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Apuntes Electrónica I

Tema 6

Transistores MOSFET

6.1 Características constructivas del MOSFET

En un transistor MOSFET, el control de corriente en un dispositivo de canal n ahora se ve afectado


por un voltaje positivo de la compuerta a la fuente en lugar de por los voltajes negativos
encontrados en los JFET de canal n y en los MOSFET tipo empobrecimiento de canal n.

Construcción básica
La construcción básica del MOSFET tipo enriquecimiento de canal Nse muestra en la figura 6.1.
Donde se tiene una barra de material p con una base de silicio y se la conoce como sustrato.

En la figura 6.1 se puede apreciar que existen dos regiones con material tipo N y entre estas dos
regiones no existe un canal que es característico en este transistor

La capa de SiO2 es para aislar la plataforma metálica de la compuerta de la región entre el


drenaje y la fuente

Fig.6.1 MOSFET tipo enriquecimiento de canal N

Operación y características básicas

Si 𝑈𝐺𝑆 = 0 y 𝑈𝐷𝑆 > 0 → 𝐼𝐷 = 0

Si 𝑈𝐺𝑆 > 0 y 𝑈𝐷𝑆 > 0 → 𝐼𝐷 ≠ 0 como se muestra en la fig. 6.2

Para que en el MOSFET pueda existir ID el voltaje UGS debe ser positivo y además mayor a UT
como se muestra en la fig.6.2

UT voltaje de umbral, es positivo y es dato de fabricante que se proporciona a través de las hojas
técnicas (UGS(th))
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Fig.6.2 Formación de un canal en un MOSFET tipo enriquecimiento de canal N

Si VGS constante y se incrementa el nivel de VDS, entonces la corriente de drenaje ID con el


tiempo alcanzará un nivel de saturación, debido al estrangulamiento del canal como se muestra
en la fig.6.3
Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff a los voltajes en las terminales del MOSFET de la figura
6.3, se tiene

𝑈𝐷𝐺 = 𝑈𝐷𝑆 − 𝑈𝐺𝑆

𝑈𝐷𝑆 Voltaje drain source


𝑈𝐷𝐺 Voltaje drain gate
𝑈𝐺𝑆 Voltaje gate source

Si 𝑈𝐺𝑆 = 8 𝑉 y 𝑈𝐷𝑆 = 2 𝑉 → 𝑈𝐷𝐺 = −6 𝑉


Si 𝑈𝐺𝑆 = 8 𝑉 y 𝑈𝐷𝑆 = 5 𝑉 → 𝑈𝐷𝐺 = −3 𝑉

En estas condiciones el canal se reduce hasta el punto de estrangulamiento y se establecerá una


condición de saturación

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Fig.6.3 Cambio del canal y región de empobrecimiento con el nivel creciente de V DS con un valor
fijo de VGS

La tensión de saturación UDS está dada por la siguiente expresión


𝑈𝐷𝑆_𝑆𝑎𝑡 = 𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝑇 6.1

De acuerdo al valor de UGS se tiene varios valores de UDS_Sat como se muestra en la fig.6.4

Cuando UGS=UT=2 V entonces la corriente ID=0 como se muestra en la fig. 6.4

Para valores de UGS menores que el voltaje de umbral, la corriente de drenaje es cero

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Fig.4 Característica de drenaje de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal N con VT=2(V) y


k=0.278x10-3(A/V2)

En la figura 6.4 se puede ver, que a medida que el nivel de VGS se incrementa desde el valor de
VT a 8 V, el nivel de saturación resultante de ID también se incrementa desde un nivel de 0 mA
hasta 10 mA. También en la fig 6.4 se puede ver, la separación entre los niveles de VGS se
incrementa a medida que la magnitud de VGS lo hace, y el resultado son incrementos cada vez
mayores de la corriente de drenaje.

6.2 Características de transferencia

Para niveles de UGS> UT, la corriente de drenaje está relacionada con el voltaje de la compuerta
a la fuente aplicado por la siguiente relación no lineal:

𝐼𝐷 = 𝑘(𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝑇 )2 6.2

Donde k es
𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜)
𝑘= 2 6.3
(𝑈𝐺𝑆(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) − 𝑈𝑇 )

Donde 𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) 𝑈𝐺𝑆(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) son datos de fabricante en las hojas técnicas del dispositivo

En la figura 6.5, las características de drenaje y transferencia se dibuja una al lado de otra, en
donde se puede apreciar la curva de transferencia (ID, UGS) a lado izquierdo con valores de UGS
positivos y la curva característica de drenaje (ID, UDS) esta dibujado a aldo derecho en la fig. 6.5

La curva de transferencia se dibuja con la siguiente expresión


𝐼𝐷 = 𝑘(𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝑇 )2 6.4

Fig.6.5 Curva característica de transferencia de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal N a


partir de la característica de drenaje

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6.3 Polarización del transistor MOSFET

+UDD

RD
R1
IG=0 D
G

UGS S

R2 RS

Fig.6.6 Configuración de polarización por divisor de voltaje para MOSFET tipo enriquecimiento canal N

𝑅2 ∗ 𝑈𝐷𝐷
𝑈𝐺 = 6.5
𝑅1 + 𝑅2

𝑈𝐺 = 𝑈𝐺𝑆 + 𝑈𝑅𝑆 6.6

𝑈𝐺𝑆 = 𝑈𝐺 − 𝑈𝑅𝑆 6.7

𝑈𝐺𝑆 = 𝑈𝐺 − 𝑅𝑆 ∗ 𝐼𝐷 6.8

𝑈𝐷𝐷 = 𝑅𝑑 ∗ 𝐼𝐷 + 𝑈𝐷𝑆 + 𝑅𝑆 ∗ 𝐼𝐷 6.9

𝑈𝐷𝑆 = 𝑈𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∗ (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) 6.10

De las características de transferencia


𝐼𝐷 = 𝑘(𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝑇 )2 6.11

6.4 Amplificadores de señal con MOSFET

+UDD

RD
R1
C2
C1 D
R
G io uo

S
u ui RL
R2 RS
CS

Fig.6.7 Amplificador en fuente común

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R G iO
+ D
+ VGS uO

u ui - gmVGS RL
rD RD
R1
- S
R2

RG R’L

Fig.6.8 Circuito equivalente en pequeña señal para el amplificador en fuente comun

Ganancia de tensión
Del circuito
𝑅′𝐿 = 𝑟𝐷 //𝑅𝐷 //𝑅𝐿 6.12
1
𝑅′𝐿 =
1
+
1
+
1 6.13
𝑟𝐷 𝑅𝐷 𝑅𝐿

𝑢𝑂 = −(𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 )𝑅′𝐿 6.14

𝑢𝑖 = 𝑉𝐺𝑆 6.15
𝑢𝑂
𝐴𝑉 = 6.16
𝑢𝑖

𝐴𝑉 = −𝑔𝑚 ∗ 𝑅′𝐿 6.17

Resistencia de entrada
𝑢𝑖
𝑅𝑖𝑛 = = 𝑅𝐺 6.18
𝑖𝑖

𝑅𝐺 = 𝑅1 //𝑅2 6.19

Resistencia de salida

Para la resistencia de salida de un amplificador, se desconecta la carga, se reemplaza la fuente


de señal por su resistencia interna, y después se calcula la resistencia vista desde los terminales
de salida. El circuito equivalente con estos cambios puede se muestra en la Fig. 6.9
R G
+ D
VGS=0

- gmVGS RO
rD RD

S
RG

Fig.6.9
Donde
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𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑅𝐺 =
𝑅1 + 𝑅2
6.20

Como no existe ninguna fuente conectada a la parte de entrada del circuito, se concluye que
Vgs= 0. Por tanto, la fuente de corriente controlada gmVgs genera una corriente cero y aparece
como un circuito abierto. En consecuencia, la resistencia de salida es la combinación en paralelo
de RD y rd:
1
𝑅𝑂 = 6.21
1⁄ + 1⁄
𝑅𝐷 𝑟𝑑

Jacob Millman, Dispositivos y circuitos electrónicos


R.L. Boylestad, Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos
Muhammad H. Rashid, Circuitos Microelectrónicos: análisis y diseño
Hambley, Electrónica

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