Dopaje (semiconductores)

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor

extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado
degenerado.
El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy
pequea. Cuando se agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de tomos) entonces se
dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos) entonces se dice
que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para
material de tipo P.
Elementos dopantes [editar]
Semiconductores de Grupo IV [editar]
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los dopantes ms comunes son elementos del
Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsnico, Fsforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio.
Tipos de materiales dopantes [editar]
Tipo N [editar]
Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin de electrones sin huecos asociados a los
mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el
Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al
semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de los tomos que conforman la estructura original, por lo
que la energa necesaria para separarlo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o
del semiconductor original). Finalmente, existirn ms electrones que huecos, por lo que los primeros sern los portadores
mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de
impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del Fsforo, se dona un electrn.

Dopaje de tipo N
Tipo P [editar]
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos sin que aparezcan electrones
asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o
toman un electrn. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro,
por lo que no modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa de
valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos
que electrones, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que en el
material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrn y, por tanto, es
donado un hueco de electrn.

Dopaje de tipo P
Dopaje en conductores orgnicos [editar]
Artculo principal: Polmero conductor.
Los polmeros conductores pueden ser dopados al agregar reactivos qumicos que oxiden (o algunas veces reduzcan) el sistema,
para ceder electrones a las rbitas conductoras dentro de un sistema potencialmente conductor.
Existen dos formas principales de dopar un polmero conductor, ambas mediante un proceso de reduccin-oxidacin. En el primer
mtodo, dopado qumico, se expone un polmero, como la melanina (tpicamente una pelcula delgada), a un oxidante (tpicamente
yodo o bromo) o a un agente reductor (tpicamente se utilizan metales alcalinos, aunque esta exposicin es bastante menos comn).
El segundo mtodo es el dopaje electroqumico, en la cual un electrodo de trabajo, revestido con un polmero, es suspendido en una
solucin electroltica, en la cual el polmero es insoluble, junto al electrodo opuesto, separados ambos. Se crea una diferencia de
potencial elctrico entre los electrodos, la cual hace que una carga (y su correspondiente ion del electrolito) entren en el polmero
en la forma de electrones agregados (dopaje tipo N) o salgan del polmero (dopaje tipo P), segn la polarizacin utilizada.
La razn por la cual el dopaje tipo N es mucho menos comn es que la atmsfera de la tierra, la cual es rica en oxgeno, crea un
ambiente oxidante. Un polmero tipo N rico en electrones reaccionara inmediatamente con el oxgeno ambiental y se desdopara (o
reoxidara) nuevamente el polmero, volviendo a su estado natural.
Conductores, Aislantes y Semiconductores.




Para facilitar la comprensin de este punto, el de los aislantes, conductores y semiconductores, vamos a describir la Energa de
Fermi, y nos ayudaremos de un diagrama de bandas de energa.

La Energa de Fermi es la energa del nivel ms alto ocupado por un sistema cuntico a temperatura cero.

Un conductor debe tener cargas libres, para que estas al moverse, generen una corriente elctrica, estas cargas libres son los
conductores, y en que en un material sea mejor o peor conductor, tambin influye la temperatura, pues a una alta temperatura
se le da ms energa al material, y esto energa permite que ya haya ms cargas libres ocupando ms estados.


Diagrama de Estados de Energa:


Metales:
Un conductor se caracteriza porque no existe la banda prohibida entre la banda de conduccin y la banda de valencia. Estas dos
bandas son contiguas o se superponen. Por este motivo los electrones requieren poca energa para pasar de Bv a Bc, Al aplicar
un campo elctrico o aumentar la temperatura del conductor los electrones adquieren la suficiente energa para pasar a la
banda de conduccin. Se deduce que el nivel de Fermi est en la banda de conduccin.
Por otro lado, un aumente de la temperatura para facilitar el salto de los electrones y, por tanto, aumentar la conductividad,
tambin produce un incremente en la agitacin trmica de tomos y electrones aumentando los choques entre stos, y, por tanto,
aumentando la resistividad del material.


En general un buen conductor se caracteriza por poseer una densidad alta de portadores de carga y muchos niveles ocupados en
la banda de conduccin.

Aisladores o dielctricos:

Se caracterizan porque a 0 K tienen la banda de valencia completamente llena mientras que la de conduccin est vaca y,
adems, la banda prohibida tiene un ancho de aproximadamente, 10 eV. A temperatura ambiente, la energa extra de origen
trmico que poseen los electrones de valencia es del orden de 0,03 eV, por lo que no tiene la energa suficiente para saltar a la
banda de conduccin. Como resultad, se concluye que existen pocos electrones excitados ocupando los niveles de Bc. La energa
de Fermi se encuentra en medio de la banda prohibida. Un aislador se caracteriza por una densidad casi nula de portadores de
carga y una banda de conduccin vaca.
Semiconductores:

Estn caracterizados por una banda prohibida, Bg, muy estrecha, del orden de 1 eV. A una temperatura de 0 K, todos los
electrones que ocupan los niveles ms altos de energa, se encuentran en la banda de valencia. Por tanto, a 0 K la banda de
valencia est llena y la banda de conduccin est vaca. Como una banda llena no contribuye al mecanismo de conduccin (y una
vaca tampoco), los semiconductores se comportan como un aislante en el cero absoluto.

Al aumentar la temperatura, los electrones adquieren energa trmica y ayudados por la energa que puede proporcionarles un
campo elctrico, adquieren la siguiente energa para saltar a la banda de conduccin y aumentar la densidad d portadores de
carga. Se deduce que la energa de Fermi se encuentra en medio de la banda prohibida. Adems, la conductividad en los
semiconductores depende en gran medida de la temperatura y aumenta rpidamente con T (Al revs que en los metales donde
un aumento de la temperatura resulta un aumento de la resistividad.)


En resumen, un semiconductor se caracteriza por una densidad intermedia de portadores de carga y una banda prohibida
estrecha. La conductividad del semiconductor aumenta si se le proporciona la suficiente energa por cualquier mtodo, de
tal forma que los electrones de la banda de valencia salten a la banda de conduccin.




ARTCULO ACTUALIZADO 2010

J os Luis Giordano
Agosto 15, 2008 (ltima revisin: Agosto 30, 2010)



INTRODUCCIN

La madurez cientfica lograda a partir de la concepcin de la Fsica Cuntica (1900-1927), influy en la teora y en el desarrollo de
reas como

-Electrnica
-Microscopa Electrnica
-Ciencia de Materiales

de forma tal que en la segunda mitad del Siglo XX (a partir de la invencin del transistor entre 1947 y 1951), se produjo una
"explosin" tecnolgica nunca antes vista en nuestra Civilizacin.

Las nuevas aplicaciones y las nuevas posibilidades en las ya existentes, en diversos campos como Energa Nuclear, Medicina e
"Imagenologa", Biologa y Gentica, Telefona y Computacin porttiles, Comunicaciones y Astronutica, Fsica de Partculas y
Astrofsica, Astronoma y Radioastronoma, potenciaron el desarrollo de una serie de invenciones en:

-Aparatos y componentes electrnicos de "Estado Slido"
-Sistemas, Equipos y Accesorios Computacionales
-Tcnicas de Miniaturizacin y Micro/Nano-Instrumentos

A su vez, la existencia de estos nuevos aparatos, sistemas y tcnicas, han realimentado nuevamente a la Electrnica, la Microscopa
y la Ciencia de Materiales, con la potencialidad de un nivel cientfico y tecnolgico an mayores.

Dentro de los materiales que hicieron posible esta revolucin, no solo tecnolgica sino tambin cientfica que transform nuestra
Civilizacin en medio siglo, los ms relevantes son los "Semiconductores", materiales esencialmente de dos clases: tipo-n y tipo-
p, que con diferentes configuraciones, dan origen a muchsimos dispositivos electrnicos, livianos y ultra pequeos, sin calefaccin
y de bajo consumo, compactos y sin partes mecnicas, casi sin desgaste ni fallas, que no requieren mantencin, extremadamente
rpidos, fabricables y soldables automticamente y en serie, miniaturizables e integrables en gran escala, econmicos y fciles de
adquirir, y adems, capaces de realizar funciones nuevas, que no eran posibles con la tecnologa electrnica anterior, basada en las
"vlvulas" termoinicas (tambin denominadas "lmparas" o "tubos" termoinicos") que tienen un calefactor, son voluminosas,
frgiles y funcionan con voltajes en general superiores a los 300 V.

En este artculo se describen los semiconductores tipo-n y tipo-p, para poder describir despus (en otros artculos), algunos
dispositivos de estado slido como , diodos, transistores bipolares, tiristores, triacs, FETs, LEDs y diodos laser, fotoresistores,
fotodiodos, fototransistores y celdas solares (ver Fig. 1).



Fig. 1: Algunos componentes electrnicos de estado slido. De izquierda a derecha:
Fila superior: Seis indicadores luminosos VLEDs (diodos emisores de luz visible);
Fila central: a la izquierda se ven dos circuitos integrados (IC) de 3 terminales, sensores de campo magntico por efecto Hall. En
el centro un diodo rectificador (negro) y un diodo zener. A la derecha un amplificador operacional (3140) encapsulado en un "chip"
o circuito integrado (IC);
Fila inferior: a la izquierda un elemento de conmutacin AC (triac). En el centro un elemento de disparo (diac) y un IC
temporizador (555). A la derecha un IC regulador de voltaje programable, positivo, de tres terminales.



1-QU ES

Un semiconductor no es un material que "est entre los aislantes y los conductores". Si bien es cierto que el valor de la
conductividad elctrica de un dado semiconductor est entre el valor de la conductividad de un aislante y el valor de la
conductividad de un conductor, no se puede decir que sea un "material intermedio". Se pueden tener conductividades intermedias
por ejemplo, mojando una madera con agua salada, pero eso no es un semiconductor.

Un aislante (como el vidrio Pyrex o el plstico PVC) no permite el paso de corriente elctrica, mientras que un conductor (como
el aluminio o el cobre) permite el flujo de cargas elctricas con facilidad. Los materiales semiconductores de un transistor tambin
permiten el flujo de corriente elctrica, pero las condiciones, el mecanismo y las caractersticas de conduccin son muy diferentes;
un semiconductor es otro tipo de material que permite otra forma de conduccin elctrica.

Fundiendo la arena del desierto, se obtiene un buen material aislante (basado justamente en silicio). Fundiendo toneladas, se
obtiene ms y ms material para fabricar aisladores para diferentes aplicaciones.
Anlogamente, extrayendo minerales de ciertas minas, despus de algn procesamiento, se obtiene un conductor, un material que
conduce la corriente elctrica. Procesando el cobre, a partir de planchas se fabrican millones de metros de cables conductores.
Pero un material semiconductor no es tan simple. Por el contrario, es muy sutil y complejo. Es un material con diseo a nivel
atmico. Parece simple, homogneo, comn. Pero no lo es. Y lo mismo puede decirse de un dispositivo semiconductor, el que
posee un complejo diseo con materiales semiconductores. Se puede pensar sin exagerar que, sin ninguna duda, el diseo de los
materiales y los dispositivos semiconductores es una de las caractersticas del grado tecnolgico de cualquier civilizacin avanzada
que exista en el Universo.

Entender el fenmeno de conduccin no es fcil. Pero de todos modos, en un metal, la conduccin se puede entender con un
modelo clsico (como la Teora de Drude), donde los electrones de la corriente elctrica se mueven "arrastrados" por el campo
elctrico, entre colisiones con los iones fijos a la red cristalina ms o menos homognea del slido metlico. Pero la conduccin en
un semiconductor no es tan fcil de entender; es un fenmeno menos intuitivo, solo comprensible usando conceptos cunticos,
como
-Spin,
-Principio de Exclusin de Pauli,
-Niveles discretos de energa,
-Nivel de Fermi,
-Funcin de distribucin de Fermi-Dirac, y
-Ancho de la banda de "energa prohibida" (o gap).

En un conductor slido, los tomos se encuentran unidos mediante "enlaces metlicos", donde hay portadores de carga que pueden
moverse en todo el material (electrones libres, no localizados, aportados por las bandas de valencia de los tomos individuales). En
un conductor, las impurezas y defectos microestructurales perjudican la conduccin elctrica, aumentan la resistividad del material.
Por el contrario, en un semiconductor los portadores de carga provienen de las impurezas, artificialmente agregadas en forma
controlada. Las impurezas no solo mejoran la conduccin en un semiconductor, sino que son las reponsables de ella!

Los portadores de carga en los metales son los electrones de valencia aportados por los tomos del material. Son cargas con un
solo tipo de signo: negativo, mientras que los semiconductores tienen de los dos tipos de carga. Tienen portadores negativos, que
son electrones no enlazados (con movilidad diferente a la de los electrones libres en un metal), y tambin hay enlaces sin realizarse
(denominados "agujeros", "hoyos", "huecos", "lagunas" o holes en ingls), que actan como portadores de carga positivos.
Un material semiconductor donde la mayora de los portadores de carga son negativos, se llama semiconductor tipo-n, y si la
mayora de los portadores de carga son positivos, se llama semiconductor tipo-p.
En un semiconductor tambin hay portadores de carga generados trmicamente, debido a enlaces rotos por la agitacin trmica a
una temperatura T > 0 K. Tambin pueden haber portadores de carga generados por la absorcin de fotones de luz. Estos enlaces
rotos se convierten en un par agujero-electrn libres, que intervienen activamente en sus propiedades elctricas.

Entonces, puede decirse que un semiconductor es un material formado a partir de un material puro que intrnsecamente no tiene
portadores de carga libres, pero que est "dopado" con cierta cantidad de cierto tipo de impurezas, que lo convierten en un material
capaz de conducir corriente elctrica de un modo particular. En general, este modo de conduccin es similar a los metales en
cuanto a:

(1) la mayora de los portadores de carga son negativos (si el semiconductor es tipo-n),
(2) conducen sin descomponerse qumicamente,
(3) la corriente fluye con cierta facilidad (aunque con mayor resistencia que en los metales),

pero que por otro lado, tiene otros aspectos que no tiene la conduccin en metales:

(4) tienen portadores de carga positivos (que son mayoritarios si el semiconductor es tipo-p, pero que tambin existen, aunque en
menor proporcin, si es tipo-n),
(5) su conductividad elctrica en general aumenta con la iluminacin de luz visible (mientras que en un metal, la luz visible no
cambia su conductividad),
(6) a mayor temperatura su conductividad elctrica aumenta exponencialmente (al revs que los metales, donde su resistividad
aumenta casi linealmente con la temperatura).
(7) Las caractersticas de conduccin (como las curvas corriente vs. voltaje en los dispositivos) dependen de las configuraciones
entre materiales semiconductores, gradientes, concentraciones y tipos de impurezas, proximidad, contacto o unin, etc. Las otras 6
caractersticas recin mencionadas, parecen referirse al semiconductor como un material homogneo. No es as. Los
semiconductores que hay en un solo dispositivo, tienen un complejo diseo mecnico, fsico y hasta atmico.
(8) Las caractersticas de conduccin mencionadas, no solo dependen de lo que hay en un dispositivo semiconductor, sino que
tambin pueden depender de los flujos de cargas en determinadas regiones, los que modifican el estado de conduccin de otra
regin. Dependen del orden, secuencia o historia en que se han aplicado voltajes o corrientes. En los semiconductores aparece el
concepto de "disparo", como por ejemplo en los SCR, que cuando han empezado a conducir, ese estado persiste hasta que
desaparezca el voltaje aplicado.

Estas 2 ltimas caractersticas (7 y 8), separan mucho a los semiconductores de un simple material homogneo que conduce ms o
menos corriente. Los "simples y econmicos" dispositivos semiconductores, tienen una estructura y comportamiento demasiado
complejos y sutiles. Son una maravilla cientfica y tecnolgica, a los que en general, no se les presta la merecida atencin.



2-PARA QU SIRVE

Los semiconductores tipo-n y tipo-p sirven para construir una infinidad de dispositivos electrnicos (limitados casi nicamente por
la imaginacin!), aprovechando propiedades que tienen las diferentes formas de unin, tipos de gradiente y de concentracin de
impurezas, y de proximidad entre capas tipo-n y tipo-p. Segn la funcin especfica, los dispositivos semiconductores pueden
clasificarse como sigue:

1) Rectificadores, Amplificadores y Conmutadores (como los diodos, transistores bipolares y FETs, tiristores y triacs)
2) Termosensibles (como los NTC y PTC RTDs y los pigmentos termocrmicos)
3) Magnetosensibles (como los elementos Hall para sondas de campo magntico)
4) Termoelctricos (como los mdulos Peltier)
y los dispositivos fotnicos:
5) Electroluminiscentes (como los LEDs y los diodos laser)
6) Fotoconductores y Fotodiodos (como los LDRs, fotodiodos y fototransistores)
7) Fotovoltaicos (como las celdas y paneles solares)

Los semiconductores pueden ser diseados para emitir o absorber radiacin electromagntica ultravioleta (UV), visible (VIS) e
infrarroja (IR), en dispositivos muy compactos, resistentes y estables.

Se podra decir que en la segunda mitad del Siglo XX la Humanidad comenz "La Edad del Semiconductor". Casi todos los
aparatos tienen semiconductores: relojes, calculadoras, radios, amplificadores, telfonos, dimmers de iluminacin, computadores,
pendrives, circuitos para automviles, aviones, tostadores, lavadoras, calderas, detectores de humo, sensores de movimiento y
alarmas, etc. Los semiconductores se usan en paneles solares, en sensores de luz visible e infrarojo (en controles remoto y
detectores de movimiento), termmetros criognicos (investigacin e industria), termmetros pticos (pirmetros en medicina e
industria), sistemas de fibras pticas y satlites (comunicaciones, astrofsica y meteorologa), punteros laser, indicadores
luminosos, LEDs (linternas, automviles y semforos), mdulos termoelctricos (refrigeradores y calentadores), etc. etc. etc. !!!


3-DE QU EST HECHO

Los primeros semiconductores se fabricaron con cristales de alta pureza de germanio y de silicio con impurezas de los elementos
vecinos en la Tabla Peridica. El germanio y el silicio son elementos qumicos de la columna 14 en la Tabla Peridica, "Grupo
IV-A": C (carbono), Si (silicio), Ge (germanio), Sn (estao), Pb (plomo), con 4 electrones de valencia.

Las impurezas para "dopar" al Ge o al Si convirtindolo en un semiconductor tipo-n son tomos de elementos del siguiente, el
Grupo V-A de elementos con 5 electrones de valencia, como fsforo (P), arsnico (As) y antimonio (Sb).

Por otro lado, para convertirlos en un semiconductor tipo-p, se dopan con impurezas de elementos del grupo anterior, el Grupo III-
A de elementos con 3 electrones de valencia, como boro (B), aluminio (Al), galio (Ga) o indio (In).

Dentro de los semiconductores basados en elementos del Grupo IV-A, como el Ge y el Si, tambin hay compuestos, como el
carburo de silicio (SiC) cristalino.

A pesar que los primeros semiconductores desarrollados se basaron en el Ge, "La Edad del Semiconductor" ha estado dominada
(casi hasta el presente) por el Si (principalmente por tener mejores propiedades elctricas y trmicas). Pero las necesidades de
diferentes propiedades en cuanto a emisin y absorcin de luz (UV, VIS e IR), impulsaron el desarrollo de nuevos compuestos. El
ms difundido entre los dispositivos es el arseniuro de galio (GaAs), un compuesto del "Grupo III-V", entre elementos del
Grupo III-A (como el Ga) y el Grupo V-A (como el As).

Esta familia de compuestos III-V es muy grande e importante. Entre los ms relevantes, adems del GaAs, estn el nitruro de galio
(GaN), fosfuro de galio (GaP), fosfuro de indio (InP), arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs), arseniuro y fosfuro de galio
(GaAsP) y antimoniuro de indio (InSb).

Las impurezas para dopar a los compuestos III-V convirtindolos en tipo-n son tomos de elementos del Grupo VI-A, con 6
electrones de valencia, como azufre (S), selenio (Se) y telurio (Te), y para convertirlos en un semiconductor tipo-p, se dopan con
impurezas de elementos del Grupo II-B, con 2 electrones de valencia, como zinc (Zn) y cadmio (Cd).

Tambin existen compuestos semiconductores del Grupo II-VI, como el sulfuro de cadmio (CdS) utilizado en fotoresistencias, y
del Grupo V-VI como el bismuto-telurio (Bi
2
Te
3
), que fuertemente dopados tienen propiedades tiles en la construccin de
mdulos termoelctricos.


4-CMO FUNCIONA

En un slido, los tomos tienden a estar enlazados formando configuraciones estables de menor energa. Los enlaces tienden en
general, a compartir (de un modo complejo) los electrones de valencia (los que intervienen en las reacciones qumicas), para que
cada tomo complete 8 electrones en esa ltima capa electrnica. La intensidad y tipo de enlace (inico, metlico, covalente o
secundario) entre tomos y molculas dependen de muchos factores. Hay una competencia simultnea entre fuerzas de largo
alcance y de atraccin coulombiana (elctrica) de capas electrnicas (negativas) con los ncleos atmicos vecinos (positivos), y
fuerzas de corto alcance de repulsin.
La separacin entre tomos est determinada por el equilibrio alcanzado entre las fuerzas atractivas y las repulsivas, a travs de los
enlaces. La configuracin final que adoptan los tomos al formar un slido bajo ciertas condiciones externas (de presin, gravedad,
temperatura, humedad, atmsfera, iluminacin, vibraciones, etc.) es la disposicin que requiera mnima energa para formarse y
mantenerse.

En el caso de los metales (como el cobre), tienen enlaces metlicos donde hay electrones libres no localizados, que pueden
moverse a lo largo y ancho de todo el material. Esto es lo que hace que los metales sean "conductores".

Por otro lado, elementos como el C, el Ge y el Si, son elementos qumicos del Grupo IV-A que necesitan 4 electrones en su ltima
capa de electrones de valencia para completar el mximo de 8, que les dara estabilidad qumica. Pero como a su vez tienen 4
electrones en esa capa, tienen tendencia a formar enlaces covalentes con 4 tomos vecinos, con los que comparten electrones. Esto
significa que esos electrones compartidos estarn ms fuertemente ligados, por lo que no se movern fcilmente dentro del
material.
Entonces, los tomos de C, Ge y Si bajo ciertas condiciones, forman slidos a travs de enlaces covalentes, donde los electrones se
comportan como si cada tomo tuviese los 8 electrones que completan la capa de valencia: 4 propios y 4 de los 4 tomos vecinos.
De este modo: (1) no hay electrones disponibles para la conduccin elctrica (porque estn ligados en enlaces covalentes), y
adems, (2) no hay lugares para nuevos enlaces (o sea, no quedan enlaces sin realizarse).

Esto significa que si tenemos una barrita de Ge puro a 0 kelvin (-273.15
o
C) y le ponemos en sus extremos cables conectados a una
batera, en el interior del Ge habr un campo elctrico debido a la proximidad de los extremos colocados a diferente potencial
elctrico. Pero este campo elctrico no ser suficiente para acelerar los electrones de valencia del Ge, porque en general se requiere
mucha ms energa para desligarlos de los enlaces covalentes. En otras palabras: no habr corriente elctrica porque no hay ni
enlaces sin realizarse ni electrones libres, necesarios para la conduccin.
Entonces, los cristales de Ge y de Si perfectos y puros (i.e., sin defectos y sin estar "dopados" con impurezas), y a una temperatura
de 0 K, no son semiconductores sino aislantes. Se denominan "semiconductores intrnsecos". Estos materiales no permiten el flujo
de electricidad, y por lo tanto hace falta hacerles algo ms para poder fabricar con ellos, dispositivos que puedan conducir corriente
elctrica.

De todos modos, en la prctica el cristal tiene imperfecciones, impurezas y se encuentra a una temperatura T como la ambiente
(unos 300 K ms). La energa trmica hace que se rompan algunos enlaces en el cristal semiconductor, formando pares agujero-
electrn libre, es decir, electrones deslocalizados y libres, y agujeros o enlaces sin realizarse. En los semiconductores intrnsecos
(puros) la concentracin de electrones libres n
i
es igual a la de agujeros. Esta concentracin se denomina "concentracin intrnseca"
n
i
y aumenta con la temperatura.

Debido a que en un semiconductor la conductividad est determinada por la concentracin de los portadores de carga,
conforme aumenta la temperatura T del material, la densidad de pares agujero-electrn aumenta, y por lo tanto tambin aumenta la
conductividad elctrica del semiconductor (6 y 8%/
o
C en Ge y Si respectivamente). As, mientras que en un metal la resistividad
elctrica aumenta con la temperatura casi linealmente con 0.4%/
o
C, en un semiconductor decrece exponencialmente. Esta
propiedad se utiliza en la fabricacin de ciertos sensores de temperatura semiconductores (termistores).

Entre la generacin y la recombinacin, los tiempos de vida media
n
y
p
de los electrones libres y de los agujeros, varan entre
nano y microsegundos. Estos son parmetros fundamentales en los dispositivos, porque representan el tiempo que debe transcurrir
para que las concentraciones de agujeros y de electrones libres vuelvan al equilibrio despus de haber sido afectadas por corrientes
y voltajes. Esto es crucial en el desarrollo de dispositivos ultrarpidos para muy alta frecuencia (giga y terahertz), para
computacin, astrofsica y en comunicaciones. Los fabricantes de dispositivos semiconductores emplean frecuentemente oro como
agente de recombinacin, para conseguir el tiempo de vida medio deseado.

Un semiconductor intrnseco a 0 K no tiene ni electrones libres ni enlaces vacantes para la conduccin, pero si se le han agregado
cierto tipo de impurezas, se vuelve "semiconductor extrnseco" (tipo-n o tipo-p).
Un semiconductor tipo-n del Grupo IV-A se obtiene dopando al material intrnseco con elementos del Grupo V-A (como P, As,
Sb). Este nuevo material posee 1 de los 5 electrones de los tomos de las impurezas, sin ligar a ningn tomo (ya que las ltimas
capas de los vecinos estn completas con 8 electrones).
Lo importante es que la energa que le cuesta a esos electrones ligados a un solo tomo, para alcanzar la banda de conduccin, es
muy pequea, y por lo tanto, pueden acelerarse con un potencial elctrico exterior y dejar el tomo al que pertenecen. Luego, a otro
electrn prximo, aunque est ligado le cuesta menos energa ocupar el nivel del anterior. Y as sucesivamente se van moviendo y
formando una corriente elctrica.

Por el contrario, un semiconductor tipo-p del Grupo IV-A se obtiene dopando al material intrnseco con elementos del Grupo III-
A (como B, Al, Ga, In). Debido a que los tomos de estas impurezas aportan un electrn menos, queda alguna capa con 7
electrones de valencia (en vez de 8), o sea, con afinidad para captar un electrn. Este "enlace sin realizar" es lo que se denomina
"agujero".
Entonces, cuando este material se somete a una diferencia de potencial elctrico, a los electrones cercanos les cuesta menos energa
dejar su enlace y pasar a uno similar ocupando ese agujero. Pero al hacerlo, las cargas negativas que se mueven, dejan un nuevo
agujero detrs. De este modo, el electrn de valencia que se movi dej detrs suyo otro agujero, que ser ocupado por otro
electrn, y as sucesivamente. Macroscpicamente, el efecto neto es el de un agujero movindose en contra de la corriente
electrnica, como si fuese un portador de carga positivo.
Lo ms sorprendente es que cuando se hace el experimento (mediante el Efecto Hall), se comprueba que los portadores de carga en
un semiconductor tipo-p son -sin ninguna duda- positivos !! (aunque el cable metlico que transporta la corriente, conectado a uno
y a otro extremo del semiconductor, transporte cargas negativas). As es que a los agujeros se los trata como a cargas positivas, con
la correspondiente masa y movilidad efectivas.

En estos materiales, la concentracin de portadores de carga mayoritarios es aproximadamente igual a la densidad de
tomos de impurezas.
Es decir, en un material tipo-n, la concentracin de electrones libres n
n
es aproximadamente igual a la densidad N
D
de tomos
"donadores" (donors en ingls).
Anlogamente, en un material tipo-p, la concentracin de agujeros p
p
es aproximadamente igual a la densidad N
A
de tomos
"aceptadores" (acceptors). Por lo tanto, el proceso de colocar impurezas en los semiconductores, aumenta la conductividad
elctrica y es fundamental en el diseo de las propiedades elctricas de los dispositivos de estado slido.

El comportamiento de un semiconductor se puede ver desde un punto de vista ms cuantitativo. En tomos aislados, la Fsica
Cuntica predice que las capas electrnicas alrededor de los ncleos atmicos se encontrarn separadas del ncleo atmico por
ciertas distancias, asociadas a valores de energa. Cuando se consideran tomos de Si o de Ge en un slido (en vez de tomos
aislados), la teora muestra que los valores o niveles discretos de energa se "comprimen" tanto que forman "bandas" continuas de
niveles de energa que los electrones pueden tener, separadas por otras bandas de valores no permitidos de energa, es decir, bandas
de "energa prohibida" que los electrones no pueden tener.

Las ltimas 3 bandas (de mayor energa) para los electrones en los slidos, son:
-Banda de valencia, la banda con niveles de menor energa de las 3, llena con los electrones de la ltima capa de cada tomo;
-"Banda de energa prohibida", cuyo ancho E
G
se denomina gap, en el medio de las otras dos, con valores de energa que no
pueden tener los electrones en ese material;
-Banda de conduccin, la ltima banda de niveles con mayor energa de las 3, vaca.
Un electrn de la banda de valencia que se acelere y forme parte de una corriente elctrica dentro del material, tendr un valor de
energa correspondiente a esta banda de conduccin. Por el contrario, si la energa disponible para acelerar al electrn de mayor
energa dentro de la banda de valencia, no alcanza para superar el valor E
G
para estar en los valores de conduccin, entonces
ningn electrn de la banda de valencia podr acelerarse.

Una unidad de energa cmoda para expresar el valor E
G
del gap es el electronvolt (eV). El gap es una de las propiedades ms
importantes para caracterizar los materiales desde el punto de vista de la conduccin elctrica y de las propiedades pticas.
Un conductor no tiene gap (E
G
= 0 eV). Por eso un pequeo potencial elctrico acelera electrones de la banda de valencia
llevndolos a la de conduccin, y se produce la corriente elctrica en un metal.
Por el contrario, un aislante tiene un gap mucho ms difcil de superar, tpicamente E
G
> 3 eV. Por eso, a pesar que el carbono es
de la misma familia, no sucede lo mismo que con el Si y el Ge.
Un semiconductor tiene en general 0.1 eV < E
G
< 2 eV a 300 K, y dentro de esta banda continua de energa prohibida, estn los
niveles discretos de energa permitidos de las imperfecciones y las impurezas que dopan al material. Esto es una banda muy
delgada de energa prohibida, y es por eso que la conduccin en los semiconductores es sensible no solo al potencial elctrico, sino
tambin a la temperatura, a la iluminacin y a la presin sobre el material.

A T > 0 K se estn generando y "recombinando" pares agujero-electrn permanentemente. El mecanismo ms importante por el
que se recombinan se realiza a travs de los "centros de recombinacin", los cuales introducen estados de energa posibles o
permitidos, dentro del rango del gap del material. En los semiconductores tipo-n, los electrones disponibles para la conduccin
tienen una energa dentro del gap, muy cercana a la banda de conduccin (0.01-0.05 eV). Esos niveles de energa ocupados que
fueron provistos por las impurezas, son los niveles donadores desde donde "saltan" los electrones hacia la banda de conduccin.
Por otra parte, en los semiconductores tipo-p, las impurezas proveen un nivel permitido desocupado, dentro del gap pero de menor
energa que los donadores, ms cercano a la banda de valencia. Estos son los niveles aceptadores hacia los que "saltan" los
electrones desde la banda de valencia, cuando son acelerados por un campo elctrico exterior.