Universidad Tecnológica de Panamá

Campus Dr. Víctor Levi Sasso

Facultad de Ingeniería Eléctrica
Ingeniería Electromecánica

Fundamentos de Electrónica – 1IE131

Tarea N°1: Cuestionario

Nadjie Castillo
3-752-308

Jean Quintero
(cedula)

Alejandro Montenegro
8-985-2381

Carlos Outten
8-1013-1122

“Camino a la excelencia a través del mejoramiento continuo”

 CUESTIONARIO

1. ¿Qué es resistividad?
La resistividad es una medida de la oposición que presenta un material al paso de la
corriente eléctrica. Se representa por la letra griega rho (ρ) y se mide en ohmios por metro
(Ω/m).

2. ¿Qué es conductividad?
La conductividad es la capacidad de un material para conducir la corriente eléctrica. Se
representa por la letra griega sigma (σ) y es el inverso de la resistividad (σ = 1/ρ).

3. ¿Qué determina la conductividad?

La conductividad de un material está determinada por factores como la densidad de
portadores de carga (electrones o iones), la movilidad de estos portadores y la estructura
cristalina del material.

4. Dentro de la estructura atómica, ¿qué son los niveles de energía?

Los niveles de energía son los niveles discretos de energía que un electrón puede tener
dentro de un átomo. Estos niveles están cuantizados y se representan por números
cuánticos.

5. Enuncie el principio de exclusión de Pauli.

El principio de exclusión de Pauli establece que, en un átomo, ningún par de electrones
puede tener los mismos cuatro números cuánticos. Esto implica que dos electrones en un
mismo átomo no pueden ocupar el mismo estado cuántico simultáneamente.

6. ¿Qué son las bandas de energía?

Las bandas de energía son rangos continuos de energía permitidos o prohibidos para los
electrones en un material sólido. Estas bandas se forman a partir de la superposición de los
niveles de energía de los átomos que componen el material.

7. ¿Qué es un electronvoltio?
El electronvoltio (eV) es una unidad de energía utilizada en física, especialmente en el
estudio de la estructura atómica y la energía de partículas subatómicas. Un electronvoltio
es la energía cinética adquirida por un electrón cuando es acelerado a través de una
diferencia de potencial de un voltio, y equivale a aproximadamente
1.602×10−191.602×10−19 julios.

8. ¿Qué es…?: a) Material Conductor b) Material Semiconductor y c) Material Aislante.

a) Un material conductor es aquel que permite el paso fácil de corriente eléctrica a través
de él.
b) Un material semiconductor es aquel que tiene propiedades de conducción eléctrica
intermedias entre un conductor y un aislante. La conductividad eléctrica de un
semiconductor puede variar significativamente bajo diferentes condiciones, como la
temperatura o la aplicación de un campo eléctrico externo.
 c) Un material aislante es aquel que tiene una resistencia eléctrica muy alta, lo que significa
que no permite que la corriente eléctrica fluya fácilmente a través de él.

9. Explique la formación de las bandas de energía en…: a) Conductores, b) Aislantes y c)

Semiconductores.
a) Los conductores tienen bandas de energía muy cercanas las unas de las otras. Esto
significa que los electrones en un conductor tienen suficiente energía para moverse
fácilmente dentro del los diferentes niveles de energía del material, lo que permite la
conducción eléctrica.
b) Los aislantes tienen una banda prohibida relativamente grande entre sus bandas de
valencia y conducción, además los electrones de la banda de valencia están fuertemente
ligados, y sus bandas de conducción están vacías. Esto significa que los electrones en los
aislantes no tienen suficiente energía para moverse fácilmente a través del material. Como
resultado, los aislantes tienen una baja conductividad eléctrica.
c) Los semiconductores tienen una banda prohibida más pequeña entre sus bandas de
valencia y conducción en comparación con los aislantes. Esta brecha de energía más
pequeña permite que los electrones en los semiconductores puedan moverse a través del
material con una cantidad moderada de energía adicional.

10. Explique que es un enlace covalente.

Un enlace covalente es un tipo de enlace químico donde los átomos comparten uno o más
pares de electrones entre sí. Se forma entre átomos no metálicos que tienen una alta afinidad
por los electrones. En este tipo de enlace, los átomos comparten electrones de valencia para
alcanzar estabilidad electrónica. Los caracteriza su formación de redes cristalinas,
sumamente estables.

11. ¿A que llamamos…?: a) Material intrínseco, b) Material extrínseco.

a) Material intrínseco: Se refiere a un material semiconductor que no ha sido dopado
intencionalmente con impurezas, o sea, un semiconductor puro.
b) Material extrínseco: Se refiere a un material semiconductor que ha sido dopado
deliberadamente con impurezas para modificar sus propiedades eléctricas.

12. Explique el proceso de dopado.

El proceso de dopado se realiza introduciendo pequeñas cantidades de otros elementos en
la estructura cristalina del semiconductor. Dependiendo del tipo de impurezas introducidas
(donantes o aceptores), se pueden aumentar o disminuir la conductividad eléctrica del
material. Se lleva a cabo mediante la difusión o implantación de las impurezas en el
semiconductor. En la difusión, el semiconductor dopado se calienta a altas temperaturas en
presencia de los materiales dopantes, lo que provoca que las impurezas se difundan en la
estructura cristalina del semiconductor. Por otro lado, en la implantación iónica, las
impurezas se introducen mediante un bombardeo controlado de iones dopantes sobre la
superficie del semiconductor.

13. ¿Cuáles son los elementos semiconductores más utilizados y por qué?
Los elementos semiconductores más utilizados son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Estos
dos materiales son los más predominantes en la industria electrónica por razones como su
 abundancia, sus propiedades semiconductoras, su estabilidad térmica y su desarrollo
tecnológico a través de los años, su disponibilidad, versatilidad y capacidad de integración
en procesos de fabricación bien establecidos. Además, aunque otros materiales
semiconductores también son importantes en aplicaciones especializadas como el arseniuro
de galio (GaAs), el fosfuro de indio (InP) en dispositivos de alta frecuencia y
optoelectrónicos y el nitruro de galio (GaN) que fue fundamental para el desarrollo del LED
azul y posteriormente el LED blanco y con ello la revolución digital y la iluminación LED.

14. Que es un material tipo P y tipo N

Material P: Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la
formación de huecos (de ahí que se denominen P o positivos) sin que aparezcan electrones
asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este tipo se
llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón. Suelen ser de valencia tres, como
el aluminio, el indio o el galio.
Material N: Se llama material tipo N (o negativo) al que posee átomos de impurezas que
permiten la aparición de electrones (de ahí su denominación de negativo o N) sin huecos
asociados a los mismos semiconductores. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya
que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el arsénico y el
fósforo.

15. ¿Qué es un par electrón-hueco?

un par electrón-hueco. Es el proceso en el que un electrón libre pasa a ocupar un hueco
dejado por otro electrón anteriormente. porque siempre hay electrones libres y, por ejemplo,
si un electrón se despega de un hueco, otro electrón que hay libre viene y ocupa ese hueco.

16. ¿Cuáles son los portadores…? a) mayoritarios, b) minoritarios.

Portador mayoritario: se denominan portadores mayoritarios a las partículas cuánticas
encargadas del transporte de corriente eléctrica que se encuentran en exceso en un material
semiconductor dopado como tipo N o tipo P.
Portador minoritario: se denominan portadores minoritarios a las partículas cuánticas
encargadas del transporte de corriente eléctrica que se encuentran en menor proporción en
un material semiconductor dopado como tipo N o tipo P.

17. ¿Qué es la juntura PN?

Una unión PN consta de un único cristal de material semiconductor que está dopado
mediante la unión de dos materiales semiconductores de tipo N en un lado y de tipo P en el
otro. En la unión PN no polarizada la unión PN es la frontera donde se unen las regiones N
y P, por lo que a esta estructura se la llama también diodo de unión.

18. ¿Como se produce la región de vaciamiento?

Es una zona o región aislada, libre de portadores energéticos, que se origina alrededor del
punto de unión de los dos materiales semiconductores dopados de diferente forma y que
poseen también polaridades diferentes.

19. Explique el comportamiento de la juntura PN en polarización directa.

 Cuando una unión PN tiene polarización directa, el voltaje negativo empuja el agujero hacia
adelante mientras que el voltaje positivo empuja al electrón hacia atrás, dándole al electrón
la energía para atravesar la unión y unirse con el agujero.

20. Explique el comportamiento de la juntura PN en polarización inversa.

Conectando el borne positivo (cátodo) de la fuente a la zona N y el borne negativo (ánodo)
a la zona P. Debido a la polarización de la batería, los electrones y los huecos se encuentran
atraídos hacia los extremos del diodo, alejados de la unión PN, de manera que se ensancha
la zona de deplexión. Así los electrones y huecos encuentran mayor dificultad para pasar a
través de la unión.

21. ¿Qué es el efecto...?: a) de avalancha, b) Zener

a) Efecto de avalancha: es el aumento repentino del flujo de una corriente eléctrica a través
de un sólido no conductor o semiconductor cuando se aplica una fuerza eléctrica
suficientemente fuerte.
b) Efecto Zener: es un tipo de falla eléctrica, descubierto por Clarence Melvin Zener.
Ocurre en un diodo p-n con polarización inversa cuando el campo eléctrico permite la
tunelización de electrones desde la valencia hasta la banda de conducción de un
semiconductor, lo que genera numerosos portadores minoritarios libres que aumentan
repentinamente la corriente inversa.

22. ¿Qué es el voltaje de umbral?

El voltaje o tensión de umbral es el valor de la tensión en polarización directa a partir del
cual el diodo conduce intensidad. Los diodos ideales no tienen un voltaje de umbral.
Cuando se aplica una tensión directa a través del diodo, conducirá la corriente
instantáneamente a través de sus cruces.

23. ¿Qué es la corriente…?: a) de difusión, b) de recombinación.

a) Corriente de difusión: Es el flujo de carga eléctrica asociado con el movimiento aleatorio
debido a la agitación térmica. Lo causa el gradiente de concentración de los portadores. Los
huecos y electrones se mueven en la misma dirección (de zonas de mayor concentración a
zonas de menor concentración).
b) Corriente de recombinación: Se llama "corriente de recombinación", donde la
recombinación es el proceso por el cual los electrones de conducción llenan los huecos en
la banda de valencia, eliminando así un par electrón-hueco. finalmente se debe a la
recombinación de electrones y huecos dentro de la unión, ya sea en la zona de agotamiento
o en las regiones neutras n o p.

24. ¿Qué es la capacitancia de…?: a) transición, b) de difusión

a) capacitancia de transición: en la región de polarización inversa existe una región de
agotamiento (libre de portadores) que se comporta como un aislante entre las capas de carga
opuesta. Debido a que el ancho de la región se incrementará mediante el aumento del
potencial de polarización inversa, la capacitancia de transición que resulta disminuirá.
b) capacitancia de difusión: es la capacitancia que se produce debido al transporte de
portadores de carga entre dos terminales de un dispositivo, por ejemplo, la difusión de
 portadores del ánodo al cátodo en un diodo con polarización directa o del emisor a la base
en una unión con polarización directa de un transistor.

25. ¿Qué es el tiempo inverso de recobro?

El tiempo de recuperación inverso del diodo es un parámetro eléctrico crítico que afecta el
rendimiento de los circuitos electrónicos de potencia. El tiempo se refiere al tiempo que
tarda un diodo en pasar de la conducción a la no conducción tras detenerse la corriente
inversa. El valor del tiempo de recuperación inverso es importante porque puede afectar la
eficiencia y la estabilidad de un circuito.