Universidad Veracruzana

Facultad de Ingeniería en
Electrónica y Comunicaciones

Transistores BJT y MOFET

Ejemplos

Experiencia Educativa:

Circuitos Integrados analógicos

Presenta:
Azuara Vargas Julio Cesar
Roberto Eleasid Meneses Miranda
Hernán Aldair Bartolo Almora
Omar Zaleta Hernández

Maestro:
Luis Javier Morales Mendoza
Poza Rica de Hgo, ver. 22/02/2023

Diseñe un amplificador como el de la figura correspondiente para que tenga una ganancia de 10.
Polarizar el JFET para que el voltaje Vgsq es un tercio de Vp
 Simulación

Para la NMOS la fuente buscada de la figura P4.15. Los parámetros del transistor son Vrx= 5V,
Kn= 1 mA/V², y alfa= 0. Los parámetros del circuito son VDD=5V, Rs= 1Kohms, Rd= 4Kohms,
R1= 225kohms, y R2=175kohms. (a) Calcula la Valencia del ldd y Vpsq. (b) Determine la señal
más baja R2= infinito. Determine el valor de R2 que es reducida la señal a un 75% de valor

MOFET tipo decremental

Determinar lo siguiente para la red de la figura mostrada a continuación:

a) IDQ y VGSQ

b) VD

Datos

IDSS = 8 mA

VP = - 8 V

Solución

a) Para solucionar este inciso se van a utilizar las siguientes fórmulas:

IDQ = IDSS / 4 VGSQ = VP / 2

IDQ = 8 mA / 4 = 2 mA VGSQ = -8 v / 2 = - 4 v

b) VD = VDD – IDRD
= 20 V - (2 mA)(6.2 kΩ)
= 20 V - 12.4 V
VD = 7.6 V
EJERCICIOS DE POLARIZACIÓN:
1.-Polarización fija. Calcular lo siguiente para la red de la fig. siguiente.
a)VGS
b)ID
c)VDS
d)VD
e)VG
f)VS

SOLLUCIÓN:
a) VGS = - VGG = -2 V
b) ID = IDSS(1- VGS/VP) 2 = 12 mA(1 - (-2V/-8V)2 )=
= 10.08 mA
c) VDS = VDD -IDRD = 16 V-(10.08mA)(2kΩ) = 16 V - 20.16 V = -4.16 V
d) VD = VDS = -4.16 V
e) VG = VGS = -2 V
f) VS = 0 V