• Aisladores: Los aisladores están diseñados para soportar la carga mecánica

procedente del conductor. En efecto, la función de los aisladores es

precisamente la de mantener aislado eléctricamente a los llamados
conductores de apoyo. Para ello, soportan la tensión en condiciones de
sobretensión, condiciones anormales y también en las normales. Hay que
decir que la tensión debe soportarla tanto el material aislante como la
superficie del mismo y el aire que le rodea. Un aislante eléctrico es un
material cuyas cargas eléctricas internas no pueden moverse causando una
escasa magnitud de corriente bajo la influencia de un campo eléctrico, a
diferencia de los materiales conductores y semiconductores, que conducen
fácilmente una corriente eléctrica.

• Conductores: Los materiales conductores son aquellos que, en mayor o

menor medida, son capaces de conducir electricidad. Este tipo de materiales
permiten el desplazamiento libre y fluido de electrones de un punto a otro si
se conectan a un punto de tensión. Un conductor eléctrico es un material que
ofrece poca resistencia al movimiento de la carga eléctrica. Sus átomos se
caracterizan por tener pocos electrones en su capa de valencia, por lo que no
se necesita mucha energía para que estos salten de un átomo a otro.

• Semiconductores: Un semiconductor es todo aquel material que,

dependiendo de las circunstancias temperatura, presión, radiación y campos
magnéticos, puede actuar como conductor, permitiendo el paso de la
corriente, o como aislante, impidiendo el paso de la misma. Un semiconductor
es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien como un
aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico o
magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentra

• Semiconductores Intrínsecos: Es un semiconductor puro. A temperatura

ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos
electrones libres y huecos debidos a la energía térmica. En un semiconductor
intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total
resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se
producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos
electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero. La tensión
aplicada en la figura forzará a los electrones libres a circular hacia la derecha
(del terminal negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la izquierda.
• Semiconductores Extrínsecos: Los semiconductores extrínsecos están
ligeramente impurificados con elementos químicos disueltos en su
microestructura cristalina. Los dopantes poseen una capa de valencia con un
electrón de más o de menos que la de los átomos del semiconductor. Los
dopantes son de dos tipos: donantes y aceptores. El semiconductor
extrínseco es el resultado de introducir átomos de otros elementos a fin de
que el semiconductor primitivo pierda su pureza y gane en conductividad.
Este proceso de impurificación se conoce como “dopaje”. Según el tipo de
impureza que se le añada al semiconductor tendremos dos tipos de
semiconductores extrínsecos.

• La Unión P-N: Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los

componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores,
principalmente diodos y transistores. Está formada por la unión metalúrgica
de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque también se fabrican de
germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico.
Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o
compuesto químico.

• La Unión PN sin Polarización externa: La polarización directa se produce

cuando se aplica un voltaje a través de la célula solar de tal manera que el
campo eléctrico formado por la unión PN se reduce. Se facilita la difusión de
portadores a través de la región de agotamiento, y conduce a una mayor
corriente de difusión. En la presencia de un circuito externo que proporciona
continuamente portadores mayoritarios, la recombinación aumenta y agota
constantemente la afluencia de portadores a la célula solar. Esto aumenta la
difusión y en última instancia, aumenta la corriente a través de la región de
agotamiento. La polarización inversa se produce cuando se aplica un voltaje a
través de la célula solar de tal manera que el campo eléctrico formado por la
unión PN se incrementa. La corriente de difusión disminuye.
• La Unión PN (diodo) con Polarización Directa: La polarización directa se
refiere a la aplicación de voltaje a través del dispositivo de tal manera que el
campo eléctrico en la unión se reduce. Con la aplicación de un voltaje positivo
para el material de tipo p y un voltaje negativo para el material de tipo n, se
crea, a través del dispositivo, un campo eléctrico con dirección opuesta a la
de la región de agotamiento. Dado que la resistividad de la región de
agotamiento es mucho más alta que en el resto del dispositivo (debido al
número limitado de portadores en la región de agotamiento), casi todo el
campo eléctrico aplicado cae a través de la región de agotamiento. El campo
eléctrico neto es la diferencia entre el campo existente en la región de
agotamiento y el campo aplicado (para dispositivos reales, el campo del
potencial de contacto es siempre mayor que el campo aplicado), reduciendo
así el campo eléctrico neto en la región de agotamiento.

• La Unión PN (diodo) con Polarización Inversa: En polarización inversa, un

voltaje se aplica a través del dispositivo de tal manera que el campo eléctrico
en la unión aumenta. Cuanto más alto es el campo eléctrico en la región de
agotamiento, la probabilidad de que los portadores puedan difundirse desde
un lado de la unión a la otra, disminuye, de ahí la corriente de difusión
disminuye también. En polarización directa, la corriente de arrastre está
limitada por el número de portadores minoritarios a cada lado de la unión p-n
y es relativamente invariante al aumento del campo eléctrico. Un pequeño
aumento en la corriente de arrastre es experimentado debido al pequeño
aumento en la anchura de la región de agotamiento, pero esto es
esencialmente un efecto de segundo orden en las células solares de silicio.