Diferencia entre materiales semiconductores tipo n y tipo p

-En un semiconductor de tipo p, el elemento del grupo III de la tabla

periódica se agrega como elemento de dopaje, mientras que en el tipo n el
elemento del grupo V es el elemento de dopaje.
-Impurezas trivalentes como aluminio, galio yEl indio se agrega en el
semiconductor de tipo p, mientras que en el semiconductor de tipo n se
agregan impurezas pentavalentes como el arsénico, el antimonio, el fósforo,
el bismuto, etc.
-La impureza agregada en el semiconductor de tipo p proporciona orificios
adicionales conocidos como átomo aceptor, mientras que en el
semiconductor de tipo n proporciona electrones adicionales y se denomina
átomo donante.
-En un semiconductor de tipo p, la mayoría de los portadores son agujeros, y
los portadores minoritarios son electrones. En el semiconductor de tipo n, los
electrones son portadores mayoritarios y los huecos son portadores
minoritarios.
-La densidad electrónica es mucho mayor que la densidad de los orificios en
el semiconductor de tipo n denotado como nortemi >> nh mientras que, en
el semiconductor de tipo p, la densidad del agujero es mucho mayor que la
densidad electrónica norteh >> nmi.
-En un semiconductor de tipo n, el nivel de energía del donanteEstá cerca de
la banda de conducción y lejos de la banda de valencia. En el semiconductor
de tipo p, el nivel de energía del aceptor está cerca de la banda de valencia y
lejos de la banda de conducción.
-El nivel de Fermi del semiconductor tipo n se encuentra entre el nivel de
energía del donante y la banda de conducción, mientras que el nivel de Fermi
del semiconductor de tipo p se encuentra entre el nivel de energía del
aceptor y la banda de valencia.
-Las compañías mayoritarias se mueven de mayor a menor potencial en el
tipo p, mientras que, en el tipo n, la mayoría de las compañías se mueven de
un potencial más bajo a uno más alto.

Describa la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritario

Respuesta 1
 En un semiconductor de tipo n, los electrones son los mayoría mientras que
los portadores, los agujeros son los minoría transportistas En el material
semiconductor de tipo p, los orificios son los portadores mayoritarios,
mientras que los electrones son los portadores minoritarios.
Cuando una pequeña cantidad de Pentavalente La impureza se agrega a un
semiconductor puro, proporciona una gran cantidad de electrones libres en
el cristal que forma el semiconductor de tipo n. Algunos de los enlaces
covalentes se rompen incluso a temperatura ambiente, liberando un
pequeño número de pares de orificios de electrones.

Por lo tanto, un semiconductor de tipo n contiene una gran Número de

electrones libres y algunos números de agujeros. Esto significa el electrón
provisto por la impureza Pentavalente agregada y una proporción de pares
de huecos de electrones. Por lo tanto, en los semiconductores de tipo n, la
mayor parte de la conducción de corriente se debe a los electrones libres
disponibles en el semiconductor.

De manera similar, en el semiconductor de tipo p, los agujeros son en su

mayoría en comparación con los electrones, y la conducción tiene lugar
debido a los muy pocos electrones que están presentes en la minoría.

Condiciones establecidas por condiciones de polarización en directa y en

inversa en un diodo de union p n

La polarización directa se produce cuando se aplica un voltaje a través de la

célula solar de tal manera que el campo eléctrico formado por la unión PN se
reduce. Se facilita la difusión de portadores a través de la región de
agotamiento, y conduce a una mayor corriente de difusión.
En la presencia de un circuito externo que proporciona continuamente
portadores mayoritarios, la recombinación aumenta y agota constantemente
la afluencia de portadores a la célula solar. Esto aumenta la difusión y en
última instancia, aumenta la corriente a través de la región de agotamiento.
La polarización inversa se produce cuando se aplica un voltaje a través de la
célula solar de tal manera que el campo eléctrico formado por la unión PN se
incrementa. La corriente de difusión disminuye.
Diodos bajo Polarización Directa
La polarización directa se refiere a la aplicación de voltaje a través del
dispositivo de tal manera que el campo eléctrico en la unión se reduce. Con
la aplicación de un voltaje positivo para el material de tipo p y un voltaje
negativo para el material de tipo n, se crea, a través del dispositivo, un
campo eléctrico con dirección opuesta a la de la región de agotamiento.
Dado que la resistividad de la región de agotamiento es mucho más alta que
en el resto del dispositivo (debido al número limitado de portadores en la
región de agotamiento), casi todo el campo eléctrico aplicado cae a través de
la región de agotamiento. El campo eléctrico neto es la diferencia entre el
campo existente en la región de agotamiento y el campo aplicado (para
dispositivos reales, el campo del potencial de contacto es siempre mayor que
el campo aplicado), reduciendo así el campo eléctrico neto en la región de
agotamiento. La reducción del campo eléctrico perturba el equilibrio
existente en la unión, reduciendo la barrera de difusión de portadores desde
un lado de la unión a la otra y aumentando la corriente de difusión. Si la
difusión aumenta la corriente, la corriente de arrastre permanece
esencialmente sin cambios, ya que depende del número de portadores
generados dentro de una longitud de difusión de la región de agotamiento o
en la propia región de agotamiento. Puesto que la región de agotamiento
únicamente se reduce mínimamente en anchura, el número de portadores
minoritarios barridos a través de la unión prácticamente no varía.

Polarización inversa
En polarización inversa, un voltaje se aplica a través del dispositivo de tal
manera que el campo eléctrico en la unión aumenta. Cuanto más alto es el
campo eléctrico en la región de agotamiento, la probabilidad de que los
portadores puedan difundirse desde un lado de la unión a la otra, disminuye,
de ahí la corriente de difusión disminuye también. En polarización directa, la
corriente de arrastre está limitada por el número de portadores minoritarios
a cada lado de la unión p-n y es relativamente invariante al aumento del
campo eléctrico. Un pequeño aumento en la corriente de arrastre es
experimentado debido al pequeño aumento en la anchura de la región de
agotamiento, pero esto es esencialmente un efecto de segundo orden en las
células solares de silicio. En muchas células solares de película delgada,
donde la región de agotamiento es alrededor de la mitad del grosor de la
célula solar, el cambio en el agotamiento del ancho de la región con el voltaje
tiene un gran impacto en el funcionamiento de la célula.

Respuestas 2

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos

tipos p y n,
por lo que también reciben la denominación de unión pn.

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos

lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de
carga espacial, de agotamiento, de deflexión, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de cargas induce una diferencia de
tensión (V) que actuará sobre los electrones con una determinada fuerza de
desplazamiento que se opondrá a la difusión de huecos y a la corriente de
electrones y terminará deteniéndolos.
Esta diferencia de tensión de equilibrio (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y
0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele
ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más
dopado que elotro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el
descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial
externa, se dice que no está polarizado. Al extremo p, donde se acumulan
cargas negativas se le denomina ánodo, representándose por la letra A,
mientras que la zona n, el cátodo, se representa por laletra C (o K)

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que

el diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización
• inversa: Vp > Vn, o
• directa: Vp < Vn.
 Polarización inversa
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p (la de
menor tensión) lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y por tanto la
tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la
batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo,
debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver
semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña
corriente (del orden de 1 µA) denominada corriente inversa de saturación.
Por efecto de la polarización inversa, las concentraciones de portadores
minoritarios -electrones en la zona p (np ), y huecos en la zona n (pn ) -
disminuyen a medida que nos aproximamos a la unión desde los valores
iniciales del diodo no polarizado hasta anularse.
Polarización directa
En este caso, al contrario que en el anterior, la batería disminuye la barrera
de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de las
corrientes de electrones y huecos a través de la unión; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Las concentraciones de portadores minoritarios, se incrementan desde los
valores iniciales a medida que nos acercamos a la unión.
En la representación simbólica del diodo, la flecha indica el sentido de la
polarización directa.

Describa como recordara los estados de polarización en directa

y en inversa del diodo unión p-n

POLARIZACIÓN INVERSA: Cuando la capa tipo N se conecta al positivo de

la batería y la capa P al negativo se dice que es una polarización inversa, y
ocurre lo siguiente a través de la juntura: Los electrones que salen del
negativo de la batería corren a llenar los vacios o espacios de la capa P,
completando todos los átomos de esta pastilla los 8 electrones (compartidos
con el visitante); a partir de este momento no reciben más corriente, dado
que presentan alta resistencia.

Cuando se conecta la capa N al positivo, ocurre algo similar todos los

electrones que se encontraban libres en la capa, corren a los espacios del
terminal positivo de la batería, dejando a los átomos de la pastilla
compartiendo sus 8 electrones, en este punto se vuelven aislantes y no
permiten el paso de corrientes eléctricas.

RESUMIENDO: Una juntura conectada en forma inversa presenta alta

resistencia al paso de la corriente eléctrica.

POLARIZACIÓN DIRECTA: El terminal negativo de la batería introduce

más electrones libres a la capa N, lo que hace que muchos pasen a través de
la JUNTURA de las 2 capas y llenen los espacios de la capa P. Este flujo será
permanente debido a que el terminal positivo de la batería contínuamente
toma electrones de alli, dejando espacios para llenar por los electrones que
pasen por la union.

RESUMIENDO: Una juntura que se conecta en forma directa presenta baja

resistencia al paso de la corriente.

Cuando en electrónica se habla de POLARIZACION DIRECTA Y

POLARIZACION INVERSA, una juntura de tal naturaleza la conocemos
como DIODO y la utilizamos para rectificar corriente alterna. Los diodos de
germanio se usan para corrientes bajas y bajo voltaje. Los de silicio soportan
mayores temperaturas, corrientes y voltajes. Para que la corriente pueda
pasar a través de un diodo de germanio necesita tener como mínimo una
diferencia de potencial de 0.6 voltios entre sus terminales. El de silicio
necesita aproximadamente 0.7 voltios.

PRECAUCIONES: Se le llama «voltaje de pico inverso» al máximo voltaje

que pueda soportar la juntura cuando la fuente o corriente está conectada
en «POLARIZACIóN INVERSA» o de alta resistencia, Según el tipo de diodo se
estipula 100, 400 1000 voltios, etc.

Tampoco se puede sobrepasar el valor nominal de corriente máximo

especificada por el fabricante, porque al hacerlo se produce una disposición
excesiva de potencia en la unión y se eleva la temperatura, pudiendo
alcanzar la temperatura de fusión de las pastillas de semiconductor,
dañándolo. Cuando el diodo está conectado en forma inversa circula una
pequeña corriente a través de la unión, lo cual se debe a su alta resistencia.
Esa pequeña corriente se ve grandemente afectada por los incrementos de la
temperatura, y puede darse el caso en el cual el diodo entre en «avalancha»,
o sea que conduce en ambos sentidos. En la mayoría de las veces esta arruina
el diodo.

Palabra ideal como se aplica a un dispositivo o un sistema

Respuesta 1

La palabra ideal cuando se aplica a un sistema o dispositivo se refiere a que

debe ser como en los datos teóricos se expresa ideal lo cual en la práctica
este dispositivo ideal no genere inconveniente o un gasto extra como por
ejemplo el diodo que no es ideal en el campo pero en lo teórico puede
tomarse así.
Respuesta 2
Un dispositivo o sistema ideal es el que tiene las características que preferiría
que cuando se utiliza un dispositivo o sistema en una aplicación práctica.
Normalmente, sin embargo, la tecnología sólo permite una réplica cerca de
las cultivos característicos deseado. Las características ideales de excelente
base para la comparación con las características del dispositivo real que
permite una estimación de lo bien que el dispositivo o sistema puede
suponer para obtener una buena estimación de la respuesta global del
diseño. Al asumir un dispositivo ideal o el sistema no hay ninguna
consideración para el componente o tolerancias de fabricación o cualquier
variación de un dispositivo a otro de un lote específico.
Caracteristicas del diodo ideal y como determinan los estados
de encendido y apagado del dispositivo

El diodo ideal es aquel que no se opone al paso de la corriente o sea que no

tenga la barrera en la unión p-n que la que normalmente es 0.7 o 0.3
dependiendo del material se dice que es ideal en los datos teóricos pero en la
practica este diodo ideal no, cuando el diodo se polariza en directa significa
que por el ánodo entra la corriente el ánodo sabemos que esta hecho por el
materia l P que es donde esta el exceso de huecos que son positivos cuando
llega el flujo de electrones pasan a esos huecos y otros logran cruzar la unión
y cuando se polariza en inversa los electrones llegan a la unión N la cual es
donde hay exceso de electrones lo cual se repele con los electrones que
viene por la ley de atracción y no conduce por eso se dice que un diodo
cumple como un circuito cerrado y uno abierto cuando es directa esta
cerrado y esta en inversa esta abierto.

Cual es la diferencia importante entre las características de un

interruptor simple y las de un diodo ideal

Las características más importantes son que el diodo solo conduce hacia un
solo dirección y el otro no, también que el interruptor sea mecánico hay que
moverlo uno mismo.

La diferencia más importante entre las características de un diodo y el

interruptor simple es que el interruptor, sea mecánico, es capaz de conducir
la corriente en cualquier dirección, mientras que el diodo sólo permite que la
carga de flujo de pensamiento el elemento en una sola dirección
(concretamente, la dirección definida por el flecha del símbolo con el flujo de
corriente convencional)
Determine el coeficiente de temperatura de un diodo Zener de
5v (valor determinado de 25”c)si el voltaje nominal se reduce a
4.8V A una temperatura 100”c

Para comenzar con la ruptura zener verdad termina en alrededor

de 5,6 voltios. "Los llamados" mayores Zeners tensión dependerá
de las características intrínsecas desglose avalancha de un diodo en
lugar de ruptura Zener verdad.

la temperatura coeficientes tensiones zener menor a 5,6 voltios

tienen un coeficiente negativo y tensiones por encima de 5,6 voltios
tienen un efecto positivo TC. La hora exacta de TC depende del
nivel de dopaje del diodo que también determina, la ruptura
(Zener) tensión.

Para obtener una baja del TC, una combinación de dos o más
diodos Zener se puede utilizar en serie para reducir el efecto
general de CT. Uno que tiene una positiva cooperación técnica y el
otro negativo. También desde la Vf de un diodo estándar tiene
temperatura negativa, que se utiliza con frecuencia en serie con un
Zener positivos TC con el fin de reducir la resultante TC.

Por último para mostrar el efecto de, por ejemplo un aumento de

100 grados de un diodo zener que tiene un TC de 0,08% / C
degreeC: el voltaje de ruptura se incrementará en un 8%, muy
superiores a una tolerancia del 5% inicial.