Cuestionario N°1

Semiconductores

1- ¿Qué es Resistividad?
(también conocida como resistividad, resistencia eléctrica específica o resistividad de
volumen) cuantifica la fuerza con la que se opone un material dado al flujo de corriente
eléctrica. Una resistividad baja indica un material que permite fácilmente el movimiento de
carga eléctrica.

2- - Qué es la conductividad?
propiedad física que disponen aquellos objetos capaces de transmitir la electricidad o el calor.

3- ¿Que determina la conductividad?

La corriente eléctrica se produce por el movimiento de cargas eléctricas en un material,
dichas cargas eléctricas son partículas cargadas positiva o negativamente. La conductividad
dependerá del número de partículas cargadas presentes y de su movilidad. La mayoría de los
metales son buenos conductores. Los cables que se utilizan en las instalaciones eléctricas
están hechos de cobre, que es un buen conductor de la corriente eléctrica, el recubrimiento de
dicho cable es un aislante eléctrico.

4- ¿Dentro de la estructura atómica, que son los niveles de energía?

el átomo tiene diferentes capas o niveles energéticos, que están ordenados por los electrones
máximos que pueda tener cada una.

5- Principio de Exclusión de Pauli

Esto significa que dos electrones (fermiones) que se encuentren en un átomo no podrán
poseer a la vez iguales números cuánticos. Este hecho explicaría que los electrones se
dispersen en capas o niveles en torno al núcleo del átomo y por lo cual, los átomos que
posean mayor número de electrones ocupen mayor espacio, debido a que aumenta el número
de capas de las que consta el átomo. El número máximo de electrones que puede tener una
capa o nivel es de 2n^2. Para poder describir de forma completa al electrón dentro del átomo
de hidrógeno, necesitamos introducir obligatoriamente un cuarto número cuántico a los ya
conocidos. Dicho cuarto número cuántico se representa por las letras ms, y es conocido como
el número cuántico de spin, el cual se encuentra relacionado estrechamente con las
propiedades magnéticas que presentan los electrones.

6- ¿Que son las bandas de energía?

se divide en banda de valencia (son los electrones que forman los enlaces entre los átomos,
pero no intervienen en la conducción eléctrica. se encuentran en la última capa.) y de
conducción (estos electrones son los responsables de conducir la corriente eléctrica. se
compone por los electrones libres).
7- Electrón-voltio
Es una unidad de energía que representa la energía cinética que adquiere un electrón cuando
es acelerado por una diferencia de potencial de 1 voltio. Equivale a 1,602176462 × 10-19 J,
obteniéndose este valor de multiplicar la carga del electrón por la unidad de potencial
eléctrico. Es una de las unidades aceptadas para su uso en el SI pero que no pertenece
estrictamente a él.

8- - Qué es?
 material conductor: contiene electrones que se pueden mover libremente
 material semiconductor: es un material que puede ser aislante o conductor
dependiendo de: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le
incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
 material aislante: los electrones no se pueden mover fácilmente

9- Formación de las bandas de energía

a) Conductores: De acuerdo con la teoría de bandas, son aquellos materiales cuyas bandas
de valencia y de conducción, se encuentran muy próximas entre sí, al grado de que, en
algunos casos, estas bandas se encuentran sobrepuestas. Los electrones de valencia en un
átomo son los que se encuentran en el nivel energético más externo y ellos permiten los
enlaces entre los átomos en los compuestos o entre átomos del mismo tipo en una molécula o
un cristal.
b) Aislantes: son materiales con una resistencia tan alta, que no es posible la conducción
eléctrica a través de ellos. Un caso extremo, de este tipo de materiales, es el diamante. En el
diamante, debido a su particular estructura cristalina, existe una barrera de energía de 6 eV
entre la banda de energía más baja 2p (llena con 2N electrones) y los restantes estados
disponibles 2p (4N estados posibles), por lo cual no se puede promover electrones de la
banda de valencia hacia la banda de conducción.
c) Semiconductores: Los semiconductores se encuentran situados, por lo que hace a su
resistencia, entre los conductores y los aislantes, ya que a temperaturas muy bajas
difícilmente conducen la corriente eléctrica y más bien se comportan como aislantes, pero, al
elevar su temperatura o al ser sometidos a un campo eléctrico externo, su comportamiento
cambia al de los conductores.

10- Explique que es un enlace covalente

son las fuerzas que mantienen unidos entre sí los átomos no metálicos. Consiste en dos
electrones que orbitan alrededor del par.

11- Material Intrínseco

Es un semiconductor puro, cuando se le aplica una tensión externa los electrones libres
fluyen hacia el terminal positivo de la batería y los huecos hacia el terminal negativo de la
batería.
 Material extrínseco: es aquel que se puede dopar parta tener un exceso de electrones libres o
un exceso de huecos. aquí encontraremos dos tipos de unión en el que es la unión tipo p y la
unión tipo n.

12- Explique el proceso de dopado

Se denomina dopaje a las impurezas agregar a un semiconductor puro para alterar sus propiedades
eléctricas.
13- Elementos semiconductores más utilizados
Estos materiales se utilizan en electrónica sólida debido a su característica principal,
permitiendo el paso de corriente de acuerdo con nuestras necesidades mediante transistores, leds
o rectificadores de corriente.
Estos dispositivos están compuestos por elementos de la tabla periódica ubicados en el grupo IV debido
a su comportamiento eléctrico.
El material más utilizado es el silicio, pero también se utiliza el germanio. Las ventajas de estos
materiales son:
• Mayor flexibilidad y mejores posibilidades de control.
• Posibilidad de obtener mejor estabilidad y rapidez de respuesta.
• El no tener partes mecánicas móviles redunda en un menor mantenimiento y ausencia de
vibraciones.
• Mayor fiabilidad de los equipos y una vida más larga.
• Al no producirse arco eléctrico permite el trabajo en ambientes explosivos.
14- ¿Qué es un material tipo P y tipo N?
Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductores contaminados con impurezas aceptoras.
Las impurezas aceptoras son aquellas que agregan un hueco en el material. Los semiconductores tipo N
son aquellos a los que se le agregan impurezas donoras (que donan un electrón). Estas impurezas suelen
tener 5 electrones.
15- ¿Qué es un par electron-hueco?
R/ es la existencia de un hueco por cada electron en la orbita de valencia.
16- ¿cuáles son los portadores?
Portadores Mayoritarios Portadores Minoritarios
Semiconductor tipo N Electrones Huecos
Semiconductor tipo P Huecos Electrones

17- ¿Qué es la juntura PN?

R/ Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente
denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Está formada por la unión
metalúrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque también se fabrican de germanio (Ge),
de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico.
18- ¿Cómo se produce la región de vaciamiento?
R/ Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse
estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes
denominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento, etc. A
medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va incrementando su anchura
profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones
positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre
los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la
corriente de electrones y terminará deteniéndolos. Este campo eléctrico es equivalente a decir que
aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en
el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
19- Explique el comportamiento de la juntura PN en la polarización directa
Polarización Directa
Polarizar directamente es aplicar una tensión como se muestra en la figura siguiente.

L a Juntura PN con polarización directa

Puede observarse que la polarización directa provocó una disminución del ancho de la
barrera de potencial de la zona de agotamiento. El lado p tiene una diferencia de potencial
positiva respecto al lado n. Los electrones y huecos tienen ahora mayor facilidad para cruzar
la barrera. La corriente de difusión aumenta y la de deriva disminuye, teniendo así una
corriente neta en el diodo que circula desde el lado p hacia el lado n.

20- explique el comportamiento de la juntura PN en la Polarización Inversa

R/ La polarización inversa provoca que el lado n tenga una diferencia de potencial positiva respecto al
lado p. Esta diferencia de potencial positiva provoca que la barrera de potencial de la región de
agotamiento se expanda, impidiendo con mayor fuerza que los portadores mayoritarios la crucen.
Impedir que los portadores mayoritarios pasen hacia el otro lado por difusión provoca un aumento de la
corriente de deriva la cual está compuesta por los portadores minoritarios. Al ser los portadores
minoritarios menores en cantidad, la corriente inversa es pequeña.
21- ¿Qué es el efecto?
A-) Efecto de Avalancha: la ruptura de avalancha ocurre cuando los portadores minoritarios que cruzan
la región de agotamiento bajo la influencia del Campo Eléctrico ganan suficiente energía cinética capaz
de romper los enlaces covalentes en átomos con los que chocan. En este proceso muchos portadores se
crean y pueden soportar cualquier valor de corriente inversa.
B-) Efecto Zener: ocurre cuando el Campo Eléctrico de la región de agotamiento aumenta al punto
donde puede romper los enlaces covalentes y generar pares de electro-hueco. Los electrones generados
de esta forma serán barridos por el Campo Eléctrico e introducidos en el lado N y los huecos en el lado
P.
22- que es el voltaje de Umbral?
R/ La tensión umbral es el valor de tensión en polarización directa a partir del cual un diodo conduce.
Este valor se puede obtener a partir de la característica I-V determinando el valor de la tensión que
corresponde a una intensidad de aproximadamente un miliamperio. A partir de una tensión superior a la
tensión umbral la intensidad que circula por el diodo aumenta mucho con una ligera variación en el
valor de la tensión de polarización y podemos decir que el diodo muestra una resistencia muy pequeña,
ya que deja pasar toda la corriente con una ligera variación en la tensión VPN.
23 -¿Qué es la corriente: difusión y de desplazamiento?

Corriente de Difusión I D Corriente de Desplazamiento I s

Debido a que la concentración de huecos es
alta en la región p y baja en la región n, se
difunden huecos a través de la unión, del
lado p al lado n. analógicamente, se
difunden electrones a través de la unión del
lado n al lado p. estas dos componentes se
suman para formar la corriente de Difusión
ID
Existe una componente debida al
desplazamiento de portadores minoritarios
a través de la unión. Específicamente,
algunos de los huecos generados
térmicamente en el material n se difunden
en el material n al borde de la región de
agotamiento. Estas dos componentes de
corriente, que son movidos por el
desplazamiento de p a n y huecos movidos
por el desplazamiento de n a p, se suman
para formar la Corriente de
Desplazamiento I s.

24- ¿Qué es la Capacitancia de Transición y Difusión?

• Capacitancia de Difusión: cuanto mayor es la corriente directa, mas huecos atraviesan la unión, y
la carga almacenada aumenta. Dado que esta carga esta asociada con los huecos que se difunden en el
lado n de la unión.
• Capacitancia de Transición: la unión polarizada en inversa se comporta como un condensador,
pero la Capacitancia de Transición no es constante. La carga almacenada no es directamente
proporcional a la tensión aplicada. La relación entre la carga almacenada y la tensión no es lineal.
25- ¿Qué es el tiempo inverso de recobro?
R/ El intervalo total de tiempo que pasa hasta que el diodo se convierte en poco más o menos un circuito
abierto, se llama tiempo de recuperación inverso y se representa por t_rr. El tiempo de recuperación
inverso es la suma del tiempo de almacenamiento más el tiempo de transición:
t_rr= t_s+ t_t

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE
PANAMÁ
FACULTAD DE INGENIERIA ELÉCTRICA

FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA
TAREA N°1

INTEGRANTES:
ALDO J. BATISTA
DAVID CUEVAS
JULIAN SIZA
GEORGE

PROFESOR:
DAVID CORDOBA

GRUPO:
IGG131

FECHA DE ENTREGA:
13-4- 18