Materiales semiconductores tipo

p-n, diodos y reguladores de

tención.
Hilda Denisse Ortiz Rey.
Instrumentación Industrial.
Ing. Saúl Enrique Villareal Loya.
ER31M.
16/05/2021
Contenido
Introducción: ....................................................................................................................................... 3
Desarrollo: .......................................................................................................................................... 4
Materiales semiconductores tipo p-n: ........................................................................................... 4
Material tipo n: ............................................................................................................................... 4
Material tipo p: ............................................................................................................................... 4
Elementos constitutivos que conforman los semiconductores P-N: ............................................ 4
Propiedades eléctricas: .................................................................................................................. 5
Portadores mayoritarios y minoritarios: ....................................................................................... 6
La unión P-N y sus polarizaciones directa e inversa: ..................................................................... 6
Funcionamiento del diodo con base en sus curvas de operación: ............................................... 7
Descripción del funcionamiento del diodo con base en sus curvas de operación: ...................... 7
Proceso de filtrado por capacitor................................................................................................... 7
Funcionamientos de otros diodos (LED y Zener). .......................................................................... 7
Funcionamiento de los reguladores de tensión integrados.......................................................... 9
Conclusión: .................................................................................................................................... 10
Fuentes: ............................................................................................................................................. 11
Introducción:
En este reporte analizaremos concretamente apoyándonos en el libro de "Boylestad”
hablando sobre lo que son los semiconductores de tipo p-n, incluyendo en este mismo
reporte lo que son sus distintos tipos de funcionamientos y al concluir este tema se
analizara el funcionamiento del diodo con base en sus curvas de operación y describir el
proceso de rectificación de media onda y onda completa, así como el proceso de filtrado
por capacitor.
Desarrollo:
Materiales semiconductores tipo p-n:
Hay dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la fabricación de
dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p. Cada uno se describe con algún
detalle en las siguientes subsecciones.

Material tipo n:
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un número
predeterminado de átomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se crea
introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia
(pentavalentes), como el antimonio, el arsénico y el fósforo.

Material tipo p:
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con átomos de
impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos más utilizados para este
propósito son boro, galio e indio.

Elementos constitutivos que conforman los semiconductores P-N:

En la práctica, para mejorar la conductividad eléctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas añadidas
voluntariamente. Esta operación se denomina dopado, utilizándose dos tipos:

• Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones de valencia en su orbital
exterior. Entre ellos se encuentran el fósforo, el antimonio y el arsénico.

• Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior.
Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.

Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se completan los
cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrón que le
hace mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de
tipo N.
 En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres
enlaces covalentes con tres átomos de silicio vecinos, quedando un cuarto átomo de silicio con un
electrón sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con
impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.

Unión PN

Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e impurezas tipo N por
otro, se forma una unión PN.
Los electrones libres de la región N más próximos a la región P se difunden en ésta, produciéndose la
recombinación con los huecos más próximos de dicha región. En la región N se crean iones positivos y en la
región P se crean iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados
están interaccionados entre sí y, por tanto, no son libres para recombinarse.
Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la región N y otra negativa en la región P, ambas
junto a la unión. Esta distribución de cargas en la unión establece una «barrera de potencial» que repele los
huecos de la región P y los electrones de la región N alejándolos de la mencionada unión. Una unión PN no
conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrónico a temperatura constante.

Propiedades eléctricas:
Los semiconductores son materiales que conducen la corriente eléctrica peor que un
conductor, pero mejor que un aislante; es decir, están en una posición intermedia entre
los conductores eléctricos y los aislantes.
Portadores mayoritarios y minoritarios:
En el estado intrínseco, el número de electrones libres en Ge o Si se debe sólo a los
electrones en la banda de valencia que adquirieron suficiente energía de fuentes térmicas
o luminosas para romper la banda covalente o a las impurezas que no pudieron ser
eliminadas. Los vacíos que quedan en la estructura de enlace covalente representan una
fuente muy limitada de huecos. En un material tipo n, el número de huecos no cambia
significativamente con respecto a este nivel intrínseco. El resultado neto, por consiguiente,
es que el número de electrones sobrepasa por mucho al de huecos

La unión P-N y sus polarizaciones directa e inversa:

Unión PN polarizada en directo

Si se polariza la unión PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la región P y el polo negativo
a la región N, la tensión U de la pila contrarresta la «barrera de potencial» creada por la distribución espacial
de cargas en la unión, desbloqueándola, y apareciendo una circulación de electrones de la región N a la región
P y una circulación de huecos en sentido contrario. Tenemos así una corriente eléctrica de valor elevado,
puesto que la unión PN se hace conductora, presentando una resistencia eléctrica muy pequeña. El flujo de
electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido
eléctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente eléctrica.

Unión p-n polarizada en directa: (a) distribución interna de la carga en condiciones de polarización en directa;
(b) polarización directa y dirección de la corriente resultante.

Unión PN polarizada en inverso

Si se polariza la unión PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la región N y el polo
negativo a la región P, la tensión U de la pila ensancha la «barrera de potencial» creada por la distribución
espacial de cargas en la unión, produciendo un aumento de iones negativos en la región P y de iones positivos
en la región N, impidiendo la circulación de electrones y huecos a través de la unión.

La unión PN se comporta de una forma asimétrica respecto de la conducción eléctrica; dependiendo del
sentido de la conexión, se comporta corno un buen conductor (polarizada en directo) o como un aislante
(polarizada en inverso).
Funcionamiento del diodo con base en sus curvas de operación:
El diodo semiconductor, con aplicaciones demasiado numerosas de mencionar, se crea
uniendo un material tipo n a un material tipo p, nada más que eso; sólo la unión de un
material con un portador mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de
huecos. La simplicidad básica de su construcción refuerza la importancia del desarrollo de
esta área de estado sólido.

Descripción del funcionamiento del diodo con base en sus curvas de

operación:
) ID = IseVD>nVT – Is

Con valores positivos de VD el primer término de la ecuación anterior crecerá con rapidez
y anulará por completo el efecto del segundo término. El resultado es la siguiente
ecuación, la cual sólo tiene valores positivos y adopta la forma exponencial ex

IseVD/nVT (VD positivo)

Proceso de filtrado por capacitor.

Este elemento se opone a las variaciones bruscas de la tensión que se le aplica. ... Cuando
la tensión aplicada entre los bornes del condensador aumenta en el condensador se crea
una diferencia de potencial de signo contrario a la aplicada entre los bornes oponiéndose
así a la variación brusca de la tensión.

Funcionamientos de otros diodos (LED y Zener).

Región Zener:

Aun cuando la escala está en décimas de volts en la región negativa, hay un punto donde
la aplicación de un voltaje demasiado negativo producirá un cambio abrupto de las
características,. La corriente se incrementa muy rápido en una dirección opuesta a la de la
región de voltaje positivo. El potencial de polarización en inversa que produce este cambio
dramático de las características se llama potencial Zener y su símbolo es VZ.

A medida que se incrementa el voltaje a través del diodo en la región de polarización en

inversa, también se incrementará la velocidad de los portadores minoritarios responsables
de la corriente de saturación en inversa Is. Con el tiempo, su velocidad y energía cinética
asociada serán suficientes para liberar más portadores por colisiones con otras estructuras
atómicas que de lo contrario serían estables. Es decir, se producirá un proceso de
ionización por medio del cual los electrones de valencia absorben suficiente energía para
abandonar el átomo padre. Estos portadores adicionales pueden ayudar entonces al
proceso de ionización al punto en que se establece una corriente de avalancha y
determina la región de ruptura de avalancha. Se puede hacer que la región de avalancha
(VZ) se acerque al eje vertical incrementando los niveles de dopado en los materiales p y
n. Sin embargo, conforme VZ se reduce a niveles muy bajos, por ejemplo –5 V, otro
mecanismo, llamado ruptura Zener contribuirá al cambio abrupto de la característica. Esto
sucede porque hay un fuerte campo eléctrico en la región de la unión que puede
desbaratar las fuerzas de enlace dentro del átomo y “generar” portadores. Aun cuando el
mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente significativo sólo a niveles bajos de VZ,
este cambio abrupto de la característica a cualquier nivel se llama región Zener y los
diodos que emplean esta parte única de la característica de una unión p–n se llaman
diodos Zener.. Se debe evitar la región Zener del diodo semiconductor descrita para que el
sistema no sea modificado por completo por el cambio abrupto de las características en
esta región de voltaje inverso. El máximo potencial de polarización en inversa que se
puede aplicar antes de entrar a la región Zener se llama voltaje inverso pico (conocido
como valor PIV) o voltaje de reversa pico (denotado como valor PRV).

Led:

Los diodos son componentes electrónicos que permiten el paso de la corriente en un solo
sentido, en sentido contrario no dejan pasar la corriente.

En el sentido en que su conexión permite pasar la corriente se comporta como un

interruptor cerrado y en el sentido contrario de conexión, como un interruptor abierto.

Un diodo Led es un diodo que además de permitir el paso de la corriente solo un un

sentido, en el sentido en el que la corriente pasa por el diodo, este emite luz. Cuando se
conecta un diodo en el sentido que permite el paso de la corriente se dice que está
polarizado directamente. La definición correcta será: Un diodo Led es un diodo que
cuando está polarizado directamente emite luz. Además la palabra LED viene del ingles
Light Emitting Diode que traducido al español es Diodo Emisor de Luz.

Diodos Led Características

Los Diodos Leds tienen dos patillas de conexión una larga y otra corta.

Para que pase la corriente y emita luz se debe conectar la patilla larga al polo positivo y la
corta al negativo. En caso contrario la corriente no pasará y no emitirá luz. En la imagen
siguiente vemos un diodo led por dentro. Este es el símbolo que se usa para los diodos led
en los esquemas eléctricos, donde el ánodo será la patilla larga.

símbolo diodo led

Los led trabajan a tensiones más o menos de 2V (dos voltios). Si queremos conectarlos a
otra tensión diferente deberemos conectar una resistencia en serie con él para que parte
de la tensión se quede en la resistencia y al led solo le queden los 2V.

¿Cómo funciona?

El funcionamiento es muy sencillo.

Cuando conectamos con polarización directa el diodo led el semiconductor de la parte de

arriba permite el paso de la corriente que circulará por las patillas (cátodo y ánodo) y al
pasar por el semiconductor, este semiconductor emite luz.

Funcionamiento de los reguladores de tensión integrados.

La función de un regulador de tensión es proporcionar una tensión estable y bien
especificada para alimentar otros circuitos a partir de una fuente de alimentación de
entrada de poca calidad; después del amplificador operacional, el regulador de tensión es
probablemente el circuito integrado más extensamente usado
Conclusión:
En este reporte se analizó que hay dos materiales extrínsecos de inmensurable
importancia en la fabricación de dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p al
igual que describiendo lo que son los diodos, los procesos de los que estos tiene y sus
funcionamientos.
Fuentes:
Electronica: Teoria de Circuitos y Dispositivos Electronicos (utch.edu.mx)

http://www.etitudela.com/Electrotecnia/electronica/01d56993840f26d07/01d56994e30f40
632/index.html#:~:text=Semiconductores%20P%20y%20N&text=Son%20elementos%20
cuyos%20%C3%A1tomos%20tienen,el%20antimonio%20y%20el%20ars%C3%A9nico.