ING.

ELECTRONICA

FISICA DE SEMICONDUCTORES

ANTOLOGIA:
PRACTICA N 7
GANANCIA DE CORRIENTE (B) EN UNA
CONFIGURACION EN EMISOR COMUN

EQUIPO N 2:

ANGELICA JIMENEZ MARTINEZ
EDITH PRECIADO MARTINEZ
PERLA RUBI CASTAEDA AVIA
JESSICA GRACIELA MORENO MARTINEZ

La curva de entrada es como la de un diodo
normal , ya que se trata del diodo emisor . Por
lo tanto al hacer clculos podemos usar
cualquier aproximacin del diodo VBE=0
VBE=0.7
Ejemplo:
Cul es la tensin en la resistencia de base y la corriente de colector, si
=200? .
Calcular con la segunda aproximacin (VBE = 0,7V)
Solucin:
La tensin de la base es de 2v polariza en directa al diodo emisor a travs de
una resistencia limitadora de corriente de 100k . Como el diodo emisor
tiene un a cada de 0,7, la tensin de la resistencia de base es:

VB= VBB VBE = 2- 0,7 = 1,3V

La corriente de la resistencia de base vale

IB=

=
1,3
100
= 13A

Con una ganancia de corriente de 200, la corriente de colector es:
Ic= dc IB= (200)(13A)= 2,6mA
TENSIONES Y POTENCIA DE COLECTOR

La ley de kirchoff seala que la suma de las tensiones a lo largo de una
malla o en una trayectoria cerrada es igual a cero. Si se aplica al
circuito del colector nos da esta ecuacin:
VCE= VCC- Ic Rc

El transistor presenta una disipacin de potencia aproximada de:

PD= VCE- IC
Es esta la potencia que hace que aumente la temperatura de la unin
del diodo de colector . Cuanto mayor sea la potencia mayor ser la
temperatura de la unin.
Una de la informaciones mas importantes que aparece en la hojas de
caractersticas es la potencia mxima PD(max). El consumo de la
potencia dada por la ecuacin debe ser menor que PD(max) para
evitar que se destruya el transistor.
Para nuestra curva caracterstica salida nos fijaremos en la
malla del colector, se pueden variar VBB Y VCE para tener
diferentes corrientes en el transistor. Midiendo Ic y VCE se
obtienen los datos para obtener la curva de Ic, en funcin de
VCE. Trazando los datos, se dibuja la curva.

Cuando VCE es cero, el diodo colector no tiene polarizacin
inversa. Por esta razn la curva mostrara una corriente de
colector cero. Cuando VCE crece desde cero la corriente de
colector incrementa rpidamente . Cuando VCE es de pocas
decenas de voltios IC se mantiene casi constante e igual a
1mA.
Por ejemplo, Supongamos que se cambia VBB para obtener
en IB=2A. Entonces se puede variar VCC, y medir los
valores resultantes de IC Y VCE.




Para obtener mas curvas se miden IC y VCE para IB= 4A, se
puede trazar la segunda curva de la figura. Esta curva es
similar a la primera, excepto que la corriente de colector es
de .4mA en la zona activa. De nuevo la corriente de colector
es constante en la zona activa.

Para saber la ganancia de corriente tenemos
dc =

=
.4
4
= 100
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO

Diferentes regiones de trabajo de un
transistor
El transistor exhibe diferentes zonas, en cada una de las cuales el
funcionamiento es diferente.
ZONA ACTIVA:
Primero tenemos la zona central, en la que el valor de VCE puede
estar entre 1v y 40v, aproximadamente. Esta es la zona mas
importante ya que representa el funcionamiento normal del
transistor. En ella el diodo emisor esta polarizado en directa y el
diodo colector tiene polarizacin inversa. Los cambios en la tensin
de colector no tienen efecto sobre la corriente de colector. La
corriente de colector es constante en esta zona.
ZONA DE RUPTURA :
El transistor nunca debe funcionar en ella, ya que en tal caso seria
altamente probable su destruccin o bien su degradacin. El
transistor no esta diseado para funcionar en esta zona.
ZONA DE SATURACION:
Finalmente tenemos la parte ascendente de la curva. En esta parte
inclinada el diodo colector tiene insuficiente tensin positiva para
recoger todos los electrones libres inyectados en la base. En la misma
la corriente de base, IB, es mayormente de lo normal, y la ganancia
de corriente dc es menor de lo normal.
DISEO DE UN CIRCUITO PARA POLARIZACION DEL BJT

POR POLARIZACION DE EMISOR









La polarizacin de emisor produce un valor constante
en la corriente del emisor, esta polarizacin predomina
en los circuitos amplificadores.
DISEO DE UN AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN
POR DIVISION DE TENSION
Este amplificador se caracteriza por amplificar la seal tanto en
voltaje como en corriente, adems el voltaje de salida es invertido
con respecto al de la entrada. Su impedancia de entrada y salida
son altas.
ESQUEMATICO Y PROCEDIMIENTO PARA DISEAR UN
AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN

En estos tipos de montajes en los que la entrada de seal a amplificar y la
salida amplificada se toma con respecto a un punto comn, en este caso
el negativo, conectado con el emisor del transistor.
El amplificador en EC se caracteriza por amplificar la seal tanto en
voltaje como en corriente, adems el voltaje de salida es invertido con
respecto con el de entrada, su impedancia de entrada y salida son altas.


Circuito equivalente en CC
Circuito equivalente de CA
Si Vs es una seal pequea entonces el transistor opera en forma
lineal, para efectos del anlisis el transistor tiene un circuito
lineal equivalente en parmetros h.
CONSIDERACIONES DE DISEO

1. Proponer la ganancia de voltaje a obtener.
2. Elegir el tipo de polarizacin y establecer el
punto de operacin. El punto de operacin
deber estar en la regin activa o lineal.
3. Establecer el grado de estabilidad que deber
tener el punto de operacin con respecto de los
cambios en .
4. Se recomienda seleccionar voltajes de
alimentacin que sean estndar (mltiplos de
1.5V).
5. Se recomienda elegir corrientes de colector
0.5 4






EJEMPLO DE DISEO DE UN AMPLIFICADOR DE
PEQUEA SEAL EN CONFIGURACION DE EC


Disear un amplificador en EC por divisin de tensin en el
que se obtenga una ganancia de voltaje igual a 200V.
*Paso 1:
Sabemos que la ganancia de voltaje:

Por lo que

= 200

Seleccionando = 1 y que = 25 a 25C
Entonces

= 5
Siendo el valor ms cercano de

= 5.1






*Paso 2:
Proponiendo que el punto de operacin se encuentre a la
mitad de la recta de carga,

=
1
2

Eligiendo

= 12 entonces

= 6

El anlisis en DC para la trayectoria de salida del
amplificador tenemos que:

Por lo que

Como

Entonces

12 6 5 1

1

Ahora por ley de Ohm

1
1
= 1

Ahora que ya tenemos las condiciones en la recta de carga
en DC para que el punto de operacin sea fijado por la
malla de la base , es decir, solo nos falta seleccionar los
voltajes de
1
y
2
para tal prposito.
Para establecer estos valores primero agregamos un grado
de estabilidad que deber tener el punto de operacin con
respecto a los cambios en .

Si se elige un transistor 2N3904, este tiene una tpica de
150 cuando el punto de operacin se establece en =
1

= 6.
Uno de los criterios ms comunes es el de

=
1
10

.


Esto nos permite una buena estabilidad del punto de
operacin y nos proporciona adems una no muy baja,
esto es ajeno para contar con una ganancia de
corriente.
Por lo tanto,

=
1
10
(150)(1)

=15 k

Entonces
1
puede calcularse:

1
=

=
15
1
1.8
12
= 17.65

Donde

Siendo su valor comercial ms cercano:

1
= 18

2
=

=
12
1.8
(15)

2
= 100

En resumen si queremos obtener una ganancia de
voltaje de -200V para el circuito mostrado en la figura
los elementos debern ser


DISEO BASICO DEL TRANSISTOR CONFIGURADO EN
EMISOR COMUN Y TRABAJANDO EN LA ZONA
ACTIVA COMO AMPLIFICADOR
VBB=5V
VCC=15V
RE=2.2K
RC=1K

VCE=8.96V
IB=6.96uA
IC=1.95mA
=280.17
ESQUEMATICO Y PROCEDIMIENTO PARA REALIZAR EL
DISEO DE UN CIRCUITO DE POLARIZACION

Para realizar el diseo de un circuito de polarizacin debemos de tener en
cuenta la funcin que queremos que realice el transistor de acuerdo a eso
haremos que trabaje en la zona deseada, en este ejemplo queremos que
funcione como amplificador, por lo tanto, haremos una configuracin en
emisor comn polarizando directamente al diodo emisor e inversamente al
diodo colector.
EXPLIQUE POR QUE ES TAN IMPORTANTE LA BETA

es una constante que depende de cada
transistor llamado ganancia esta puede valer
entre 50 y 300 (algunos transistores llegan a
1000).
Es la ganancia de corriente que tiene un
transistor cuando mayor sea dc mayor ser la
corriente de colector.
La ganancia de corriente es una gran ventaja
del transistor y ha llevado a todo tipo de
aplicaciones.
IMPLEMENTACION DEL PUNTO 4.3.4
EN BASE A LOS DATOS DEL FABRICANTE DESCRIBA BAJO
QUE CONDICIONES ESPECIFICAN LA BETA Y POR QUE ES TAN
IMPORTANTE CONSIDERAR ELLO AL MOMENTO DE REALIZAR LOS
DISEOS.
Para analizar el transistor se utilizan otro tipo de
parmetros llamados parmetros h; se usa hfe en vez de
dc como smbolo para la ganancia de corriente. Las dos
cantidades son prcticamente iguales.
dc=hfe
No se debe olvidar esta relacin por que en las hojas de
caractersticas usan el smbolo hfe para designar la
ganancia de corriente .
En la hoja de caractersticas nos especifican Ic en (mA) y la
ganancia mxima y mnima que puede tener el transistor
respecto a esta. Esto nos sirve para saber que corriente usar
para la ganancia que requerimos o viceversa.

DESCRIBA COMO OBTENER A TRAVES DE LAS CURVAS
DE ENTRADA Y DE SALIDA

Cuando se trazan varias curvas sobre los mismos ejes para
diferentes corrientes de base, se obtiene una familia de
curvas en el colector. De esta manera podemos observar el
incremento en la ganancia respecto a cada curva. Por
ejemplo con una ganancia de 100 veremos que la corriente
de colector es 100 veces mayor que la corriente de base que
le corresponde.

=