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Tema 6
Transistores MOSFET
Construcción básica
La construcción básica del MOSFET tipo enriquecimiento de canal Nse muestra en la figura 6.1.
Donde se tiene una barra de material p con una base de silicio y se la conoce como sustrato.
En la figura 6.1 se puede apreciar que existen dos regiones con material tipo N y entre estas dos
regiones no existe un canal que es característico en este transistor
Para que en el MOSFET pueda existir ID el voltaje UGS debe ser positivo y además mayor a UT
como se muestra en la fig.6.2
UT voltaje de umbral, es positivo y es dato de fabricante que se proporciona a través de las hojas
técnicas (UGS(th))
1
Apuntes Electrónica I
2
Apuntes Electrónica I
Fig.6.3 Cambio del canal y región de empobrecimiento con el nivel creciente de V DS con un valor
fijo de VGS
De acuerdo al valor de UGS se tiene varios valores de UDS_Sat como se muestra en la fig.6.4
Para valores de UGS menores que el voltaje de umbral, la corriente de drenaje es cero
3
Apuntes Electrónica I
En la figura 6.4 se puede ver, que a medida que el nivel de VGS se incrementa desde el valor de
VT a 8 V, el nivel de saturación resultante de ID también se incrementa desde un nivel de 0 mA
hasta 10 mA. También en la fig 6.4 se puede ver, la separación entre los niveles de VGS se
incrementa a medida que la magnitud de VGS lo hace, y el resultado son incrementos cada vez
mayores de la corriente de drenaje.
Para niveles de UGS> UT, la corriente de drenaje está relacionada con el voltaje de la compuerta
a la fuente aplicado por la siguiente relación no lineal:
𝐼𝐷 = 𝑘(𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝑇 )2 6.2
Donde k es
𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜)
𝑘= 2 6.3
(𝑈𝐺𝑆(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) − 𝑈𝑇 )
Donde 𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) 𝑈𝐺𝑆(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) son datos de fabricante en las hojas técnicas del dispositivo
En la figura 6.5, las características de drenaje y transferencia se dibuja una al lado de otra, en
donde se puede apreciar la curva de transferencia (ID, UGS) a lado izquierdo con valores de UGS
positivos y la curva característica de drenaje (ID, UDS) esta dibujado a aldo derecho en la fig. 6.5
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Apuntes Electrónica I
+UDD
RD
R1
IG=0 D
G
UGS S
R2 RS
Fig.6.6 Configuración de polarización por divisor de voltaje para MOSFET tipo enriquecimiento canal N
𝑅2 ∗ 𝑈𝐷𝐷
𝑈𝐺 = 6.5
𝑅1 + 𝑅2
𝑈𝐺𝑆 = 𝑈𝐺 − 𝑅𝑆 ∗ 𝐼𝐷 6.8
+UDD
RD
R1
C2
C1 D
R
G io uo
S
u ui RL
R2 RS
CS
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Apuntes Electrónica I
R G iO
+ D
+ VGS uO
u ui - gmVGS RL
rD RD
R1
- S
R2
RG R’L
Ganancia de tensión
Del circuito
𝑅′𝐿 = 𝑟𝐷 //𝑅𝐷 //𝑅𝐿 6.12
1
𝑅′𝐿 =
1
+
1
+
1 6.13
𝑟𝐷 𝑅𝐷 𝑅𝐿
𝑢𝑖 = 𝑉𝐺𝑆 6.15
𝑢𝑂
𝐴𝑉 = 6.16
𝑢𝑖
Resistencia de entrada
𝑢𝑖
𝑅𝑖𝑛 = = 𝑅𝐺 6.18
𝑖𝑖
𝑅𝐺 = 𝑅1 //𝑅2 6.19
Resistencia de salida
- gmVGS RO
rD RD
S
RG
Fig.6.9
Donde
6
Apuntes Electrónica I
𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑅𝐺 =
𝑅1 + 𝑅2
6.20
Como no existe ninguna fuente conectada a la parte de entrada del circuito, se concluye que
Vgs= 0. Por tanto, la fuente de corriente controlada gmVgs genera una corriente cero y aparece
como un circuito abierto. En consecuencia, la resistencia de salida es la combinación en paralelo
de RD y rd:
1
𝑅𝑂 = 6.21
1⁄ + 1⁄
𝑅𝐷 𝑟𝑑