Ing. Industrial Sistemas e Informática.

Ingeniería Electrónica – VII Ciclo

: DISEÑO ELECTRÓNICO
Análisis de circuito con diodos semiconductores

Ing. Franco Jhordy Miranda Portella

 Análisis de Circuitos con Diodos Semiconductores

Introducción
En este trabajo analizaremos circuitos con Diodos Semiconductores, tomando en
cuenta:
 La Teoría de Semiconductores.
 Diodos Semiconductores.
 Física de los Diodos en el estado Sólido.
 Rectificación.

Definición del Semiconductor:

Un semiconductor es un material capaz de transmitir la electricidad mejor que un
aislante, pero menos que un conductor neto (metal).
Para explicar esto, mencionamos que los mejores conductores tienen un electrón
de valencia, mientras que los mejores aislantes tienen ocho electrones de valencia.
Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctrica de un punto medio de
un conductor y un aislante, es por eso que los mejores semiconductores poseen 4
electrones de valencia.

Impacto Social-Científico:
Tras la introducción del primer transistor en los años cuarenta, el mundo científico
ha sido testigo del cambio drástico en la industria electrónica. La miniaturización
(Componentes cada vez más pequeños) ha resultado ser una de las más grandes
apuestas por las empresas de este rubro. Hoy en día encontramos un componente
milésima de veces más pequeño que el primer componente creado.
Esto trajo consigo grandes ventajas ya que, al ser comparados con el uso de tubos,
estos son más pequeños, ligeros, no generan calentamiento ni pérdidas térmicas,
una construcción más resistente en comparación a los tubos (altamente frágiles) y
no necesitan un periodo de calentamiento.

La Miniaturización:
La miniaturización de los semiconductores ha recibido una gran acogida en el
mundo electrónico ya que el propósito principal de estos encapsulados es
simplemente brindar algunos medios para el manejo de dispositivos y para asegurar
que las conexiones permanezcan fijas.
Factores que limitan la Miniaturización:
 La Calidad del Propio Material Semiconductor.
 La Técnica del diseño de la red.
 Los Límites del equipo de manufactura y procesamiento.

Teoría de semiconductores
La electrónica se ha desarrollado mucho, todo esto gracias a elementos
descubiertos llamados semiconductores. Con estos elementos hemos encontrado
la combinación perfecta entre un conductor y un aislante, por esa razón varios
instrumentos electrónicos en todo el mundo existen y funcionan
Semiconductores: Lo que hace especial a estos elementos es la cantidad de
electrones que contienen en su última capa de valencia, los más conocidos son el
germanio y el silicio. Estos elementos por sí solos no son tan especiales ya que
dependen de otro elemento para poder llevar a cabo el fenómeno de la
semiconducción, dependiendo de ello estos podrán ser utilizados para hacer
muchas cosas como leds, transistores, diodos entre otros.
Por ejemplo, el silicio, ya que es el más utilizado actualmente, posee 4 electrones
en su última orbita (imagen A), si los juntamos formando una red, conocida también
como cristal (imagen B), cumpliendo la regla del octeto, la cual dice que los átomos
tienden a completar sus últimos niveles de energía con 8 electrones para alcanzar
la estabilidad formando un enlace llamado covalente lo que significa que comparten
electrones en su último nivel. Ahora si a esta red de silicio estable, le conectamos
una batería y le agregamos un flujo de electrones, no pasara nada, puesto que los
electrones de la batería no podrán moverse por la red debido a que los electrones
de esta están muy unidos, en este caso el silicio se comparta como aislante.
 Imagen A Imagen B

Semiconductores contaminados
Para que deje de actuar como aislante y pase a ser conductor tenemos que
introducir impurezas al material, existen 2 maneras: una de ella es introduciendo
electrones y la otra es introduciendo huecos, a esto se le conoce como dopaje y
solo podemos hacerlo con otros semiconductores.
Introduciendo electrones: Si a la red le agregamos arsénico o fosforo, que son
elementos pentavalentes es decir tienen 5 electrones en su última capa de valencia,
la red ahora tendrá enlaces de silicio y fosforo/arsénico y la regla del octeto se
cumple, pero ahora tenemos por cada unión un electrón libre, ahora, si ponemos
una batería los electrones libres serán atraídos por el lado positivo de la batería y
empezara el flujo de electrones, ahora la red se comporta como una red conductora.
Introduciendo huecos: Pero si a la red la dopamos con materiales como el boro,
que es un elemento trivalente es decir tiene 3 electrones en su última capa de
valencia, obtendremos uniones de silicio y boro, ahora la red del octeto no se cumple
porque donde tendríamos un electrón, ahora tenemos un “hueco”, con esto nos
referimos a que hay una ausencia de electrón, entonces lo que pasa es que los
electrones en la red estarán moviéndose constantemente para tapar ese “hueco”,
pero por más que se reacomoden los electrones, siempre existirá uno. Ahora si le
agregamos una batería, los electrones seguirán siendo atraídos por el lado positivo
y a su vez los electrones del lado negativo van a querer tapar los huecos por lo que
este, movimiento hará posible el flujo de cargas.
Tipos de semiconductores
 Semiconductor intrínseco; es cuando no dopamos nuestra red con ninguna
impureza o contaminante, el cual es un semiconductor puro y a temperatura
ambiente se comporta como aislante, eso significa que el número de huecos
y electrones es el mismo.

 Semiconductor extrínseco; es aquel que se da cuando dopamos nuestra red

con electrones o huecos. Aquí podemos encontrar 2 subclases:

1.- Cuando dopamos a la red con electrones se le conoce como

semiconductor extrínseco tipo N.

2.- Cuando lo dopamos con huecos se le conoce como semiconductor

extrínseco tipo P.

Diodos semiconductores
Antiguamente se usaba el diodo de vacío, se usan en caso si fuera en tecnologías
de potencia .Básicamente la explicación de un semiconductor es sencillo , dado que
estos diodos están compuestos por dos zonas como Ánodo(positivo) y cátodo
(negativo) y ellos están distanciados por una barrera que puede ser de 0.3 voltios o
de 0.6 voltios aproximadamente dependiendo del material para que separe la
corriente negativa (electrones) y carga positiva (espacios vacíos),estos pueden ser
hecho de materiales como el silicio que este es más usado y el germanio.
Además, estos son dispositivos que nos ayudan a que la corriente pase por una
sola vía en la dirección permitida.
Ejecución del diodo:
El semiconductor en el caso N, tiene una mayor cantidad de electrones, y en el
semiconductor de caso P este tiene falta de electrones.
En el caso práctico que pongamos una batería y se le aplique a esa, la parte
positivas P y en la parte N negativa, los electrones del lado N son arrimados a lado
P, y estos se transportan mediante el material P del límite del semiconductor.
Lo mismo va suceder del material P los huecos, son arrimados a la parte negativa
del material N y que pasan por ahí.
El caso contrario, cuando el lado N se pone una carga positiva, y a otra de igual
manera negativa lado P, los electrones son dirigidos también al otro extremo N y los
espacios vacíos del lado P igual empujados al mismo lado, dado que se atraen o
repelen, en este caso atraen. Entonces el semiconductor no varía el movimiento y
no circula corriente.
El diodo tiene 2 maneras de uso:
Polarización directa:
Principalmente la carga de batería hace que disminuya la barrera de potencial, y
este pueda hacer pase de los electrones, básicamente hace que haya la conducción
de la electricidad.
En este caso el diodo se conecta por el terminar de ánodo del diodo el polo positivo
la fuente y en la parte del cátodo, el polo negativo.
Si la diferencia de potencia de la fuente es mayor a la diferencia de potencial de la
parte carga espacial. Los electrones tienen la energía necesaria para saltar, y
además se desplazaron de P a N.

Polarización inversa:
Ahora el polo negativo de la fuente, conectaremos en la parte P y el polo positivo de
la fuente estará en la parte n, en este caso aumenta la carga espacial y no circulará
corriente (estaría como un circuito abierto)
Algunos casos la corriente si conduce en esta situación, por causa de la
temperatura, que forman pares electrones vacíos en los lados y esta produce una
pequeña corriente 1uA y su nombre es corriente inversa saturación. También es el
caso de corriente superficial esta presenta fugas ya que por su material no sostiene
la estabilidad
Física de los diodos en estado sólido

Redistribución de Carga:
Cuando existen materiales de tipo P y de tipo N juntos en un cristal, se producen
una redistribución de carga:
 Algunos de los electrones libres del material n
migran a través de la unión y se combinan con
huecos libres en el material p.
 Algunos de los huecos libres de material p se
mueven a través de la unión y se combinan con
electrones libres en el material n.

Esto provoca que en la franja de la unión PN

tengamos por un lado carga negativa y por el otro
positiva. Negativa en la zona P, que antes de la
unión era neutra y positiva en la zona N, que antes
también era neutra. Esta franja con cationes y
aniones se llama región de agotamiento o zona de
difusión.

En la región de agotamiento habrá cationes y aniones, por lo que entre N y P habrá

una DIFERENCIA DE POTENCIAL o tensión (Silicio: 0.7v, Germanio: 0.3v) ya que
la unión ahora ya no es eléctricamente neutra. Además, este campo eléctrico
resultante proporciona una barrera de potencial, en una dirección que inhibe la
migración de portadores a través de la unión.
Relación entre la corriente y la tensión en un diodo:
Esta relación esta dado siguiendo la ecuación de Shockley:

𝑖𝐷 : 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜
𝐼𝑜 ∶ 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 (𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎)
𝑉𝐷 : 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜
𝑽𝑫 𝑛 ∶ 𝑓𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 (𝑓𝑎𝑏𝑟𝑖𝑐𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛)
𝒊𝑫 = 𝑰𝒐 (𝒆𝒏𝑽𝑻 − 𝟏) 𝐾𝑇
𝑉𝑇 = ∶ 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑡𝑒𝑟𝑚𝑖𝑐𝑜 ;
𝑞
𝑞: 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛 (1.6𝑥10−19 𝐶)
𝐾 ∶ 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑏𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛 (1.38𝑥10−23 𝐽/°𝐾)
𝑇 ∶ 𝑇𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 (°𝐾)

En condiciones normales (T = 25°C), el valor de la exponencial es mucho más

grande que la unidad por lo que se puede despreciar, lo que nos da la ecuación más
usada:
𝑉𝐷
𝑖𝐷 = 𝐼𝑜 𝑛𝑉
𝑒 𝑇
La corriente de saturación inversa del diodo (Io) es función de la pureza del material,
de la combinación y de la geometría del diodo, además, no es del todo constante,
sino que varía en función de la temperatura.

Aunque la curva en polarización

directa se asemeje mucho a una
recta, la relación es
exponencial, y la pendiente
cambia en relación de la
variación de iD

𝑑𝑖𝐷
Así, la variación de la pendiente se puede calcular: 𝑑𝑉𝐷

𝑉𝐷
𝑉𝐷 ′ 𝑉𝐷
𝑑𝑖𝐷 1 𝑒 𝑛𝑉𝑇
𝑛𝑉 𝑛𝑉
= (𝐼𝑜 𝑒 ) = 𝐼𝑜 𝑒 𝑇 . (
𝑇 ) = 𝐼𝑜
𝑑𝑉𝐷 𝑛𝑉𝑇 𝑛𝑉𝑇
Efectos de la temperatura:
La temperatura tiene un papel importante en la determinación de las características
operativas de los diodos. Un aumento de la temperatura implica una disminución en
el valor del voltaje umbral (zona de empobrecimiento), de caso contrario, una
disminución en la temperatura implica un aumento en el valor de este voltaje.
Entonces:
𝑉(𝑇1 ) − 𝑉(𝑇0 ) = 𝛼(𝑇1 − 𝑇0 )
Donde:
𝑇1 ∶ 𝑡𝑒𝑚𝑝. 𝑑𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜
𝑇0 ∶ 𝑡𝑒𝑚𝑝. 𝑎𝑚𝑏𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑜 𝑛𝑜𝑟𝑚𝑎𝑙 𝑑𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜
𝑉 Silicio: -2.5mV / °C
𝛼 ∶ 𝑐𝑜𝑒𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 ( ) Germanio: -2mV / °C
°𝐶

Así mismo, como ya se mencionó la corriente de saturación varía a 7.2%/°C, así:

0.072(𝑇1−𝑇0)
( )
𝐼𝑜 (𝑇1) = 𝐼𝑜 (𝑇0). 𝑒 °𝐶

De la ecuación podemos ver que cuando la diferencia de temperatura es de 10°C

: 𝑒 0.72 ≈ 2 , entonces:
(𝑇1−𝑇0)
𝐼𝑜 (𝑇1) = 𝐼𝑜 (𝑇0). 2 10

En conclusión, la corriente de saturación se duplica cada 10°C.

𝑇1 ∶ 200, 100, −75 °𝐶

𝑇0 : 25°𝐶
Línea de carga del Diodo:
Dado que el diodo es un dispositivo no lineal, una línea de carga es una línea
dibujada en la curva característica, un gráfico de la corriente frente al voltaje. La
línea de carga (generalmente una línea recta) representa la respuesta de la parte
lineal del circuito, conectada al dispositivo no lineal en cuestión. Los puntos donde
se cruzan la curva característica y la línea de carga son los posibles puntos
operativos (puntos Q) del circuito; en estos puntos coinciden los parámetros de
corriente y voltaje de ambas partes del circuito.
Así, para el siguiente circuito:

𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅
𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐷 = 0; 𝐼𝐷 = 𝑦 𝐼𝐷 = 0; 𝑉𝐷
𝑅
= 𝑉𝐷𝐷

Dando las condiciones necesarias se puede graficar la curva característica del diodo
y la recta de carga donde la intersección de la misma representa el punto de
operación Q.
Resistencia del diodo:
A medida que el punto de operación de un diodo se mueve desde una región a otra,
la resistencia del diodo también lo hará debido a la variación no lineal de la curva
característica.
𝑣𝐷
 Resistencia estática o DC : 𝑅𝐷 = 𝑖𝐷
∆𝑣𝐷
 Resistencia dinámica o AC: 𝑟𝐷 = ∆𝑖𝐷

Capacidad de manejo de potencia:

Los diodos se clasifican de acuerdo con su capacidad de manejo de corriente. Las
características se determinan por la construcción física del diodo Las
especificaciones del fabricante se utilizan para determinar la capacidad de potencia
de un diodo para ciertos intervalos de temperatura. Algunos diodos, como los de
potencia, se clasifican por su capacidad de paso de corriente. La potencia
instantánea disipada por el diodo se puede determinar de la siguiente manera:
𝑃𝐷 = 𝑣𝐷 𝑖𝐷
Capacitancia del diodo:
La capacitancia del diodo surge de 2 distintas regiones de carga:
1) La capacitancia de la unión surge de la región de agotamiento donde hay un
dipolo de carga fija positiva y negativa.
2) La capacitancia de difusión es debida a la región externa a la región de
agotamiento.

En polarización:
a) Capacitancia de transición (Pol. Inversa): capacitancia de la unión, de región
de agotamiento.
𝜀. 𝐴
𝐶𝑇 =
𝑑

b) Capacitancia de difusión (Pol. Directa): Dependiente del voltaje aplicado,

cambia la cantidad de carga almacenada.
𝑑𝑄
𝐶𝐷 =
𝑑𝑉
Rectificación
Comenzamos definiendo que los rectificadores son unos dispositivos electrónicos
o circuitos que logran transformar la corriente alterna en corriente continua. Se
utilizan con frecuencia para hacer funcionar motores de corriente continua de alta
potencia y para alimentar los circuitos de equipos electrodomésticos.
Lo más común en que la energía eléctrica se transmite a los hogares y a las
empresas es la corriente alterna. Pues aquí es donde la tarea de los rectificadores
consiste en convertir esa corriente alterna en corriente continua para que los
equipos funcionen de manera correcta. Sin esta rectificación de la que
mencionamos, la corriente alterna podría provocar daños graves a nuestros
dispositivos.
Los rectificadores están compuestos por diodos rectificadores que permiten realizar
la conducción de la corriente en una sola dirección.

¿Qué son los diodos rectificadores?

La designación de diodos rectificadores está relacionada directamente con su uso
o función. Pues mediante el proceso de rectificación, permite pasar solo la mitad
negativa o solo la mitad positiva de una señal de corriente alterna. Su uso
principalmente lo podemos ver en circuitos rectificadores, circuitos recortadores y
circuitos fijadores.
El diodo rectificador es un dispositivo semiconductor de dos terminales que
permite la circulación de la corriente eléctrica en una sola dirección o sentido ya que
logra bloquear la corriente cuando ésta circula en sentido opuesto. Gracias a su
comportamiento logra convertir la corriente alterna en corriente continua.

Tipos de rectificadores
Según el tipo de rectificación se dividen en dos:

1.- Rectificadores de media onda

Los rectificadores de media onda funcionan haciendo pasar la mitad de la corriente

alterna a través de un diodo, convirtiendo en este paso dicha mitad de la corriente
alterna en corriente eléctrica directa. Los rectificadores de media onda no son muy
eficientes porque sólo convierten la mitad de la corriente alterna (bien la positiva,
bien la negativa) en corriente directa. Por el contrario, los rectificadores de media
 onda son mucho menos complicados y solamente requieren un diodo para su
funcionamiento.

Según las formas de onda permitidas, los rectificadores de media onda se pueden
subdividir en:

 Rectificador de media onda positivo:

Bloquea el semiciclo negativo y permite semiciclos positivos a través del diodo.

* Rectificador de media onda negativo:

Bloquea el semiciclo positivo y permite semiciclos negativos a través del diodo.

Rectificador de media onda: Circuito utilizado para convertir

la corriente alterna en directa

2.- Rectificadores de onda completa

Los rectificadores de onda completa son más complejos que los rectificadores de
media onda, pero también son mucho más eficientes. Los rectificadores de onda
completa generalmente utilizan cuatro diodos para funcionar. Hacen pasar la
corriente alterna a través del sistema de cuatro diodos, reemplazando toda la
corriente por una corriente directa.
Según la señal de alimentación se dividen en:

Rectificadores monofásicos

Están alimentados por una fase de la red eléctrica. El tipo más simple de
rectificadores es el monofásico de media onda, que presenta un único diodo entre
la fuente de alimentación alterna y la carga.

Rectificador trifásico

Cumple con la misma tarea que un rectificador monofásico, con la única diferencia
que son alimentados por fuentes trifásicas. Gracias a esta característica,
los rectificadores trifásicos son mucho más eficientes y logran manejar grandes
potencias. Con frecuencia se utilizan en el sector industrial para producir corrientes
continuas que impulsan cargas de potencia elevada.

¿QUE ES UN PUENTE RECTIFICADOR?

También conocido como puente de diodos, es un dispositivo constituido por cuatro
diodos acoplados de tal manera que una corriente alterna, conectada a solo dos de
ellos, logra producir una corriente continua de salida a los dos diodos restantes.
Se utiliza en muchos equipos, tanto a nivel industrial como doméstico. Como
ejemplo, podemos mencionar los cargadores de teléfonos móviles, en los que se
utiliza el puente de diodos.

Para que la rectificación de la corriente se produzca es necesario conectar los

cuatros diodos de una forma específica, conocida como configuración de
rectificación. Es así como efectivamente termina con una mitad del ciclo de la
corriente alterna de entrada y permite el paso sólo a la otra mitad a través del
puente. Además, se mantiene siempre con el polo positivo y el negativo saliendo
por los mismos diodos.