es aquel que está formado por un solo tipo de átomo.
Los más frecuentes y empleados son el germanio (Ge) y el silicio (Se). De ambos,
el silicio es el que encontraremos en la mayoría de los dispositivos electrónicos, por
ser el que más abunda en la naturaleza y el que mejor se comporta a grandes
temperaturas.
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Esto forma una red muy fuerte entre átomos y sus electrones, que en circunstancias
normales no se desplazan y son aislantes.Cuando se aumenta la temperatura
mediante la aplicación de una carga eléctrica, los electrones ganan energía y
empiezan a moverse. Se separan del enlace y se convierten en conductores
eléctricos. Por lo tanto, su resistencia disminuye con la temperatura. (véase la
Figura 2).
(Figura 2)
▪ Semiconductor tipo P
En el semiconductor tipo P, se emplean como dopantes elementos trivalentes, que
se son aquellos que cuentan con 3 electrones de valencia. Los semiconductores
tipo P más habituales son el boro (B), el indio (I) y el galio (Ga). Al solo aportar tres
electrones, no se pueden formar los cuatro enlaces covalentes que veíamos en el
semiconductor intrínseco. La red que conforman estos átomos presenta una serie
de huecos que permiten más fácilmente el movimiento de los electrones y, por ende,
la conducción eléctrica. (véase la Figura 3).
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(Figura 3)
▪ Semiconductor tipo N
En este semiconductor se utilizan elementos pentavalentes como dopantes, con
cinco electrones de valencia. El fósforo (P), el arsénico (As) y el Antimonio son los
más frecuentes. Al aportar un exceso de electrones, algunos se quedan libres y se
empiezan a mover fácilmente por la red, con lo que aumentan la conductividad.
Los semiconductores tienen un papel crucial en un mundo cada día más tecnificado.
La industria necesita una fuente barata y abundante de este tipo de materiales.
(véase la Figura 4).
(Figura 4)
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▪ Unión PN Polarizada en directo e Inverso
(Figura 5)
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2. Estado Estacionario: Bajo el estado de equilibrio o estacionario hay agentes
externos como luz o voltaje aplicado, pero las condiciones no cambian con el
tiempo. Los dispositivos normalmente operan en el estado estacionario y están en
polarización directa o inversa.
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Puesto que la región de agotamiento únicamente se reduce mínimamente en
anchura, el número de portadores minoritarios barridos a través de la unión
prácticamente no varía. (véase la Figura 6)
Polarización inversa
En polarización inversa, un voltaje se aplica a través del dispositivo de tal manera
que el campo eléctrico en la unión aumenta. Cuanto más alto es el campo eléctrico
en la región de agotamiento, la probabilidad de que los portadores puedan difundirse
desde un lado de la unión a la otra, disminuye, de ahí la corriente de difusión
disminuye también. En polarización directa, la corriente de arrastre está limitada por
el número de portadores minoritarios a cada lado de la unión p-n y es relativamente
invariante al aumento del campo eléctrico. Un pequeño aumento en la corriente de
arrastre es experimentado debido al pequeño aumento en la anchura de la región
de agotamiento, pero esto es esencialmente un efecto de segundo orden en las
células solares de silicio. En muchas células solares de película delgada, donde la
región de agotamiento es alrededor de la mitad del grosor de la célula solar, el
cambio en el agotamiento del ancho de la región con el voltaje tiene un gran impacto
en el funcionamiento de la célula. (véase la Figura 6).
(Figura 6)
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▪ Identifica los tipos básicos de uniones PNP, NPN y PNPN
(Figura 7)
(Figura 8)
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El término 'NPN' significa negativo, positivo, negativo y también conocido como
hundimiento. El transistor NPN es un BJT , en este transistor, la letra inicial 'N'
especifica una capa cargada negativamente del material. Donde, 'P' especifica una
capa completamente cargada. Los dos transistores tienen una capa positiva, que
se encuentra en el medio de dos capas negativas. Generalmente, el transistor NPN
se utiliza en varios circuitos eléctricos para conmutar y fortalecer las señales que
exceden a través de ellos. (véase la Figura 9 y 10).
(Figura 9)
(Figura 10)
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▪ Curvas de operación
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
➢ Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
➢ Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
➢ Colector, de extensión mucho mayor.(véase la Figura 11)
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(Figura 11)
(Figura 12)
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c) Tiristores
Para los SCR el dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son
de tipo P-N-P-N entre los mismos. Por tanto, se puede modelar como 2 transistores
típicos P-N-P y N-P-N, por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión
realimentada. Se crean así 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el
terminal de puerta está a la unión J2 (unión NP).
(Figura 13)
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▪ Conclusión
Un material semiconductor, es aquel que se puede comportar como conductor o
como aislante. Esto quiere decir, que su conductividad puede ser modificada en
función de distintos factores como temperatura, presión, campo magnético, etc. De
allí, derivamos a los semiconductores intrínsecos. Esto ocurre, cuando el material
es capaz de transmitir electricidad sin impurezas ni átomos de otro tipo en su
estructura, es decir, en estado puro. Estos, al combinarlos correctamente, pueden
actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento.
Una vez conocida la importancia de estos materiales, se podría decir que con el
descubrimiento de un nuevo semiconductor se abriría la posibilidad de crear
componentes más compactos, veloces y eficientes energéticamente.
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▪ Bibliografía
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