Programa Eurosolar

Instalaciones Solar-Eólico en el II.EE. Rio Caño – Alto Perú

– Palca - Tacna
 Universidad Privada de Tacna
Facultad de Ingeniería
Escuela Profesional de Ingeniería Ambiental

Energía Solar Fotovoltaica

 Lic. Jorge choque Chacolla
 Celda Fotovoltaico

¿Cómo funciona?

Módulo Fotovoltaico
Aplicaciones
CONVERSIÓN FOTOVOLTAICA DE LA
ENERGÍA SOLAR
TEORÍA BÁSICA DE
SEMICONDUCTORES
Heterounión:

Es una unión formada por dos semiconductores

diferentes o un metal y un semiconductor.
Semiconductor es un elemento que se comporta como un
conductor o como un aislante dependiendo de diversos
factores:
- Campo eléctrico o magnético,
- Presión,
- Radiación que le incide, o
- Temperatura del ambiente en el que se encuentre.
ESTRUCTURA DE BANDAS
Está ocupada por los electrones libres( aquellos que se han
desligado de sus átomos y pueden moverse fácilmente)

Está ocupada por los electrones de valencia de los átomos,

(aquellos electrones que se encuentran en la última capa o
nivel energético de los átomos)
DISTRIBUCIÓN DE ELECTRONES
Paso de electrones entre bandas
Espectro Solar
Influencia del espectro solar
Para que los fotones produzcan un salto de un electrón desde BV hasta la BC es preciso
que se cumpla:

 Los fotones del IR no sirven: hv < Eg

 Los fotones del visible sirven: hv >Eg
 Los fotones del UV sirven: hv > Eg
 El Dopado de Semiconductores
La adición de un pequeño porcentaje de átomos extraños en la red cristalina regular de
silicio o germanio, produce unos cambios espectaculares en sus propiedades
eléctricas, dando lugar a los semiconductores de tipo n y tipo p.
Impurezas pentavalentes.
Los átomos de impurezas con 5 electrones de valencia, producen semiconductores de tipo n,
por la contribución de electrones extras.
Impurezas trivalentes:
Los átomos de impurezas con 3 electrones de valencia, producen semiconductores de
tipo p, por la producción de un "hueco" o deficiencia de electrón.
Semiconductor Tipo N
 La adición de impurezas pentavalentes como el antimonio, arsénico, o fósforo, aportan
electrones libres, aumentando considerablemente la conductividad del semiconductor
intrínseco. El fósforo se puede añadir por difusión del gas fosfina (PH3).
Semiconductor Tipo P
 La adición de impurezas trivalentes tales como boro, aluminio, o galio a un semiconductor
intrínseco, crean unas deficiencias de electrones de valencia, llamadas "huecos". Lo normal
es usar el gas diborano B2H6, para difundir el boro en el material de silicio.
 Bandas en Semiconductores Dopados
 En el material de tipo n hay electrones con niveles de energía cerca de la parte superior de la
banda prohibida, de modo que pueden ser fácilmente excitados hacia la banda de conducción.
En el material de tipo p, los huecos adicionales en la banda prohibida, permiten la excitación
de los electrones de la banda de valencia, dejando huecos móviles en la banda de valencia.
 UNION PN
Cuando los materiales de tipo p y tipo n se colocan en contacto uno con otro, la unión se
comporta de manera muy diferente a como lo hacen cada uno de los materiales por si solos.
Específicamente, la corriente fluirá fácilmente en una dirección (polarización directa) pero no
en la otra (polarización inversa), creando un diodo básico. Este comportamiento no reversible,
surge de la naturaleza del proceso de transporte de carga en los dos tipos de materiales.
Semiconductor dopado
El croquis de nivel de energía de arriba a la derecha, es una forma de visualizar
la condición de equilibrio de la unión P-N. La dirección ascendente en el
diagrama representa la energía creciente de electrones.
 Región de Depleción
 Cuando se forma una unión p-n, algunos de los electrones libres en la región n, se difunden a
través de la unión y se combinan con los huecos para formar iones negativos. De esta manera
dejan detrás iones positivos en los lugares donantes de impurezas.
Celda Solar