Curso Detección y Medida de La

Radiación Ionizante

Unidad 8 (K11)
“Detectores de Diodo
Semiconductores”

Melani Fuentealba Moraga

Estudiante Magister en Física Médica

 
 
Profesor: Rodolfo G. Figueroa Saavedra
Departamento de Física, Universidad de La Frontera, Temuco, Chile
.
 
Contenidos.-
Introducción

Consideraciones Generales

Semiconductores Intrínsecos

Semiconductores tipo-p, tipo-n y compensados

Funcionamiento de Semiconductores
 Polaridad Directa
 Polaridad Inversa

Configuración de Detectores Semiconductores

Bibliografía
 Introducción.-
 Primeros semiconductores usados con fines
técnicos en el siglo XX

 1940  Russell Ohl  Cristales+Impurezas 

Celdas solares

 1947  William Shockley  1°

semiconductor de Ge

 1970  Josef Kemmer  detectores de

radiación de Si
 Consideraciones Generales.-
 Alta densidad del medio ionizado

 Energía de ionización ~10 veces menor que en detectores de

gas

 Conductividad depende principalmente de temperatura y

energía de gap entre banda de valencia y conducción

 Movilidad de electrones y huecos es elevada y será

combinación de velocidad térmica y velocidad de deriva.

 Permiten circulación de corriente eléctrica solo en un sentido

Consideraciones Generales.-

Elementos
semiconductores en la
tabla periódica

En gris: Metales
En verde: Metaloides
En azul: No metales
 Semiconductores Intrínsecos.-
 Se encuentra en estado puro, no contiene ninguna impureza.

 La cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia (p) al

atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres (n)
que se encuentran presentes en la banda de conducción.

 A una temperatura indicada hay ruptura de enlaces covalentes y varios

electrones pertenecientes a la banda de valencia. Esos electrones libres saltan
a la banda de conducción “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar
libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina,
siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una
corriente eléctrica
Semiconductores Intrínsecos.-
 Semiconductores tipo-p .-
 El material semiconductor se dopa con otro metaloide
semiconductor trivalente (+3)

 Todos los electrones se unirán con los electrones del Si o Ge

quedando un hueco en la estructura cristalina

 Semiconductor tipo-p o positivo, es aceptor de electrones

 Número de huecos es mucho mayor que electrones de material

puro (portador mayoritario)

 Conductividad eléctrica dada por huecos

Semiconductores tipo-p .-
 Semiconductores tipo-n .-
 El material semiconductor se dopa con otro metaloide
semiconductor pentavalente (+5)

 4 de esos electrones se unirán con los electrones del Si o Ge y el 5°

puede moverse libremente por la red cristalina

 Semiconductor tipo-n o negativo, es donor de electrones

 Número de electrones de conducción es mucho mayor que huecos

de material puro (portador mayoritario)

 Conductividad eléctrica dada por electrones

Semiconductores tipo-n .-
 Semiconductores Compensados.-
Diodo Silicio unión n-p
 Impurezas donoras y aceptoras en la misma cantidad

 Material tiene algunas propiedades de detectores intrínsecos

 Detector de tipo-p se pone en contacto a detector tipo-n generando

un empalme p-n. Ante una corriente eléctrica, su funcionamiento es
diferente

Barrera de potencial: zona de unión,

impide que los electrones libres de la
zona negativa salten a la parte positiva

Zona de Deplexión: zona aislada, libre

de portadores energéticos, aleja a los
portadores de carga de la zona de unión
Semiconductores Compensados.-
Diodo Silicio unión n-p
Funcionamiento de Semiconductores.-
Polarización Directa.-
 Flujo puede circular solo en un sentido, se bloquea en sentido opuesto

 El polo negativo de la fuerza eléctrica se conecta al cátodo (-) y el polo

positivo al ánodo (+)

 Ante un campo eléctrico el lado positivo rechaza los huecos moviéndolos al

empalme p-n reduciendo la zona de deplexión

 Los electrones del lado negativo adquieren la energía suficiente para

atravesar la barrera de potencial

 Al ser atraídos por el polo positivo, recorren de hueco en hueco

atravesando la zona P.

 Los electrones cedidos por el circuito atravesarán el diodo de negativo a

positivo generando un equilibrio electrónico mientras ceda electrones a la
zona N del diodo
Funcionamiento de Semiconductores.-
Polarización Directa.-
Funcionamiento de Semiconductores.-
Polarización Directa.-
Funcionamiento de Semiconductores.-
Polarización Inversa.-

 Polo positivo conectado a cátodo y polo negativo al ánodo

 Acentúa la diferencia de potencial a lo largo de la juntura o unión

 Esta conexión impide que la corriente de electrones que suministra

la batería u otra fuente de fuerza eléctrica pueda atravesar el
diodo, por lo que no se puede completar el circuito eléctrico.
Funcionamiento de Semiconductores.-
Polarización Inversa.-
Funcionamiento de Semiconductores.-
Polarización Inversa.-
Funcionamiento de Semiconductores.-
Polarización Inversa.-
 Configuración de Detectores
Semiconductores.-
 Detectores de Juntura Difusa: Cristal homogéneo tipo-p cuya superficie es
expuesta a vapor de impurezas tipo-n, quedando pesadamente dopado,
quedando gran parte de la zona de deplexión en la zona p. El resto de la
superficie es una capa muerta de pérdida de energía antes de llegar a la
zona sensible

 Detectores de Superficie de Barrera: grabado de la superficie seguido por la

evaporación de una fina capa de oro por contacto eléctrico. Se recomienda
que la oxidación promueva la oxidación ligera de la superficie. Si bien es
similar al detector anterior es un tipo-p con evaporación de impurezas tipo-n
(capas muertas menores). Son sensibles a la luz lo que produce ruido
 Configuración de Detectores
Semiconductores.-
 Capa de Iones Implantada: se introducen impurezas en la superficie del
conductor exponiendo el material a un haz de iones producida por un
acelerador y puede ser usado para generar capas n y p por aceleración (iones
de fósforo o boro). Modificando la energía de los iones se controla la
concentración de impurezas. Luego se somete a altas temperaturas (500°C)
para reducir efectos de daño por radiación. Son más estables y no dependen
de condiciones ambientales

 Detectores Completamente Depletados: la región de deplexión aumenta al

incrementar la polarización inversa, cuando es lo suficientemente amplio la
zona de deplexión ocupa toda la extensión del Si resultando completamente
depletado. Una de las partes es pesadamente dopada (n o p) y la otra es un
semiconductor de alta pureza que es la más gruesa.
 Bibliografía.-
 Brosed, Antonio. 2011. Fundamentos de Física Médica: Volumen 1: Medida
de la Radiación. Madrid, España. Sociedad española de física médica

 Knoll, Glenn. 2000. Radiation Detection and Mesurement. Michiga, USA.

John Wiley & Sons, Inc.

 Vitorero, Alejandro (2013). Caracterización de detectores semiconductores

de radiación ionizante (Titulo de Ingeniero De Telecomunicación).
Universidad de Cantabria, España
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