CONFIGURACIÓN DARLINGTON

1. Objetivos

- Determinar las características de operación de un amplificador de corriente.

- Poder comprender el uso de la configuración Darlington.

2. Marco teórico

TRANSISTOR DARLINGTON

Estructura interna, configuración de patillas, ganancia de corriente

El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia
de corriente.
Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es
cascada. Ver la figura.
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.
La ecuación de ganancia de un transistor típico es: IE= β x IB (Corriente de colector es
igual a beta por la corriente de base).
Entonces analizando el gráfico:

Reemplazando en la ecuación anterior el valor de IE1 (ver ecuación (1)) se obtiene la

ecuación final de ganancia del transistor Darlington.

Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un
transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. (la ganancias
se multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 (β = 100) conectados como un
transistor Darlington y se utilizara la fórmula anterior, la ganancia sería, en teoría:

β2 x β1 = 100 x 100 = 10000.

Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor.

Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con
corrientes muy pequeñas.

Muy importante:

La caída de tensión entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios que
resulta de la suma de las caídas de tensión de base a emisor del primer transistor B1 a
E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).

Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran
ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos
transistores normales en la misma configuración.
La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores
individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior.
También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único
transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable.
La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-
emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par
Darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. La intensidad del
colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.

Si β1 y β2son suficientemente grandes, se da que:

Un inconveniente es la duplicación aproximada de la base-emisor de tensión. Ya que hay

dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor
equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:

Para la tecnología basada en silicio, en la que cada VBEi es de aproximadamente 0,65 V

cuando el dispositivo está funcionando en la región activa o saturada, la tensión base-
emisor necesaria de la pareja es de 1,4 V.
Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensión de saturación. El
transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unión base-colector debe permanecer
polarizada en inversa), ya que su tensión colector-emisor es ahora igual a la suma de su
propia tensión base-emisor y la tensión colector-emisor del primer transistor, ambas
positivas en condiciones de funcionamiento normal.

(En ecuaciones, , así siempre.) Por lo tanto, la

tensión de saturación de un transistor Darlington es un VBE (alrededor de 0,65 V en silicio)
más alto que la tensión de saturación de un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2
 V en el silicio. Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en un
aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington comparado con un único
transistor.
Otro problema es la reducción de la velocidad de conmutación, ya que el primer transistor
no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda, haciendo al dispositivo
lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo transistor suele tener una resistencia de
cientos de ohmios conectada entre su base y emisor. Esta resistencia permite una vía de
descarga de baja impedancia para la carga acumulada en la unión base-emisor,
permitiendo un rápido apagado.
3. MATERIALES

- Resistencia.
- Transistor 2N2222
- fuente DC.
- Conectores.
- Protoboard.
- Condensadores electrolíticos
- Multímetro.

Algunas aplicaciones

 En la interfase para conectar la EVM con cualquier equipo de radio, la interfase consta de
dos integrados Darlington ULN2803 que sirven para incrementar la intensidad de las
señales TTL que les llegan, y otros elementos más.
 Cuando se quiere controlar un motor o un relé, necesitas emplear un dispositivo que sea
capaz de suministrar esta corriente. Este dispositivo puede ser un circuito Darlington
 Para alimentar una carga como un pequeño motor de corriente continua.
 Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide impulsada y luces
intermitentes en las máquinas de pinball electromecánico. Una señal de la lógica de unos
pocos miliamperios de un microprocesador, amplificada por un transistor de Darlington,
fácilmente cambia un amperio o más a 50 V en una escala de tiempo medido en
milisegundos, según sea necesario para el accionamiento de un solenoide o una lámpara
de tungsteno
 En resumen se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeñas.
Algunos códigos de circuitos integrados con configuración Darlington son:
NTE2077, NTE2078, NTE2084, NTE2079, NTE2082, NTE2083, NTE2087 y NTE2088.
El TIP120 es un ejemplo de par Darlington, tiene un encapsulado del tipo TO220 como el
de la figura.
La ganancia de corriente según las especificaciones del fabricante es de 1000, y la
máxima corriente que puede circular por el colector es de 5 A.
Además de los dos transistores propios del par Darlington, este dispositivo, lleva un diodo
adicional y un par de resistencias con fines de protección.

4. CIRCUITO

IMPLEMENTAMOS EL CIRCUITO EN EL PROTOBOARD

PROCEDIMIENTO

Mostraremos a continuación los datos teóricos:

Hallamos V A que se nos pide que equivale a hallar el VCE1

Hallamos ahora re1 y re 2 usando β = 100 para ambos transistores

Ahora hallamos el Zi teórico

Ahora hallamos la ganancia de voltaje teórico

Ahora hallaremos la ganancia de corriente:

 2.re 2 
 2. 1.ib1 .  1.R 2 || R1 || R E || R L 
 R3 
i0 R L .( R1  R 2  R E )
Ai  
if  2.r 1 
ib1 . 1. 2. e 2  
 R3  1. 2 
 2.re 2 
  1.R 2 || R1 || R E || R L 
 R3 
 Ai   598.7
 2.r 1 
R L .( R1  R 2  R E ). e 2  
 R3  1. 2 

Ahora la impedancia Zo que viene a ser la impedancia de salida:

CUESTIONARIO FINAL

Cuadro comparativo de datos obtenidos en laboratorio y teóricamente

DATOS V A o VCE1 Zi Ai Av

Laboratorio 6.55 V 7.25M 5.0232 0.867

ohm
Teóricos 6.53 V 7.26M 598.7 0.99
ohm
Estos datos son los que necesitamos comparar ya que son los mas importantes, pero se
obtuvieron más datos que a continuación mostraremos:

Datos VB VC VCC VAC VO Vg If IO

9.11 V 5.42 V 15.0 V 1.15 V 3.12 V 3.60 V 4.3x105 A 2.16 x10 4 A

Luego vemos los siguientes gráficos:

En el canal 1 tenemos la señal de entrada que nos indica el voltaje de entrada en el

circuito representado por el Vg que viene a ser el grafico amarillo.

En el canal 2 tenemos la señal de salida que nos indica el voltaje de salida en el circuito
representado por el Vo que viene a ser el grafico azul.
Notamos que estamos trabajando con una frecuencia de un 1k Hz.

5. RECOMENDACIONES

- Los valores hallados en un simulador al ponerlos en experimentación pues pueden

variar debido a los dispositivos electrónicos que se usen.

- Comprar dispositivos electrónicos de buena calidad ayudaran a que lo

experimental se asemeje más a lo medido en el simulador.

- Fijarse que los instrumentos de medición estén bien calibrados para a la hora de
las mediciones todo este correctamente medido.

- No alarmarse si los datos obtenidos varían demasiado ya que debido a los

dispositivos que se usen esto puede suceder.

- Seguir al pie de la letra el circuito sino no se lograra la configuración Darlington

como se quiere, es indispensable el uso de los transistores correctamente (emisor,
colector y base).

6. CONCLUSIONES

- Vemos que no hay una ganancia de voltaje considerable ya que el circuito se basa
en ganancia de corriente.

- Notamos que los valores teóricos difieren de los experimentales debido a que los
dispositivos tienen un margen de error.

- La configuración Darlington es tanto para ganar voltaje como para ganar corriente.

7. BIBLIOGRAFIA

- www.wikipedia.com/configuración Darlington

- www.monografias.com/configuraciondarlington

- www.slideshare.com/circuitodarlingtonejemplos