Equipo “B”

García López Juan Carlos.

Torres González Cristian

Examen Parcial No. 2. Curso Física de dispositivos con

Semiconductores.
Temas: Unión P-N. Diodos Schottky
Sábado 15-Domingo 16 octubre 2022
I. PREGUNTAS. (Expliquen su respuesta brevemente)
A. Unión P-N:

1. Hagan un diagrama de bandas en equilibrio de una unión P+N. Identifiquen y

comenten sobre los parámetros electrostáticos más importantes, así como, su relación
entre ellos. 𝑉𝑏𝑖 , campo eléctrico, nivel de Fermi, Región Carga del espacio, etc. (4ptos)

2. Hagan diagramas de bandas de una unión PN en polarizacion directa e inversa.

¿Cuáles serían las consecuencias de estas polarizaciones? (4ptos)

1
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3. Mencionen las no idealidades más importantes en los diodos de unión p-n. (2ptos)

Dentro de las no idealidades más importantes se encuentra que en polarización inversa

existe un flujo de corriente en la unión, además, si el voltaje de polarización es superior
al voltaje de ruptura (tensión en la cual el diodo el diodo empieza a conducir corriente
de forma significativa en polarización inversa) es altamente probable que se destruya la
unión PN y el componente quede inservible

3. Deriven una ecuación I-V del diodo de unión p-n cuando existen resistencias en serie.
(4ptos)

𝑉𝐷 = 𝑉𝑗 + 𝐼𝐷 𝑟𝑠
𝑉𝑗 = 𝑉𝐷 − 𝐼𝐷 𝑟𝑠
𝑞𝑉𝑗
( )
𝐼𝐷 = 𝐼0 ⋅ 𝑒 𝑘𝑇
𝑞(𝑉𝐷 −𝐼𝐷 𝑟𝑠 )
( )
𝐼𝐷 = 𝐼0 ⋅ 𝑒 𝑘𝑇

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𝐼𝐷 𝑞(𝑉𝐷 −𝐼𝐷 𝑟𝑠 )
( )
=𝑒 𝑘𝑇
𝐼0
𝐼𝐷 𝑞(𝑉𝐷 − 𝐼𝐷 𝑟𝑠 )
ln ( ) =
𝐼0 𝑘𝑇
𝑘𝑇 𝐼𝐷
𝑉𝐷 = ln ( ) + 𝑉𝐷 − 𝐼𝐷 𝑟𝑠
𝑞 𝐼0

3. Comenten sobre las capacitancias diferenciales de la unión p-n en relación con la

polarización y el dopado de las uniones. (4ptos)
La capacitancia diferencia l es directamente proporcional a la permitividad del material
y el área transversal de la misma mientras que es inversamente proporcional al ancho de
la región de deflexión, la región de deflexión es directamente proporcional al voltaje de
polarización e inversamente proporcional a la densidad del dopado

4¿Porque es importante estudiar la unión p-n? (4ptos)

La importancia de la unión PN radica en el hecho de que cualquier dispositivo
semiconductor de 3 o más terminales se puede modeladar como una mezcla de varias
uniones P-N el comprender el principio básico de una unión PN ayuda a comprender el
cómo interactúan en conjunto esta mezcla de uniones PN

B. Dispositivos Unipolares:

5. Mencionen al menos tres dispositivos bipolares y tres unipolares. ¿Cuál es la

principal diferencia entre ellos y sus consecuencias? (6 ptos)
Los dispositivos bipolares tienen un flujo de portadores de carga minoritarios y
mayoritarios al mismo tiempo, mientras que los unipolares solo hay un flujo de
electrones mayoritarios.
Unipolares
-Diodo Shottky
-JFET
-MOSFET
Bipolares
-TBJ
-Tiristor
-IGBT

6. La corriente de saturación en los diodos Schottky son superiores a las de las uniones
p+n en materiales que utilizan el mismo material semiconductor. ¿Expliquen el porqué
de esta afirmación? (2ptos). Hagan un diagrama de bandas en equilibrio del diodo
Schottky sobre un substrato tipo n. Identifiquen y comenten sobre los parámetros del
diagrama: Campo electrico, qVbi, qVn, Campo electrico, etc. (4 ptos)

Si un metal y un semiconductor se encuentran próximos algunos electrones del metal se

moverán al semiconductor y viceversa sin embargo desde que la barrera de electrones
que se escapan del metal es mayor a la de los electrones escapando del material

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semiconductor en equilibrio térmico el metal tendrá carga negativa mientras que el

semiconductor carga positiva creando un dipolo muy similar a una unión PN.
La corriente de saturación en un diodo Schottky es mucho mayor la barrera de la unión
metal semiconductor es mucho menor a la de las uniones PN en una unión PN, la
barrera que separa los electrones de la banda de conducción del material tipo N a el
fondo de la banda de conducción del material tipo P es del tamaño de la energía gap
mientras que en un diodo Schottky esta barrera es únicamente de dos terceras partes o
menos.
Diagrama de bandas en equilibrio del diodo Schottky sobre un sustrato tipo n

Recordando que
2
𝑞Φ𝐵𝑛 ≈ 𝐸𝑔
3
𝑞𝑉𝑏𝑖 = 𝑞(Φ𝐵𝑛 − 𝑉𝑛 )
𝑞𝑉𝑛 = 𝐸𝑐 − 𝐸𝑓

7).¿Cuál es y porque las diferencias entre un diodo Schottky y un contacto Ohmico, si

las dos estructuras son un contacto metal-semiconductor? . (4ptos).
En diodo Schottky se usa metales que formen soluciones solidas a bajas temperaturas
para eliminar los efectos de los estados interfaciales, dicha soluciones le permite al
diodo Schottky trabajar como un diodo rectificador, pero con una frecuencia de trabajo
mucho mayor a la del diodo rectificador PN.

En un contacto óhmico lo que se busca es una unión metal semiconductor con una
resistencia y caída de tensión despreciables con relación a las del dispositivo, debe de
tener un funcionamiento lineal que obedezca a la ley de Ohm

Para obtener un contacto óhmico lo que se hace es partir de un diodo Schottky al cual el
semiconductor es altamente dopado ya que, a niveles de podado altos la delgada capa
de deflexión genera un efecto túnel.

PROBLEMA 1. (Figura 1)
a) Se requiere reducir la capacitancia diferencial a cero Volts, de un diodo Schottky W-
Silicio, en un 30% de su valor original: C1=1.28 nF, reduciendo su área. El diodo original se
construyó sobre una capa epitaxial de silicio tipo n con una resistividad de 4 ohm-cm
(ND=1x1015 cm-3) crecida sobre un substrato n++ de 0.001 ohm-cm. El valor de ΦBn medido

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experimentalmente fue de 0.66 Volts. Calculen el voltaje VF1 del diodo de referencia a una
corriente de 9A, si la resistencia serie medida experimentalmente fue de 0.010 ohms. ¿Cuál
sería el valor de VF2 para el nuevo diodo, con una reducción del 30% en capacitancia, si la
corriente de medición del diodo (Amps) permanece constante e igual al valor del diodo
original? Pista: ¿Cuál sería el nuevo valor de la resistencia serie? Desprecien el valor de la
resistencia serie del substrato n++. (25 pts)
Datos: A*=110 (cm-2 K-2), T=300 (oK), kT=0.026 (eV), 2εs/q=1.29E7 (V-cm) -1, ni =1E10
(cm-3), εs =1.0E-12 (Fd/cm), Eg =1.1 eV. Nc=2.25x1019 cm-3. A1=0.09 cm2.
b) Supongan que el valor de VF2, en el problema 1(a), fue inaceptable para la gerencia, sin
embargo, la idea de reducir el área es bienvenida (más diodos fabricados por oblea), y se
puede aceptar una cualesquiera capacitancia menor a la del diodo de referencia. ¿Qué
estrategia propondrían para llevar a cabo esta nueva propuesta? (5 ptos adicionales para la
calificación del examen para el que haga esta parte del problema)

Para la primera parte. “Calculen el voltaje VF1 del diodo de referencia a una corriente de
9A, si la resistencia serie medida experimentalmente fue de 0.010 ohms”
𝐼𝐷 = 6[𝐴]
𝑟𝑠 = 0.010 [Ω]
𝑉𝐹1 = 𝑉𝐷 + 𝑉𝑟𝑠
𝑉𝑟𝑠 = 𝐼𝐷 𝑟𝑠 = (6[𝐴]) ∗ (0.010 [Ω])
𝑉𝑟𝑠 = 0.06[𝑉]

𝑞𝑉𝐷 𝑘𝑇 𝐽
𝐽 = 𝐽𝑠 (𝑒 ( 𝑘𝑇 ) − 1) → 𝑉𝐷 = 𝑙𝑛 ( + 1)
𝑞 𝐽𝑠
𝑞Φ𝐵𝑛 𝐴 (0.66[𝑉]) 𝜇𝐴
2 (−0.026[𝑒𝑉])
𝐽𝑠 = 𝐴∗ 𝑇 2 𝑒 (− 𝑘𝑇
)
= (110 [ ]) (300[𝐾]) 𝑒 = 85.083 [ ]
𝑐𝑚2 𝐾 2 𝑐𝑚2
𝐼 6[𝐴] 𝐴
𝐽= = = 66.66 [ ]
𝐴 0.09[𝑐𝑚2 ] 𝑐𝑚2
66.66
𝑉𝐷 = (0.026[𝑉]) (ln ( + 1)) = 0.3529[𝑉]
85.083𝑥10−6

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𝑉𝐹1 = 0.3529[𝑉] + 0.06[𝑉]

𝑉𝐹1 = 0.4129[𝑉]

Para la parte 2, “.
¿Cuál sería el valor de VF2 para el nuevo diodo, con una reducción del 30%
en capacitancia, si la corriente de medición del diodo (Amps) permanece constante e igual al
valor del diodo original? Pista: ¿Cuál sería el nuevo valor de la resistencia serie? Desprecien
el valor de la resistencia serie del substrato n++. (25 pts)”
C1=1.28 nFd
𝜀𝑠 𝐴
𝐶(𝑉) =
2𝜀𝑠
√
𝑞𝑁𝐷 (𝑉𝑏𝑖 − 𝑉)

𝜀𝑠 𝐴1
𝐶(0) = = 𝐶1
2𝜀
√ 𝑠 (𝑉𝑏𝑖 )
𝑞𝑁𝐷

2
𝐹𝑑
1𝑥10−12 [ ] (0.09 [cm2 ])
2 ( 𝑐𝑚 )
𝜀𝐴
𝑠 1 1.28x10−9 [Fd]
( 𝐶 )
1
𝑉𝑏𝑖 = = = 0.3832[𝑉]
2𝜀 1 1
(𝑞𝑁𝑠 ) (1.29𝑥107 [𝑉𝑐𝑚]) ( )
𝐷 1x1015 [cm−3 ]

𝜀𝑠 𝐴2
𝐶2 = 0.7𝐶1 =
2𝜀𝑠
√
𝑞𝑁𝐷 (𝑉𝑏𝑖 )
2𝜀
0.7𝐶1 √𝑞𝑁𝑠 (𝑉𝑏𝑖 )
𝐷
𝐴2 =
𝜀𝑠
1 1
(0.7) (1.28x10−9 [Fd]) √1.29𝑥107 [ (0.3832[𝑉])
𝑉𝑐𝑚] (1x1015 [cm−3 ])
𝐴2 = = 0.063[𝑐𝑚2 ]
12 Fd
1x10 [cm]
VF
𝑞𝑉𝐷 𝑘𝑇 𝐽
𝐽 = 𝐽𝑠 (𝑒 ( 𝑘𝑇 ) − 1) → 𝑉𝐷 = 𝑙𝑛 ( + 1)
𝑞 𝐽𝑠
𝑘𝑇 𝐽
𝑉𝐷 = 𝑙𝑛 ( + 1)
𝑞 𝐽𝑠
𝑞Φ𝐵𝑛 𝐴 (0.66[𝑉]) 𝜇𝐴
2 (−0.026[𝑒𝑉])
𝐽𝑠 = 𝐴∗ 𝑇 2 𝑒 (− 𝑘𝑇
)
= (110 [ 2 2
]) (300[𝐾]) 𝑒 = 85.083 [ 2 ]
𝑐𝑚 𝐾 𝑐𝑚
𝐼 6[𝐴] 𝐴
𝐽= = = 95.2381 [ 2 ]
𝐴 0.063[𝑐𝑚 ]
2
𝑐𝑚

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95.2381
𝑉𝐷 = (0.026[𝑉]) (ln ( + 1)) = 0.3621[𝑉]
85.083𝑥10−6
𝑉𝐹2 = 𝑉𝐷 + 𝐼𝑅𝑠 = 0.3621 + 6 ∗ 𝑅𝑠
𝑉𝐹2 = 𝑉𝐷 + 𝐼𝑅𝑠 = 0.3621 + 6 ∗ (0.010 [Ω])

𝑉𝐹2 = 0.4221[𝑉]

PROBLEMA 2. (Fig. 2.) ( 15 ptos)

Un diodo Schottky se construyó realizando una capa epitaxial tipo n de alta resistividad sobre
un substrato de baja resistividad (n++) Fig (2) .Determinen la resistividad del substrato
(dopado uniforme) que se requiere para que la resistencia de contacto en el cátodo (contacto
ohmico) contribuya únicamente con 10 mV al voltaje en directa, Von, para una corriente de
3 amp. El área del dispositivo es de 9 mm 2. La movilidad de los electrones bajo condiciones
de fuerte dopado es 95 cm2/Volt-seg. Determinen así mismo cual sería la caída de voltaje en
el substrato si el espesor de este es de 300 um.
Usen la siguiente formula que relaciona la resistencia especifica de contacto con el dopado
en la interfase metal-semiconductor para concentraciones elevadas.
𝑉
𝑅= = 3.3333𝑚Ω
𝐼
Considerando una estructura tipo sándwich

Ⲣ𝑐
𝑅𝑐 = → Ⲣ𝑐 = 𝑅𝑐 𝑆 = 30𝑛Ω𝑚−1 
𝑆
2
1 5.72𝑥1010
ln(Ⲣ𝑐 ) = 5.72𝑥1010   − 18.2 → 𝑁𝐷 = ( ) = 64.5229𝑥103 Ω𝑚
√𝑁𝐷 ln(Ⲣ𝑐 ) + 18.2

𝜎 = 𝑁𝑑 𝑞µ = 64.5229𝑥103
1
𝑝 = = 15.4911µΩ𝑚
𝜎
Conociendo la resistividad, se puede calcular la resistencia equivalente del sustrato N:

𝑝𝑙
𝑅  = = 516.562µΩ
𝐴
Con esta resistencia se puede determinar que la caída de tensión en el sustrato por ley de Ohm es
igual a:

𝑉 = 𝐼𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 ⋅ 516.562𝑥10−6 Ω