ANÁLISIS DE CA DE UN BJT

INTRODUCCION

El análisis de la respuesta de corriente alterna (ca) del amplificador

con BJT se realiza utilizando circuitos equivalentes (modelos) para
representar el transistor.

Se examinará circuitos con entrada de señal pequeña.

Modelos de uso común: re, π híbrido y equivalente híbrido.

Se analizará el modelo re.

AMPLIFICACIÓN EN EL DOMINIO DE CA

Al emplear el transistor como un dispositivo amplificador:

La señal ca de salida > que la señal ca de entrada, o

La potencia de ca de salida > que la potencia de ca de entrada.

El factor que permite que una potencia de salida de ca sea mayor que la
potencia de ca de entrada es la potencia de cc aplicada.

Se puede separar el análisis de las respuestas de cc y ca del sistema

aplicando el teorema de superposición.
MODELO DE UN TRANSISTOR BJT

Un modelo es una combinación de elementos de un circuito,

apropiadamente seleccionados, que simula de forma aproximada
el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en
condiciones específicas de operación.

Una vez que se determina el modelo equivalente de ca, se

reemplaza el símbolo y se aplica los métodos básicos de análisis
de circuitos para determinar las cantidades deseadas.
Los niveles de cc fueron necesarias para determinar el punto Q
de operación, y para obtener la respuesta de ca del circuito,
todas las fuentes de cc pueden ser reemplazadas por un
equivalente de potencial cero.

Los capacitores se seleccionan para que tengan una reactancia

muy pequeña en la frecuencia de operación. Por consiguiente,
en la práctica pueden ser reemplazados por una ruta de baja
resistencia o un cortocircuito.
EJEMPLO: Hallar el equivalente en ca del circuito siguiente:
Solución:
Los parámetros de interés como Zi, Zo, Ii e Io, en el circuito original y
reducido deben ser las mismas.

En ambos circuitos la impedancia de entrada se define de base a tierra, la

corriente de entrada como la corriente de base del transistor, el voltaje de
salida como el voltaje del colector a tierra, y la corriente de salida como la
corriente que fluye a través del resistor de carga RC.
El equivalente de ca de un circuito se obtiene:
1. Poniendo en cero todas las fuentes de cc.
2. Reemplazando todos los capacitores por un equivalente de cortocircuito.
3. Quitando todos los elementos evitados por los equivalentes de cortocircuito
introducidos por los pasos 1 y 2.
4. Volviendo a dibujar el circuito en una forma más conveniente y lógica.
Modelo re del Transistor
Se analiza el modelo re para las configuraciones del
transistor BJT en emisor común, en base común y en
colector común.
Configuración en Emisor Común
El circuito equivalente para esta configuración se
construirá por medio de las características del
dispositivo y varias aproximaciones. En el lado de
entrada, vemos que el voltaje aplicado Vi es igual al
voltaje Vbe,y la corriente de entrada es la de base Ib.
Recuerde que las características para el lado de entrada son las que aparecen en
la figura mostrada, para varios niveles de V CE.

Tomando el valor promedio de las curvas de entrada (a), obtendremos una curva
única (b), la cual es la de un diodo polarizado en directa.
Para el circuito equivalente, por consiguiente, el lado de entrada es un diodo
con una corriente Ie.
Ahora tenemos que agregar un componente al circuito que establecerá la
corriente Ic , utilizando las características de salida.
Si dibujamos las características del colector para tener una β constante
(aproximación), todas las características en la sección de salida pueden ser
reemplazadas por una fuente controlada cuya magnitud es beta veces la
corriente de base.
Se reemplaza el diodo por su resistencia
equivalente determinada por el nivel de Ie.

La resistencia de un diodo: rD = 26 mV / ID

Para el circuito equivalente: re = 26 mV / Ie

Ahora, para el lado de entrada: Resolviendo para Vbe:

Zi = Vi / Ib = Vbe / Ib Vbe = Iere = (Ic + Ib)re

Zi = Vbe/ Ib = (β + 1) Ibre / Ib Vbe = (βIb + Ib)re = (β + 1) Ibre

Zi= (β + 1)re ≈ βre

El resultado es que la impedancia “viendo hacia adentro” de la
base del transistor, es un resistor igual a beta veces el valor de
re. La corriente de salida del colector sigue estando vinculada a
la corriente de entrada por beta.
Para obtener la impedancia de salida recordemos la salida típica de
un BJT. La pendiente de cada curva definirá una resistencia en ese
punto como sigue:
Cuanto más horizontal es la curva mayor es la resistencia de salida.
El resultado es que la resistencia ro2 excede por mucho a la
resistencia ro1 . Utilizando un valor promedio de la resistencia de
salida se agregará el otro componente al circuito equivalente como
se muestra en al grafica:

Circuito equivalente para el análisis de la configuración

en emisor común.
Configuración en Base Común
El circuito equivalente de base común se desarrollará casi del
mismo modo en que se aplicó a la configuración en emisor común.
En cuanto al circuito de salida, la corriente del colector está
relacionada con la del emisor por alfa α. En este caso, sin embargo,
la dirección de la corriente del colector en el circuito de salida se
opone ahora a la corriente de salida definida.
Para la respuesta de ca, al diodo lo puede reemplazar su resistencia de
ca equivalente determinada por re = 26 mV/Ie.
Con las características del transistor se puede determinar una resistencia
de salida.
Las líneas casi horizontales indican que la resistencia de salida ro será
bastante alta.

Circuito equivalente re en base común

Configuración en Colector Común
Para la configuración en colector común, normalmente se aplica el
modelo definido para la configuración de emisor común.

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA EN EMISOR COMÚN

Para realizar el análisis de señal pequeña de varias configuraciones de
circuitos de transistores estándar, se utilizarán los modelos de transistor
vistos anteriormente.
La señal de entrada Vi se aplica a la base del transistor, en tanto que la
salida Vo se aplica al colector. Asimismo, la corriente de entrada Ii no es
la corriente de base, sino la corriente suministrada por la fuente y la
corriente de salida es la corriente del colector.
El análisis de ca de pequeña señal se inicia eliminando los efectos de
VCC y reemplazando los capacitores de paso C1 y C2 por equivalentes
de cortocircuito. Además, la colocación de los parámetros importantes
Zi, Zo, Ii e Io en el circuito que se volvió a dibujar.
Sustituyendo el modelo re para la configuración de emisor común de la
figura anterior obtenemos el circuito siguiente.
El siguiente paso es determinar β, re y ro. La magnitud de β, por lo general,
se obtiene de una hoja de especificaciones, por medición directa con un
trazador de curvas, o un instrumento de prueba de transistores. El valor
de re se debe determinar con un análisis de cc del sistema y, por lo
común, la magnitud de ro se toma de la hoja de especificaciones o por las
características. Ahora:
Zi = RB || βre Ω

Para la mayoría de las situaciones, RB es mayor que βre por más de un

factor de 10, lo que permite la siguiente aproximación:

Zi ≈ βre Si: RB≥10βre Ω

Zo: la impedancia de salida de cualquier
sistema se define como la impedancia Zo
determinada cuando Vi = 0. Cuando Vi = 0,
Ib = 0. Entonces tenemos:

Zo = RC || ro Ω
y:

Zo ≈ RC Ω Si: ro ≥ 10RC
Av: Los resistores ro y RC están en paralelo, y:

Vo = - βIb(RC||ro)

Pero: Ib = Vi / βre

Vo = - β(Vi / βre)(RC||ro)

Av = Vo/Vi = - (RC || ro)/re

Si ro ≥ 10RC, entonces: Av = - RC / re

Observe la ausencia explícita de β en las ecuaciones de Av, aunque se

debe utilizar β para determinar re.
Relación de fase: El signo negativo de Av en la ecuación
resultante revela que ocurre un desfasamiento de 180° entre las
señales de entrada y salida. Es el resultado de que βIb
establece una corriente a través de RC la cual producirá un
voltaje opuesto al definido por Vo.
EJEMPLO: Para el circuito siguiente.
a. Determine re.
b. Encuentre Zi(con ro = ∞ Ω).
c. Calcule Zo (con ro = ∞ Ω).
d. Determine Av (con ro = ∞ Ω).
e. Repita las partes (c) y (d), incluida ro = 50 kΩ en todos los cálculos y
compare los resultados.
Sustituyendo el modelo re para la configuración de emisor común del
circuito anterior, obtenemos el circuito siguiente.
Solución:
a.
IB = (VCC – VBE) / RB = (12 V - 0.7 V) / 470 kΩ = 24.04 µA

IE = (β + 1)IB = (101)(24.04 µA) = 2.428 mA

re = 26 mV / IE = 26 mV / 2.428 mA = 10.71 Ω

b. Zi = RB || βre = 470 || (100)(10.71) = 1.07 kΩ

c. Zo = RC = 3 kΩ

d. Av = -RC / re = - 3 k Ω / 10.71 Ω = -280.11

e. Zo = ro || RC = 50 kΩ || 3 kΩ = 2.83 kΩ vs. 3 kΩ

Av = - (ro || RC) / re
= - 2.83 kΩ / 10.71 Ω = - 264.24 vs. -280.11

DEBER: Construcción y características de los JFET, Características de

transferencia, MOSFET tipo empobrecimiento, MOSFET tipo
enriquecimiento, VMOS, CMOS, los MESFET.
POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE
Equivalente ca del circuito divisor de voltaje
 Sustituyendo el circuito equivalente re obtenemos:

R’ = (R1*R2)/(R1 + R2) ; Zi = R’ || βre ; Zo = Rc || ro y Zo = Rc si ro ≥ 10Rc

Av :como R y r están en paralelo:
C o

Av = Vo/Vi = (-Rc||ro)/re
Si: ro ≥ 10Rc
Av = -Rc/re
Ejercicio: Para el siguiente circuito determine: re , Zi , Zo y Av
Hallamos el equivalente de ca del circuito y luego reemplazamos el símbolo del
transistor por el modelo re.

Calculamos re para lo cual debemos determinar Ie.

Probamos que βRE > 10R2 para ver si se puede aplicar el método aproximado.

(90)(1.5KΩ) > (10)(­

8.2KΩ) 135KΩ > 82KΩ se cumple
VB = (22V) ((8.2)/(8.2 + 56)) = 2.81 V

VBE = VB – VE VE = VB – VBE VE = 2.81 – 0.7 = 2.11V

IE = VE/RE IE = 2.11V/1.5KΩ = 1.41 mA

re = 26mV/IE = 26mV/ 1.41mA = 18.44 Ω

R’ = (R1*R2)/(R1 + R2) = (56*8.2)/(56 + 8.2) = 7.15 KΩ

Zi = (R’ * βre)/(R’ + βre) = (7.15*(90*18.44))/(7.15+(90*18.44)) = 1.35 KΩ

Zo = RC = 6.8 KΩ

Av = -RC/re = -(6.8 KΩ/18.44 Ω) = -368.76

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN EN EMISOR COMÚN
Sin puenteo: la resistencia de emisor no se puentea en el
equivalente de corriente alterna.
El modelo re sustituido en el equivalente de ca del circuito de emisor
común.
Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff en la entrada del circuito anterior
obtenemos: Vi = Ibβre + IeRE

Vi = Ibβre + (β + 1)IbRE

y la impedancia de entrada viendo hacia el circuito a la derecha de RB es:

Zb = Vi/Ib = βre + (β + 1)RE

Aproximando: (β + 1) ≈ β Zb = β(re + RE)

Y como en general RE es mucho mayor que re tenemos que: Zb ≈ βRE

Zi = Zb || RB
Av = Vo/Vi

Vo = - (β Ib )RC

Vi = Ib Zb

Av = - (β Ib )RC / Ib Zb = - β RC / Zb

Av = - β RC / β(re + RE)

Av = - RC / (re + RE)
EJEMPLO: Para el circuito dado, determine. Considere ro muy grande:
a. re
b. Zi
c. Zo
d. Av
Solución:

En cc: IB = (VCC – VBE)/(RB + (β + 1)RE)

IB = (20 V– 0.7 V)/(470 KΩ + (121)(0.56 KΩ))

IB = 35.89 µA

IE = (β + 1)IB = (121)(35.89 µA) = 4.34 mA

re = 26 mV/ IE = 26 mV/ 4.34 mA = 5.99 Ω

Zi = Zb || RB = (βRE RB)/(βRE + RB) = (120)(0.56)(470)/((120)(0.56) + 470)

Zi = 31584/537.2 = 58.79 KΩ
Solución:

Zo = RC = 2.2 kΩ

Av = - RC / (re + RE) = - (2.2 KΩ)/(0.00599 KΩ + 0.56 KΩ)

= - 3.88
 CONFIGURACIÓN EN EMISOR SEGUIDOR

La salida se toma de la terminal del emisor

del transistor.
La salida es un poco menor que la entrada
(por la caída en VBE) AV ≈ 1.

El voltaje de salida (V0)está en fase con la

señal de entrada (Vi)

Como el colector se conecta a tierra para el

análisis de ca, en realidad es una
configuración en colector común.
La configuración en emisor seguidor presenta una alta impedancia a la
entrada y una baja impedancia a la salida, lo cual es opuesto a la
polarización fija.
Sustituyendo el circuito equivalente re se obtiene el circuito siguiente:
Zi La impedancia de entrada se determina como se describió en la sección
anterior: Zi = RB || Zb

Con Zb = βre + (β + 1)RE o Zb ≈ β(re + RE)

Zo : la impedancia de salida se describe mejor escribiendo primero la

ecuación para la corriente Ib, Ib = Vi / Zb

Pero Ib = Ie/(β +1) por lo que Ie = ((β +1)Vi ) / Zb ≈ βVi / Zb

También: Zb ≈ β(re + RE) por lo que : Ie = Vi / (re + RE)

Si dibujamos el circuito dado por esta ecuación tendremos:

Y la impedancia de salida es: Zo = RE || re

Si RE es mucho mayor que re, se puede aplicar que:

Zo = re
Se utiliza el circuito anterior para determinar la ganancia de voltaje
aplicando la regla del divisor de voltaje:

Vo = (ViRE)/(re + RE)

Av = Vo/Vi = RE /(re + RE)

Como RE casi siempre es mucho mayor que

re, re + RE ≈ RE y Av ≈ 1
EJEMPLO1: Para el circuito en
emisor seguidor de la figura,
determine:
a. re
b. Zi
c. Zo
d. AV
EJEMPLO2: Para el circuito de la
figura, determine:
a. re
b. Zi
c. Zo
d. AV
EJEMPLO3: Para el circuito de la
figura, determine:
a. re
b. Zi
c. Zo
d. AV