APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES

EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS
1.- INTRODUCCIN
Un material semiconductor es aquel que tiene una conductividad elctrica intermedia,
entre la de los metales y los aislantes; y otras propiedades fsicas no usuales. Estos se
pueden clasificar en dos tipos:

Semiconductores intrnsecos: poseen una conductividad elctrica fcilmente

controlable y, al combinarlos correctamente adecuadamente, pueden actuar como
interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento. Ejemplo: Si y Ge puros.

Semiconductores extrnsecos: estos se forman al agregar, intencionadamente,

a un semiconductor intrnseco sustancias dopantes. Su conductividad depender de la
concentracin de esos tomos dopantes. Dependiendo de esas impurezas habr dos tipos:
a)
Semiconductores de tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen
elementos del grupo 15 los cuales debido a que tienen un electrn mas en su capa de
valencia que los elementos del grupo14 se comportan como impurezas donadoras de
electrones o portadores negativos.
b)
Semiconductores de tipo p: En este caso se introducen elementos del
grupo 13 que presentan un electrn menos en su capa de valencia, por lo que se
comportan como aceptores o captadores de electrones.
2.- APLICACIONES EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS
Se han desarrollado muchos dispositivos electrnicos utilizando las propiedades de
transporte de los semiconductores; el uso de semiconductores en la industria electrnica ha
aumentado de forma importante. As, veremos algunas de las ms importantes:

Termistores: se basan en la propiedad de que la conductividad depende de la

temperatura para medir dicha temperatura. Tambin se usan en otros dispositivos,
como en alarmas contra incendio.

Transductores de presin: al aplicar presin a un semiconductor, los tomos

son forzados a acercarse, el gap de energa se estrecha y la conductividad aumenta.
Midiendo la conductividad, se puede conocer la presin que acta sobre ese material.

Rectificadores (dispositivos de unin tipo p-n): se producen uniendo un

semiconductor tipo n con otro tipo p, formando una unin tipo p-n. Los electrones se
concentran en la unin tipo n y los huecos en la unin p. El desequilibrio electrnico
resultante crea un voltaje a travs de la unin.

Transistores de unin bipolar: un transistor se puede usar como interruptor o

como amplificador. El transistor de unin bipolar (BJT), se suele utilizar en unidades
de procesamiento central de computadoras por su rpida respuesta a la conmutacin.

Transistores de efecto de campo: utilizado frecuentemente para almacenar

informacin en la memoria de los ordenadores. El transistor de efecto de campo (FET),
se comporta de forma algo distinta a los de unin bipolar.
3.- LA UNION P-N

Los dispositivos semiconductores ms comunes dependen de las propiedades de la

unin entre materiales de tipo p y de tipo n. Esta unin p-n se produce de forma ms
habitual por difusin en estado slido de un tipo de impureza de tipo p sobre un material de
tipo n. Aunque tambin se puede obtener un diodo de unin p-n por crecimiento de un
monocristal de silicio intrnseco y dopndolo primero con un material de tipo n y despus
con uno p. Este diodo p-n se puede encontrar de tres maneras distintas, segn como se
aplique el voltaje:

En el equilibrio: Antes de la unin, ambos tipos de semiconductores son

neutros; en los p los huecos son los portadores mayoritarios y en los n son los electrones.
Despus de la unin, los portadores de esta se difunden a travs de ella. Despus de
algunas recombinaciones, el proceso se interrumpe, ya que los electrones que van al
material tipo p, son repelidos por los iones negativos; y los huecos son repelidos por los
iones positivos del material tipo n. Los iones inmviles de la unin forman una zona
agotada de los portadores mayoritarios, llamada zona de deplexin. De esta forma no
hay flujo neto de corriente en condiciones de circuito abierto.

Polarizacin inversa: Si se invierte el voltaje aplicado, tanto los huecos como

los electrones se separan de la unin. Sin portadores de carga en la zona de agotamiento,
la unin se comporta como un aislante y casi no fluye corriente.

Polarizacin directa: Si en la unin p-n se aplica un voltaje externo, de forma

que la terminal negativa este del lado tipo n, los electrones y los huecos se movern
hacia la unin y se recombinarn finalmente. El movimiento de electrones y de huecos
producen una corriente neta. Si se incrementa esta polarizacin, aumentar la corriente
que pase por la unin.
4.- APLICACIONES PARA DIODOS DE UNION P-N.

Diodos rectificadores: Uno de los usos ms importantes de estos diodos

de unin p-n es convertir corriente alterna en corriente continua, lo que se conoce como
rectificacin. Al aplicar una seal de corriente alterna a un diodo de unin p-n, este
conducir slo cuando la regin p tenga aplicado un voltaje positivo con respecto a la
regin n, por lo que se produce una rectificacin de media onda. Esta seal se suaviza con
otros dispositivos y circuitos electrnicos, para dar una corriente continua estable.

Diodos de avalancha: Tambin se les llama diodos zener; son

rectificadores de Si. En la polarizacin inversa se produce una pequea fuga de corriente,
debido al movimiento de electrones y huecos trmicamente activados. Al hacerse
demasiado grande la polarizacin inversa, cualquier portador que llegue a fugarse se
acelerara lo suficiente para excitar a portadores de carga, causando una corriente elevada
en direccin inversa. Debido a este fenmeno se pueden disear dispositivos limitadores
de voltaje. Al dopar adecuadamente la unin p-n, se puede seleccionar el voltaje de
avalancha o de ruptura. Al aumentar mucho el voltaje, por encima del de ruptura, fluir
una corriente elevada a travs de la unin, as se evita que pase por el resto del circuito;
por eso se utilizan para proteger circuitos contra voltajes accidentales.
5.- TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR.
Un transistor de unin bipolar es un apilamiento de materiales semiconductores en
secuencia n-p-n-p-n-p. En el transistor se pueden distinguir tres zonas:

Emisor: emite portadores de carga, como es de tipo n, emite electrones.


Base: controla el flujo de los portadores de carga, es de tipo p. Esta se hace muy
delgada (del orden de 10-3 cm de espesor) y se dopa, de forma que solo una pequea
fraccin de los portadores que viene del emisor se combinar con los portadores
mayoritarios de la base con carga opuesta.

Colector: recoge los portadores de carga provenientes del emisor; la zona del
colector es del tipo n, recoge electrones.
6.- BIBLIOGRAFIA
1.
Donald R. Askeland, Ciencia e ingeniera de los materiales, Ed. Paraninfo
Thompson Learning, 2001
2.
William F Smith, Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales, 3
Edicin, Ed. Mc Graw Hill.