Universidad Tecnológica Cadereyta

Técnico Superior Universitario en Química Área Industrial.

Estructura y propiedades de los materiales

Unidad 3: Materiales semiconductores

Ensayo 2: Propiedades de los semiconductores

Docente: Ing. Q. Elvia Elisa Balderas Sabanero.

Alumna: Cynthia abril Hernández Benito.
Grupo: 49QAI4.

Cadereyta Jiménez, N.L., Diciembre de 2018.

 INTRODUCCIÒN

Los semiconductores son la base de la electrónica, y son los que han permitido
tener prácticamente todos los aparatos electrodomésticos y electrónicos de los
que disfrutamos hoy en día.

Un semiconductor es un material intermedio entre un conductor y un

aislante. El cobre es un buen conductor porque posee un electrón  en su orbital
de valencia “último capa” que es atraído muy débilmente por el núcleo y es
posible arrancárselo fácilmente aplicando una fuerza externa “electrón libre”. Un
aislante por el contrario es un material que no tiene electrones libres y presenta
una gran resistencia al movimiento de los electrones.

Un semiconductor es aquel material que posee electrones libres en su orbital

de valencia pero que lógicamente poseen una conductividad eléctrica inferior
a las de un conductor.

El elemento semiconductor más usado es el silicio:

ENSAYO 2: PROPIEDADES DE SEMICONDUCTORES 2

 PROPIEDADES Y ESTRUCTURAS BÁSICAS DE LOS
SEMICONDUCTORES Y SUS UNIONES PN

Semiconductores y uniones P y N
¿Qué es un semiconductor?

Aquel material que se comporta como conductor

solo en determinadas condiciones, en otras
condiciones se
comportan como aislantes.

Los átomos de dos elementos se pueden unir

mediante enlaces covalentes en los que los
electrones de valencia de un átomo se
comparten con los electrones de valencia del
otro átomo.

Tipo N
Los semiconductores extrínsecos del tipo N están
formados por átomos de material semiconductor, silicio o
germanio, al que se le añade impurezas con átomos de
otro material con 5 electrones de valencia.

En los semiconductores del tipo n los electrones son los

portadores de electricidad. Portadores mayoritarios =
electrones.

Los átomos del material semiconductor tienen 4

electrones de valencia y los átomos de la impureza 5, se pueden formar 4 enlaces
covalentes y sobrará un electrón por cada átomo de impureza.

ENSAYO 2: PROPIEDADES DE SEMICONDUCTORES 3

 Tipo P

Los semiconductores extrínsecos del tipo P son material semiconductor a los que
se les añade átomos de impurezas con 3 electrones de valencia.

Los átomos semiconductores tienen un hueco esperando a que llegue un electrón

para formar el enlace que le faltará. En este tipo de semiconductores los huecos
serán los portadores para la conducción. Portadores mayoritarios = huecos.

Los huecos tienen carga positiva, al contrario que los electrones que tienen carga
negativa.

Tanto el material n como el p son eléctricamente neutros por que la cantidad de

protones en total es igual a la cantidad de electrones.

Unión PN

Un átomo de impureza de la zona P, que era neutro, ahora tiene un electrón más
llegado de la zona N para formar enlace en el hueco que tenía.

Átomo de impureza de la zona n quedará cargado positivamente por que se le ha

ido un electrón y se convertirá un catión o anión positivo.

Esta franja con cationes y aniones se llama región de

agotamiento o zona de difusión.

La unión PN deja de ser eléctricamente neutra.

Además, la zona n que antes era neutra ahora tendrá

carga positiva, ya que ha se han ido de ella electrones

MOSFET

Es un transistor de efecto de campo por medio de un

semiconductor óxido que se usa como dieléctrico. De
otra forma, es un transistor (conduce o no conduce la

ENSAYO 2: PROPIEDADES DE SEMICONDUCTORES 4

corriente) en el que se utiliza un campo eléctrico para controlar su conducción y
que su dieléctrico es un metal de óxido.

Ventajas del transistor mosfet

La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para llevar
a cabo su propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida es muy
pequeña, lo que hace que sea un componente importante en los modernos
ordenadores y dispositivos electrónicos
como los teléfonos celulares, relojes
digitales, pequeños juguetes de robot y
calculadoras.

Estructura de un Mosft

Los mosfet se construyen sobre un

semiconductor (tipo N o P) que se llama
sustrato. Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y
salida) que es un semiconductor contrario al semiconductor usado para el
sustrato. En la primera imagen de abajo puedes ver el sustrato de tipo P y el
drenador y la fuente de tipo N.

Recubriendo este bloque se coloca una capa de óxido metálico aislante que hace
de dieléctrico o aislante entre la fuente y el sumidero. Por encima de este óxido se
coloca una placa de metal conductor. El óxido con el metal forman la tercera
patilla o borne de conexión llamada puerta o gate (en inglés).

Tenemos 4 partes pero solo 3 patillas, ya que el sustrato

está unido siempre a la puerta (gate), formando una
única patilla del transistor.

o S y D = semiconductor/es. A un lado está la patilla

llamada sumidero o fuente (S). Al otro lado la
patilla llamada drenaje (D), drenador o salida.
Entre estos dos terminales pasa la corriente

ENSAYO 2: PROPIEDADES DE SEMICONDUCTORES 5

 cuando activamos G por medio de tensión.
La corriente cuando se activa el transistor
entra por S y sale por D, siempre que G
tenga una tensión mínima, llamada tensión
umbral o threshold = vth.

o G = puerta o gate. La parte de arriba es un

metal conductor y la de abajo el óxido.

o P = capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de s

y d. En la imagen de la izquierda es de tipo N y entonces el sustrato debe
ser P. Podría ser al revés, como puedes ver en la imagen de la derecha.

El canal que queda entre s y d es del material del sustrato y se llama canal. Es la
zona que hace de aislante impidiendo el paso de corriente cuando aplicamos
tensión entre S y D.

El JFET (Junction Field-Effect Transistor)

Es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como
interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por
voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o
compuerta (G) y fuente (S).

Diagrama de los transistores

Son necesarios seis parámetros para determinar el estado eléctrico del mismo:
tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes básicas de resolución de
circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

ENSAYO 2: PROPIEDADES DE SEMICONDUCTORES 6

Las curvas características más empleadas en la práctica son las que relacionan
VBE con IBy VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los
fabricantes.

ENSAYO 2: PROPIEDADES DE SEMICONDUCTORES 7

 CONCLUSIÒN

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica

inferior a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El
semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la
naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el
selenio.

En la práctica, para mejorar la conductividad eléctrica de los semiconductores, se

utilizan impurezas añadidas voluntariamente. Esta operación se denomina
dopado, utilizándose dos tipos:

• Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones

de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fósforo, el antimonio
y el arsénico.

• Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de

valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.

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